制绒参数对单晶硅太阳电池制绒效果的影响_池缘缘

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制绒添加剂对太阳能电池效率的影响3

制绒添加剂对太阳能电池效率的影响3

实验结果与分析
不同制绒时间绒面的微观形貌
加添加剂制绒的电池 片平均光电转换效率 提高了0.2384%。加 添加剂制绒的电池片 反射率的减小,增加 不加添加剂和加添加剂制绒的电池片光电转换效率对比柱状图 了对光的吸收,同时 注:baseline为不加添加剂的硅片,experiment为加添加剂的硅片少子寿命的提高,增 加了电子和空穴的 稳定数目,这些数目又决定了电池片产生电压的提高,这两 方面都导致了光电转换效率的提高。
(b)加添加剂的单晶硅绒面 不加添加剂单晶硅片 11.179 2.716
加添加剂的单晶硅片
实验结果与分析
加添加剂对制绒后反射率的影响
不加添加剂和加添加剂的单晶硅片制绒后反射率的变异性图 注:baseline为不加添加剂的硅片,experiment为加添加剂的硅片
加添加剂的单晶硅片制绒后反射率有少许的下降。这是由于 加添加剂的硅片表面金字塔小且均匀性好,覆盖率高;而大 金字塔的塔尖容易坍塌等造成平均反射率较高。
实验结果与分析
光致发光缺陷测试
(a)不加添加剂的电池片
(b)不加添加剂的电池片
不加添加剂制绒的电池比加添加剂的暗的多,这说明其表面 的复合中心较多,也即缺陷较多。这可能是因为加添加剂制 绒的硅片表面态相对要稳定,也可能因为其表面微粗糙度比 较小,PECVD镀膜后的钝化效果比较好,减少了硅片表面的 复合中心。
实验结果与分析
加添加剂对微观绒面的影响
加添加剂制绒的单 晶硅片表面形成的 金字塔变小、密度 变大,绒面大小更 均匀。这是由于添 加剂中的有机基团 作为金字塔的起绒 点,大大提高了金 字塔的形核密度, 促进形成了大量小 金字塔。
3.561 0.689
(a)不加添加剂的单晶硅绒面 平均绒面大小/um 方差

