微电子器件测试实验
电子科技大学微电子器件实验报告MICRO-1
电⼦科技⼤学微电⼦器件实验报告MICRO-1电⼦科技⼤学实验报告（实验）课程名称微电⼦器件实验⼀：双极晶体管直流特征的测量学⽣姓名：学号：201203******指导教师：刘继芝实验地点：211楼605实验时间：2015、6、⼀、实验室名称：微电⼦器件实验室⼆、实验项⽬名称：双极晶体管直流特征的测量三、实验学时：3四、实验原理：1．XJ4810半导体管特性图⽰仪的基本原理⽅框图XJ4810图⽰仪的基本原理⽅框图如图1-3所⽰。
其各部分的作⽤如下。
（1）基极阶梯信号发⽣器提供必须的基极注⼊电流。
（2）集电极扫描电压发⽣器提供从零开始、可变的集电极电源电压。
（3）同步脉冲发⽣器⽤来使基极阶梯信号和集电极扫描电压保持同步，以便正确⽽稳定地显⽰特性曲线（当集电极扫描电压直接由市电全波整流取得时，同步脉冲发⽣器可由50Hz 市电代替）。
（4）测试转换开关是⽤于测试不同接法和不同类型晶体管的特性曲线和参数的转换开关。
（5）放⼤和显⽰电路⽤于显⽰被测管的特性曲线。
（6）电源（图中未画出）为各部分电路提供电源电压。
2．读测⽅法（以3DG6 npn 管为例）（1）输⼊特性曲线和输⼊电阻R i在共射晶体管电路中，输出交流短路时，输⼊电压和输⼊电流之⽐为R i ，即常数=??=CE V B BEi I V R 它是共射晶体管输⼊特性曲线斜率的倒数。
例如需测3DG6在V CE = 10V 时某⼀⼯作点Q 的R i 值，晶体管接法如图1-4所⽰。
各旋钮位置为：峰值电压范围 0~10V极性（集电极扫描）正（+）极性（阶梯）正（+）功耗限制电阻 0.1~1k Ω（适当选择）x 轴作⽤电压0 .1V/度 y 轴作⽤阶梯作⽤重复阶梯选择 0.1mA/级测试时，在未插⼊样管时先将x 轴集电极电压置于1V/度，调峰值电压为10V ，然后插⼊样管，将x 轴作⽤扳到电压0.1V/度，即得V CE =10V 时的输⼊特性曲线。
这样可测得图1-5；.200101.002.0310Ω=?=??=-=V VB BE i CE I V R图1-4 晶体管接法图1-5 晶体管的输⼊特性曲线（2）输出特性曲线、转移特性曲线和β、h FE 、α在共射电路中，输出交流短路时，输出电流和输⼊电流增量之⽐为共射晶体管交流电流放⼤系数β。
微电子器件实验指导书(实验2)
实验指导书实验名称：实验二图示仪检测MOS管参数学时安排：4学时实验类别：验证性实验要求：必做￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣一、实验目的和任务1、用图示仪检测MOS直流参数；2、学习并掌握该仪器的基本测试原理和使用方法，并巩固及加深对晶体管原理课程的理解。
二、实验原理介绍同实验五三、实验设备介绍晶体管直流参数是衡量晶体管质量优劣的重要性能指标。
在晶体管生产中和晶体管使用前，须对其直流参数进行测试。
XJ4822晶体管图示仪是一类专门用于晶体管直流参数测量的仪器。
用该仪器可在示波管屏幕上直接观察各种直流特性曲线，通过曲线在标尺刻度的位置可以直接读出各项直流参数。
用它可测试晶体管的输出特性、输入特性、转移特性和电流放大特性等；也可以测定各种极限、过负荷特性。
四、实验内容和步骤1、测试场效应管2SK30、IRF830的直流参数。
准备工作：在仪器未通电前，把“辉度”旋至中等位置，“峰值电压”范围旋至0-10伏档，“功耗限制电阻”调到1K档，“峰值电压” 调到0位，“X轴作用”置集电极电压1伏/度档，“Y轴作用”置集电极电流1毫安/度档。
接通电源预热10分钟。
调节“辉度”和“聚焦”使显示的图像清晰。
晶体管特性图示仪是为普通的NPN、PNP晶体管的特性图示分析而设计的，要用它来检测场效应管，就必须找出场效应管和普通晶体管之间的相似点和不同处。
场效应管的源极( S )、栅极( G )和漏极( D )分别相当于普通晶体管的发射极( E )、基极( B )、和集电极( C )。
普通晶体管是电流控制元件，而场效应管则是电压控制元件。
1)场效应管2SK30是N-MOS器件，它的管脚分布如图6.1所示。
