电子技术基础l练习习题答案(1)
全国4月高等教育自学考试电子技术基础(一)试题及答案解析历年试卷及答案解析
全国2018年4月高等教育自学考试电子技术基础(一)试题课程代码：02234一、单项选择题(本大题共15小题，第1—10小题，每小题1分，第11—15小题，每小题2分，共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。
1.当P—N结承受反向电压时，其内部电流关系为( )A.扩散电流大于漂移电流B.扩散电流等于漂移电流C.扩散电流小于漂移电流D.无法确定2.半导体三极管的特点是( )A.输入电流控制输出电流B.输入电压控制输出电压C.输入电流控制输出电压D.输入电压控制输出电流3.图示电路，R F引入了( )A.串联电流负反馈B.串联电压负反馈C.并联电压负反馈D.正反馈4.共模抑制比K CMRR是( )A.差模输入信号与共模输入信号之比B.输入量中差模成份与共模成份之比C.差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比D.交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)之比5.与八进制数(537)８相等的十六进制数是( )A.(17C)16B.(16B)16C.(17B)16D.(16C)166.四变量逻辑函数F(ABCD)的最小项m8为( )A.ABC DB.A BC DC.A B CDD.ABCD7.电路如图所示，设灯F亮为逻辑1，灭为逻辑0，开关A、B的逻辑状态如图中所示，则灯Ｆ与开关A、B的逻辑关系为( )A.F=A+BB.F=A B+A BC.F+ABD.D=AB+AB8.图示电路，当EN=1时，F的状态为( )A.F=0B.F=1C.F=AD.F=A9.基本RS触发器，当R D，S D都接高电平时，该触发器具有( )A.置“1”功能B.保持功能C.不定功能D.置“0”功能10.图示逻辑符号代表( )A.或非门电路B.与或非门电路C.集电极开路与非门电路(OC门)D.异或门电路11.NPN型三极管工作于饱和状态时，三个电极的电位关系为( )A.U B>ＵC,U B>U EB.U E>U C,U C>U BC.U C>U B>U ED.U E>U B>U C12.图示电路，若β=100,UＢE=0.7伏，则静态基极电流I BQ等于( )A.6μAB.8μAC.9.5μAD.10.5μA13.图示OCL功率放大电路，在输入u i为正弦电压时，互补管T2、T3的工作方式为( )A.甲类B.乙类C.始终截止D.甲乙类14.图示LC振荡电路，为了满足振荡的相位条件，应将( )A.1与4连接，2与5连接B.1与5连接，2与4连接C.2与3连接，4与5连接D.1与3连接，2与4连接15.图示电路，变压器副边电压u2=2U2sinωt V,该电路的输出特性(外特性)，应是图中( )A.①B.②C.③D.④二、多项选择题(本大题共5小题，每小题2分，共10分)在每小题列出的五个选项中有二至五个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。
大学《电子电工技术基础》试题及答案(一)
大学《电子电工技术基础》试题及答案一、填空题1．已知图中 U1＝2V， U2＝-8V，则U AB＝-10。
2．电路的三种工作状态是通路、断路、短路。
3．有三个6Ω的电阻，若把它们串联，等效电阻是 18 Ω；若把它们并联，等效电阻 2Ω；若两个并联后再与第三个串联，等效电阻是 9 Ω。
4．用电流表测量电流时，应把电流表串联在被测电路中；用电压表测量电压时，应把电压表与被测电路并联。
5．电路中任意一个闭合路径称为回路；三条或三条以上支路的交点称为节点。
6．电路如图所示，设U=12V、I=2A、R=6Ω，则U AB= -24 V。
7．直流电路如图所示，R1所消耗的功率为2W，则R2的阻值应为2 Ω。
8．电路中电位的参考点发生变化后，其他各点的电位均发生变化。
9．在直流电路中，电感可以看作短路，电容可以看作断路。
9．我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。
10．三相对称负载作三角形联接时，线电流I L与相电流I P间的关系是：I P＝3 I L。
11．电阻元件是耗能元件，电容元件是储能元件。
12．已知一正弦电压u=311sin(628t-60º)V，则其最大值为 311 V，频率为 100 Hz，初相位为 -60º。
13．在纯电阻交流电路中，已知电路端电压u=311sin(314t-60º)V，电阻R=10Ω，则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0º，电阻消耗的功率P= 4840 W。
14．三角形联结的三相对称负载，若线电压为380 V，则相电压为 380 V；若相电流为10 A，则线电流为 17.32 A。
