清华大学半导体器件张莉期末考题
级半导体器件物理期末试题(A
np (−xp ) = np0eV VT
（ 3）
与此类似，可以得到
pn (xn ) = pn0eV VT
（4）
（ 3）、（ 4） 两 式 即 为 所 要 证 明 的 边 界 条 件 。
2〔 15 分 〕 共基极连接双极结型晶体管（BJT）：
（ 1）〔 5 分 〕 画出电流分量示意图。
（2）〔 5 分 〕 写出各个极电流表达式。
（ 1）〔 5 分 〕 画出电流分量示意图。
（2）〔 5 分 〕 写出各个极电流表达式。
（3）〔 5 分 〕 写出各个极电流之间满足的关系式。
3〔 15 分 〕 对于金属和 N 型半导体构成的肖特基势垒：
（1）〔 5 分 〕画出热平衡能带图。根据能带图写出内建电势差 qψ 0 和 肖特基势 垒 高 度 qφb 。
6〔 15 分 〕 根 据 外 量 子 效 率 公 式
( ) ( ) −1
−1
ηe = ηi 1+ αV AT = ηi 1+ α x j T
（ 1）〔 8 分 〕 指 出 提 高 外 量 子 效 率 的 途 径 。 （2）〔 7 分 〕 说明光学窗口的作用。
答 ：（ 1）公 式 说 明 可 以 通 过 增 加 ηi 减 少 α 、 x j 或 通 过 增 加 T 来 提 高 外 量 子 效 率 。
厚度 a。
解：（1）空间电荷区宽度
W
(x)
=
⎧ ⎨
2kε
0
[V
(x) +ψ
0
− VG
]1
⎫2 ⎬
⎩
qN d
⎭
在 夹 断 点 ， 令 W = a ，（ 沟道厚度）以 及 VG −V = VTH ， 有 ：
清华大学电路原理期末考试试卷
Zl
I ab I Bb
C'
负载
IC
五、（14 分）右图电路在换路前处于稳 态，电容无初始储能。t = 0 时合开关 S1，t = 3 s 时将开关 S2 由端钮 1 合至 2。求换路后的电流 i，并画其曲线。
3
+ 10V
- S2 (t = 3s) 1
2
0.5 F
2
S1 (t = 0) i
1H
+
T
2
0.5S
8 2.5
。
+ 24V
（1）求虚线框所示二端口网络的传输参数。
-
（2）电阻 R 为何值时它获最大功率？求此最大功率。
2
N
3
R
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四、（12 分）题图电路为对称三相电路。 已知对称三相负载消耗的额定有功功率 P = 2.85kW，
额定线电压 U l = 380V，功率因数 cos= 0.866 (感性)。线路阻抗 Zl = 0.866 + j0.5 。
R2 = 2，L1 = 1mH，L2 = 2mH，M = 1mH，C = 500F。
电容两端电压的有效值 UC = 12V，
R1
M
电容中电流的有效值 IC = 2.5A。
+ uS(t)
L1
+ L2
C
uC(t)
R2
(1) 求电源电压的有效值；
iC (t)
(2) 求电源发出的平均功率。
八、（8 分）电路如图所示。已知 iS ε(t)A ，电容电压及电阻电压的单位阶跃响应分别为
(1) 若要使负载工作在额定电压下，求三相电 源电压UA ,UB,UC (设UAB 38030V )；
半导体器件物理-张莉
⎨ ⎪
d
2ψ
⎪⎩ dx2
= q NA εs
= −q ND εs
(−xp < x < 0) (0 < x < xn )
23
1.1 平衡PN结（电场和电势分布）
边界条件： • x=0 处电场连续：
dψ1 = dψ 2 dx x=0 dx x=0
( ) • 空间电荷区外电场为0： ε −xp = ε ( xn ) = 0
对非平衡载流子，np 乘积显然不再等于 ni2 np ≠ ni2
15
1.1 平衡PN结
1.1 平衡PN结 参考教材： 《半导体物理学》§6.1；
《微电子技术基础》1.1，1.2 PN结的形成方法：
在一块N型（或P型）半导体单晶衬底上用扩散、 外延或离子注入等方法掺入P型（或N型）杂质
本节将分析理想突变结的电场、电势分布及能带图
ψ −ψ p
=1 L2De
ψ −ψ p
(1-18)
LDe称为非本征德拜长度： LDe ≡
( ) 因此， ψ −ψ p ∝ exp ( x ) LDe
ε s kT q2NA
(1-19)
电势ψ 在空间电荷区边界附近随 x 指数变化，其特 征长度等于非本征德拜长度LDe
载流子浓度与电势呈指数变化关系，仅在几个德拜 长度下，载流子浓度就能从掺杂浓度快速下降至零
第一章
PN 结
第一章 PN结
本章内容： 复习《半导体物理学》第六章（同质PN结）
平衡态特性，小注入直流特性，电容，击穿 补充内容：