用双氧水方法提高单晶硅片制绒效果的研究

用双氧水方法提高单晶硅片制绒效果的研究

用双氧水方法提高单晶硅片制绒效果的研究在现代电子产业中,单晶硅片作为半导体材料的重要代表,广泛应
用于各类电子产品的制造中。

而在制造单晶硅片的过程中,制绒是一
重要步骤,制绒效果对单晶硅片的质量和整体表现有着决定性的影响。

为了提高单晶硅片的制绒效果,近年来,研究中不断涌现新的方法。

其中,用双氧水方法提高单晶硅片制绒效果的研究成为了热点。

首先,双氧水是一种不对环境造成重大影响的氧化剂,因此采用双氧
水方法进行制绒,可以有效降低生产过程中的环境污染。

其次,使用
双氧水方法制绒,可以缩短制绒时间,提高生产效率。

在传统的制绒
过程中,通常需要较长时间进行加热和冷却,以达到一定的制绒效果,而采用双氧水方法可以在较短时间内获得同样的效果。

因此,用双氧
水方法提高单晶硅片制绒效果也是极具实用性的做法。

进行双氧水提高单晶硅片制绒的研究,通常需要在实验中应用一定的
技术手段,比如制定科学合理的实验方案,调节好实验过程中的温度、压力和化学反应等。

此外,还需要对实验结果进行科学的数据统计、
分析与比对,以确定双氧水方法相对于传统方法在制绒过程中的优越
性和效果。

对于双氧水方法提高单晶硅片制绒效果的具体打法,可以采用多种方法。

例如,可以控制双氧水的浓度和温度,以及处理时间,以达到最
佳的制绒效果。

在实际生产中,还可以通过采用一些特殊的设备和工具,如无菌平台、水平制绒仪等,来提高制绒的质量和效率。

总之,用双氧水方法提高单晶硅片制绒效果是一种高效、实用的技术。

未来,随着技术的推进,必将成为单晶硅片制造中的重要措施。

制绒参数对单晶硅太阳电池制绒效果的影响

制绒参数对单晶硅太阳电池制绒效果的影响
收稿 日期 : 2 0 1 3— 0 3—1 6 .
基 金项 目: 教育部新世纪优秀人才支持计划项 目( N o : N C E T 一 1 1 — 1 0 0 5 ) ; 辽宁省 自 然科学基金项 目( N o : 2 0 1 1 0 2 0 0 5 ) ; 辽宁省教育厅一般项 目 ( N o : I 2 0 1 2 4 0 1 ) ; 辽宁省百千万人才资助项 目 ( N o : 01 2 2 9 2 1 0 6 1 ) ; 辽宁省高等学校优秀人才支持计划( N o : L R 01 2 0 0 2 ) . 作 者简介 : 池缘缘 ( 1 9 9 0一) , 女, 渤海大学硕士研究生 , 主要从事新能源领域 、 太阳电池方 面研究.
0 引言
在 实用 化 的太 阳 电池 中 , 晶硅 电池一 直 占据太 阳电池市 场垄 断地位 . 截至 2 0 1 0年 … , 在全 球光 伏组 件
市场中, 晶硅电池组件所 占比例高达 8 5— 9 0 %. 据欧洲光伏工业协会 E P I A预测 , 至少到 2 0 2 0年 , 晶硅电 池仍将是未来光伏市场的主流产品( 其市场份额仍将 占约 5 0 %左右 ) , 因此对光伏产业的发展而言 , 优化 现有的晶硅电池生产工艺仍具有十分重要的意义 J .
参考文献 :
[ 1 ] I n t e r n a t i o n a l E n e r g y A g e n c y( 1 E A) , T e c h n o l o g y R o a d m a p : S o l a r p h o t o v o l t a i e e n e r g y [ R ] , 1 0 / 2 0 1 0 .
De c. 201 3
制绒参数对单 晶硅太 阳 电池制绒效果的影响

晶硅太阳电池工业生产中制绒工艺与设备设计要点

晶硅太阳电池工业生产中制绒工艺与设备设计要点

晶硅太阳电池工业生产中制绒工艺与设备设计要点于静;王宇;耿魁伟【摘要】针对工业生产单晶硅太阳能电池对绒面的要求,结合中国电子科技集团公司第四十五研究所研制的全自动制绒清洗设备中制绒工艺段的结构设计要点,从制绒工艺的原理、标准、影响制绒工艺的因素等方面进行分析,强调设备与工艺密切结合的重要性.【期刊名称】《电子工业专用设备》【年(卷),期】2010(039)004【总页数】4页(P1-3,35)【关键词】制绒工艺;设备;设计要点【作者】于静;王宇;耿魁伟【作者单位】中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京燕郊,065201;揭阳中诚集团有限公司,广东揭阳,522000;华南理工大学电子与信息学院,广州,510641【正文语种】中文【中图分类】TN305随着对太阳能电池领域研究的不断深入,提高电池的光电转换效率和降低生产成本已经成为行业发展的核心所在。

目前光伏市场上的主导产品仍是晶硅太阳电池,包括单晶硅与多晶硅两大类,用p型(或n型)硅衬底,通过磷(或硼)扩散形成pn结制作而成,生产技术及工艺比较成熟,其工艺流程为:制绒→磷扩散→等离子刻蚀→去PSG→PECVD→背电极印刷→背电场印刷→正电极印刷→烧结→测试分档[1,2]为了得到更高品质的产品,企业都会在各个环节的细节上做功夫。

1 制绒的原理制绒是晶硅电池的第一道工艺,又称“表面织构化”,对于单晶硅来说,制绒是利用碱对单晶硅表面的各向异性腐蚀,在硅表面形成无数的四面方锥体。

目前工业化生产中通常是根据单晶硅片的各项异性特点采用碱与醇的混合溶液对<100>晶面进行腐蚀,从而在单晶硅片表面形成类似“金字塔”状的绒面,如图1所示。

图1 电子显微镜下的单晶硅表面绒面效果金字塔形角锥体的表面积S等于四个边长为a的正三角形SΔ之和,可计算得表面积S为:,即绒面表面积比平面提高了1.732倍。

如图2所示,光线在表面的多次反射,有效增强了入射太阳光的利用率,从而提高光生电流密度。

单晶硅制绒原理

单晶硅制绒原理

单晶硅制绒原理一、前言单晶硅制绒是一种新型的纳米材料制备技术,其原理基于单晶硅的特殊性质和化学反应,通过控制反应条件和工艺参数,使得单晶硅表面形成微米级别的绒毛结构。