15．式Q C=I2X C是表示电容元件在正弦电路中的无功功率计算公式。
16．正弦交流电压的最大值U m与其有效值U之比为2。
17．电感元件是一种储能元件，可将输入的电能转化为磁场能量储存起来。
18．若三相电动势依次达到最大值的次序为e1—e2—e3，则称此种相序为正序。
电子技术基础(上习题)(附答案).docx
电子技术基础一、 填空第一章 直流电路分析基础1.电路一般由 电源 、 负载 和 中间环 三部分组成。
2.电源是将 其他形式的能转换成电能 的装置。
3.负载是将 电能转换为其他形式的能 的设备。
4.电路的作用包括 能源转换 和 信号处理 两个方面。
5.交流电是指 大小和方向随时间变换而变化 的电压或电流。
6.数字信号是指 大小和方向不随时间变化而变化 的电压或电流信号。
7.模拟信号是指 大小和方向随时间连续变化 的电压或电流信号。
8.电路中的元件分为有源元件和无源元件，其中无源元件包括 电阻 、电感 和 电容 三种。
9.在电路中起激励作用的是独立电源，包括理想独立电流源 和 非理想电压源 。
10.电路中有两种电源，其中起激励作用的是独立电源，不起激励作用的是 受控 电源。
11. 一般来说，电流分为 直流 、 交流 和 随机电流 三种类型。
12.求出的功率如果大于0，表示该元件吸收功率 ；如果功率小于0，表示该元件 发出功率 。
13.一般来说，电压分为 直流电压 、 交流电压 和 随机电压 三种类型。
14.对于一个二端元件，在关联参考方向的时，该元件功率的计算公式习惯表示为 P=UI ；与此相反，在非关联参考方向的时，其功率计算公式习惯表示为 P= -UI 。
15.根据是否提供激励，电源分为 独立 和 受控 两种。
第二章 一阶过渡电路1.一阶过渡电路的全响应分析通常用三要素法，三要素分别指 初始值f 、 稳态值f 和 时间常数 。
2.RC 过渡电路中的时间常数的表达式为 ；RL 过渡电路中的时间常数的表达式为。
3.根据是否有信号输入，一阶过渡电路分为 零输入 响应和 零状态 响应。
4.一阶电路的全响应既可以用零输入响应和零状态响应表示，也可用 多个暂态 和 多个稳态 表示。
第三章 正弦交流电1.正弦交流电源的三要素是指 振幅 、 频率 和 出相位 。
2.已知某交流正弦电流的瞬时表达式为 ()3143i t t π⎛⎫=+ ⎪⎝⎭，则该正弦交流电流的最大值为 5 A ，频率为 50Hz ，初相位为。
电子技术基础习题答案解析
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
电工电子技术基础习题参考答案
电工电子技术基础习题参考答案第一章1-1题略（a）u＝iR+Us（b）u＝-iR+Us1-2题略解：设各支路参考电流I1、I2、I；参考电压U AB，电压源Us、电流源Is。
如图所示，联立方程。
I1+ I2-I＝0 基尔霍夫电流定律：ΣI＝0I1 R1+U AB-Us＝0 基尔霍夫电压定律：ΣU＝0U AB＝I R2 部分电路欧姆定律：U＝I R参数代入I1+ 2-I＝0I1 +U AB-2＝0U AB＝I解得I1＝0I＝2AU AB＝2V所求电流I＝2A。
1-3题略解：（1）设电压源Us1、电压源Us2。
如图所示，联立方程。
-I1+ I2-I3＝0 基尔霍夫电流定律（节点A）：ΣI＝0-I1 R1+U3-U S1＝0 基尔霍夫电压定律（回路1）：ΣU＝0I2 R2+U3- Us2＝0基尔霍夫电压定律（回路2）：ΣU＝0参数代入-0.003+ 0.001-I3＝0-0.003·10000-30+U3＝00.001·20000+U3- 80＝0解得I3＝-2mAU3＝60V（2）说明元件3是电源，电压源Us1、电阻R1、R2是负载输入功率，电压源Us2、元件3是输出功率。
（3）演算电路功率总输出功率：P O＝P US2+ P3＝Us2·I2+（- I3）·U3＝Us2·I2- I3·U3＝80·0.001 -（- 0.002）·60＝80mW+120mW＝200mW总输入功率：Pi＝P US1+ P R1+ P R2＝Us1·I1 + I12·R1 + I22·R2＝30·0.003 +（0.003）2·10000 +（0.001）2·20000＝90mW +90mW+20mW＝200mW电路功率演算结果：总输入功率等于总输入功率，功率平衡。
1-4题略解：设各支路参考电流I1、I2；参考电压U A、参考电压U B，电压源Us1、电压源Us2、电压源Us3。
电子技术基础(第六版)习题册答案
