电容元件选择指南

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缩少安装尺寸
安装功率因数校正工具可以使导线的横截面减小,因为对应相同的有功功率, 补偿设备会吸收更少的电流。 依照不同的功率因数值,相应的表格会显示导线横截面积所对应的功率放大系数。
降低设备的压降
安装电容器,可以使功率因数校正设备连接点以上的电压降减少。 这样可以避免网络过载,并且使谐波减少,降低您的成品。
但在实际应用当中,技术和经济因素会制约补偿方式的选择。
电容器组在配电网络中的连接位置,由以下因素决定: p 全部补给对象(避免无功电能的损失,减少变压器或电缆,避免电压降) p 工作方式(波动负载的稳定) p 预知电容器给配电网络带来的影响 p 设备成本
集中补偿
电容器组安装在需要补偿的设备的首端,以便为下级全部设备提供无功电能。这种 配置适用于稳定且连续的负载系数。
考虑工作环境
工作环境对电容器的寿命有很大影响,选择电容器时要遵循下列参数: p 环境温度 (ºC) p 需要考虑过电流、相关的电压扰动,包括最大的持续过电压值 p 每年最多的切换运行次数 p 要求的平均寿命
考虑谐波
根据不同的强度推荐不同的方案: p 标准型电容器:适用于轻度谐波污染环境 p 过谐型电容器:适用于中度谐波污染环境,特别是电压扰动环境 p 调谐型电容器:与调谐电抗器配合使用,适用于重度谐波污染环境(大量非线性负 载)。电抗器是必要的,以限制谐波电流循环,同时避免共振 p 调谐滤波器:当网络中主要都是非线性负载时,要求抑制谐波。基于现场网络测量 和计算机仿真,需要特殊设计
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DE90087
为什么需要无功功率补偿?
无功功率补偿的原理
如图所示,功率因素(P / S) 是等于cosj (无谐波)。
所有交流电网消耗两种类型的功率:有功功率(kW)和无功功率(kvar): p 有功功率 P (kW) 是实际传输给电力负荷的能量,电力的有功功率转化为机械动力、 热和光,如:电机、灯具、加热器和电脑等。 p 无功功率Q (kvar) 仅用驱动设备的磁场,实现电场与磁场的转换。产生无功功率的 设备,如:电机和变压器等。 p 视在功率S(kVA)是有功功率和无功功率矢量合。

旁路电容使用和选择

旁路电容使用和选择

简介旁路电容常见于电子设备的每个工作部分。

大多数工程师都知道要对系统、电路甚至每个芯片进行旁路。

很多时候我们选择旁路电容是根据过往的设计经验而没有针对具体电路进行优化。

本应用指南旨在对看似简单的旁路电容的设计思路进行探讨。

在分析为什么要使用旁路电容之后,我们会介绍有关电容基础知识、等效电路、电介质所用材料和电容类型。

接下来对旁路电容的主要功能和使用场合进行区分。

与仅工作在高频的电路不同,会产生大尖峰电流的电路有不同的旁路需求。

另外还会讨论一些有针对性的问题,如,运用多个旁路电容以及电路板布局的重要性。

最后,我们给出了四个具体的示例。

这四个例子涉及了高、低电流和高、低频率。

为什么要使用旁路电容非常常见(和相当令人痛心)的是用面包板搭建一个理想配置电路时,经常会遇到电路运行不稳定或者根本就不能运行的情况(见图1)。

来自电源、内部IC 电路或邻近IC 的噪声可能被耦合进电路。

连接导线和电路连接起到了天线的作用而电源电压产生变化,电流随之不稳定。

图2所示为通过示波器所观察到的电源引脚上的信号波形。

图2. 示波器所观察到的同相放大器直流电源引脚的波形我们可以看到,直流电压附近有很多高频噪音(约10mV P-P ) 。

此外,还有之前提到的幅度超出50mVr 的周期性电压脉冲。

因假定电源为稳定值(恒定为直流电压),那么任何干扰都将被直接耦合到电路并可能因此导致电路不稳定。

电源的第一道抗噪防线是旁路电容。

通过储存电荷抑制电压降并在有电压尖峰产生时放电,旁路电容消除了电源电压的波动。

旁路电容为电源建立了一个对地低阻抗通道,在很宽频率范围内都可具有上述抗噪功能。

要选择最合适的旁路电容,我们要先回答四个问题: 1、需要多大容值的旁路电容2、如何放置旁路电容以使其产生最大功效3、要使我们所设计的电路/系统要工作在最佳状态, 应选择何种类型的旁路电容?4、隐含的第四个问题----所用旁路电容采用什么样的封装最合适?(这取决于电容大小、电路板空间以及所选电容的类型。