这种绒毛结构具有特殊的物理和化学性质,在光电、生物医学、能源等领域具有广泛的应用前景。

本文将详细介绍单晶硅制绒的原理及其相关机理。

二、单晶硅的特殊性质单晶硅是一种高纯度、高结晶度的半导体材料,其独特的物理和化学性质决定了它在纳米材料制备中具有重要作用。

首先,单晶硅具有高密度和高结晶度,因此在反应过程中能够提供稳定的反应场所,并且可以保证所得到的纳米材料具有较好的结晶性和形态稳定性。

其次,单晶硅表面具有天然氧化层,在空气中易于形成SiO2薄层。

这种氧化层可以保护单晶硅表面不受外界环境的影响,并且可以提供反应所需的活性位点。

最后,单晶硅具有良好的光学和电学性质,可以用于制备光电器件和传感器等。

三、单晶硅制绒的原理单晶硅制绒是一种化学反应过程,其基本原理是在特定条件下,将单晶硅表面氧化层上的Si-O键断裂,然后在空气中形成Si-OH活性位点,并通过这些活性位点进行化学反应,最终形成微米级别的绒毛结构。

具体来说,单晶硅制绒可以分为以下几个步骤:1. 单晶硅表面氧化层处理首先需要对单晶硅表面进行氧化层处理。

这一步骤通常采用湿法或干法氧化方法,在高温高压下使得Si表面形成一层厚度为数纳米至数十纳米的SiO2薄层。

这种薄层可以保护单晶硅表面不受外界环境影响,并且提供反应所需的活性位点。

2. 活性位点生成在第一步处理完成后,需要将SiO2薄层上的Si-O键断裂,生成活性位点。

这一步骤通常采用酸或碱处理,使得Si-O键断裂并形成Si-OH 活性位点。

在此过程中,需要控制处理时间和处理浓度,以避免产生过多的缺陷和损伤。

3. 化学反应在活性位点生成后,需要进行化学反应。

这一步骤通常采用氧化、还原、加热等方法,在空气中形成Si-O-Si键,并通过这些键进行化学反应。

制绒原理及影响因素

制绒原理及影响因素

硅片的酸腐蚀由两步组成, 硅片的酸腐蚀由两步组成,第一步为硅的氧化过程
第二步氧化物的溶解过程
总反应
形成腐蚀坑原理
当气泡在表面附着足够长的时间并使被遮盖和未被遮盖区域的腐蚀产生相 当的差别,就会产生凸凹不平的表面 HNO3横向腐蚀,HF纵向腐蚀
反应速度影响因素
制绒槽长度: 制绒槽长度:2.12m,单面腐蚀 ,单面腐蚀4-4.5um 1、Rena滚轮速度 、 滚轮速度1.45m/min(八道) 滚轮速度 (八道) 反应速率2.7-3.1um/min 反应速率 2、捷佳创滚轮速度 捷佳创滚轮速度1.95m/min(五道) 捷佳创滚轮速度 (五道) 反应速度3.6-4.2um/min 反应速度
赛维LDK太阳能高科技(新余) 赛维LDK太阳能高科技(新余)有限公司 LDK太阳能高科技
制绒原理及影响因素
向华斌 2011.9.22

