正确选取MOS管之四大法则
mos选型规则
mos选型规则MOS选型规则引言：MOS（Metal Oxide Semiconductor）是一种常见的电路元件，广泛应用于集成电路中。
MOS选型规则是指在设计电路时，根据电路需求和性能要求，选择合适的MOS管型号和参数的一系列规则和方法。
本文将介绍MOS选型规则的基本概念、应用场景和具体操作步骤，帮助读者理解和应用MOS选型规则。
一、MOS管的基本概念MOS管是一种半导体器件，由金属-氧化物-半导体构成。
它具有电流放大、开关控制等特性，在数字电路、模拟电路和混合信号电路中得到广泛应用。
MOS管有不同的型号和参数，如通道长度、通道宽度、栅极电压等，不同的MOS管适用于不同的电路需求。
二、MOS选型规则的作用MOS选型规则是为了在设计电路时能够选择到最适合的MOS管型号和参数，以满足电路的性能要求。
通过合理的选型，可以提高电路的稳定性、工作效率和可靠性。
MOS选型规则是电路设计中的重要环节，对于提高电路性能和降低成本具有重要意义。
三、MOS选型规则的应用场景MOS选型规则适用于各种电路设计，特别是需要使用MOS管的电路。
比如，数字电路中的逻辑门、存储器等电路；模拟电路中的放大器、滤波器等电路；混合信号电路中的ADC、DAC等电路。
无论是低功耗、高速度还是高精度电路，都需要根据具体要求选择合适的MOS管。
四、MOS选型规则的具体操作步骤1.明确电路需求：首先要明确电路的功能要求、性能要求和工作条件。
比如，电路需要承受的电压、电流范围以及工作频率等。
2.确定MOS管类型：根据电路需求，确定所需的MOS管类型，包括N沟道型和P沟道型MOS管。
不同的MOS管类型适用于不同的电路应用。
3.选择合适的参数范围：根据电路需求，确定MOS管的参数范围，如通道长度、通道宽度、栅极电压等。
这些参数会直接影响电路的性能。
4.查找器件手册：根据确定的MOS管类型和参数范围，查找相关的器件手册。
手册中会提供各种型号和参数的MOS管的详细信息。
10步法则教你MOSFET选型
10步法则教你MOSFET选型俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。
功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P 型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件选型的10步法则，相信看完你会大有收获。
1、功率MOSFET选型第一步：P管，还是N管？功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。
如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动，驱动简单。
需要考虑N沟道和P沟道的应用主要有：（1）笔记本电脑、台式机和服务器等使用的给CPU和系统散热的风扇，打印机进纸系统电机驱动，吸尘器、空气净化器、电风扇等白家电的电机控制电路，这些系统使用全桥电路结构，每个桥臂上管可以使用P管，也可以使用N管。
（2）通信系统48V输入系统的热插拨MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。
（3）笔记本电脑输入回路串联的、起防反接和负载开关作用的二个背靠背的功率MOSFET，使用N沟道需要控制芯片内部集成驱动的充电泵，使用P沟道可以直接驱动。
2、选取封装类型功率MOSFET的沟道类型确定后，第二步就要确定封装，封装选取原则有：（1）温升和热设计是选取封装最基本的要求不同的封装尺寸具有不同的热阻和耗散功率，除了考虑系统的散热条件和环境温度，如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素，基本原则就是在保证功率MOSFET的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOSFET。
mos管栅极电阻选取方法
mos管栅极电阻选取方法
MOS管栅极电阻是设计中的一个重要参数，正确选择适合的电阻值可以有效地影响MOS管的工作性能。
以下是几种常用的选取方法，用以满足不同的设计需求。
1. 极点电阻法
极点电阻法是通过固定池电极电流为一个固定值，来计算出栅极电阻的方法。
通过应用电压源，测量输出电流的变化，以得到栅极电阻的值。
这种方法适用于需要设计固定尺寸的栅极电阻的场合。
2. DC工作点法
DC工作点法是指在直流条件下，通过测量栅极电流并将其带入恒流源，从而得出栅极电阻的值。
这种方法适用于需要设计具有稳定工作点的场合。
3. 小信号法
小信号法是通过测量输入电压、输出电流与栅极电阻之间的变化，从而得出栅极电阻的值。
在设计高频电路或需要分析放大器参数时，这种方法非常有用。
小信号法可以通过输入-输出特性曲线来计算栅极电阻。
4. 双仿射法
双仿射法是通过测量不同电压点处的输出电流来获得栅极电阻的值。
然后，将这些电阻值画在折线图上并连接在一起，通过图线的斜率来计算栅极电阻。
这种方法适用于需要在大范围内选择栅极电阻的场合。
综上所述，选择适合的MOS管栅极电阻选取方法取决于设计所需的栅极电阻特性以及应用的具体要求。
根据不同的设计需求，可以灵活地选择合适的方法来确保MOS管的正常工作并获得所需的性能。
MOS管主要参数及使用注意事项
MOS管主要参数及使用注意事项MOS管是一种常用的电力器件，广泛应用于电子电路和电源装置中。
本文将介绍MOS管的主要参数及使用注意事项。
1.MOS管的主要参数(1) 导通电阻（Rds(on)）：即MOS管导通时的电阻，也称为开态电阻。
导通电阻越小，MOS管导通时的功耗越小。
(2) 饱和电压（Vgs(sat)）：指MOS管在饱和区时，栅极与源极间的电压差。
饱和电压越小，MOS管的导通能力越好。
(3) 压降（Vds）：即栅极与源极间的电压差。
对于负载电路，要保证MOS管的压降在一定范围内，以避免过压损坏MOS管。
(4) 最大耐压（Vds(max)）：指MOS管能够承受的最大电压。
在设计电源装置时，要确保MOS管的最大耐压能够满足应用需求。
(5) 最大电流（Id(max)）：指MOS管能够承受的最大电流。
在设计电源装置时，要确保MOS管的最大电流能够满足应用需求。
(6) 开关速度（tf/td）：指MOS管从关态到开态或从开态到关态的时间。
开关速度越快，MOS管的响应时间越短，适用于高频应用。
(1)静电防护：MOS管对静电敏感，由于静电的高压可能导致器件损坏。
在操作MOS管时，应采取防静电措施，如穿戴静电消除器或接地腕带，以保护MOS管的正常工作。
(2)温度控制：MOS管的工作温度范围一般在-55℃至150℃之间。
当环境温度超过此范围时，应采取散热措施，如加散热片或风扇，以防止MOS管过热损坏。
(3)电流限制：在设计电路时，应根据MOS管的最大电流参数选择合适的负载电阻，以确保MOS管工作在安全电流范围内。
同时，在开关MOS 管时，要注意控制电流斜率，以减小MOS管的开关损耗。
(4) 输入电压（Vgs）控制：应根据具体的MOS管型号和应用需求，选择合适的输入电压（Vgs）范围，以保证MOS管正常开关。
(5)输出负载：要在MOS管的输出端加入合适的负载电路，以防止过压、过流等情况对MOS管造成损坏。
(6) 压降控制：在设计电源装置时，要合理选择MOS管的导通电阻，并确保输入电压（Vin）和输出电压（Vout）之间的压降在规定范围内，以保证电路的稳定工作。
mosfet管的选型
mosfet管的选型MOSFET管的选型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的电子元件，广泛应用于各种电路中。
在选择MOSFET管时，我们需要考虑多个因素，以确保电路的性能和稳定性。
本文将介绍一些关键的选型要点和常见的MOSFET参数，帮助读者更好地进行选型决策。
