清洗工艺介绍
清洗工艺和方法
清洗工艺和方法1.水清洗（1）工艺管道和设备中凡转运或存储液体介质的管道和设备，一般设计要求要实行水冲洗。
（2）冲洗管道应使用洁净的水，对奥氏体不锈钢管道，水中的氯离子含量不得超过25×10-6.（3）管道内冲洗水的流速不应小于1.5m/s.（4）管道水冲洗时，排放管的截面积不应小于被冲洗管截面积的60%.（5）排放水应引入指定地点，排水时不得形成负压。
（6）水冲洗应连续实行，以排出的水色和透明度与入口侧一致为合格。
（7）管道经清洗合格后暂不运行时，应将水排尽，并即时吹干。
2.油清洗（1）油清洗方法适用于大型机械的润滑油、密封油等管道系统的清洗。
（2）润滑、密封及控制油管道，应在机械清扫及管道酸洗合格后，系统试运转前实行油清洗；不锈钢管道用蒸汽吹净后实行油清洗。
（3）油清洗是采用系统内循环的方法实行，并即时清洗和更换滤芯。
清洗后用过滤网检查，过滤网上污物不超过规定的标准为合格。
（4）在油清洗回路中，当有节流阀或减压阀时，应将其调整到的开启度。
3.酸洗在安装施工中，对设备和管道内壁有特殊清洁要求的，应实行酸洗，如液压、润滑管道的除锈应采用酸洗法。
（1）常用的酸洗液为盐酸加上一定量表面活性剂组成。
（2）蒸汽及循环水管道的化学清洗，应按专门规范或设计文件的规定实行。
（3）管道的酸洗应尽量在管道配置完成后，已具备冲洗条件后实行，对涂有油漆的管子，在酸洗前应把油漆除净；（4）油库或液压站的管道宜采用槽式酸洗法；从油库或液压站至使用点或工作缸的管道，可采用循环酸洗法。
（5）循环酸洗法时，组成回路的管道长度，可根据管径、管压和实际情况确定，但不宜超过300m；回路的构成，应使所有管道的内壁全部能接触酸液。
（6）循环酸洗回路中，应在部位设排气点。
酸洗前应将管道内的空气排尽。
管道最低处应设在排空点，在酸洗完成后，应将溶液排净。
（7）酸洗时，应保持酸液的浓度及温度。
（8）采用系统循环法酸洗时，一般工序应为：试漏――脱脂――冲洗——酸洗——中和――钝化——冲洗——干燥――涂油和复位。
清洗工艺工艺规程
除掉钼杆表面的杂质，获得清洁的钼杆。
二、材料、设备：
1、材料：成型的圆钼杆和扁钼丝；
2、设备：容器：烧杯、量筒、烤箱、玻璃棒、天平。
三、工艺流程：
1、用洗衣粉清洗，然后用清水冲洗5-6次；
2、用钼杆洗液浸泡30-40s，然后用清水冲洗5-6次；
3、用铬酸溶液浸泡1-2分钟，然后用清水冲洗5-6次；
4、用去离子水冲洗5-6次；
5、用酒精脱水，放入烤箱烘干。
四、工艺要求：
1、钼杆表面清洁、光亮、无杂质；
2、清洗好的钼杆不能有弯曲变形。
3、未经允许不得改换溶液和比例。
五、溶液配比：
溶液名称
配比方法
钼杆洗液
硝酸100ml、硫酸100vml（先加入硝酸，再加入硫酸，用玻璃棒搅拌混合均匀。）
铬酸溶液ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
水：三氧化铬：硫酸=40ml:1.8g:0.5ml(先加水，再加三氧化铬,最后加硫酸，用玻璃棒搅拌混合均匀.)
