第二章第3节 光电探测器

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光电探测器的原理

光电探测器的原理

光电探测器的原理光电探测器是一种能够将光信号转换为电信号的器件,它在光通信、光电测量、光谱分析等领域有着广泛的应用。

光电探测器的原理主要基于光电效应和半导体材料的特性,下面将详细介绍光电探测器的原理。

首先,光电探测器的基本原理是光电效应。

光电效应是指当光线照射在金属或半导体表面时,光子能量被吸收,激发出电子从固体表面逸出的现象。

这些逸出的电子就构成了光电流,通过测量光电流的大小可以间接测量光的强度。

在光电探测器中,光电效应是将光信号转换为电信号的关键过程。

其次,光电探测器的原理还与半导体材料的特性密切相关。

常见的光电探测器主要有光电二极管(Photodiode)、光电导(Phototransistor)、光电二极管阵列(Photodiode Array)等。

这些光电探测器主要利用半导体材料的光电特性来实现光信号的转换。

当光线照射在半导体材料上时,会产生电子-空穴对,并在外加电场的作用下产生电流。

不同类型的光电探测器采用不同的半导体材料和工作原理,但它们都是利用半导体材料的光电特性来实现光信号的探测和转换。

除此之外,光电探测器的原理还涉及到光信号的增强和处理。

在实际应用中,光信号往往非常微弱,需要经过光电探测器的增强和处理才能得到有效的电信号。

因此,光电探测器通常会与放大器、滤波器、模数转换器等电路相结合,以实现对光信号的放大、滤波和数字化处理,最终得到精确的电信号输出。

总的来说,光电探测器的原理主要包括光电效应、半导体材料的光电特性以及光信号的增强和处理。

通过光电效应将光信号转换为电信号,利用半导体材料的特性实现光信号的探测和转换,再通过电路的增强和处理得到最终的电信号输出。

光电探测器在光通信、光电测量、光谱分析等领域有着广泛的应用,其原理的深入理解对于光电器件的设计和应用具有重要意义。

光电探测器原理

光电探测器原理

光电探测器原理光电探测器原理及应用光电探测器种类繁多,原则上讲,只要受到光照后其物理性质发生变化的任何材料都可以用来制作光电探测器。

现在广泛使用的光电探测器是利用光电效应工作的,是变光信号为电信号的元件。

光电效应分两类,内光电效应和外光电效应。

他们的区别在于,内光电效应的入射光子并不直接将光电子从光电材料内部轰击出来,而只是将光电材料内部的光电子从低能态激发到高能态。

于是在低能态留下一个空位——空穴,而高能态产生一个自由移动的电子,如图二所示。

硅光电探测器是利用内光电效应的。

由入射光子所激发产生的电子空穴对,称为光生电子空穴对,光生电子空穴对虽然仍在材料内部,但它改变了半导体光电材料的导电性能,如果设法检测出这种性能的改变,就可以探测出光信号的变化。

无论外光电效应或是内光电效应,它们的产生并不取决于入射光强,而取决于入射光波的波长λ或频率ν,这是因为光子能量E只和ν有关:E=hν(1)式中h为普朗克常数,要产生光电效应,每个光子的能量必须足够大,光波波长越短,频率越高,每个光子所具有的能量hν也就越大。

光强只反映了光子数量的多少,并不反映每个光子的能量大小。

目前普遍使用的光电探测器有耗尽层光电二极管和雪崩光电二极管,是由半导体材料制作的。

半导体光电探测器是很好的固体元件,主要有光导型,热电型和P—N结型。

但在许多应用中,特别是在近几年发展的光纤系统中,光导型探测器处理弱信号时噪声性能很差;热电型探测器不能获得很高的灵敏度。

而硅光电探测器在从可见光到近红外光区能有效地满足上述条件,是该波长区理想的光接收器件。

一、耗尽层光电二极管在半导体中,电子并不处于单个的分裂能级中,而是处于能带中,一个能带有许多个能级。

如图三所示。

能带与能带间的能量间隙称为禁带,禁带中没有电子,电子从下往上填,被电子全部填满的能带称为满带,最高的满带称为价带,紧靠在价带上面的能带称为导带,导带只有部分被电子填充,或是全部空着。