大注入直流特性，瞬变特性，二极管模型， 集成电路中的二极管
2
半导体物理基本知识
能带 电子和空穴 禁带 导带和价带
半导体物理学期末复习试题及答案一(word文档良心出品)
一、选择题1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（ B ）。
A. 比绝缘体的大B.比绝缘体的小C. 和绝缘体的相同2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。
A. 电子和空穴B.空穴C. 电子3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（ B ）。
A.上移B.下移C.不变4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（ B ）有关A.杂质浓度和温度B.温度和禁带宽度C.杂质浓度和禁带宽度D.杂质类型和温度5.MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（ B ）。
A.相同B.不同C.无关6.空穴是( B )。
A.带正电的质量为正的粒子B.带正电的质量为正的准粒子C.带正电的质量为负的准粒子D.带负电的质量为负的准粒子7.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。
A. 直接B.间接8. 将Si 掺杂入GaAs 中，若Si 取代Ga 则起（ A ）杂质作用，若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。
A. 施主B. 受主C. 陷阱D. 复合中心9. 在热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为（ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为（ A ）。
A. 大于1/2B. 小于1/2C. 等于1/2D. 等于1E. 等于010. 如图所示的P 型半导体MIS 结构的C-V 特性图中，AB 段代表（ A ），CD 段代表（B ）。
A. 多子积累B. 多子耗尽C. 少子反型D. 平带状态11. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。
A. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=i A S n N q T k V ln 0B. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛≥i A S n N q T k V ln 20 C. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=i D S n N q T k V ln 0 D. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛≥i D S n N q T k V ln 2012. 金属和半导体接触分为：（ B ）。
半导体器件习题及参考答案
第二章1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为μm ，求零偏压下的总耗尽层宽度、内建电势和最大电场强度。
解：)0(,22≤≤-=x x qax dxd p S εψ)0(,22n SD x x qN dx d ≤≤-=εψ 0),(2)(22≤≤--=-=E x x x x qa dx d x p p Sεψ n n SDx x x x qN dx d x ≤≤-=-=E 0),()(εψ x ＝0处E 连续得x n ＝μm x 总=x n +x p =μm⎰⎰=--=-npx x bi V dx x E dx x E V 0516.0)()(m V x qa E p S/1082.4)(252max ⨯-=-=ε,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。
2 一个理想的p-n 结，N D ＝1018cm －3，N A ＝1016cm －3，τp ＝τn ＝10－6s ，器件的面积为×10－5cm －2，计算300K 下饱和电流的理论值，±时的正向和反向电流。
解：D p ＝9cm 2/s ，D n ＝6cm 2/scm D L p p p 3103-⨯==τ，cm D L n n n 31045.2-⨯==τnp n pn p S L n qD L p qD J 0+=I S =A*J S =*10-16A 。