习题册参考答案第一章半导体二极管§1-1 半导体的基本知识一、填空题1. 导体绝缘体半导体2. 半导体3. 硅锗4. 热敏光敏掺杂5. 正负负正6. 单向导电导通截止7. 高二、判断题1.×2.×3.√三、选择题1.C2.A3.C4.A§1-2 半导体二极管一、填空题1. 阳正阴负2.硅二极管锗二极管普通整流稳压开关光敏发光变容3.正极负极4.0.7 0.35.单向导电性导通小大截止大小6.大小7.0.5 0.28.最大整流电流最高反向工作电压9.烧毁击穿10.硅稳压锗普通硅整流锗开关11.击穿开路12.小好13.电光光电发光二极管二、判断题1.×2.×3.×4.√5.×6.×7.×8.×9.× 10.√ 11.× 12.× 13.× 14.× 15.× 16.√三、选择题1.C2.C 3．B 4.B 5.B 6.D 7.B 8.C 9.A 10.A11.C 12.C 13.B 14.D 15.A 16.A 17.A 18.A四、综合题1. 答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。
2. 答：图b）中的灯不亮。
3. 答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。
4. 答：5.答：6.答：2CZ83： N 型硅材料整流二极管序号为83 2CW55： N 型硅材料稳压二极管序号为55 2DK14： P 型硅材料开关二极管序号为14 7.答：序号 型号 所用材料F I （mA ）RM U (V)R I (μA)1 2AP9 锗 5 202 1N4148 硅 100 75 5 32CZ56A硅3000258.答：图a ）中，在表头处串联一个二极管，若直流电源极性接错，二极管V1反向截止，使表头指针不发生反偏，起保护表头的目的。
电子技术基础l练习习题答案 (1)
第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
（对）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。
电工电子技术基础习题解答
第1章 习 题1-1 判断题1．电荷的定向移动形成电流。
（ √ ） 2．直流电路中，电流总是从高电位流向低电位。
（ √ ）3．电阻的体积越大，其额定的耗散功率越大。
（ √ ）4．电阻的额定功率越大，它消耗的电能就越大。
（ × ）5．电阻串联时，各电阻上消耗的功率与其电阻的阻值成反比。
（ × ））果在B 、C 解：因为A1、A2是串联关系，流过的电流相等；电位的排序为：B ＞C ＞D3 有两条长度为1 km 、截面积为2 mm 2的导线，一条是铝线，一条是铜线，这两条导线在常温下的电阻各为多少？要想使铝导线的电阻与铜导线的电阻相同，铝导线的截面积应增加为多大？解：（1）铝导线常温下的电阻： =⨯⨯⨯==--63610210100283.0S l R 铝铝ρ14.15Ω（2）铜导线常温下的电阻：=⨯⨯⨯==--63610210100175.0S l R 铜铜ρ8.75Ω （3）铝导线的电阻与铜导线的电阻相同时铝导线的截面积为：4 有两只灯泡，额定功率都为40W ，一只额定电压为36V ，另一只额定电压为12V ，两只灯泡工作时的电阻各为多少？如果将两只灯泡串联后接于48V 的电源上，哪只灯泡的电压超过了额定电压？将会有什么现象发生？解：，“电阻（3）小电珠2.5 V/0.75 W 。
解：（1）白炽灯泡220 V/100 WR=U 2/P =484ΩI=U/R=0.455A（2）白炽灯泡220 V/60 WR=U 2/P =806.7ΩI=U/R=0.27A（3）小电珠2.5V/0.75WR=U2/P=8.3ΩI=U/R=0.302A比较：功率等于电压和电流之积，相同电压下电流越大功率越大，电压不同电流大功率不一定大。
6．炭膜电阻的瓦数有2W、1W、1/2W、1/4W、1/8W及1/16W等各种规格。
现需用阻值4.7kΩ、电流10mA的电阻一只，应选用多大瓦数的电阻？解：W，图1-32 题8图解：（1）电阻炉中电流I炉=P/U=600/200=4A（2）灯中电流I灯=U/R=200/(400/14)=7A（3）E0E0=200+（R0+2R l）I=200+0.5×11=205.5VU=E0-R0I=205.5-1.1=204.4V9．有一两室一厅单元住房，已知房内供电电压U=220V，使用电器分别为：电冰箱一台，耗电量120W；彩色电视机一台，耗电量130W；微波炉一台，耗电量720W；各种灯具最大耗电量500W；空调耗电量1200W；电热水器耗电量1200W；其它用电器总耗电量1000W。
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第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N 型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
（对）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。
（错）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