第2章 光电探测器概述

第2章 光电探测器概述

光电探测器的工作条件

光谱匹配 电路的通频带和带宽 工作温度 光敏面尺寸 偏置情况
2.2 光电探测器的特性参数 1.光电特性 2. 灵敏度与光谱特性 3.等效噪声功率和比探测率 4.响应时间与频率特性
1.光电特性
光电特性是指电学参量与光辐射参量之间的函 数关系。
例如:I=f(Ф) I=f(E) 例1:P109 光电倍增管的 光电特性 线性度-重要性
k =1
SNR =
IS
2 IN
3.噪声等效功率和比探测率
辐射通量 信号电流 噪声电流
Φmin
NEP = Φmin
I=
2 IN
当探测器输出的信号电流I (或电压U)等于探测器 本身的噪声电流(或电压)均方根值时,入射到探 测器上的信号辐射通量称为噪声等效功率(简称 NEP)
3.噪声等效功率和比探测率
典Байду номын сангаас光电探测器的D*曲线
4. 响应时间与频率特性
矩形光脉冲,响应出 现上升沿和下降沿
通常光电器件输出的电信号都要在 时间上落后于作用在其上的光信号, 即光电器件电信号输出相对于输入 光信号要发生时间上的扩展,其扩 展特性可由响应时间来描述。光电 器件的这种相应落后于作用光信号 的特性称为惰性,将会使先后作用 的光信号产生交叠,从而降低了信 号的调制度。如果接收器件测试的 是随时间快速变化的物理量,则由 于惰性的影响会使输出产生严重畸 变。
2. 灵敏度与光谱特性
光谱灵敏度 :
U (λ ) RU (λ ) = Φ (λ )
S
I (λ ) RI (λ ) = Φ (λ )
例1:人眼 光谱灵敏度
例2:硅光电器件 光谱灵敏度
2. 灵敏度与光谱特性 光谱特性(曲线)

光电信号检测光电探测器概述概要课件

光电信号检测光电探测器概述概要课件
光电探测器广泛应用于光通信、光谱分析、环境监测、生物医学 等领域,是光电信号检测中的关键器件。
光电探测器的工作原理
光电探测器的工作原理基于光子与物质相互作用产生电子-空穴对或光生电场效 应,从而将光信号转换为电信号。
具体来说,当光子照射到光电探测器的敏感区域时,光子能量被吸收并产生电子 -空穴对,这些电子-空穴对在电场的作用下分离并形成光电流,从而完成光信号 到电信号的转换。
光电探测器的应用领域不断拓 展,如物联网、智能制造、无 人驾驶等新兴领域,为市场发 展带来更多机遇。
05
光电探测器的挑战与展望
光电探测器的挑战与展望
• 光电探测器是用于检测光信号并将其转换为电信号的器件,广泛应用于光通信、环境监测、安全监控等领域。随着光电子技术的发展,光电 探测器的性能不断提高,应用范围不断扩大。
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感谢聆听
04
光电探测器的市场前景
全球市场情况
光电探测器在全球范围内应用广泛,包括通信、工 业、医疗、安全等领域。
随着技术的不断进步和应用需求的增加,全球光电 探测器市场规模持续增长。
市场竞争激烈,各大厂商在技术研发、产品创新等 方面不断投入,以提高市场份额。
中国市场情况
02
01
03
中国光电探测器市场发展迅速,成为全球最大的光电 探测器市场之一。
光电探测器的分类
01
光电探测器可以根据工作原理、材料、波长响应范围、光谱响应特、光电发射型等;按材料可分为硅基、锗 基、硫化铅等;按波长响应范围可分为可见光、红外、紫外等;按光谱响应特 性可分为窄带、宽带等。
03
•·
02
光电探测器的应用
通信领域的应用
光纤通信
光电探测器在光纤通信中起到至关重要的作用。它们能够将光信 号转换为电信号,使得信息的传输和处理成为可能。