＋时，I ＝μA ， －时，I ＝*10-16A3 对于理想的硅p +-n 突变结，N D ＝1016cm －3，在1V 正向偏压下，求n 型中性区内存贮的少数载流子总量。
设n 型中性区的长度为1μm ，空穴扩散长度为5μm 。
解：P ＋>>n ，正向注入：0)(2202=---pn n n n L p p dx p p d ，得： )sinh()sinh()1(/00pnn pn kTqV n n n L x W L xW e p p p ---=- ⎰⨯=-=nnW x n n A dx p p qA Q 20010289.5)(4一个硅p +-n 单边突变结，N D ＝1015cm －3，求击穿时的耗尽层宽度，若n 区减小到5μm ，计算此时击穿电压。
清华大学半导体器件张莉期末考题
清华大学半导体器件张莉期末考题发信人: smallsheep (final examination), 信区: Pretest标题: 微电子器件2005.6.20【张莉】发信站: 自由空间 (Mon Jun 20 10:27:10 2005), 站内填空：一，已知af，aR，和IES，求Ics=____（互易关系）二.bjtA和bjtB。
一个集电极是N－，一个集电极是N＋问：哪个饱和压降大___，那个early电压大___那个容易电流集边___.哪个容易穿通电压大_____哪个容易击穿BVCBO.____,三.发射结扩散电容应该包括那几个时间常数的影响简答：1.β和ft对Ic的特性有很大的相似之处，比如在小电流段都随Ic 的减小而减小，在大电流段都随Ic的增大而减小。
请解释原因2.总结一下NN+结的作用。
大题：1.对于杂质浓度分布为NAB(x)=NAB(0)exp（－λx/WB)的分布，用moll－rose方法推出基区少子分布和渡越时间。
2.给了WB，WE，和其它一堆参数，求β，a,hef....求IB，Ic，求π模型参数，gm，go，gu..3.画图，上升时间t0，t1’，t2’三点处的能带图，和少子分布图总体来说很简单。
好像很多人都很得意，ft！发信人: willow (我要我的自由), 信区: Pretest标题: 半导体器件-张莉发信站: 自由空间 (Wed Jun 23 21:38:40 2004), 站内A卷1。
以下那些是由热载流子效应引起的。
6个选项，待补充。
2。
何谓准静态近似3。
为了加快电路开关时间参数应如何选取。
参数，电容，fT,beita,待补充4。
CE律的参数变化，Vt,xSiO2,N,结深按照参数的变化规律下列效应将如何变化（1）掺杂浓度N引起：...5种效应，待补充。
//sigh,我把N 弄反了，5个空全错（2）结深引起。
3种效应，待补充。
5?BJT高频pai电路，及各参数意义简答，(1)Vbs增加，nMOS,pMOS 的Vt,gmb分别如何变化(2)场区注入的杂质类型，作用，对小尺寸器件影响一个MOS管，栅接漏接高电位，衬底接源接地给了4个Id~Vds ，Vfb,Na,求尽可能多的参数已知载流子速度v(y)=u*dV(y)/d(y),推导Vds=Vdsat时的v(y),并作图--发信人: wkgenius (我们都渴望一种温存~~), 信区: Pretest标题: 2003年春半导体器件试题发信站: 自由空间 (2003年07月02日18:12:53 星期三), 站内信件一.------------- -~~ 1.6ev~~~--------------------|1um |酱紫的pn结导带底能带分布问1：N还是P重掺杂，为何？问2：外加电压正抑或负，为何？问3：求低掺杂边掺杂浓度问4：画场强分布，求最大场强，并画0偏时的场强分布二.pnp正向放大区和反向放大加压的问题，两种情况下一些增益参数的变化，恩，题目太长乐。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（ 1）√ （2）× （ 3）√ （ 4）× （ 5）√ （ 6）× 二、（ 1） A （2）C （ 3）C （4） B （ 5）A C 三、 U O1 ≈ 1.3VU O2＝ 0 U O3≈－ 1.3VU O4≈ 2VU O5≈ 2.3V U O6≈－ 2V四、 U O1 ＝ 6V U O2＝5V五、根据 P CM ＝ 200mW 可得： U CE ＝ 40V 时 I C ＝ 5mA ，U CE ＝ 30V 时 I C ≈ 6.67mA ， U CE＝ 20V 时 I C ＝ 10mA ， U CE ＝ 10V 时 I C ＝ 20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、 1、I BVBBUBE26μAR bI CI B2.6mA UCEVCCI C R C 2VU O ＝ U CE ＝2V 。