电容

电容

在把电容装入你的应用装置之前请仔细阅读下面的安装与维护说明。

关于本手册:这篇手册介绍了典型的用法。

在安装前,请参考我们的产品使用说明书,或者要求我们对你的特殊要求作出认可。

为了你的安全!不遵守手册指南可能会导致操作失败,爆炸和起火。

如果你有疑问,请与当地的EPCOS销售单位或发行人联系,取得帮助。

安装与操作时的总体注意事项:——保证电容外壳有良好的有效的接地。

——在系统中,与任何故障元件/区域要有绝缘措施。

——搬运电容时要小心,由于放电元件故障,即使断开后,电容也有可能会有电。

——遵守有关的工程实践要求。

——不要使用HRC熔丝来来断电容(否则会有可能引起电弧导致危险)。

——一旦施加了电压,同样要考虑电容接线端子、连接母线和电缆,还有任何其他的与其相连的元件。

因为它们是带电的!存放和操作条件不要在腐蚀性的空气中,特别是氯化物气体、硫化物气体、酸性、碱性、盐质或存在同类物质的空气中使用或存放电容。

在有灰尘的环境中,为了防止在相与相或相与地之间出现导电性通道,需要对它,特别是接线端进行常规的维护和清洁。

周围温度类别是通常的标准类型-25/D。

这意味着温度的最大值为55℃,24小时的平均温度为45℃,一年内平均温度不得超过35℃。

极限情况下,温度不得超过60℃。

温度是聚丙烯型电容器的一个重要的因数,温度对电容的使用寿命有着重要的影响。

为了适应更高的温度要求,EPCOS提供了MKV型电容器,它的周围温度可以达到70℃。

(有自然冷却)。

注意!超过了最大的允许温度可能会使得保险装置失控。

如果有凹痕,任何机械的或其他形式的损坏,电容不能够继续使用。

安装固定例1:电容Windcap,PhaseCap,Phicap和Phasecap HD固定位置电容安装在柜子中时,应该放置在底部,以保证最低的温度。

注意:如果凹痕深于0.5mm,请不要安装该电容。

PhaseCap,WindCap Phasecap,windcap型电容可以在水平位置或垂直位置进行安装:例2:Phaseca,windcap垂直或水平安装位置PhaseCap HD,Phicap PhaseCap HD,phicap型电容只能在垂直位置安装:例3:PhaseCap HD,phicap型电容只能在垂直位置安装固定条件:PFC电容必须安装在凉爽的通风条件好的地方,不许安装在贴近有热辐射物体的地方,例如,滤波电路,电抗器、熔炉、阳光直接照射的地方。

PTC型号及选型指南

PTC型号及选型指南

PTC型号及选型指南PRG系列陶瓷贴⽚⾃WMZ13A过流过压保WMZ12AⅠ过流保护WMZ12A Ⅱ过流过载智能电表线圈变压器通讯接⼝保护热敏电WMZ13A 汽车⽤过流LED灯具⾃恢复式过智能电表⽤⾃恢复式WMZ13B系列继电器阻PTC热敏电阻模块电容上电防浪涌冲击⾃恢复热敏电阻逆变焊机滤波电容上电浪涌抑制⾃恢复热敏电阻变频器储能电容浪涌抑制⾃恢复PTC热敏电阻逆变电源滤波电容上电浪涌抑制⾃恢复热敏电阻伺服驱动板滤波电容上电浪涌抑制⾃恢复热敏电阻WMZ12B 140V过流保护PTC热敏电阻WMZ12C 30V/60V 过流保护PTC热敏电阻WMZ12D 15V/18V 过流保护PTC热敏电阻600Vac通讯设备交换机过流过载保护PTC热敏电阻550Vac仪器/仪表/机过流过载保护PTC 热敏电阻250Vac配线架过流过载保护PTC热敏电阻WMZ7消磁PTC热敏电阻WMZ91裸⽚冰箱压缩机启动PTC热敏电阻壳装压缩机启动PTC热敏电阻250Vac配线架过流过载保护⾃恢复PTC热敏电阻通⽤PTC过热保护温度传感器KTY系列电机⽤温度传感器电机PTC热保护温度传感器贴⽚过热保护PTC热敏电阻测温型线性PTC热敏电阻插件过热保护PTC热敏电阻SMD贴⽚线性PTC热敏电阻NXP(恩智浦)KTY系列热敏电阻LED恒流补偿热敏电阻PTC热敏电阻器三⼤特性:BaTiO3陶瓷是⼀种典型的铁电材料,常温下其电阻率⼤于1012Ω.cm,相对介电常数⾼达104,是⼀种优良的陶瓷电容器材料。

在这种材料中引⼊稀⼟元素如Y、Nb等,可使其电阻率下降到10Ω.cm以下,成为具有很⼤的正温度系数的半导体陶瓷材料,在居⾥温度以上⼏⼗度的温度范围内,其电阻率可增⼤4-10个数量级,产⽣PTC效应。