我们需要了解MOSFET的基本工作原理和结构。
MOSFET由源极（S）、漏极（D）和栅极（G）组成。
通过在栅极施加电压，可以控制漏极和源极之间的电流。
MOSFET有两种类型：N沟道MOSFET（N-MOSFET）和P沟道MOSFET（P-MOSFET），其区别在于电荷载流子类型的不同。
在选型过程中，第一个要考虑的因素是MOSFET的工作电压（Vds）。
这是指MOSFET能够承受的最大漏极-源极电压。
选择合适的工作电压范围是至关重要的，以确保MOSFET在实际应用中不会受到过电压的损坏。
第二个要考虑的因素是MOSFET的最大漏极电流（Id）。
这是指MOSFET能够承受的最大漏极电流。
根据实际应用需求，我们需要选择合适的最大漏极电流，以确保MOSFET能够正常工作，并不会因为过大的电流而发生故障。
除了工作电压和最大漏极电流，还有一些其他重要的参数需要考虑。
其中之一是阈值电压（Vth），它是指在栅极和源极之间的电压，MOSFET开始导通的最低电压。
阈值电压的选择将直接影响MOSFET 的导通特性和工作状态。
我们还需要考虑MOSFET的导通电阻（Rds(on)）。
导通电阻是指当MOSFET导通时，漏极和源极之间的电压降。
较低的导通电阻将导致更高的效率和更小的功耗，因此在一些高性能应用中，选择具有较低导通电阻的MOSFET是非常重要的。
除了这些参数，还有一些其他因素也需要考虑，例如开关速度、温度特性、封装类型和价格等。
这些因素根据实际应用需求和预算来决定。
为了确保选型的准确性，我们可以参考厂商提供的数据手册和应用指南。
这些资料通常包含详细的参数表、性能曲线和应用电路，可以帮助我们更好地了解和评估不同型号的MOSFET。
七步掌握MOS管选型技巧
七步掌握MOS管选型技巧MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。
选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。
那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。
首先是确定N、P沟道的选择MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。
MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
第二步是确定电压额定电压越大，器件的成本就越高。
从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。
就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。
额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。
此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。
MOS管选型
MOS管选型最近在推MOS管的过程中，遇到一些问题，最主要的是一个品牌替换参数的对应问题，很多时候我们只关注了电流电压满足要求，性能上的比较我们很少做比较，特从网上摘录此文，供大家参考：与系统相关的重要参数：在MO S管选择方面，系统要求相关的几个重要参数是：1．负载电流IL。
它直接决定于MOSF ET的输出能力；2．输入—输出电压。
它受M OSFET负载占空比能力限制；3．开关频率FS。
这个参数影响M OSFET开关瞬间的耗散功率；4． MOSF ET最大允许工作温度。
这要满足系统指定的可靠性目标。
MOSFE T设计选择：一旦系统的工作条件（负载电流，开关频率，输出电压等）被确定，功率MOSFE T在参数方面的选择如下：1 RDSO N的值。
最低的导通电阻，可以减小损耗，并让系统较好的工作。
但是，较低电阻的MOS FET其成本将高于较高电阻器件。
2散热。
如果空间足够大，可以起到外部散热效果，就可以以较低成本获得与较低RDSON一样的效果。
也可以使用表面贴装的MOSF ET达到同样效果，详见下文第15行。
3 MOS FET组合。
如果板上空间允许，有时候，可以用两个较高RDSO N的器件并联，以获得相同的工作温度，并且成本较低。
计算MOSF ET的功率损耗及其壳温：在MOSFE T工作状态下，有三部分功率损耗：1． MOS FET在完全打开以后（可变电阻区）的功率损耗：PON=I Load2 × RD SON ×占空比ILoad为最大直流输出电流。
2． MOSF ET在打开上升时功率损耗：PTRON= （IL oad × VDS× Tr×FS）/ 2其中：。
MOS管参数详解及驱动电阻选择
M O S管参数详解及驱动电阻选择Company Document number：WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998MOS管参数解释MOS管介绍在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。
MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。
这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。
原因是导通电阻小且容易制造。
所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。
MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
正确选择MOS管的步骤
MOS管正确选择的步骤正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。
第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。
在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。
额定电压越大，器件的成本就越高。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。
这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。
就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。
设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。
额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。
设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。
不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。
第二步：确定额定电流第二步是选择MOS管的额定电流。
视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。
与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。
两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。
MOS管主要参数及使用注意事项
MOS管主要参数及使用注意事项MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，用于电子电路中的开关和放大。
它具有很多不同的参数和特点，使用时需要注意一些关键事项。
以下是关于MOS管主要参数及使用注意事项的详细介绍。