2、临界饱和时 U CES ＝ U BE ＝0.7V ，所以VCCUCES2.86mAI CR cI C28.6μAI BV BB U BE45.4kR bI B七、 T 1：恒流区； T 2：夹断区； T 3：可变电阻区。
习题u i /V10 1.1（1）A C （2）A （3） C （ 4）A1.2 不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系， 当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
Otu o /V101.3 u i 和 u o 的波形如图所示。
Ot1.4 u i 和 u o 的波形如图所示。
u i /V5 3 O t-3u O /V3.7 Ot-3.7 1.5 u o 的波形如图所示。
u I1 /V3 0.3Otu I2 /V30.3 tOu O /V3.71 Ot1.6 I D ＝（ V － U D ） /R ＝2.6mA ， r D ≈ U T /I D ＝ 10Ω， I d ＝ U i /r D ≈ 1mA 。
清华大学半导体器件张莉期中考题
发信人: pretestest (每天爱你多一些), 信区: Pretest标题: 微电子器件与电路期中考题--张莉老师发信站: 自由空间 (Tue Apr 22 13:56:39 2008), 站内注：以下u代指迁移率，O代指电势(fai)，A代表埃，o代表电导率sigma一.填空题（3'/空*11）1.体心立方a0=4A，求(1,1,0)面的原子面密度2.掺杂纳米能级与温度： A有关 B无关3.本征半导体是： A电阻率高 B费米能级位于禁带中心 C不含杂质 D记不住了4.导带电子几率为0，必然是：A,B,C,D，记得有一个是T=0K，别的记不住了5.在Ef+kT处的费米概率=__何处____的空穴概率6.已知Un=1350,求Dn7.已知导体两端电压1V，长度0.5cm，此时v=1000cm/s。
求u8.载流子的复合机制9.PN结，已知Na=1e16，Nd=5e18，求Vbi，W，C'二.已知Nd=2e16，整体表现为P型，p0=5e17，已知ni=1.8e6.up=300，un=4000(1)求Na (2)求n0 (3)求OFp (4)o三.已知Na=1e16(1)求功函数(2)分别与Al，Au，Mo接触时，形成什么接触？已知X=4.01,4.28,5.1,4.6(3)画出与Al的能带图四.四副MOSFET典型图，分别问：(1)n型还是p型？(2)是积累，反型还是耗尽？(3)画出书上Figure6.12 (d)的能带图五.习题6.15中把Ef-Ec改成0.1eV，Nd改成1.5e16，t0改成400A，加上Qss=1e10发信人: Pretest (我是匿名天使), 信区: Pretest标题: 微电子器件电子学_张莉_20050414发信站: 自由空间 (Sun Apr 17 09:49:42 2005), 站内感觉张jj和田nn一个风格，很注重物理过程和概念的理解，计算简单。
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发信人: smallsheep (final examination), 信区: Pretest标题: 微电子器件发信站: 自由空间 (Mon Jun 20 10:27:10 2005), 站内填空：一，已知af，aR，和IES，求Ics=____（互易关系）二.bjtA和bjtB。
一个集电极是N－，一个集电极是N＋问：哪个饱和压降大___，那个early电压大___那个容易电流集边___.哪个容易穿通电压大_____哪个容易击穿BVCBO.____,三.发射结扩散电容应该包括那几个时间常数的影响简答：1.β和ft对Ic的特性有很大的相似之处，比如在小电流段都随Ic的减小而减小，在大电流段都随Ic的增大而减小。
请解释原因2.总结一下NN+结的作用。
大题：1.对于杂质浓度分布为NAB(x)=NAB(0)exp（－λx/WB)的分布，用moll－rose方法推出基区少子分布和渡越时间。
2.给了WB，WE，和其它一堆参数，求β，a,hef....求IB，Ic，求π模型参数，gm，go，gu..3.画图，上升时间t0，t1’，t2’三点处的能带图，和少子分布图总体来说很简单。