主要内容
一、制绒目的及原理 二、影响反应速度的各种因素 三、rena设备与捷佳创设备的比较 rena设备与捷佳创设备的比较
第一部分
Rena
捷佳创
制绒副槽对比
• rena
溢流管
• 捷佳创
溢流管
排液管
排液管
绿色
智慧 奉献
超越
HNO3 rena 捷佳创 246 240
HF 52 60
DI-WATER 182 180
反应速度曲线
硅片表面质量
• 多晶硅制绒反应的发生点为晶体表面的缺陷点,如果过分完整 的表面反而无法制绒—水之清则无鱼 • 对比单晶—大颗粒—正常片
温度
40℃
30 ℃
10 ℃
8℃
搅拌
• 当溶液中有扰动时,富氢氟酸体系中,反应速 度减小。这是因为,扰动降低了氧化过程中的 中间产物在硅片表面的浓度,降低氧化反应速 度。富硝酸体系中,扰动将会增大硅片腐蚀的 饱和电流。增加刻蚀速度,这是因为,扰动降 低HF的传质阻,降低HF的扩散梯度,减少扩散 层厚度。

晶硅太阳电池工业生产中制绒工艺与设备设计要点

晶硅太阳电池工业生产中制绒工艺与设备设计要点
1 D
电 子 工 业 毫 用 设 吝

பைடு நூலகம்
光 伏 制造 工 艺与 设 备 ・
晶硅 太 阳 电池工 业 生产 中制绒 工 艺 与设 备 设计 要点
于静 ,王 宇 ,耿 魁伟 。
( . 国电 子科 技集 团公 司第 四 十 五研 究昕 , 1中 北京 燕郊 0 5 0 ; 62 1 2 揭 阳 中诚集 团有 限公 司 , 东揭 阳 5 2 0 ;3 华 南理 工大 学 电子 与信 息 学 院 , . 广 200 . 广州 , 16 1 5 04 ) 摘 要 : 对 工业 生产 单 晶硅 太 阳能 电池 对 绒 面 的要 求 ,结合 中 国电子 科 技 集 团公 司 第四 十 五 针 研 究所研 制 的全 自动制 绒 清 洗 设 备 中制 绒 工 艺段 的 结 构设 计 要 点 , 制绒 工 艺的 原 理 、 准 、 从 标 影 响制 绒 工 艺的 因素 等 方 面进 行分 析 , 调设 备 与 工 艺 密切 结 合 的 重要 性 。 强 关 键 词 : 绒 工艺 ; 备 ; 制 设 设计 要 点 中图 分类 号 : N3 5 T 0 文 献标 识 码 : B 文章 编 号 : 0 44 0 (0 00 —0 10 1 0 -5 72 1 )40 0 —3
电池 的光 电转 换 效率和 降低 生产 成 本 已经成 为 行业 发展 的核 心所 在 。 目前 光伏 市场 上 的主 导产 品仍 是
晶硅 太 阳 电池 , 括单 晶硅 与 多晶硅 两大 类 , P型 包 用
收 稿 日期 :0l .32 2 00—5
光 伏 制造 工艺 与 设 备 ・
Ab t a t n t i p r he a t ma i e t rn &c e ni q i m e ti e i n d f rs lrc l s ra e s r c :I h spa e ,t u o tct x u i g l a ng e u p n sd sg e o o a e l u f c

太阳能电池制绒原理以及问题处理

太阳能电池制绒原理以及问题处理

多晶制绒原理及相应对策
多晶硅织构化应使用各项同性织构技术
湿法各项同性腐蚀
使用HF/HNO3/H2O
• HNO3在硅表面形成SiO层 • HF将氧化层除去
两者形成竞争
效率增加: 电池片:7% 组件: 4.8%
温度与腐蚀速度的关系
100
HNO3:HF:CH3COOH 4.5 : 2 : 3.5
Etch-rate, m/min

表面油脂去除方案

有机溶剂+超声——有机溶剂溶解有机物质 酸性液体去除法——如RCA工艺:热硫酸煮硅片


表面活性剂
NaOCl热处理——利用O自由基的强腐蚀性

方案一、利用NaOCl预清洗
实验条件
1 传统织构化工艺 新工艺条件 NaOH (8%,75C,2min) NaOCl(12%,80C,15min) 2 NaOH(2%)+IPA(7%) NaOH(2%)+IPA(7%)
等离子体法刻蚀形貌图
怎样是“好”的金字塔

小而均匀 布满整个硅片表面
Low density texture
High density texture
怎样得到“好”的金字塔 关键:降低硅片表面/溶液的界面能
两个方面实现:

1、提高硅片表面的浸润能力,如添加IPA或者把硅片进行酸或碱的 腐蚀。

{111}
各向异性的原因
Si+2NaOH+H2O==Na2SiO3+2H2

1、水分子的屏蔽效应(screening effect)阻挡了硅原子与OH根离子的 作用,而水分子的屏蔽效应又以原子 排列密度越高越明显。

2、在{111}晶面族上,每个硅原子具 有三个共价健与晶面内部的原子健结 及一个裸露于晶格外面的悬挂健, {100}晶面族每一个硅原子具有两个共 价健及两个悬挂健,当刻蚀反应进行 时,刻蚀液中的OH-会跟悬挂健健 结而形成刻蚀,所以晶格上的单位面 积悬挂健越多,会造成表面的化学反 应自然增快。
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收稿日期:2013-03-16.基金项目:教育部新世纪优秀人才支持计划项目(No :NCET -11-1005);辽宁省自然科学基金项目(No :201102005);辽宁省教育厅一般项目(No :L2012401);辽宁省百千万人才资助项目(No :2012921061);辽宁省高等学校优秀人才支持计划(No :LR201002).作者简介:池缘缘(1990-),女,渤海大学硕士研究生,主要从事新能源领域、太阳电池方面研究.通讯作者:lxd2211@sina.com.制绒参数对单晶硅太阳电池制绒效果的影响池缘缘,陆晓东*,周涛,董永超(渤海大学新能源学院,辽宁锦州121013)摘要:本文以金相显微镜(放大倍数分别为800ˑ,400ˑ)为观测手段,研究了NaOH 溶液浓度、反应时间、温度和IPA 浓度等参数对单晶硅制绒效果的影响,通过金相显微镜显微图像的对比分析发现:当NaOH 溶液浓度大于2%条件时,温度小于75ħ时,单晶硅表面的绒面效果较差.当制绒液中NaOH 和IPA 的浓度分别为1.57%和5%,且制绒时间和制绒温度分别为25min 和80ħ时,制备的绒面结构均匀,金字塔的覆盖率约为100%,即可实现最优的制绒效果.关键词:制绒;单晶硅太阳电池;表面织构中图分类号:TM 914.4文献标志码:A 文章编号:1673-0569(2013)03-0362-050引言在实用化的太阳电池中,晶硅电池一直占据太阳电池市场垄断地位.截至2010年〔1〕,在全球光伏组件市场中,晶硅电池组件所占比例高达85-90%.据欧洲光伏工业协会EPIA 预测,至少到2020年,晶硅电池仍将是未来光伏市场的主流产品(其市场份额仍将占约50%左右),因此对光伏产业的发展而言,优化现有的晶硅电池生产工艺仍具有十分重要的意义〔2-3〕.由于绒面结构具有减小入射光的反射率和提高体内光场吸收效率的作用,所以其已成为晶硅太阳电池芯片生产过程中的最重要工序.目前,晶硅电池制绒多采用酸性或碱性溶液腐蚀的方法实现,酸性溶液主要用于多晶硅太阳电池的制绒过程中,而碱性溶液多用于单晶硅太阳电池的制绒过程中.仅就制绒过程而言,碱性溶液制绒过程具有反应过程控制方便、制绒效果良好(形成硅片表面均匀分布的金字塔结构)、反应过程不产生危害环境的有害气体(如NO x )等特点,所以更易于实现清洁高效电池的批量生产.图1理想的绒面结构良好的单晶硅绒面应具有的特征为〔4〕:入射光在金字塔斜面的一次入射角约为54.74ʎ,在相邻金字塔斜面的二次入射角约为15.78ʎ(如图1所示).相应的金字塔结构要求为:尺寸在1 3μm 之间、大小均第34卷第4期2013年12月渤海大学学报(自然科学版)Journal of Bohai University (Natural Science Edition )Vol.34,No.4Dec.2013DOI:10.13831/ki.issn.1673-0569.2013.04.005匀、覆盖率达到100%.由于制绒过程中涉及多个参量,如溶液浓度,反应时间,温度,IPA 浓度等,所以探讨各个参量对制绒效果的影响及最优制绒参数范围大小,对晶硅太阳电池制绒工序而言至关重要.本文主要通过对NaOH 溶液浓度,反应时间,温度,IPA 浓度等参数的调整,利用金相显微镜(放大倍数分别为800ˑ,400ˑ)呈现的单晶硅表面的显微图像,探讨各参量变化对制绒效果的影响,并通过不同制绒条件显微图像的对比,给出最优的NaOH 溶液制绒参数范围.1实验1.1实验材料与主要仪器实验原料:9片大小相同的P 型单晶硅片,晶向正偏ʃ3ʎ,厚度为220ʃ10μm ,直径为150ʃ0.5mm 、电阻率为0.5 6Ω.cm.