图6.1 2SK30管脚分布图按照管脚的分布插好管脚后，把“Y轴作用”调到0.2mA/div，“X轴作用”调到1V/div，扫描电压极性为“+”,“功耗限制电阻”调为250Ω，“峰值电压”范围为60% ,“阶梯档级”调到0.1V/div,“阶梯极性”为“-”，“级/簇”置为10。
微电子器件试验二极管高低温特性测试及分析完整版
微电子器件试验二极管高低温特性测试及分析 HEN system office room 【HEN16H-HENS2AHENS8Q8-HENH1688】电子科技大学微固学院标准实验报告（实验）课程名称微电子器件电子科技大学教务处制表电子科技大学实验报告学生姓名：学号：指导教师：张有润实验地点： 211楼605 实验时间：一、实验室名称：微电子器件实验室二、实验项目名称：二极管高低温特性测试及分析三、实验学时：3四、实验原理：1、如图1，二极管的基本原理是一个PN结。
具有PN结的特性——单向导电性，如图2所示。
图 1 二极管构成原理2、正向特性：二极管两端加正向电压，产生正向电流。
正向电压大于阈值电压时，正向电流急剧增加，如图2 AB段。
3、反向特性：二极管两端加上反向电压，在开始的很大范围内，反向电流很小，直到反向电压达到一定数值时，反向电流急剧增加，这种现象叫做反向击穿，此时对应电压称为反向击穿电压。
4、温度特性：由于二极管核心是PN结，导电能力与温度相关，温度升高，正向特性曲线向左移动，正向压降减小；反向特性曲线向下移动，反向电流增大。
图 2 二极管直流特性五、实验目的：学习晶体管图示仪的使用，掌握二极管的高低温直流特性。
六、实验内容：1、测量当二极管的正向电流为100A时的正向导通压降；2、测试温度125度时二极管以上参数，并与室温下的特征参数进行比较。
七、实验器材（设备、元器件）：二极管、晶体管特性图示仪、恒温箱八、实验步骤：1、测晶体管的正向特性。
各旋钮位置为：•峰值电压范围 0~10V•极性（集电极扫描）正（+）•功耗限制电阻 ~1kΩ（适当选择）•x轴作用电压0 .1V/度•y轴作用电流10A/度2、测晶体管的反向特性。
各旋钮位置为：•峰值电压范围 0~10V•极性（集电极扫描）正（+）•功耗限制电阻 10k~100kΩ（适当选择）•x轴作用电压1V/度•y轴作用电流A/度3、对高温时的二极管进行参数测量。
微电子技术实习报告
一、实习前言随着科技的飞速发展，微电子技术作为现代电子技术的核心，已成为推动社会进步的重要力量。
为了深入了解微电子技术的实际应用，提升自身的实践能力，我于2023年暑假期间，在XXX科技有限公司进行了为期一个月的微电子技术实习。
二、实习目的1. 熟悉微电子技术的基本原理和工艺流程。
2. 掌握微电子器件的设计、制造与测试方法。
3. 增强团队合作和沟通能力，提升自身的职业素养。
三、实习内容1. 微电子器件设计与仿真在实习期间，我参与了公司某款新型微电子器件的设计与仿真工作。
在导师的指导下，我学习了电路设计软件，如Cadence、LTspice等，并完成了器件原理图的设计、仿真与优化。
通过实际操作，我掌握了微电子器件的设计方法，为后续的制造与测试奠定了基础。
2. 微电子器件制造在实习过程中，我有幸参观了公司的微电子器件制造车间。
在导师的带领下，我了解了芯片制造的各个工序，包括晶圆制备、光刻、蚀刻、离子注入、扩散、镀膜、切割等。
此外，我还学习了设备操作和维护方法，对微电子器件的制造过程有了更为深刻的认识。
3. 微电子器件测试在实习后期，我参与了微电子器件的测试工作。
在导师的指导下，我学习了测试仪器的使用方法，如示波器、万用表、频谱分析仪等。
通过实际测试，我掌握了器件性能的评估方法，并参与了测试结果的整理与分析。
四、实习收获1. 理论知识与实践相结合通过实习，我将所学的微电子理论知识与实际应用相结合，提高了自身的综合素质。
2. 提升了动手能力在实习过程中，我掌握了微电子器件的设计、制造与测试方法，提升了自身的动手能力。
3. 培养了团队合作精神在实习期间，我与团队成员密切合作，共同完成了各项任务，培养了团队合作精神。
4. 明确了职业规划通过实习，我对微电子行业有了更为全面的认识，明确了自身的职业规划。