清洗工艺流程
清洗工艺流程清洗工艺流程是指将需要清洗的物品进行深度清洗的全过程。
下面是清洗工艺流程的一般步骤及详细说明。
1. 资源准备：准备清洗所需的设备和材料，如清洗机、清洗剂、清水等。
确保设备完好、水源充足，并根据需要调制出合适的清洗剂。
2. 表面去污：将需要清洗的物品表面的杂质、污垢等进行初步处理。
可以使用刷子、喷枪等工具，将物品表面的大颗粒污垢和油污等进行清理。
3. 杂质筛选：将物品放入筛网中，并通过水流冲刷去除表面的细小杂质，如沙粒、微小异物等。
同时，可以通过振动筛将颗粒状杂质从物品中筛选出来。
4. 清洗剂浸泡：将物品浸泡在清洗剂中，保持一定的时间，使其与清洗剂充分接触。
可以根据物品的材质和污垢情况选择合适的清洗剂，如碱性清洗剂、酸性清洗剂等。
5. 清洗剂冲洗：将清洗剂从物品表面冲洗干净，可使用清洗机或者手动清洗。
清洗剂的冲洗时间和冲洗水量应根据物品的大小和具体情况进行调整。
6. 次级清洗：对于较为复杂的物品，可以进行次级清洗。
次级清洗可以使用不同的清洗剂和工艺，如超声波清洗、喷砂清洗等，以达到更好的清洁效果。
7. 除尘除水：将物品从清洗剂中取出，并通过自然沥水或使用吹风机等工具，将物品表面的水分和残留的污垢等除去，保持物品的干燥和清洁。
8. 检查和测试：对清洗后的物品进行检查和测试，确保其达到清洗要求。
如清洗电子元器件，可以通过测试仪器测试其电性能；如清洗精密仪器，可以进行外观检查和功能测试等。
9. 包装和贮存：将清洗完毕的物品进行包装，并妥善贮存。
对于需要长时间贮存的物品，可以采取防潮、防尘等措施，保证物品在贮存期间不腐蚀、受损等。
10. 清洁设备及环境：对清洗设备进行清洁和维护，保证其正常运行和使用寿命。
同时，对清洗工作区域进行清洁和消毒，确保工作环境的良好卫生。
以上是一般的清洗工艺流程，流程中的每个步骤都需要严格执行，以确保清洗效果和物品的安全性。
实际的清洗工艺流程还需要根据具体的清洗对象、清洗要求和工作环境等因素进行调整和优化。
清洗的工艺流程
清洗的工艺流程
《清洗工艺流程》
清洗是指将物品、设备或场所中的污垢、杂质、油渍等去除的过程。
清洗工艺流程是指按照一定的步骤和方法进行清洗的具体操作流程。
下面是一个一般清洗工艺流程的示例：
1. 准备工作：首先需要做好清洗前的准备工作，包括清洗设备、工具的准备，清洗剂的准备以及工作环境的准备。
2. 预处理：将待清洗物品进行预处理，包括除去粗大杂质、浸泡、蒸汽清洗等。
预处理是为了将污垢软化、松动，从而便于清洗剂的渗透和清洗。
3. 涂抹清洗剂：根据待清洗物品的不同材质和污垢程度，选择合适的清洗剂进行涂抹。
清洗剂可以根据需要选择强碱性、强酸性或中性的清洗剂。
4. 机械清洗：对于一些较难清洗的物品，可以采用机械清洗的方式，例如使用高压水枪清洗、喷淋清洗、超声波清洗等。
5. 冲洗：清洗完毕后，需要使用清水对待清洗物品进行彻底的冲洗，以去除残留的清洗剂和污垢。
6. 消毒：对于需要消毒的物品，还需要进行消毒处理，确保清洗后的物品符合卫生标准。
7. 干燥：最后需要将清洗完毕的物品进行干燥处理，可以通过晾晒、烘干或者使用吹风机进行干燥。
以上就是一个一般清洗工艺流程的示例。