化学药品及纯度:NaOH 颗粒(分析纯)、异丙醇(IPA )(分析纯)、30%过氧化氢(优级纯)、硫酸(优级纯)、氢氟酸(HF 含量不少于40%)、去离子水.实验主要仪器及设备:数显恒温水浴锅、金相显微镜、硅片腐蚀清洗机(型号:CSE -SC -N186(QK -LAB ).1.2实验原理:1.2.1硅片的预处理图2预处理前后晶片表面形貌的对比,其中(a )为预处理前硅片表面的形貌情况,(b )为预处理后硅片表面的形貌情况由于新购单晶硅片的表面残留大量的有机沾污,所以实验过程中先用浓硫酸:双氧水=1:1的溶液去除此种沾污,然后再利用HF 溶液去掉硅片表面天然的和有机沾污去除过程中新形成的SiO 2膜(反应过程如公式(1)所示),最后为避免机械损伤层对制绒效果产生不利影响,再将清洗后的单晶硅片浸泡到浓NaOH 溶液中(此时NaOH 溶液为各向同性腐蚀液,NaOH 溶液的浓度为12%,温度为85ħ,时间3min.反应过程如公式(2)所示),将硅片表面腐蚀掉4 6μm.SiO 2+6HF =H 2(SiF 6)+2H 2O(1)Si +2NaOH +H 2O =Na 2SiO 3+2H 2↑(2)图2为预处理前后,单晶硅片表面的形貌对比情况.如图2(a )所示,未经过处理过的单晶硅片表面存在严重的机械损伤,即:形成数量庞大的小突起和小凹陷.由于在这些突起和凹陷处,硅片表面的晶向十分混乱,且不同晶向与NaOH 溶液反应速度不同,所以直接利用这种晶片表面制绒,很难形成良好的绒面结构.单晶硅片表面为〔100〕晶面,是形成良好绒面的前提.由图2(b )可见,经过预处理后,单晶硅片表面略有起伏,但上表面基本平行,即硅片表面已基本为(100)晶面.1.2.2制绒过程一般单晶硅碱性制绒液为加了异丙醇(IPA )的低浓度NaOH 溶液〔5,6〕,制绒温度为75 85ħ,制绒时间为20 30min.为了研究制绒液中NaOH 的浓度、IPA 浓度、反应时间和反应温度等,对单晶硅表面形成363第4期池缘缘,陆晓东,周涛,董永超:绒参数对单晶硅太阳电池制绒效果的影响绒面效果产生的影响,实验过程中我们分别进行了以下实验:第一组NaOH 溶液的浓度实验:控制IPA 浓度为5%,时间25min ,温度80ħ,改变NaOH 溶液的浓度范围:0.5 12%.第二组IPA 浓度实验:控制NaOH 溶液浓度为1.57%,时间25min ,温度80ħ,改变IPA 浓度范围:0 20%.第三组反应时间实验:控制NaOH 溶液浓度为1.57%,IPA 浓度为5%,温度80ħ,改变反应时间范围:0 40min.第四组反应温度实验:控制NaOH 溶液浓度为1.57%,IPA 浓度为5%,时间25min ,改变反应温度范围:70 90ħ.(注:以上温度均为反应过程中利用温度计实测的溶液温度)2实验结果及讨论2.1NaOH 溶液浓度的影响(第一组实验)当NaOH 溶液的浓度较低时,参与反应的NaOH 量很小,不能对硅片表面起到很好的腐蚀作用,如图3(a )所示.图3(a )为NaOH 溶液的浓度为0.5%时,制备绒面的特点是:金字塔的覆盖率较低(非常稀疏),尺寸不一,且分布不均.由于良好的绒面结构要求金字塔尺寸均匀,且覆盖整个硅片表面,所以这种绒面结构并不符合要求.当NaOH 溶液的浓度从1%增加2%时,硅片表面的金字塔结构将逐渐变密,尺寸渐趋均匀.图3(b )和图3(c )分别是NaOH 溶液的浓度为1.57%和2%时,硅片表面制备的绒面情况.如图3(b )和图3(c )所示,此范围内绒面的特点是:金字塔尺寸基本一致(其平均尺寸约为2μm ),分布均匀(覆盖率约100%).此时,用肉眼观察发现硅片表面呈灰暗色.在保持温度80ħ不变的条件下,使NaOH 溶液的浓度从2%增加至10%时,制备的金字塔逐渐变小,最终完全消失,如图3(c )和图2(b )所示.由于此浓度范围内,NaOH 溶液与硅片表面反应过于剧烈,NaOH 溶液表现为各向同性腐蚀性质(即呈现出抛光液的性质).基于以上结果可见,最优的NaOH 溶液的浓度范围为1% 2%.通过对比试验发现:在这一最优浓度范围内,最佳的NaOH 浓度为1.57%.图3不同碱溶液浓度制绒后得到的显微镜图片,其中(a )NaOH 0.5%,(b )NaOH 1.57%,(c )NaOH 2%2.2IPA 浓度的影响(第二组实验)在制绒过程中,IPA 起的作用是降低硅片表面张力(即降低OH -浓度),促进氢气泡从硅片表面脱附,增强制绒腐蚀过程的各向异性因子〔7-8〕.