五、总结本次微电子技术实习使我受益匪浅。
在今后的学习和工作中，我将继续努力，不断提升自身能力，为我国微电子产业的发展贡献自己的力量。
微电子技术实验报告
微电子技术实验报告一、实验目的本实验旨在通过实际操作，加深对微电子技术的理解，掌握基本的电路设计和实验技能，提高学生的实践能力和动手能力。
二、实验原理微电子技术是一门研究电子器件、电路和系统中微观器件的制造工艺、物理特性、器件特性及其应用技术的学科。
本实验涉及到微电子技术中的基本器件，如二极管、场效应管等。
三、实验内容1. 利用示波器和信号源等工具，对二极管的正向和反向特性曲线进行测量。
2. 利用基本电路元件，如电阻、电容、电感等，设计并搭建一个简单的电路。
3. 使用场效应管并对其进行测试，掌握其工作原理和特性。
四、实验步骤1. 准备工作：连接示波器和信号源。
2. 测量二极管的正向特性曲线：在示波器上设置适当的参数，连接二极管并记录电压-电流特性曲线。
3. 测量二极管的反向特性曲线：更改示波器参数，连接二极管并记录反向漏电流。
4. 搭建简单电路：根据设计要求，选取合适的元件，进行电路搭建。
5. 测试场效应管：通过实验测试场效应管的工作状态，并记录相关数据。
五、实验数据及图表1. 二极管正向特性曲线图（插入图表）2. 二极管反向特性曲线图（插入图表）3. 搭建的简单电路图（插入图表）4. 场效应管测试数据（数据表）六、实验分析通过本次实验，我深刻理解了二极管的正反向特性曲线，掌握了电路设计和搭建的基本技能，并对场效应管有了更深入的了解。
实验过程中，通过数据的分析和曲线的对比，我得出了一些结论，并发现了一些问题需要进一步探讨和解决。
七、实验结论本实验通过对微电子技术中的基本器件进行实际操作，增强了我对电子器件特性的认识，提高了我的实验技能。
通过本次实验，我不仅学到了理论知识，还掌握了实践技能，为将来的学习和工作打下了坚实的基础。
八、参考文献1. 《微电子技术基础》2. 《电子技术实验指导》（以上为实验报告内容，供参考。
）。
微电子器件的电气特性测试技术
微电子器件的电气特性测试技术在当今科技飞速发展的时代，微电子器件已成为各种电子设备的核心组成部分。
从智能手机到超级计算机，从医疗设备到航空航天，微电子器件的性能和可靠性直接影响着整个系统的运行效果。
而要确保微电子器件的质量和性能，电气特性测试技术就显得至关重要。
微电子器件的电气特性测试是一个复杂而精细的过程，它涉及到对器件的各种电学参数进行精确测量和分析。
这些参数包括电阻、电容、电感、电压、电流、功率等，它们共同决定了器件的功能和性能。
电阻测试是电气特性测试中的基本项目之一。
通过测量器件在不同条件下的电阻值，可以了解其导电性能和材料特性。
例如，在集成电路中，电阻的大小会影响信号的传输和功耗。
电容测试则用于评估器件的存储电荷能力和滤波效果。
在高频电路中，电容的特性对信号的稳定性和噪声抑制起着关键作用。
电感测试相对较少，但在某些特定的应用中，如电源管理和射频电路，电感的性能也不容忽视。
它直接关系到能量的存储和释放效率。
电压和电流的测量是电气特性测试中最常见的操作。
通过精确测量器件两端的电压和流过的电流，可以计算出功率、电阻等重要参数。
同时，对电压和电流的动态变化进行监测，可以发现器件在工作过程中的异常情况，如电压波动、电流过载等。
在测试过程中，测试设备的精度和准确性是至关重要的。
高精度的测试仪器能够提供更可靠的测量结果，减少误差。
常见的测试设备包括数字多用表、示波器、信号源、网络分析仪等。
数字多用表可以直接测量电压、电流、电阻等基本参数，具有操作简单、测量速度快的优点。
示波器则用于观察电压和电流的波形，能够捕捉到瞬间的变化和异常信号。
信号源可以产生各种标准的电信号，用于测试器件对不同输入信号的响应。
网络分析仪则主要用于测量射频器件的特性，如阻抗、散射参数等。
除了测试设备，测试环境也会对测试结果产生影响。
温度、湿度、电磁干扰等因素都可能导致测量误差。
因此，在进行电气特性测试时，通常需要在专门的测试实验室中进行，以确保测试环境的稳定性和可控性。