一、MOS管的主要参数：1.阈值电压（VTH）：也称为开关电压，是决定MOS管是否导通的重要参数。
当输入电压大于阈值电压时，MOS管导通；当输入电压小于阈值电压时，MOS管截止。
2.最大耐压（BVDS）：也称为漏极-源极电压，是MOS管能够承受的最大电压。
超过最大耐压会导致MOS管损坏。
3. 最大漏源电流（IDmax）：也称为最大工作电流，是MOS管能够承受的最大漏源电流。
超过最大漏源电流会导致MOS管过载。
4.开关速度：指MOS管开关状态从导通到截至或截至到导通的速度。
开关速度越快，MOS管的应用范围越广。
5. 输电电导（gm）：也称为跨导，表示输出电流与输入电压的关系。
输电电导越高，表示MOS管的放大能力越强。
6. 导通电阻（RDSon）：也称为输出电阻，表示MOS管导通时的电阻大小。
导通电阻越小，MOS管的效率越高。
7. 溅射电容（Ciss）：也称为输入电容，表示输入端与输出端之间的电容。
溅射电容越大，输入和输出之间的相互影响越强。
二、MOS管的使用注意事项：1.静电防护：MOS管非常敏感于静电，因此在使用和存储过程中要注意防止静电的产生与积累。
在操作之前应接地，并戴防静电手套等防护措施。
2.驱动电压：MOS管的驱动电压应该在规定范围内，过高或过低的驱动电压都会影响MOS管的正常工作。
3.温度控制：MOS管的工作温度应在规定范围内，过高的温度会导致MOS管失效或寿命缩短。
4.阻流电阻：在MOS管的门极和源极之间应连接合适的阻流电阻，以避免超过最大额定电流。
5.施加电压：在使用MOS管时，应注意施加电压的波形和频率，以免超过MOS管的额定电压或导致过载。
6.绝缘层受损：MOS管的绝缘层非常薄，易受到电压击穿。
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mos管是金属（metal）-氧化物（oxid）-半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体（insulator）-半导体。
MOS管的source 和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。
这样的器件被认为是对称的。
选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。
在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。
额定电压越大，器件的成本就越高。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。
这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。
就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS.知道MOS 管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。
我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。
额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。
需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。
不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V.
法则之二：确定MOS管的额定电流
该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。
与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。
两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。
脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。
一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
选好额定电流后，还必须计算导通损耗。
在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。
MOS 管在"导通"时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显着变化。
器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。
对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。
注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。
关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。
法则之三：选择MOS管的下一步是系统的散热要求
须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。
建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。
在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散]）。
根据这个式子可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。
我们已将要通过器件的最大电流，可以计算出不同温度下的RDS（ON）。
另外，还要做好电路板及其MOS管的散热。
雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。
晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。
因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。
法则之四：选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能
影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。
这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。
MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。
为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损耗（Eoff）。
MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw= （Eon+Eoff）×开关频率。
而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。
场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。
事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。
最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。
这种晶体管称为金属氧化物半导体（MOS）晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。
因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。