当IPA 浓度处于0 3%范围时,受硅片表面张力及氢气泡在硅片表面长时间停留的影响,硅片各向异性腐蚀的效果很差.图4(a )是IPA 溶液的浓度为0时,硅片表面制绒情况.此时金字塔的尺寸较小,且金字塔形状不规则,但覆盖率较高.当IPA 浓度从3%增加8%时,IPA 对NaOH 溶液制绒过程起到了明显的调节作用,可获得较高的各向异性因子.图4(b )为IPA 浓度5%时,硅片表面的制绒情况.此时金字塔形状规则,尺寸较小,覆盖率较高.当IPA 浓度从8%增加20%时,一方面制绒过程产生的氢气泡迅速脱离硅片表面,加快了制绒反应速率,很难形成小金字塔结构;另一方面,过463渤海大学学报(自然科学版)第34卷量的IPA 破坏了不同晶面上的OH -离子浓度分布情况,导致各向异性因子变差,金字塔形状将变得不规则.图4(c )为IPA 浓度10%时,硅片表面制备金字塔情况.因为规则且均匀分布的金字塔结构,是获得较小反射率的必要条件,所以最优的IPA 浓度范围是3% 8%,且对比发现:IPA 浓度为5%时,制绒效果最佳.图4不同IPA 浓度制绒后得到的显微镜图片,其中(a )IPA 0%,(b )IPA 5%,(c )IPA 10%2.3反应时间的影响(第三组实验)制绒过程需要一定的反应时间,但过长的反应时间也会对形成的金字塔结构产生不利影响〔9〕.当制绒时间0 15分钟时,硅片表面仅生成了少量的金字塔结构,且金字塔结构的覆盖率较低,如图5(a )所示.当制绒时间为15 25分钟时,硅片表面的金字塔结构逐渐变密,如图5(b )所示.当制绒时间大于25分钟时,金字塔结构逐渐消失,如图5(c )所示.对比不同制绒时间发现最佳的制绒时间为24 26分钟.此反应时间,可使形成的金字塔结构布满整个硅片表面.图5不同时间制绒后得到的显微镜图片,其中(a )10min ,(b )25min ,(c )30min 2.4反应温度的影响(第四组实验)图6不同温度制绒后得到的显微镜图片,其中(a )70ħ,(b )80ħ,(c )85ħ将硅片放入溶液后,待腐蚀的硅表面吸附着Na +,H +,OH -和SiO 32-等离子.若要使反应持续进行,必须不断从硅片表面将Na +和SiO 32-运走,并提供新的OH -与硅反应,否则制绒化反应很难进行〔10〕.各类离子输运过程主要通过热运动来完成,且输运速率随温度升高而加快.当温度小于75ħ时,织构化反应很难进行,金字塔结构的形状并不完整、尺寸很小,但覆盖率较高,如图6(a )所示.当温度从80ħ增加85ħ时,制备的金字塔尺寸将逐渐变大,如图6(b )和图6(c )所示.当温度大于85ħ时,形成的金字塔尺寸持续增加,但均匀563第4期池缘缘,陆晓东,周涛,董永超:绒参数对单晶硅太阳电池制绒效果的影响663渤海大学学报(自然科学版)第34卷性变差.可见最优的制绒温度范围为80ħ 85ħ.因为温度偏高时,IPA挥发速率加快,所以试验获得的最优温度为80ħ.3结论本文比较详细地分析了影响单晶硅制绒过程的几个基本因素,优化了NaOH溶液的浓度、IPA浓度、反应时间和反应温度等基本参数,得到了最优制绒工艺条件,即NaOH浓度为1.57%,IPA的浓度为5%,制绒时间为25分钟和制绒温度为80ħ.参考文献:〔1〕International Energy Agency(IEA),TechnologyRoadmap:Solar photovoltaic energy〔R〕,10/2010.〔2〕何祚庥.北京、内蒙古和东北地区的未来———太阳能、风能、水能的互补〔J〕,2012,33(1):74-82.〔3〕王强,张雅凡.自适应太阳能供电路灯的系统设计〔J〕,2012,33(1):83-91.〔4〕Baker-Finch S C,McIntosh KR.Reflection distributions of textured monocrystalline silicon:implications for silicon solar cells〔J〕.Progress in Photovoltaics:Research and Applications,2013,21(5):960-971.