微电子器件的可靠性与寿命测试
微电子器件的可靠性与寿命测试在当今科技飞速发展的时代，微电子器件已经成为了我们生活中不可或缺的一部分。
从智能手机、电脑到汽车电子、医疗设备，微电子器件的应用无处不在。
然而，要确保这些器件在各种复杂的环境和长时间的使用中能够稳定可靠地工作，可靠性与寿命测试就显得至关重要。
微电子器件的可靠性是指其在规定的条件下和规定的时间内，完成规定功能的能力。
而寿命测试则是评估器件能够持续工作的时间长度。
这两者紧密相关，共同决定了微电子器件在实际应用中的表现和价值。
为什么要关注微电子器件的可靠性与寿命测试呢？首先，不可靠的微电子器件可能会导致设备故障，给用户带来不便甚至损失。
比如，手机中的芯片出现故障可能会导致数据丢失、通话中断；汽车电子系统中的器件失效可能会引发安全事故。
其次，对于生产厂商来说，器件的可靠性问题可能会导致召回产品、损害品牌声誉，带来巨大的经济损失。
因此，通过严格的可靠性与寿命测试，可以提前发现潜在问题，采取措施加以改进，提高产品质量，降低风险。
那么，如何进行微电子器件的可靠性与寿命测试呢？这涉及到一系列复杂的技术和方法。
一种常见的测试方法是热循环测试。
由于微电子器件在工作过程中会产生热量，温度的变化会对器件的性能和可靠性产生影响。
热循环测试就是通过反复地将器件在不同的温度环境中进行切换，来模拟其在实际使用中的热应力。
在这个过程中，观察器件是否出现性能下降、焊点开裂等问题。
另一种重要的测试是电应力测试。
给微电子器件施加不同的电压和电流，观察其在高电应力条件下的稳定性和耐久性。
这可以帮助发现器件在电性能方面的潜在缺陷，比如漏电、击穿等。
此外，还有湿度测试、振动测试、辐射测试等多种环境应力测试，以评估微电子器件在不同恶劣环境下的可靠性。
在进行寿命测试时，通常会采用加速寿命测试的方法。
因为直接对器件进行长时间的正常使用测试往往不现实，所以通过加大应力（如提高温度、电压等）来加速器件的老化过程，然后根据加速模型推算出在正常使用条件下的寿命。
微电子器件测验
环境适应性测验用于评估微电子器件在不同环境条件下的适应能力和可靠性。
详细描述
环境适应性测验主要包括温度循环测试、湿度敏感性测试、耐辐射测试和抗静电测试等。这些测试旨在模拟实际 使用中可能遇到的各种环境因素，如温度变化、湿度、电磁辐射和静电等，以评估微电子器件在这些环境条件下 的性能表现和可靠性。
要点一
总结词
要点二
详细描述
模拟实际应用环境，全面的环境适应性评估
该测验模拟实际应用环境，对某集成电路的环境适应性进 行了全面评估，包括温度、湿度、气压、机械振动等环境 因素。通过测试，可以了解集成电路在不同环境条件下的 性能表现和适应性水平，为产品的实际应用提供了可靠保 障。
REPORT
THANKS
SUMMAR Y
01
微电子器件概述
定义与分类
定义
微电子器件是将微电子学技术应 用于制造精密、微型电路或系统 中的器件，是现代电子设备中的 核心组成部分。
分类
微电子器件主要包括集成电路、 分立器件、光电子器件和传感器 等。
微电子器件的应用
通信
微电子器件广泛应用于 通信领域，如手机、无 线通信网络、卫星通信
能不断提高。
集成化
集成电路的集成度越来越高， 芯片上集成的晶体管数量越来
越多。
智能化
微电子器件与人工智能技术的 结合，使得微电子器件具有更 强的信息处理和决策能力。
绿色化
随着环保意识的提高，低功耗 、环保型的微电子器件成为未
来发展的趋势。
REPORT
CATALOG
DATE
ANALYSIS
SUMMAR Y
组装不良等，以提高产品的可靠性和稳定性。
REPORT
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实验仪器
1. 手动探针台 2. Keithley Model 82-WIN 同步C-V测试仪 Keithley 595 Quasistatic CV Meter (595准 静态 CV仪) Keithley 590 CV Analyzer (590 CV分析仪) Keithley 230 Programmable Voltage Source (230可编程电压源) 3. Metrics ICS