光电探测器

光电探测器

2、光电导(PC)探测器
其工作原理基于内光电效应。 光电导效应?
半导体吸收能量足够大的光子后,会把其 中的一些电子或空穴从原来不导电的束缚 态激活到能导电的自由态,从而使半导体 电导率增加。
(1)特点
光电导探测器的结构一般为金属一半导体 一金属(测
一、 光电探测器的定义 及工作原理
光电探测器接收光信号并进行光电转换, 是半导体电子学的重要器件,是光电系统中 的重要组成部分,被称为这类仪器的“心 脏”。
光电探测器是利用入射的光子流与探测 材料中的电子之间直接互相作用,从而改变 电子能量状态的光子效应来制作的一类器件。
二、光电探测器的分类
PE探测器
2001年,美国军方实验室的Liang等人利用 MOCVD方法以蓝宝石为衬底生长ZnO薄膜,制 备出MSM结构肖特基型紫外探测器。
2004年,浙江大学叶志镇等利用磁控溅射生 长的ZnO薄膜,采用Au电极形成肖特基接触, Al电极形成欧姆接触,在Si(100)衬底上制 备出肖特基型ZnO紫外探测器,Si3N4为绝缘 隔离层,器件性能较好。
光电探测器
PC探测器
PV探测器
1、光电子(PE)发射探测器
此探测器的工作原理是基于外光电效应。
当辐射照射在某些金属、金属氧

化物或半导体材料表面时,若光
光 电
子能量hv足够大,则足以使材料

内一些电子完全脱离材料从表面

逸出。
与外光电相对应的则为内光电效应,两 者的不同点在与内光电效应的入射光子并不 直接将光电子从光电材料内部轰击出来,而 只是将光电材料内部电子从低能态激发到高 能态,于是在低能态留下一个空位一空穴对, 而在高能态上产生一自由移动的电子,形成 光生电子一空穴对。通过检测这一性能的变 化,来探测光信号的变化。本节主要讨论的 利用内光电效应的光电探测器的制备及其性 能特点。

《光电技术(第2版)》第2章光电探测器2

《光电技术(第2版)》第2章光电探测器2

(一)基本结构与原理
硅光电二极管
分为 以P型硅为衬底的(国产型号2DU系列) 以N型硅为衬底的(国产型号2CU系列)
光电二极管的电流方程
PN结的电流方程为
qU
I ID (e kT 1)
硅光电二极管伏安特性曲线
式中:U是加在二极管两端的电压,T为温度,k为 玻耳兹曼常数,q为电子电量。
ID和U均为负值,且 U kT / q 时(室温下很容易 满足)的电流称为反向电流或暗电流。
出功率和转化效率。即把受光面做得较大, 或把多个光电池作串、并联组成电池组,与 镍镉蓄电池配合,可作为卫星、微波站等无 输电线路地区的电源供给。
2、光电池用作检测元件
利用其光敏面大,频率响应高,光电流 与照度线性变化,适用于开关和线性测量等。
3 、光电池零伏偏置电路
A是高输入阻抗放大器,Ri 是光生伏特器件内阻,
光敏面小,势垒电容小,响应快,但工艺困难。
(2)扩散层PN结光电二极管: 耗尽层厚度小于结的任一边的扩散长度,工作 区是结两边的扩散区,光电流主要由扩散流 引起。
(3) 耗尽层型PN结光电二极管
耗尽层厚度大于结的任一边的扩散长度,光 电转换主要在耗尽层内,光电流主要由漂移 电流引起的。有很高的频率响应。
结构:为了实现雪崩过程,基片杂质浓度 很高,使之容易碰撞电离;
片子厚度较薄,保证较高的电场强度
三种雪崩光电二极管结构示意图
影响雪崩光敏二极管工作的因素:
(1)雪崩过程伴有一定的噪声,并受温度 的影响较大;
(2)表面材料的缺陷使PN结各电场分布不 均,局部先击穿使漏电流变大,增强了噪声;
(3)工作偏压必须适当。
最佳工作点在B 处,接近雪崩点 附近。 为了压低暗电流, 可把工作点左移 一些。

