模拟电子技术题库及答案

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模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术习题及答案

习题55.1在以下几种情况下,应分别采用哪种类型的滤波电路〔低通、高通、带通、带阻〕。

(1)从输入信号中提取100kHz~200kHz的信号;(2)抑制1MHz以上的高频噪声信号;(3)有用信号频率为1GHz以上的高频信号;(4)干扰信号频率介于1 kHz~10 kHz;解答:〔1〕带通滤波器;〔2〕低通滤波器;〔3〕高通滤波器;〔4〕带阻滤波器。

5.2在以下各种情况下,应分别采用哪种类型〔低通、高通、带通、带阻〕的滤波电路。

〔1〕抑制50Hz交流电源的干扰;〔2〕处理具有1Hz固定频率的有用信号;〔3〕从输入信号中取出低于2kHz的信号;〔4〕抑制频率为100kHz以上的高频干扰。

解:〔1〕带阻滤波器〔2〕带通滤波器〔3〕低通滤波器〔4〕低通滤波器5.3填空:〔1〕为了防止50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用滤波电路。

〔2〕输入信号的频率为10kHz~12kHz,为了防止干扰信号的混入,应选用滤波电路。

(3)为了获得输入电压中的低频信号,应选用滤波电路。

〔4〕为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用滤波电路。

解:〔1〕带阻〔2〕带通〔3〕低通〔4〕有源5.4无源一阶RC低通滤波电路的截止频率决定于的倒数,在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。

解答:时间常数,3dB5.5无源一阶RC高通滤波电路的截止频率决定于的倒数,在截止频率处输出信号比通带内输出信号小dB。

解答:时间常数,3dB5.6 一阶滤波电路阻带幅频特性以 /十倍频斜率衰减,二阶滤波电路那么以 /十倍频斜率衰减。

阶数越 ,阻带幅频特性衰减的速度就越快,滤波电路的滤波性能就越好。

解答:-20 dB ,-40 dB ,高。

5.7 试求题图所示电路的传递函数和频率响应表达式。

题图解答:()1v sR C A s sR C =+,j (j )1j v R CA R Cωωω=+5.8 题图5.8中所示为一个一阶低通滤波器电路,试推导输入与输出之间的传递函数,并计算截止角频率H ω。

《模拟电子技术》模拟试题【文后附答案】

《模拟电子技术》模拟试题【文后附答案】

《模拟电子技术》模拟试题【文后附答案】1.晶体三极管处于放大状态时,集电结和发射结的偏置情况为( )。

A 发射结反偏,集电结正偏 B 发射结、集电结均正偏 C 发射结正偏,集电结反偏2.电压跟随器是( )的特例。

A 反相比例运算B 同相比例运算C 加法运算 3.反相比例运算放大电路引入的是( )负反馈。

A 串联电压 B 并联电压 C 串联电流 4.三极管作放大管时一般工作在( )。

A 放大区 B 截止区 C 饱和区5.温度影响了放大电路中的( ),从而使静态工作点不稳定。

A 三极管 B 电容 C 电阻 6.场效应管是( )器件。

A 电流控制B 电压控制C 光电控制 7.差分放大电路是为了( )而设置的。

A 稳定AuB 放大信号C 抑制零点漂移 8.场效应管按性能分为耗尽型和( )。

A 绝缘栅型B 耗尽型C 增强型 9.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均在Uo=( )U2。

A 0.45 B 0.9 C 1.2 10.整流的目是( )。

A 将交流变为直流B 将高频变为低频C 将正弦波变为方波。

11.射极输出器的输出电压与输入电压( )。

A 反相B 同相C 不确定一、单项选择题(共 20 题,每题 2 分,共 40 分)12.直接耦合放大电路存在两个问题是前后级静态工作点相互影响和( )。

A 温度升高 B 零点漂移 C 功率输出增大 13.理想运放同相输入和反相输入的虚短指的是( )这种现象。

A U+ =U- B U+=0 C I+=I- 14.利用二极管的( )可以交流电将变成直流电。

A 放大特性 B 稳压特性 C 单向导电性 15.滤波电路的作用是( )。

A 减小直流电的脉动 B 输出稳定电压 C 整流16.三极管是电流控制器件,三极电流关系为( )和IC=βIB 。

A IC =IB+IE B IE =IB+IC C IB =IE+IC17.根据三极管结构的不同有NPN 和PNP 两种,而根据材料的不同分为( )两种。

模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)

模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)

模拟电子技术单选考试模拟题(含答案)一、单选题(共100题,每题1分,共100分)1、放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。