实际操作中，不同的清洗对象和不同的清洗要求会有不同的清洗工艺流程，但总体上可以通过以上步骤来进行清洗工作。
清洗工艺流程的完善和规范将有助于提高清洗效率和清洗质量，保障清洗操作的安全和卫生。
半导体制造-清洗工艺介绍
半导体制造-清洗工艺介绍1. 引言清洗工艺在半导体制造过程中起着至关重要的作用。
半导体器件的制造需要在纳米级别上进行，因此在每一个制造步骤中都必须确保表面的洁净度。
清洗工艺能够去除表面的有机物、无机杂质、氧化膜等，确保半导体器件的品质和可靠性。
本文将介绍半导体制造中常用的清洗工艺和其工艺流程。
2. 清洗工艺分类根据清洗的目的和材料特征，清洗工艺可以分为物理清洗和化学清洗两种类型。
2.1 物理清洗物理清洗主要依靠力学作用去除表面的污染物。
常见的物理清洗技术包括超声波清洗和气流喷吹清洗。
超声波清洗通过高频声波振动产生的微小气泡爆裂来清洁表面。
其原理是声波在介质中传播时会产生较大的压力差，导致液体分子产生振动和剪切力，从而去除污染物。
气流喷吹清洗则是利用高速气流产生的冲击力来破碎并吹走污染物。
这种清洗技术适用于一些对液体敏感的材料，可以避免因液体残留而引起的问题。
2.2 化学清洗化学清洗通过使用化学品与污染物之间的化学反应来去除污染物。
常见的化学清洗技术包括酸洗、碱洗和溶剂洗。
酸洗是通过将酸性溶液与表面进行接触，以去除金属氧化物和有机物。
常用的酸洗液包括硫酸、盐酸和氢氟酸等。
碱洗则是通过将碱性溶液与表面进行接触，以去除有机物和酸性残留物。
常用的碱洗液包括氨水和氢氧化钠等。
溶剂洗则是利用有机溶剂对表面进行溶解和清洗。
常用的溶剂包括丙酮、甲醇和醚类溶剂等。
3. 清洗工艺流程清洗工艺流程根据具体的制造需求和清洗目的而定，一般可以包括以下几个步骤：3.1 表面准备在开始清洗之前，需要对待清洗表面进行准备工作。
包括去除灰尘、涂层或化学物质等，以确保清洗的有效性。
3.2 预清洗预清洗是清洗工艺的第一步，旨在去除表面的大颗粒污染物以及附着在表面的杂质。
3.3 主清洗主清洗是清洗工艺的核心步骤，主要是通过物理或化学手段去除表面的难以清除的污染物。
可以根据需要选择合适的物理或化学清洗技术。
3.4 冲洗冲洗是为了去除清洗液中的残留物，防止其对后续工艺步骤产生影响。
清洗工艺技术
清洗工艺技术清洗工艺技术是指经过流程和步骤设计，使用特定的设备和药剂对物体表面进行清洗的一种技术。
清洗工艺技术广泛应用于工业领域，如机械制造、电子电器、汽车制造等，以及生活领域，如食品加工、餐饮业等。
本文将以家庭清洗工艺技术为例，介绍清洗工艺技术的步骤和流程。
首先，家庭清洗工艺技术的步骤包括准备、湿洗、干洗和整理。
准备阶段是指在进行清洗之前，对物体进行必要的准备工作。
首先，将物体按照大小、材质和清洗方式进行分类。
其次，根据物体的特性选择合适的清洗剂和工具。
最后，确保清洗环境安全和卫生，采取防护措施，如穿戴手套和口罩。
湿洗阶段是指将物体浸泡在清洗液中，利用清洗液的物理和化学作用，去除物体表面的污垢和污染物。
常用的清洗液包括水、肥皂水、酒精等。
在湿洗过程中，可使用刷子、海绵、布料等工具进行搓洗，以加速清洗效果。