（错）6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。
（对）7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。
（错）8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。
（错）9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。
（错）10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（错）三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。
A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（ A ）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。
A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。
A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。
9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A 、集电极最大允许电流I CM ；B 、集—射极间反向击穿电压U （BR ）CEO ；C 、集电极最大允许耗散功率P CM ；D 、管子的电流放大倍数β。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ）A 、发射结正偏、集电结正偏；B 、发射结反偏、集电结反偏；C 、发射结正偏、集电结反偏；D 、发射结反偏、集电结正偏。
3、图1-29所示电路中，已知E =5V ，t u ωsin 10i =V ，二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R =0，反向阻断时电阻R =∞），试画出u 0的波形。
答：分析：根据电路可知，当u i >E 时，二极管导通u 0=u i ，当u i <E 时，二极管截止时，u 0=E 。
所以u 0的波形图如下图所示：第2章 检测题 （共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共21分）1、基本放大电路的三种组态分别是： 共发射极 放大电路、 共集电极 放大电路和 共基极 放大电路。
2、放大电路应遵循的基本原则是： 发射 结正偏； 集电 结反偏。
3、将放大器 输出信号 的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做 反馈 信号。
使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为 负 反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为 正 反馈。
放大电路中常用的负反馈类型有 电压串联 负反馈、 电流串联 负反馈、 电压并联 负反馈和 电流并联 负反馈。
7、反馈电阻R E 的数值通常为 几十至几千欧 ，它不但能够对直流信号产生 负反馈 作用，同样可对交流信号产生 负反馈 作用，从而造成电压增益下降过多。
为了不使交流信号削弱，一般在R E 的两端 并联一个约为几十微法的较大射极旁路电容C E 。
8、放大电路有两种工作状态，当u i ＝0时电路的状态称为 静 态，有交流信号u i输入时，放大电路的工作状态称为 动 态。
在 动 态情况下，晶体管各极电压、电流均图1-29 u/V ωt0 u i u 0 10 5包含直流分量和交流分量。
放大器的输入电阻越大，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越小，放大器带负载能力就越强。
二、判断下列说法的正确与错误：（每小题1分，共19分）1、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。
（错）2、放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。
（对）3、射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。
（错）4、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。
（对）5、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。
（对）6、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。