( )A、错误B、正确 ;正确答案:B2、输出端交流短路后仍有反馈信号存在,可断定为电流负反馈。

()A、对 :B、错正确答案:A3、正弦电流经过二极管整流后的波形为( )。

A、仍为正弦波。

B、矩形方波;C、等腰三角波;D、正弦半波;正确答案:D4、三极管超过( )所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案:C5、对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:( )A、ic=βibB、ie=βibC、ie=βic正确答案:A6、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。

()A、错B、对 :正确答案:A7、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。

( )A、正确 ;B、错误正确答案:B8、N型半导体中的多数载流子是()A、空穴B、负离子C、自由电子D、正离子正确答案:C9、集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用()A、光电耦合B、阻容耦合C、直接耦合D、变压器耦合正确答案:C10、如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是( )信号。

A、共模B、模拟C、差模正确答案:A11、理想集成运放的输出电阻为()。

A、不定。

B、∞;C、0;正确答案:C12、PN结两端加正向偏置电压时,其正向电流是由()而成。

A、少子扩散B、少子漂移C、多子漂移D、多子扩散正确答案:D13、因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为()A、交越失真B、截止失真C、频率失真D、饱和失真正确答案:C14、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在( )。

A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子技术中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是:A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用?A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中,若要实现电压跟随器,应该使用运算放大器的哪种配置?A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时,其导通电压是:A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是:A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中,为了减少噪声,通常采用以下哪种方法?A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案:1-5 D A C B B;6-10 B D D C B二、填空题(每空1分,共10分)1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。

2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。

3. 一个理想的二极管在反向偏置时,其电流是_________。

4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。

5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。

答案:1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是自由电子;在P型半导体中,多数载流子是空穴。

2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类,它属于电压控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入共射(共射、共集、共基)组态放大电路。

4、在多级放大器中,中间某一级的输出电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入_____负反馈_______。

6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。

7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的(b)组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入( c )后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( e)场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( b )。

A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况5、集成运放中间级的作用是( c )。

A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。

A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( a )的值。

A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。

模拟电子技术考试模拟题+答案

模拟电子技术考试模拟题+答案

模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题(共80题,每题1分,共80分)1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案:C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案:C3、为了提高交流放大电路的带负载能力,应选用( )作为输出级。

A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案:C4、功率放大电路的转换效率是指( )。

A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案:B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案:A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时,获得的结果差异较大,这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案:B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。

A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案:A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。

A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案:D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。

稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案:A10、安装桥式整流电路时,若将其中一只二极管虚焊,则通电工作时可能产生的后果是( )。

A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案:B11、在固定偏置放大电路中,如果负载电阻增大,则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案:C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。

模拟电子技术试题及答案(18套)

模拟电子技术试题及答案(18套)

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。

2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增加),发射结压降(减小)。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基极)、(共集电极)、(共射极)放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(电流)负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数A F=(A/1+AF ),对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=(1/F )。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F=( 1+AF )BW,其中BW=( fH-fL ),( 1+AF )称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。

13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路;OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(小于近似等于 1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调幅),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载波信号)。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy),电路符号是()。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是()。

A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案:C2. 共发射极放大电路中,输出电压与输入电压相位()。

A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案:B3. 理想运算放大器的输入阻抗是()。

A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案:C4. 在多级放大电路中,级间耦合方式通常采用()。

A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案:B5. 负反馈可以()放大器的放大倍数。

A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案:B6. 场效应管的控制方式是()。

A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案:A7. 模拟乘法器的主要功能是()。

A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案:D8. 集成电路的电源电压通常为()。

A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案:D9. 差分放大电路可以()。

A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案:C10. 模拟电路中的“地”通常是指()。

A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案:C二、填空题(每题2分,共20分)11. 放大器的增益通常用表示,单位是。

答案:增益;分贝(dB)12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。

答案:高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。

答案:电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。

答案:非线性15. 负反馈可以提高放大器的。

答案:稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。

答案:阻容;变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。

答案:对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。

答案:平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。

答案:参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。

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题型知识点题目选项1选项2选项3选项4选项5选项6选项7选项8选项9选项10答案试题解析难度关键字详细分数单选题第一章半导体PN结的最大特点是导电性绝缘性单向导电性C PN结的单向导电性1PN结判断题第一章半导体半导体随温度的提高,电阻会增大。