此外，对于特殊材质的物体，如细腻的衣物或玻璃器皿，可选择轻柔的清洗方式，以防止损坏。
干洗阶段是指将物体从清洗液中取出，并通过自然风干或人工吹风等方式，将物体表面的水分蒸发。
在干洗过程中，可使用毛巾或纸巾等吸水性强的材质进行擦拭，以加速干燥效果。
另外，对于特殊材质的物体，如皮革制品或电子设备，需要注意避免物体受潮或受热，以防止损坏。
整理阶段是指对物体进行整理和收纳，保持其卫生和整洁。
首先，将物体按照尺寸、形状和用途进行整理，分类存放。
其次，对于容易受污染的物体，如食品和餐具，要进行密封和保鲜处理，以延长其使用寿命。
最后，保持清洗环境的卫生和整洁，定期清洁清洗工具和设备，以保证其有效的清洗功能。
总之，清洗工艺技术是一种对物体表面进行清洗的技术，具有重要的应用价值。
在家庭清洗过程中，通过准备、湿洗、干洗和整理等步骤，可以有效去除物体表面的污垢和污染物，保持物体的卫生和整洁。
家庭清洗工艺技术的规范化和标准化，不仅有助于提高清洗效果，还能减少清洗过程中的能源和资源消耗，对环境保护和可持续发展具有重要意义。
CIP COP SIP SOP介绍 清洗工艺介绍及分析
外置热交换系统（4m3以上)
灌装机
SOP
设定值
实测浓度
设定温度
实测温度
循环时间
1800ppm
1862ppm
60℃
60.5℃
1620s
周期：每次生产结束后执行长SOP
短SOP每两个小时执行一次，每次600s，只对灌装区域进行短
SOP瓶内外消毒
加多了很多喷嘴
对瓶口、瓶底、瓶壁等进行强化消毒
盖子消毒
COP：Clean Out of Place.把设备拆开来进行清洗的方法。一般指手工清洗、泡沫清洗等清洗方法。
20世纪40年代后期最先用于乳品行业
CIP没有发明前，乳品工厂的清洗程序将所有的设备全部拆开手工清洗：清水冲洗、刷子刷洗、清水冲洗组装设备非常耗时及耗人力
直到20世纪60年代中期，乳品工厂才正式开始使用全自动的CIP清洗系统艺康化工是最早发明CIP并应用的公司之一。
SOP槽：浸泡消毒槽
零配件浸泡前必须清洗干净。必须全部浸泡在消毒液中。氯类消毒液不能长时间浸泡。
CIP的优点
安全标准高人工流程减少不需要员工进入缸或其它处理设备不需要员工直接接触化学品溶液卫生质量提高结果重复性好消除人为错误成本控制更加合理生产效率提高人力开支减少水、能源、清洁剂、消毒剂等辅助资源控制得到提高
PAA 1800-2200ppm
星轮杀菌装置（盖外表面用下盖轨道）
结构较早期设备更加紧凑输送 Nhomakorabea消毒药剂OA150浓度400ppm
管道与液封相通不同之处取消了瓶缓冲区
取样阀
无菌水、无菌空气等取样阀安装于灌装区内（下盖滑道旁）
采用在线膜过滤方法，比以前的取样方法更易操作，且结果更具代表性
清洗的工艺流程
清洗的工艺流程清洗工艺流程是指通过特定的方法和设备将杂质、污染物或其他不需要的物质从目标物体表面有效地去除的过程。
清洗工艺流程广泛应用于各种生产制造行业和实验室环境中，以确保产品的质量和安全性。
下面将以清洗金属制品为例，详细介绍清洗的工艺流程。
首先，需要准备清洗液。
清洗液的选择应根据目标物体的材质和表面性质来确定。
一般情况下，酸碱性的清洗液在去除污渍和氧化物方面效果较好，而有机溶剂可以有效去除油脂和有机物质。