光电探测器

光电探测器

一`光电探测器第一节 光辐射探测器的主要指标光信号的探测是光谱测量中的重要一环,在不同的场合和针对不同的目的所采用的探测器也不同,最重要的考虑是探测器的应用波长范围、探测灵敏度以及响应时间。

光探测器是将光辐射能转变为另一种便于测量的物理量的器件,它的门类繁多,一般来说可以按照在探测器上所产生的物理效应,分成光热探测器、光电探测器和光压探测器,光压探测器使用得很少。

本章将着重介绍光谱学测量中常用的探测器。

光热探测器是探测元件吸收光辐射后引起温度的变化,例如光能被固体晶格振动吸收引起固体的温度升高,因此对光能的测量可以转变为对温度变化的测量。

这种探测器的主要特点是:具有较宽的光波长响应范围,但时间响应较慢,测量灵敏度相对也低一些,经常用于光功率或光能量的测量。

光电探测器是将光辐射能转变为电流或电压信号进行测量,是最常使用的光信号探测器。

它的主要特点是:探测灵敏度高,时间响应快,可以对光辐射功率的瞬时变化进行测量,但它具有明显的光波长选择特性。

光电探测器又分内光电效应器件和外光电效应器件,内光电效应是通过光与探测器靶面固体材料的相互作用,引起材料内电子运动状态的变化,进而引起材料电学性质的变化。

例如半导体材料吸收光辐射产生光生载流子,引起半导体的电导率发生变化,这种现象称为光电导效应,所对应的器件称为光导器件;又如半导体PN 结在光辐照下,产生光生电动势,称为光生伏特效应,利用这种效应制成的器件称为光伏效应器件。

外光电效应器件是依据爱因斯坦的光电效应定律,探测器材料吸收辐射光能使材料内的束縛电子克服逸出功成为自由电子发射出来。

P k E h E -=ν ---------------------------------- (2.1-1)上式中 νh 是入射光子的能量,E p 是探测器材料的功函数,即光电子的逸出功,E k 是光电子离开探测器表面的动能。

这种探测器有一个截止频率和截止波长C ν和C λ: hp E c =ν , ()()nm eV E E hC p p C 1240==λ --------(2.1-2)频率低于C ν 或波长长于C λ 的光波不能被探测到,因为这样的光子能量不足以使电子克服材料的逸出功。