〔5〕Seidel H,Csepregi L,Heuberger A,et al.Anisotropic etching of crystalline silicon in alkaline solutions I.Orientation dependence and behavior of passivation layers〔J〕.Journal of the electrochemical society,1990,137(11):3612-3626.〔6〕Seidel H,Csepregi L,Heuberger A,et al.Anisotropic etching of crystalline silicon in alkaline solutions I.Orientation dependence and behavior of passivation layers〔J〕.Journal of the electrochemical society,1990,137(11):3612-3626.〔7〕Vazsonyi E,De Clercq K,EinhausR,et al.Improved anisotropic etching process for industrial texturing of silicon solar cells〔J〕.Solar energy materials and solar cells,1999,57(2):179-188.〔8〕Ou W Y,Zhang Y,Li H L,et al.Effects of IPA on texturing process for mono-crystalline silicon solar cell in TMAH solution〔C〕//Materials Science Forum.2011,685:31-37.〔9〕Lee D B.Anisotropic etching of silicon〔J〕.Journal of Applied physics,1969,40(11):4569-4574.〔10〕崔容强,秦蕙兰.绒面硅太阳电池的研究〔J〕.太阳能学报,1980,1(2):189-196.Texturing parameters on monocrystallinesilicon solar cell texturing effectCHI Yuan-yuan,LU Xiao-dong*,ZHOU Tao,DONG Yong-chao(College of New energy,Bohai University,Jinzhou121013,China)Abstract:In this paper,metallurgical microscope with magnifications of800ˑ,400ˑas a means of ob-servation to study the influence of NaOH solution concentration,the reaction time,temperature,IPA concentra-tion on the texturing structure of c-Si solar cell.By contrast microscope microscopic image,we found:When the concentration of NaOH solution is greater than2%and temperature is less than75ħ,the texturing structure of c-Si solar cell is less effective.When NaOH and IPA concentrations were1.57%and5%,respectively and texturing time and temperature were25min and80ħ,respectively,a uniform textured structure with a coverage rate of pyramid with100%will be obtained.of approximately100%.Key words:texturing;silicon solar cells;Surface texture.。

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