此外，还需考虑清洗液对物体本身的腐蚀性和环保因素。
在清洗过程中，首先要将目标物体浸泡在清洗液中。
浸泡时间应根据目标物体的表面污染程度和材料来确定。
一般来说，浸泡时间越长，清洗效果越好。
浸泡时可以用轻柔的工具轻轻搅拌或刷洗物体表面，以帮助清除污渍。
将目标物体取出后，还需要进行冲洗。
冲洗的目的是去除残留的清洗液和杂质，以免对后续加工过程产生影响。
冲洗时可以使用自来水或纯净水，冲洗时间应根据清洗液残留程度来确定。
在冲洗过程中，可以使用喷洒、浸泡或喷水枪等方式。
接下来，将冲洗后的物体进行烘干。
烘干的目的是将物体表面的水分蒸发，以防止水分导致的二次污染或氧化。
烘干设备可以是烘箱、烘筒或吹风机等，烘干时间应根据物体的材料和大小来确定。
最后，对清洗后的物体进行质量检验。
质量检验可以通过目视检查或使用特定仪器和设备来进行。
目视检查可以判断物体表面是否有污渍、氧化物或残留的清洗液等。
特定仪器和设备可以检测清洗后物体的表面粗糙度、膜厚度和杂质含量等指标。
需要注意的是，清洗工艺流程的具体操作方法和参数应根据实际情况进行调整。
例如，有些特殊材料可能对特定清洗液敏感，需要使用相应的外部保护措施。
此外，操作人员在进行清洗过程中应注意个人防护，避免接触到有毒有害物质和高温设备。
总结来说，清洗的工艺流程包括准备清洗液、浸泡清洗、冲洗、烘干和质量检验等环节。
正确的清洗工艺流程可以保证产品的质量和安全性，提高生产效率。
在实际操作中，还应根据目标物体的特性和清洗要求灵活调整清洗工艺流程。
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清洗工艺介绍
扩散部陈永南
清洗概论
半导体对杂质极为敏感，百万分之一甚至十亿分之一的微量杂质，就对半导体的物理性质产生影响，微量的有害杂质可由各种随机的原因进入器件，从而破坏半导体器件的正常性能。
为了清除随机污染建立了特殊的半导体工艺--清洗工艺。
清洗的基本原理
讲清洗的基本原理，应当从玷污的来源讲起，只有知道了各种玷污的来源，针对具体的玷污，才能制定具体的清洗方法，各种玷污的来源和相对的影响见表1。
1去除颗粒和玷污的机理
颗粒粘附在硅片表面的粒子通常是在工艺中引进的，工艺设备、环境、气体、化学试剂和去离子水均会引入颗粒。
在ULSI级的化学试剂中，粒子玷污的情况如表2所示，其中H2SO4最高，HF最低。
对粒子尺寸的要求是随着工艺技术中最小特征的减小而减小，一般粒子的尺寸只能是器件特征尺寸的十分之一，如0.4um器件要求粒子尺寸小于0.04um。
德堡力；粒子与表面间的化学键，粒子被去除的机理有四种：
1.溶解
2.氧化分解
3.对硅片表面轻微的腐蚀去除
4.粒子和硅片表面的电排斥
SC-1液具有上述2，4项的功能，H2O2在硅的表面有氧化作用，NH4OH中的OH-能提供给硅表面和粒子负电荷。
粒子的淀积强烈地依赖于溶液中的PH值，PH值增加到10时，粒子的淀积数目最低，因此在强酸中，粒子的淀积数目最大，表3对各种清洗工艺作了比较，发现SC-1是最有效的一种。
SC-1 NH4OH ：H2O2：H2O=0.1：1：5，80-90℃10min