光电探测器分解课件

光电探测器分解课件

光电探测器的应用领域
总结词
光电探测器广泛应用于各种领域,如科学研究、工业 生产、安全监控等。其应用范围涵盖了光谱分析、辐 射监测、激光雷达、光纤通信等众多领域。
详细描述
光电探测器作为一种重要的光电器件,具有广泛的应用 领域。在科学研究领域,光电探测器可用于光谱分析、 辐射监测等实验中,帮助科学家深入了解物质的性质和 行为。在工业生产领域,光电探测器可用于各种自动化 生产线和设备的控制与监测,提高生产效率和产品质量 。此外,在安全监控、激光雷达、光纤通信等领域,光 电探测器也发挥着重要的作用。通过不断的技术创新和 应用拓展,光电探测器的应用前景将更加广阔。
02
薄膜沉积
在衬底上沉积光电探测器的关键薄膜 材料,如半导体材料、金属材料等。
01
封装与测试
将制造完成的光电探测器进行封装和 性能测试,确保其正常工作。
05
03
光刻与刻蚀
通过光刻技术将薄膜材料加工成所需 的结构和图形,然后进行刻蚀以形成 光电探测器的各个部分。
04
掺杂与欧姆接触
对光电探测器的半导体材料进行掺杂 ,并形成欧姆接触,以实现电流的收 集和传输。
光电探测器输出电压与输入光 功率之比,用于衡量光电探测
器的光转换效率。
带宽
光电探测器的响应速度的量度 ,通常以Hz或MHz为单位。
噪声等效功率
在一定的信噪比下,探测器可 检测到的最小光功率。
线性范围
光电探测器输入光功率与输出 电压呈线性关系的范围。
03
光电探测器的制造工艺
制造工艺流程
衬底准备
选择合适的衬底材料,并进行清洗和 加工,为后续制造过程做准备。
光电探测器的发展趋势
高响应速度
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真空光电管的伏安特性
• 当光通量一定 时,阳极电压 与阳极电流的 关系,叫做光 电管的伏安特 性曲线。光电 管的工作点应 选在光电流与 阳极电压无关 的区域内。
真空光电管的光照特性
• 当光电管的阳极和阴极之 间所加电压一定时,光通 量与光电流之间的关系为 光电管的光照特性。曲线 1表示氧铯阴极光电管的 光照特性,光电流与光通 量成线性关系。曲线2为 锑铯阴极的光电管光照特 性,它呈非线性关系。光 照特性曲线的斜率(光电 流与入射光光通量之比) 称为光电管的灵敏度。
4.倍增系统 倍增系统是由许多倍增极组成的综合体,每个倍增极都是由二次电子倍增 材料构成的,具有使一次电子倍增的能力。倍增系统是决定整管灵敏度最关键 的部分。 5.阳极 阳极是用来收集最末一级倍增极发射出来的电子的。现在普遍采用金属网来 作阳极,使它置于靠近于最末一级倍增极附近。
• 如果在光电阴极上由于入射光的作用发射出一个电子,这个 电子将被第一倍增极的正电压所加速而轰击第一倍增极,设 这时第一倍增极有δ 个二次电子发出,这个电子又轰击第二 倍增极,而其产生的二次电子又增加δ 倍,经过n个倍增极后, 原先一个电子将变为δ n个电子,这些电子最后被阳极所收 集而在光电阴极与阳极之间形成电流。构成倍增极的材料的 δ >1.设δ =4,在n=10时,则放大倍数为δ n 为4的10 次方。可见光电倍增管的放大倍数是很高的。 • 光电倍增管的伏安特性曲线的形状与光电管很相似,其它特 性也基本相同。