实验步骤
1、根据实验要求连接实验仪器 Agilent4156C和实验样品。 2、按照实验要求设置实验参数。 3、测量MOSFET的输入（转移）特性曲 线和输出特性曲线 4、利用计算机处理和分析实验数据。
数据处理和分析
1、将测试的数据进行整理，列表比较。。 2、根据测量的数据绘制MOBFET直流通 输入、输出特性曲线。 3、利用MOSFET的输入（转移）特性曲 线求跨导和阈值电压等。
实验原理
MOS电容如图1所示，它类似于 金属和介质形成的平板电容器。 但是，由于半导体中的电荷密 度比金属中的小得多，所以充 电电荷在半导体表面形式的空 间电荷区有一定的厚度（~微米 量级），而不象金属中那样， 只集中在一薄层中（~0.1nm） 内。半导体表面空间电荷区的 厚度随偏压VG而变化，所以 MOS好按实际工艺制成的提取芯片或封成各 种待测管种，普通MOS管只能进行MOS1参数提取 练习。 2. 行设计测取方案，用实验测试分别提取： 3. MOS1的直流模型参数数提取 4. MOS1的电容参数提取 5. MOS2的参数数提取 6. MOS2的参数数提取
数据处理和分析
实验仪器
实验三 芯 片 解 剖
芯片解剖，是研究半导体器件或集成电 路的产品版图及工艺、设计新品以及对 产品进行失效分析等的重耍手段。
实验原理和内容
（1）开壳前的性能检测： （2）打开管壳。 （3）芯片拍照并放大。 （4）由芯片照片和显微观察，识别集成元器件并由它们的布 局布线，提取出线路图和逻辑图。 （5）测读芯片表面（版图）尺寸——横向工艺解剖。 （6）测量集成电路上元器件参数。 （7）纵向工艺解剖——磨角测量芯片纵向结构。 （8）分析，总结。写出包括被分析产品的线路图、逻辑图、 版图和工艺的解剖报告。
微电子器件测试实验
实验目的和意义
微电子技术: 模型模拟技术 设计技术 工艺技术 测试技术
实验内容:
☺MOS电容的C-V特性测试 ☺MOSFET的 I-V特性测试 ☺芯片解剖 ☺MOSFET模型参数的提取
实验一、MOS电容的C-V特性测试
MOS电容是最简单的MOS结构，也是所有MOS器件的核 心。 MOS电容是研究硅表面性质非常有用的工具，它 得出的结果可直接用于MOS晶体管。 C-V测量常用于定期监控集成电路制造工艺。 通过测量MOS电容高频和低频时的C-V曲线，可以得 到栅氧化层厚度tox、氧化层电荷和界面态密度Dit、平 带电压Vfb、硅衬底中的掺杂浓度等参数。
实验二 MOSFET的I-V特性测试
MOSFET的直流输入（转移）特性、 直流输出特性、阈值电压、直流导通电 阻、源漏击穿电压、跨导和动态电阻是 通常主要的测试项目。
实验原理
直流输入特性 MOSFET是用栅电压控制源漏电流的器件，固定一个漏源电压Vds： 可测得一条Ids~Vgs 关系曲线，对应一组阶梯漏源电压可测得一 簇直流输入特性曲线。每条曲线均有三个区域，即截止区、饱和 区和线性区。曲线与Vgs轴交点处Vgs=Vth。曲线中各点切线的斜 率即为相应点的跨导gm 切线斜率越大，跨导越大。三个区域中 Ids~Vgs关系分别为: (1)截止区：0≥Vgs，Ids=0特性曲线与Vgs轴重合，跨导gm=0。 (2)饱和区：0＜Vgs－Vt≤Vds，Ids=k(Vgs－Vt)2特性曲线为二次曲 线，跨导gm=2k(Vgs－Vt)。 (3)线性区：Vg－Vt＞Vds，Ids=k[2(Vgs－Vt)Vds－Vds2]特性曲线为 一直线，所以也叫线性区，跨导gm=2kVds。用直流输入（转移） 特性曲线可测定MOSFET在各工作点上的跨导。
实验安排
实验原理
程序含三种MOS模型，总共模型参数42个。标 记LEVEL指明选用级别。一级模型即常用的平 方律特性描述的Shichman-Hodges模型，考虑 了衬垫调制效率和沟道长度调制效应。二级模 型考虑了短沟、窄沟对阈电压的影响，迁移率 随表面电场的变化，载流子极限速度引起的电 流饱和调制以及弱反型电流等二级效应，给出 了完整的漏电流表达式。三级模型是半经验模 型，采用一些经验参数来描述类似于MOS2的 二级效应。
实验仪器