错误半导体材料的电阻特性2半导体判断题第一章半导体基本知识PN结正向偏置时,电阻小,反向偏置时,电阻大。

正确PN结的偏置2PN结单选题第一章半导体基本知识半导体受光热,导电性能将增强减弱不变A半导体2半导体单选题第一章半导体基本知识最常用的半导体材料是铜硅铝锗B半导体材料1半导体判断题第一章半导体基本知识根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体、半导体和绝缘体三类。

正确半导体材料1半导体判断题第一章半导体基本知识导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是绝缘体。

错误半导体材料1半导体判断题第一章半导体基本知识半导体具有气敏特性。

错误半导体材料1半导体判断题第一章半导体基本知识PN结正偏时,P区接电源的正极,N区接电源的负极。

错误PN结的偏置1PN结判断题第一章半导体基本知识PN结具有单向导电特性,即加正向电压时PN结导通,加反向电压时PN结截止。

正确PN结的偏置1PN结判断题第一章半导体基本知识二极管的P区引出端叫正极或阳极正确二极管的特性1二极管判断题第一章半导体基本知识N区的引出端叫正极或阳极。

错误二极管的特性1二极管判断题第一章半导体基本知识按二极管所用的材料不同,可分为硅管和锗管两类正确二极管的特性1二极管判断题第一章半导体基本知识二极管的正向接法是二极管的正极接电源的正极,二极管的负极接电源的负极;反向接法相反。

正确二极管的特性1二极管单选题第一章半导体基本知识硅二极管导通时的正向管压降约0.3V0.5V0.7VC二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流和最高反向工作电压。

正确二极管的特性1二极管判断题第一章半导体基本知识电路中流过二极管的正向电流过大,二极管将会击穿错误二极管的特性1二极管判断题第一章半导体基本知识如果加在二极管两端的反向电压过高,二极管将会击穿。

正确二极管的特性1二极管单选题第一章半导体基本知识有一锗二极管正、反相电阻均接近于零,表明该二极管已内部开路内部短路烧毁B二极管的特性2二极管单选题第一章半导体基本知识有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大,表明二极管已内部开路内部短路烧毁A二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常小于锗二极管的反向饱和电流正确二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识硅二极管的热稳定性能比锗二极管的要差错误二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识发光二极管将电信号转换为光信号正确二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识光电二极管将电信号转换为光信号错误二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变正向偏置电压来自动调节本机振荡频率。

错误二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识二极管是线性元件错误二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的电压死区错误二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识无论是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为0.3V左右错误二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识二极管具有单向导电性正确二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好错误二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压时,其反向电流迅速增加正确二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识二极管加正向电压时一定导通错误二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识二极管加反向电压时一定截止错误二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识有两个二极管的元件都叫二极管错误二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识二极管一旦反向击穿就一定损坏错误二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压错误二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识光电二极管可以作为电路通断和指示用错误二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识发光二极管可以接收可见光线错误二极管的特性2二极管判断题第一章半导体基本知识若增大变容二极管两端的反向电压,则结电容减小错误二极管的特性2二极管单选题第一章半导体基本知识当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管立即导通到0.3V才开始导通超过死区电压时才开始导通不导通C二极管的特性2二极管单选题第一章半导体基本知识把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管基本正常将被击穿将被烧坏电流为0C二极管的特性2二极管单选题第一章半导体基本知识为硅二极管加上0.4V正向电压时,该二极管相当于较小的电阻较大的电阻短路电阻B二极管的特性2二极管单选题第一章半导体基本知识某二极管反向击穿电压为150V.则其最高反向工作电压约等于150V略大于150V等于75V等于300VC二极管的特性2二极管单选题第一章半导体基本知识当坏境温度升高时,二极管的反向电流将增大减小不变先变大后变小A二极管的特性2二极管单选题第一章半导体基本知识测量小功率二极管的好坏时,一般把万用表欧姆挡拨到R×10R×1K R×1R×10KB二极管的特性2二极管单选题第一章半导体基本知识用万用表R×100挡来测试二极管,如果二极管 ()说明管子是好的正反向电阻都为零正反向电阻都为无穷大正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧反向电阻为几百欧,正向电阻为几百欧C二极管的特性2二极管单选题第一章半导体基本知识在测量二极管正向电阻时,若用两手把管脚捏紧,电阻值将会变大变小不变不确定B二极管的特性2二极管单选题第一章半导体基本知识变容二极管工作时,应加反向电压正向电压正向电压或反向电压A二极管的特性2二极管单选题第一章半导体基本知识发光二极管工作时,应加反向电压正向电压正向电压或反向电压B二极管的特性2二极管单选题第一章半导体基本知识变容二极管常用在()电路中高频低频直流中频A二极管的特性2二极管单选题第一章半导体基本知识交通信号灯采用的是()管。