i
i
光电倍增管光电特性
当光通量很大时,特性曲 线开始明显偏离直线。因 此,在工作时阴极不能有 强光照射,否则易损坏管 子。因它的灵敏度高,光 电倍增管允许测量非常小 的光通量,或所需放大器 的级数可以较少。
光电阴极灵敏度和光电倍增管总灵敏度
• 光电阴极的灵敏度:一个光子 在阴极上能够打出的平均电子 数。 • 光电倍增管的总灵敏度:一个 光子在阳极上产生的平均电子 数。 • 极间电压越高,灵敏度越高; 但极间电压也不能太高,太高 反而会使阳极电流不稳, • 另外,由于光电倍增管的灵敏 度很高.所以不能受强光照射, 否则将会损坏。
热释电效应
• 热释电效应是通过热释电材料实现的。热释电材料是电介 质、绝缘体,是一种结晶对称性很差的压电晶体,在常态 下具有自发极化(固有电偶极矩)。 • 如果对热电体施加直流电场,自发极化矢量将趋于一致排 列(形成单畴极化),总的电极化矢量Ps加大。当电场去 掉后,如果总的Ps能保持下来,这种热电体有时称为热电 -铁电体,是实现热释电效应的理想材料。 热电体的|Ps|决定了材料表面面电荷密度 σS的大小,经过单畴极化的热电体,保 持有较大的|Ps|。 |Ps|值是温度的函数, 温度升高, |Ps|值减小。升高到Tc值时, 自发极化突然消失, Tc称为居里温度。 在Tc温度以下,才有热释电现象。
第三节光纤传感器的光探测器
在光纤传感器中,光探测器性能好坏既 影响被测物理量的变换准确度,又关系到 光探测接收系统的质量。它的线性度、灵 敏度、带宽等参数直接关系到传感器的总 体性能。 常用的光探测器有光敏二极管、光敏三 极管、光电倍增管、CCD等。
定 义
光电式传感器是能将光能转换为电能的一种 器件,简称光电器件。它的物理基础是光电效应。 由于光电元件响应快,结构简单.而且有较高的 可靠性等优点,在现代测量与控制系统中,应用 非常广泛。 • 大多数光电探测器都是把光辐射转换为电量来 实现探测,即便直接转换量是非电量(温度、体 积等)时,通常也总是把非电量再转换为电量来 测量。 • 光电探测器的物理效应通常分为两类:光子效应 和光热效应。
• 当强度变化的光照射热电体时,热电体温度发生变化, Ps也发生变 化,面电荷从原来的平衡值跟着变化。热电体表面附近的自由电荷 对面电荷的中和作用比较缓慢,热电体侧表面就呈现出相应于温度 变化的面电荷的变化。这就是热释电现象。 • 如果把热电体放进一个电容器极板之间,把电流表与电容器两端相 接,就会有电流流过电流表,称为短路热释电流,如果极板面积为A, 则电流为
Ek h E 1 2 Ek m V 2
如果发射体内电子所吸收的光子能量大于发射体 的功函数,那么电子就能以相应的速度从发射体 表面逸出。光电效应发生条件