好像很多人都很得意，ft！发信人: willow (我要我的自由), 信区: Pretest标题: 半导体器件-张莉发信站: 自由空间 (Wed Jun 23 21:38:40 2004), 站内A卷1。
以下那些是由热载流子效应引起的。
6个选项，待补充。
2。
何谓准静态近似3。
为了加快电路开关时间参数应如何选取。
参数，电容，fT,beita,待补充4。
CE律的参数变化，Vt,xSiO2,N,结深按照参数的变化规律下列效应将如何变化（1）掺杂浓度N引起：...5种效应，待补充。
//sigh,我把N弄反了，5个空全错（2）结深引起。
3种效应，待补充。
5?BJT高频pai电路，及各参数意义简答，(1)Vbs增加，nMOS,pMOS 的Vt,gmb分别如何变化(2)场区注入的杂质类型，作用，对小尺寸器件影响一个MOS管，栅接漏接高电位，衬底接源接地给了4个Id~Vds，Vfb,Na,求尽可能多的参数已知载流子速度v(y)=u*dV(y)/d(y),推导Vds=Vdsat时的v(y),并作图--发信人: wkgenius (我们都渴望一种温存~~), 信区: Pretest标题: 2003年春半导体器件试题发信站: 自由空间 (2003年07月02日18:12:53 星期三), 站内信件一.------------- -~~ 1.6ev~~~--------------------|1um |酱紫的pn结导带底能带分布问1：N还是P重掺杂，为何？问2：外加电压正抑或负，为何？问3：求低掺杂边掺杂浓度问4：画场强分布，求最大场强，并画0偏时的场强分布二.pnp正向放大区和反向放大加压的问题，两种情况下一些增益参数的变化，恩，题目太长乐。
三.MOS和BJT饱和区的含义和机构四.tox减小对mos管一些效应的影响及原因，有截止频率，亚阈值特性....(5个，其他的三个记不清了，这个没仔细看，乱答得 :（）五．MOS和BJT fT的产生机构（就是延迟项的含义）六．求本征电流增益，注意Qb0=Gb*q就万事大吉了七.给定基区分布，求基区传输延迟（理解了moll-ross方法就easy了）八．关于MOS衬偏调制系数以及beta值等的运算，很简单九．一些基本概念的简答，比较常规十．可夹断型埋沟器件，Vgs=Vt，衬偏为０时的能带图**************************贴出来供ddmm们参考吧，题目有点活，关键在于考察对基础知识的理解，平时作业一定要弄懂plus:光电专业的ddmm一定别选这个课阿，内容超级多而且杂，很是很烦的，别重蹈我的覆辙发信人: XTR (M970), 信区: Pretest标题: 《微电子器件与电路》(许军老师)2009秋季期末考题发信站: 自由空间 (Sat Jan 9 21:45:10 2010), 站内第一次在pretest发题，为后面的几门攒rp吧一.填空(20分)（与上一年的是完全一样的，cv过来而已）1.在双极型集成电路中不同BJT器件之间的隔离通常采用_____来实现，而埋层的作用则主要是_____，提高BJT电流增益的主要方法有______,______以及______，若发射级掺杂浓度过高也会导致BJT放大倍数的下降，主要是由于______效应造成的。
2.半导体晶体材料中载流子扩散系数主要取决于A.散射机制B.复合机制C.杂质浓度梯度D.表面复合速度3.有效的降低NMOS晶体管的关态漏电流，可以采用下面哪种方法A.减小源漏之间的沟道长度B.降低器件阈值电压C.提高衬底沟道区的掺杂浓度D.降低源漏区的掺杂浓度4.硅PN结实验表明小注入时，理论计算的I比实验值小，其原因主要是理论计算忽略了A扩散区的产生电流 B.势垒区的产生电流 C.扩散区复合电流 D.势垒区的复合电流5.要有效的抑制双极型晶体管的基区宽度调制效应，可以采用下面哪种方法A.减小基区掺杂浓度B.增大基区掺杂浓度C.增大收集区掺杂浓度D.减小基区宽度二.(20分)一个NMOS器件，W=15μm,L=2μm,Cox=6.9*10^(-8)F/cm2,保持VDS=0.1V不变，VGS=1.5V 时，IDS=35μA；VGS=2.5V时，IDS=75μA。
求μn和VT。
三.(20分)采用N+掺杂的多晶硅栅极NMOS器件，P衬底掺杂浓度NA=3*10^16/cm3，φms=-1.10V，NSS=1.0*10^11/cm2，VT0=0.65V。
求tox和VBS=-3V时的VT。
四.(20分)影响硅双极型晶体管高频性能的主要因素有哪些？能否用两个PN结二极管反向串联起来形成NPN或PNP的结构来实现BJT的电流放大作用，为什么？五.(20分)采用电阻作为负载的NMOS反相器，NMOS的W/L=4/1，μn=500cm2/V-s，VT0=1.0V，Cox=1*10^(-7)F/cm2，R=10kΩ，VDD=5V。