SC-2 HCL：H2O2：H2O=1：1：6，80-90℃10min
PM：H2O2：H2O=：1：5，80-90℃10min
PSL：聚苯乙烯橡胶小球
有很多报道关于SC-1 改进的清洗工艺，最有效的一种方法是megasonic清洗工艺，SC-1液结合megasonic工艺可以去除有机和无机颗粒，温度可低于40度，清洗的原理是这样的，当硅片浸润SC-1液中，高功率（300W）和高频率（800-900KHZ）的声能平行于硅片表面，首先使颗粒浸润，然后溶液扩散进入界面，最后粒子完全浸润，并成为悬浮的自由粒子而去除颗粒。
金属沾污
金属沾污的来源可以是化学试剂和离子注入、反应离子刻蚀等工艺中引入，金属沾污回影响器件性能，在界面形成缺陷，在后续的氧化或外延工艺中引入层错，PN结的漏电流，减少少数载流子的寿命。
金属沉积到硅表面有两种机理：
1．通过金属离子和硅衬底表面的氢原子之间的电荷交换直接结合到硅表面，这种类型的杂质很难通过湿法清洗工艺去除，这类金属常是贵金属离子，如金（AU），由于它的负电性较Si高，有从硅中取出电子中和的趋向，并沉积在硅表面。
2．金属沉积的第二种机理是氧化时发生的，当硅在氧化时，象Al、Cr和Fe有氧化的趋向，并会进入氧化层中，这种金属杂质可通过在稀释的HF中去除氧化层而去除。
有机沾污
硅片表面的有机沾污通常来源于环境中的有机蒸汽，存储容器和光刻胶的残留，在硅表面存在有机杂质将会使硅片表面无法得到彻底的清洗，如自然氧化层和金属杂质，这会影响到后面的工艺，比如在以后的反应离子刻蚀工艺中会有微掩膜作用，残留的光刻胶是IC工艺中有机沾污的主要来源。
在目前工艺中光刻胶一般是用O3干法去除，然后在SPM中处理，大部分的胶在干法时已被去除，湿法会使去除更彻底。
但由于SPM 的温度较高，会降低H2O2的浓度，工艺较难控制，最近有人提出用O3注入到纯水中或采用紫外光和过滤系统去除有机沾污的方法。
表面粗糙度
表面粗糙度对于制备高性能、高可靠性半导体器件和ULSI是非常重要的，特别是随着特征线宽的减小，栅氧的厚度也相应的减小到40A左右，表面就需要原子级的平整，在RCA清洗工艺中，NH4OH-H2O2-H20通常是第一步去除粒子、有机物和金属杂质的方法。
据报道NH4OH-H2O2-H20=1：1：5，在70℃中清洗10-15分钟会造成非常粗糙的表面，引起这一原因的机理是当H2O作为氧化剂时，NH40H作为氧化剂的腐蚀剂。
在SC-1清洗液中，氧化和腐蚀同时进行，结果表面会变粗糙，减少粗糙的方法归纳起来如下：
1．减少NH4OH的份额
2．降低清洗温度
3．减少清洗时间
目前公司主要的清洗设备
1.槽清洗:也叫浸没式清洗.如:三协清洗机, SCP-3等，此设备的特点：化学液可多次使用，但也带来不足之处，化学液的比例会发生改变，如SH（有）需在使用过程中定期增加H2O2。
2.FSI清洗:
FSI清洗的优点：a.整个过程是在密封状态下进行，不会有工艺过程中的搬迁
沾污;b.化学液是一次性使用,不会有交叉沾污; C.化学液在高雾化状态下与硅
片接触.D.硅片高速旋转,有利于颗粒的去除.但FSI也存在缺点：对于漂洗超过300A的氧化层，会在硅片表面产生痕迹。
3.兆声清洗.