E h
c
光电导效应 • 光电导效应:金属没有光电导效应,只发生在某些半导体 材料中。光辐射照射外加电压的半导体,如果光波长满足 以下条件:
光电倍增管PhotoMultiplier Tube(PMT)
• 在入射光极为微弱时,光电管能产生的光电流就很小,在 这种情况下即使光电流能被放大,但信号与噪声同时被放 大了,为了克服这个缺点,就要采用光电倍增管。
• 在各种感光器件中,光电倍增管是性能最好的一种,无论 在灵敏度、噪声系数还是动态范围上都遥遥领先于其他的 感光器件,更难能可贵的是它的输出信号在相当大范围内 保持着高度的线性输出,使输出信号几乎不用做任何修正 就可以直接获得很准确的色彩还原。电阻
• 光敏电阻是用光电导体制成的
光电器件,无需形成PN结,又 称无结光电探测器,它是基于光 电导效应工作的。光敏电阻没有 极性,纯粹是一个电阻器件,使 用时可加直流偏压,也可以加交 流电压。当无光照时,光敏电阻 值(暗电阻)很大.电路中电流很 小。当光敏电阻受到一定波长范 围的光照时,它的阻值(亮电阻) 急剧减少,因此电路中电流迅速 增加。
光热效应
• 温差电效应 • 热释电效应
• 温差电效应
当两种不同配偶材料(可以是金属或半导体)两端并 联熔接时,如果两个接头温度不同,并联回路中就产生电 动势,称为温差电动势,回路中就有电流流通。如果把冷 端分开并与电表相接,当光照熔接端(称为电偶接头)时, 吸收光能使电偶接头温度升高,电表就有相应的电流读数, 反映光照能量大小。实际中,为了提高灵敏度,常将若干 个热电偶串联起来使用,称为热电堆,在激光能量计中得 到应用。
光电倍增管暗电流和本底脉冲
• 一般在使用光电倍增管时,必须把管子放在暗室 里避光使用,使其只对入射光起作用。但是由于 环境温度、热辐射和其他因素的影响,即使没有 光信号输入,加上电压后阳极仍有电流,这种电 流称为暗电流。这种暗电流通常可以用补偿电路 加以消除。 • 光电倍增管的阴极前面放一块闪烁体、就构成闪 烁计数器。在闪烁体受到人眼看不见的宇宙射线 的照射后,光电倍增管就会有电流信号输出,这 种电流称为闪烁计数器的暗电流,一般把它称为 本底脉冲。
1.24 1.24 c Eg (ev) Ei (ev)
• 那么光子将在其中激发出新的载流子。这就使半导体中的 载流子浓度在原来平衡值上增加,增加值叫非平衡载流子 即光生载流子,将使半导体的电导增加,即光电导效应。 光导效应是半导体的体效应。
光生伏特效应 光伏效应是半导体材料的结效应,当照射光激 发出电子空穴,内建电场将把电子-空穴对分开, 在势垒两旁形成电荷堆积,形成光生伏特效应。 如光电二极管等。
光热探测器
• 光热探测器在光电探测器中也有重要的地位。如激光功率 和能量测量都广泛使用热电和热释电探测器。尤其是热释 电探测器,工作时无须冷却,也无须偏压电源,可以在室 温工作,也可在高温工作,结构简单使用方便;从近紫外 到远红外的宽广波段有几乎均匀的光谱响应,在较高的频 率和温度范围内有较高的探测度。特别是对10.6微米的激 光探测有广阔发展前途。 • 热释电材料: 最早、最成熟的是硫酸三绀酞(TGS),但居里温 度低,承受强光能力差。以后发展有铌酸锶钡(SBN)、 钽酸锂(LT)、钛酸铅陶瓷(PT)、钛酸锆酸铅陶瓷 (PZT)等,PT和LT材料的居里温度高,响应动态范围 大,损伤阈值高,不宜烧坏。因此在激光能量测量和探测 以及涉及强光测量中有重要应用价值。
光电倍增管在闪烁计数器中的应用
闪烁计数器是一种通用的精密核辐射探测器。核辐射源 辐射的粒子通过闪烁体时,闪烁体被射线电离、激发,并发 出一定波长的光,这些光子传输后射到到倍增管的光阴极发 生光电效应而释放出电子,经倍增放大后输出电脉冲信号至 记录设备中。只要测出脉冲信号的数目及幅度,便可以测出 射线的强弱和能量的大小。现代闪烁探测器往往配备有计算 机系统来处理测量结果。 辐射射线
光电探测器
• • • • 光电管 光敏电阻 光电池 光电耦合器件(CCD)
一、光电管
• 真空光电管 • 充气光电管 • 光电倍增管
真空光电管
• 在一个真空的玻璃泡内装有二个电极:光电阴极和阳极。 光电阴极有的是贴附在玻璃泡内壁,有的是涂在半圆筒形 的金属片上,阴极对光电感的一面是向内的,在阴极前装 有单根金属丝或环状的阳极。当阴极受到适当波长的光线 照射时便发射电子.电子被带正电位的阳极所吸引,这样 在光电管内就有电子流,在外电路中便产生了电流。
dPs dPs dT dT iA A A dt dT dt dt dPs 式中 dT
称为热释电系数。如果照射光恒定,那 么T为恒定值, Ps也为恒定值,电流为 0。所以热释电探测器为交流或瞬时响 应器件。
热释电效应:在热平衡条件下,电介质因自 发极化要产生表面束缚电荷,这种电荷被来 自空气中附集于电介质表面上的自由电荷所 补偿,其电不能显现出来,当温度发生变化, 由温度变化引起电介质的极化状态的改变不 能及时被来自电介质表面上的自由电荷所补 偿,使电介质对外显电性。
光敏电阻的结构
管芯是一块安装在绝缘衬底上的带有两个欧姆接触电极的光电 导体。半导体吸收光子而产生的光电效应,只限于光照的表面 薄层,虽然产生的载流子也有少数扩散到内部去,但深入厚度 有限.因此光电导体一般都做成薄层。为了获得很高灵敏度, 光敏电阻的电极一般采用梳状,在间距很近的电极之间有可能 采用大的极板面积.所以提高了光敏电阻的灵敏度。
光子效应
• 外光电效应:在光线作用下使物体的电子逐出表面 的现象。如光电管、光电倍增管等。 • 内光电效应:在光线作用下,物体的导电性能发生 变化或产生光生电动势的效应称为内光电效应,如 光电二极管、光电三极管等。
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