（1）求Vin=0，2.5V，5V时对应的输出电压VOH，VOM，VOL。
（2）如果要使VOM=2.5V，应当如何调整R或W/L的值，说明设计方案并求出此时的VOH和VOL。
发信人: arg (Saint Baby), 信区: Pretest标题: 微电子器件与电路期末-许军老师-六字班发信站: 自由空间 (Sat Jan 3 22:03:23 2009), 站内一.填空(20分)1.在双极型集成电路中不同BJT器件之间的隔离通常采用_____来实现，而埋层的作用则主要是_____，提高BJT电流增益的主要方法有______,______以及______，若发射级掺杂浓度过高也会导致BJT放大倍数的下降，主要是由于______。
2.半导体晶体材料中载流子扩散系数主要取决于A.散射机制B.复合机制C.杂质浓度梯度D.表面复合速度3.有效的降低NMOS晶体管的关态漏电流，可以采用下面哪种方法A.减小源漏之间的沟道长度B.降低器件阈值电压C.提高衬底沟道区的掺杂浓度D.降低源漏区的掺杂浓度4.硅PN结实验表明小注入时，理论计算的I比实验值小，其原因主要是理论计算忽略了A扩散区的产生电流 B.势垒区的产生电流 C.扩散区复合电流 D.势垒区的复合电流5.要有效的抑制双极型晶体管的基区宽度调制效应，可以采用下面哪种方法A.减小基区掺杂浓度B.增大基区掺杂浓度C.增大收集区掺杂浓度D.减小基区宽度二.一个硅PNP型BJT的发射区，基区与收集区的掺杂浓度分别为1e19，5e17和1e15，Xe=1um，Xb=0.7um，其中un=450，up=90，载流子扩散长度为20um，忽略发射结空间电荷区的复合效应，计算该BJT的发射结注入效率，基区输运系数以及晶体管电流放大倍数a和b.(20分)三.P衬底上制作的一个Al栅极MOS器件，tox=500A，Qss=1.5e11cm-2，假设fai(ms)=-0.85V，计算该器件零偏开启电压和VBS=2V下的阈值电压.(20分)四.对于MOS功率器件，通常采用什么方法增大其电流驱动能力？对于BJT功率器件，通常采用什么方法增大其电流驱动能力？并简要说明理由.(20分)五.一个有比电路(上拉网络是R=10k，下面接一个NMOS)W/L=4/1，un=500，VT=1V，Cox=1e-7，R=10K，Vdd=5V(1)Vin=0V，2.5V，5V时，求出分别对应的输出电压(2)欲使Vom=2.5V，如何调整R或者W/L的值？给出你的设计方案，并求出对应情况下的Vol，Voh.(20分)许老师的考题真诡异~发信人: hellow (hui), 信区: Pretest标题: 半导体器件-我刚刚重考过的发信站: 自由空间 (2001年06月01日18:43:19 星期五), 站内信件这门课的特点就是公式狂多，你记不住:(被砍的人最多了，我是其中一员。
刚刚重考过，所以就告诉大家考过了什么，因为和去年的没有区别，可能对大家的帮助比较大:)1.p59,双极晶体管外加电压的正负特性2.p60,图2-8，会多少有些变化，自己注意了，加能带图3.p80,e-m方程，这次没有考，不过很重要，呵呵4.p82,叠加原理，考了3次，如果这次不考，说明你们点背5.p82,互易关系，去年考了，今年没有考6.p116,解释基区宽度调变效应，呵呵，有些难记，不过比着死悄悄，你知道应该选择什么啦,这节的公式记牢了:)接下来的晚点再说，有事情了发信人: hellow (hui), 信区: Pretest标题: 半导体器件（补充）发信站: 自由空间 (2001年06月02日12:28:49 星期六), 站内信件p153-156，计算f-t,h-fe,f-beta，如果有两道计算题，则肯定有这一道，主要公式是f-beta(p155,3-99),这就牵涉到p156-p170关于传输时间的计算，我看得不士很懂，感觉理论性太强了:(p192，最高震荡频率，此概念连着2年都考了。
p221，埋沟的概念和解释，96，97，此次重考都出了，我不明白有什么重要的，不过还是记了一下。
p223，mos系统的能带图，如果此章出画图题，非这个莫属，包括一些变形:Pp222-224，关于一些电压的计算，不确定会是那个，但是公式是相同的。
p224-234，阈电压的计算，本章的计算只可能出这一个，而且老师也喜欢这个。
p235，萨方程，不得不说，它太重要了，可能要你推导的说//puke blood。
p255，几个跨导的计算，强调了好多次，可惜每次都没有考，不知你们的运气如何。