发光二极管光电二极管变容二极管整流二极管A二极管的特性2第二章晶体三极管及其放大电路三极管有三个极,阳极、阴极和控制极。

错误晶体三极管2第二章晶体三极管及其放大电路在晶体三极管中,IB+IC=IE 正确晶体三极管1第二章晶体三极管及其放大电路某晶体三极管的UCE不变,当基极电流从30微安变到50微安时,集电极电流从1.2毫安变化为2毫安,则晶体三极管的电流放大倍数为40。

正确晶体三极管2第二章晶体三极管及其放大电路当UCE不变时,IB和UBE之间的关系称为输入特性曲线。

正确晶体三极管1第二章晶体三极管及其放大电路只要晶体三极管的发射结正偏、集电结反偏,该管必处于放大状态。

错误晶体三极管2第二章晶体三极管及其放大电路晶体三极管的穿透电流Iceo越大,说明管子质量越好。

错误晶体三极管2第二章晶体三极管及其放大电路硅三极管的热稳定性比锗三极管的要好。

正确晶体三极管2第二章晶体三极管及其放大电路硅三极管的穿透电流比锗三极管的要大。

错误晶体三极管2第二章晶体三极管及其放大电路工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件。

正确晶体三极管1第二章晶体三极管及其放大电路三极管有两个PN结,因此它具有单向导电性。

错误晶体三极管2第二章晶体三极管及其放大电路三极管有两个PN结组成,所以可以用两个二极管组合构成三极管。

错误晶体三极管1第二章晶体三极管及其放大电路晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料(N型和P型)构成的,所以,集电极和发射极可以互换使用。

错误晶体三极管2第二章晶体三极管及其放大电路测得正常放大电路中,晶体管的三个管脚电位分别是-9V、-6V和-6.3V,则这个晶体三极管是PNP锗管。

正确晶体三极管3第二章晶体三极管及其放大电路三极管的放大实质是用较小的电流控制较大的电流。

正确晶体三极管1第二章晶体三极管及其放大电路用直流电压表测得NPN型三极管中管子各极电位是UB=4.7V,UC=4.3V,UE=4V,则该晶体三极管的工作状态是饱和状态。

正确晶体三极管3第二章晶体三极管及其放大电路共发射极放大电路中,NPN管在三极管各极电位最高的是发射极。

错误晶体三极管2第二章晶体三极管及其放大电路满足IC=βIB的关系时,三极管工作在放大状态。

正确晶体三极管1第二章晶体三极管及其放大电路 晶体三极管处于饱和状态时,他的集电极电流将随基极电流的增加而增加。

错误晶体三极管2第二章晶体三极管及其放大电路三极管是一种电流控制的半导体器件。

正确晶体三极管1第二章晶体三极管及其放大电路三极管的电流放大作用作用是三极管最基本和最重要的特征。

正确晶体三极管2第二章晶体三极管及其放大电路NPN型晶体管处于放大状态时,各极电压关系是UC<UB<UE。

错误晶体三极管2第二章晶体三极管及其放大电路三极管的伏安特性是指它的输入特性和输出特性。

正确晶体三极管1第二章晶体三极管及其放大电路三极管的输出特性曲线是簇曲线,每一条曲线都与一个IB对应。

正确晶体三极管1第二章晶体三极管及其放大电路在三极管的输出特性曲线中,当IB减少时,它对应的输出特性曲线向上平移。

错误晶体三极管2第二章晶体三极管及其放大电路用万用表的电阻档测得三极管任意两管脚间的电阻均很小,说明该管两个PN结均开路。

错误晶体三极管2第二章晶体三极管及其放大电路放大电路设置静态工作点的目的是不失真放大。

正确共射极基本放大电路1第二章晶体三极管及其放大电路在共射极放大电路中,输出电压uo和输入电压ui相位相同。

错误共射极基本放大电路2第二章晶体三极管及其放大电路画放大电路的直流通路的直流通路时,把电容器看成开路。

正确共射极基本放大电路2第二章晶体三极管及其放大电路画放大电路的交流通路时,把直流电源和线圈看成短路。

错误共射极基本放大电路1第二章晶体三极管及其放大电路从放大电路输入端看进去的等效电阻称为放大器的输入电阻。

正确共射极基本放大电路2第二章晶体三极管及其放大电路从放大器输出端看进去的等效电阻称为放大器的输入电阻。

错误共射极基本放大电路2第二章晶体三极管及其放大电路对于一个放大器来说,一般希望其输入电阻大些,以减轻信号源的负担。

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