（错）7、微变等效电路不能进行静态分析，也不能用于功放电路分析。
（对）8、共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。
（错）9、微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。
（错）10、基本放大电路通常都存在零点漂移现象。
（对）11、普通放大电路中存在的失真均为交越失真。
（错）12、差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。
（对）13、放大电路通常工作在小信号状态下，功放电路通常工作在极限状态下。
（对）14、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。
（对）15、共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真。
（错）16、放大电路的集电极电流超过极限值I CM，就会造成管子烧损。
（错）17、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。
（错）18、采用适当的静态起始电压，可达到消除功放电路中交越失真的目的。
（对）19、射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。
（对）三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。
A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。
4、共发射极放大电路的反馈元件是（B）。
A、电阻R B；B、电阻R E；C、电阻R C。
5、功放首先考虑的问题是（A）。
A、管子的工作效率；B、不失真问题；C、管子的极限参数。
6、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（A）。
A、放大电路的电压增益；B、不失真问题；C、管子的工作效率。
7、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A）A、带负载能力强；B、带负载能力差；C、减轻前级或信号源负荷。
8、功放电路易出现的失真现象是（C）。
A、饱和失真；B、截止失真；C、交越失真。
9、基极电流i B的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（B）。
A、截止区；B、饱和区；C、死区。
10、射极输出器是典型的（C）。
A、电流串联负反馈；B、电压并联负反馈；C、电压串联负反馈。
四、简答题：（共23分）1、共发射极放大器中集电极电阻R C起的作用是什么？（3分）答：R C起的作用是把晶体管的电流放大转换成放大器的电压放大。
第4章检测题（共80分，100分钟）一、填空题（每空0.5分，共25分）1、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为模拟信号；在时间上和数值上离散的信号叫做数字信号。
2、在正逻辑的约定下，“1”表示 高 电平，“0”表示 低 电平。
3、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是 逻辑 关系，所以数字电路也称为 逻辑 电路。
在 逻辑 关系中，最基本的关系是 与逻辑 、 或逻辑 和 非逻辑 。
5、 8421 BCD 码和 2421 码是有权码； 余3 码和 格雷 码是无权码。
9、8421BCD 码是最常用也是最简单的一种BCD 代码，各位的权依次为 8 、 4 、2 、 1 。
8421BCD 码的显著特点是它与 二进制 数码的4位等值 0～9 完全相同。
11、逻辑代数的基本定律有 分配 律、 结合 律、 交换 律、 反演 律和 非非 律。
12、最简与或表达式是指在表达式中 或项 最少，且 与项 也最少。
13、卡诺图是将代表 最小项 的小方格按 相邻 原则排列而构成的方块图。
卡诺图的画图规则：任意两个几何位置相邻的 最小项 之间，只允许 一位变量 的取值不同。
14、在化简的过程中，约束项可以根据需要看作 “1” 或 “0” 。
二、判断正误题（每小题1分，共8分）1、输入全为低电平“0”，输出也为“0”时，必为“与”逻辑关系。
（错）2、或逻辑关系是“有0出0，见1出1”。
（错）3、8421BCD 码、2421BCD 码和余3码都属于有权码。
（错）4、二进制计数中各位的基是2，不同数位的权是2的幂。
（对）5、格雷码相邻两个代码之间至少有一位不同。
（错）6、B A B A •=+是逻辑代数的非非定律。
（错）7、卡诺图中为1的方格均表示一个逻辑函数的最小项。
（对）8、原码转换成补码的规则就是各位取反、末位再加1。