实验四 MOSFET模型参数的提取
计算机辅助电路分析（CAA）在LSI和VLSI设计中已成为 必不可少的手段。为了优化电路，提高性能，希望CAA的结果 尽量与实际电路相接近。因此，程序采用的模型要精确。 SPICE-II是目前国内外最为流行的电路分析程序，它的 MOSFET模型虽然尚不完善，但已有分级的MOS 1到3三种具 一定精度且较实用的模型。确定模型后，提取模型参数十分重 要，它和器件工艺及尺寸密切相关。
随着栅压的不同， MOS电容将处于 不同的工作区： 积累区、耗尽区 和反型区 。
实验内容
1． 掌握MOS电容的C-V特性测试原理 和测试方法 2． 学习Keithley Model 82-WIN 同步CV测量仪的使用方法 学习Model 82-WIN 同步C-V库的使用， 并利用它提取界面陷阱电荷密度、可动 离子浓度、掺杂浓度分布、平带电容、 电压等
分析C-V数据
9.00E-011 8.00E-011 7.00E-011 6.00E-011
Cg(F)
5.00E-011 4.00E-011 3.00E-011 2.00E-011 -4 -2 0 2
CH CQ
4
Vg(V)
Model 82-WIN 同步C-V库的使用
Keithley Model 82-WIN提供了一个C-V库， 利用它用户可以方便地提取出许多有用 的参数，重要的有界面陷阱电荷密度、 可动离子浓度、掺杂剖面（根据高频C-V 曲线得到）等，另外还提供了一个用于 确定平衡态（同时也能确定最佳延迟时 间）的库文件。
输出特性
0.0022 0.0020 0.0018 0.0016 0.0014
Id(A)
0.0012 0.0010 0.0008 0.0006 0.0004 0.0002 0.0000 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
Vd(V)
实验内容
1、掌握MOSFET的输入（转移）特性曲线和 输出特性曲线测试原理和测试方法。 2、学习Agilent4156C半导体参数分析仪的 使用方法。 3、利用MOSFET的输入（转移）特性曲线求 跨导和阈值电压等。 4、利用绘图软件处理和分析实验数据。
输入特性
0.0011 0.0010 0.0009 0.0008 0.0007 0.0006
Id(V)
0.0005 0.0004 0.0003 0.0002 0.0001 0.0000 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
Vg(V)
直流输出特性 MOSFET在某一固定的栅源电压下所得Ids~Vds关系即为直流输 出特性，对应一组阶梯栅源电压可测得一簇输出特性曲线。每条 曲线分四个区域： (1)线性区：对于给定的Vg（＞Vth），线性区的Ids随Vds线性增 加。 (2)饱和区：在饱和区，Ids不再随Vds的增加而增加，它达到了饱 和值。 (3)击穿区：饱和区之后，若Vds进一步增加，晶体管将进 入击穿区，在该区，随Vds增加Ids迅速增大，直至引起漏-衬pn结 击穿，这是由漏端的高电场引起的。 (4)截止区：在该区中，Vgs＜Vth，因此源漏之间不存在导电沟 道，即Ids=0。但在实际的器件中，漏源电流并不为0，通常称此 电流为弱反型电流或亚阈值电流。
1. 手动探针台
Keithley Model 82WIN 同步 C-V测试仪
测试 软件
测试步骤
第一步 第二步 第三步 第四步 第五步 漏电流和杂散电容修正 导线效应修正 配置测量系统 进行C-V测量 分析C-V数据
配置测量系统
点击菜单行的Instruments按 钮 ，出 来一个下拉式菜单。 点击其中的GPIB按钮，会出现一个对 话框
1. 由测得数据，作成所需关系图。 2．求关系图上直线段（或渐进线）的斜率和结 局。也可以不作图，直接用程序在计算机上求取。 3．根据需要作SPECE-II模拟有关特征，使之与 实测关系相拟合来确定有关参数。 4．最优化程序提取所得电容参数代入公式，得 到模拟的特征关系，并与实测结果对比，分析误 差原因。 5. 对实验分段提取引入的误差，进行讨论分析。