4.最新的清洗:单片清洗工艺和气相清洗。
目前主要的清洗液
1.APM(NH4OH-H2O2-H2O),其比例为1:1:5到1:2:10度在70-80℃,可去除颗粒、有机粘污和金
属离子。
H2O2有很强的氧化性，可将有机物、无机杂质氧化成高价离子和氧化物
而清除。
氨水有充当络合物的作用，它与许多重金属杂质离子如：CU2+、Ag+ 、CO2-、Ni2+、Cd2+等发生络合反应，生成的络合物溶于水而除掉。
2.HPM(HCL-H2O2-H2O) ，其比例为1:1:5到1:2:8, H2O2的作用同上，另外盐酸使H2O2的氧
化性能大大加强,并和硅片表面杂质中的活泼金属（Al、Zn）、金属氧化物（CIO、Fe2O3等）、氢氧化物、硫化物、碳酸盐等相互作用，使这些杂质变成可溶解的，另外盐酸还兼有络合剂的作用，盐酸中的氯离子与Au3+、Pt2+、Cu+、Ag+ Hg2+、Fe3+等金属离子形成溶于水的络合物。
3.SPM( H2SO4-H2O2),5:1到4:1:去光刻残余、去有机粘污、去金属离子。
4.稀HF的漂洗，可去除自然氧化层、光刻的残胶，特别用于栅氧前的去除自然氧化层。
FSI 的主要菜单简介
一.菜单及步骤
1．S/P5*1
H2SO4：H2O2=600ml：150ml
2．B-CLEAN
a．H2SO4：H2O2=600ml:150ml 90Sec
b．H F：H2O=1:15 30-50Sec
c．NH4OH:H2O2:H2O=125:250:1250 30Sec H2O2+2min NH4OH:H2O2:H2O+10Sec H2O2 d．H CL:H2O2:H2O=200:200:1000 100Sec
3.POLY-CLEAN
4.BP-BCLN
5.BPBCLN2700
6.MG-POST
二.菜单中的代号意义:
三.典型菜单形式:B-CLEAN
目前生产线的清洗层次及相关菜单
清洗与产品质量的关系。
a.漏电
清洗不净或遭受粘污，易导致氧化层质量降低，缺陷密度上升，击穿电压下降，漏电大增，b.表面问题
斑点：清洗不净或冲水不足，易出现斑点。
如5”二次氧化后的斑点
白雾：清洗质量不佳容易使表面状况变差，生长POLY时产生黑点，肉眼整片看来成白雾状C.可靠性问题
不良的清洗使园片的质量下降，随着使用时间的延长和使用环境的变化，可靠
性迅速下降
d.影响氧化层的厚度
FSI工艺QC及方法：
a.BT测量
主要是监控可动离子的沾污情况。
b.颗粒
监控FSI的机械颗粒情况
C.铁沾污
主要监控铁离子和重金属离子的沾污情况。
D.E/R
监控HF对热氧化层和BPTEOS的腐蚀情况。
工艺异常判断及解决方法:
由于FSI而造成异常的大致有以下几点：
（1）一氧前的B-CLEAN需理片，将打标处对着FSI的桶壁，这样可减小打标颗粒，一般产品片的打标在圆边处，但也有少数产品或试验片打标在平边处，因此清洗一氧前的产品一定要当心。
下面就由于理片不当造成的颗粒图：
误将S/P5*1清洗成B-CLEAN，因B-CLEAN对氧化层有105A的腐蚀，下图是两种清洗的比较：
由于B-CLEAN对热氧化的腐蚀量为105A，但对TEOS的腐蚀量为800A左右。
（3）回流后的漂洗，BPBCLEAN2700，对热氧化的腐蚀量为400A左右，但对BPTEOS 的腐蚀量将达到7倍左右，在2001年曾出现过因过腐蚀而报废的事。
（4）关于清洗时ABOUT的处理：
若清洗S/P5*1，不管ABOUT在哪步，只需重新清洗。
但对于清洗B-CLEAN类菜单，若ABOUT 在HF之前，可重新清洗，若发生在HF之后必须从从中断步开始进行。
使用的材料和规范：
使用的化学液有：H2SO4、H2O2、HF、HCl、NH4OH，具体材料见《QS9000—》。