这种效应是⼀种晶界效应,只有多晶陶瓷材料才具有。

正是由于这种PTC效应,PTC热敏电阻器得到了极其⼴泛的应⽤。

根据应⽤领域划分,PTC热敏电阻器有三⼤特性:电阻-温度特性;伏安特性;电流时间特性。

元器件二次筛选试验指南

元器件二次筛选试验指南

附录D元器件二次筛选试验指南D1 筛选与二次筛选试验的基本概念D1.1 筛选试验的定义与目的筛选试验是指为选择具有一定特性的产品或剔除早期失效的产品而进行的试验。

本《指南》提出的筛选试验主要是指剔除早期失效的产品而进行的试验。

它是一种对产品进行全数检验的非破坏性试验,通过按照一定的程序施加环境应力,激发出产品潜在的设计和制造缺陷,以便剔除早期失效产品,降低失效率。

元器件的筛选一般应由元器件生产方按照军用电子元器件规范或供需双方签定的合同进行。

一般将元器件生产方进行的筛选称为“一次筛选”,如果当“一次筛选”的技术条件不能完全满足使用方对元器件的质量要求时,使用方或其委托单位可以进行再筛选以补充生产方筛选的不足。

一般将使用方或委托单位进行的筛选称为“二次筛选”或称“补充筛选”。

即二次筛选是指已采购的元器件在“一次筛选”试验没有满足使用方规定的项目要求的技术条件时,由使用方进行的筛选。

元器件的“一次筛选”和“二次筛选”的目的与试验方法基本相同,但应强调“二次筛选”应是在“一次筛选”的基础上剪裁而成的。

筛选试验一般是对元器件成品而进行的,但也可以在生产过程中对元器件的半成品进行,例如,质量保证等级较高的半导体器件封帽前的非破坏性键合拉力试验、内部目检等筛选都属于半成品筛选。

在一定条件下,虽然二次筛选是提高元器件批质量的有效措施之一,但它也有其局限性和风险性,并不是所有的元器件都要进行二次筛选,也不能把二次筛选看作是任何情况下都是必须的,根据国外的经验只有少数采购不到高质量等级的元器件才需要进行二次筛选。

因为筛选只能提高批产品的使用可靠性,不能提高产品的固有可靠性。

也就是说,产品的固有可靠性是设计进去的,制造出来的,而不是筛选出来的。

因此,在选择元器件时,应根据整机、设备的质量与可靠性要求,选择相应的高质量等级的元器件。

特别是电子整机、设备的关键件、重要件,一定要选择最高质量等级的元器件。

为有效剔除有缺陷的元器件,减少系统或设备的早期失效,本《指南》主要提出了对军用电子元器件成品进行二次筛选试验的基本原则、要求、项目和方法供参考。

REF01中文手册

REF01中文手册

REF01数据表1、元器件参数特性1)High output accuracy(高输出精度)REF01: 10.0 V, ±0.3% maximumREF02: 5.0 V, ±0.3% maximumREF03: 2.5 V, ±0.6% maximum2)Excellent temperature stability(良好的温度稳定特性)REF01: 8.5 ppm/°C maximumREF02: 8.5 ppm/°C maximumREF03: 50 ppm/°C maximum3)Low noise(低噪声)REF01: 30 µV p-p typicalREF02: 15 µV p-p typicalREF03: 6 µV p-p typical最高供电电压范围:最大达36 V最低供电电流:最大值为1.4 mA高负荷驱动能力:最大10 mA(最大输出负载电流)温度输出功能(温度监控)应用场景精密数据系统高分辨率转换器工业过程控制系统精密仪器军事和航空航天应用概述REF01/REF02/REF03系列精密电压参考产品提供了稳定的10.0 V、5.0 V或2.5 V输出,且随供应电压、环境温度或负载条件的变化影响最小。

该设备有8引脚的SOIC、PDIP、CERDIP 和TO-99封装,以及20端口的LCC封装(仅883),进一步提高了该设备在标准和高压力应用中的可用性。

通过一个外部缓冲器和一个简单的电阻网络,TEMP终端可以用于温度传感和近似。

在该装置上还提供了一个TRIM端子,用于微调输出电压。

REF01、REF02/REF03系列应用非常适合通用和空间受限的应用。

较新的设计应使用ADR01/ADR02/ADR03/ADR06系列参考文献,可提供更高的精度和温度。

1、引脚配置不同封装下的引脚图如下:注:NC = NO CONNECT ,即不要在这些引脚上连接任何东西。

元器件可靠性与质量等级指南

元器件可靠性与质量等级指南

附录B元器件可靠性与质量等级指南B1 元器件质量保证有关标准为了保证军用元器件的质量,我国制订了一系列的元器件标准。

七十年代末期制订了“七专”7905技术协议,八十年代初期制订了“七专”8406技术条件(以下统称“七专”条件)。

“七专”技术条件是建立我国军用元器件标准的基础,目前按“七专”条件或其加严条件控制生产的元器件仍是航天等部门使用的主要品种。

(注:“七专”指专人、专机、专料、专批、专检、专技、专卡)。

根据发展的趋势,“七专”条件将逐步向元器件的国家军用标准(GJB)过渡。

因此,以下将主要介绍元器件国家军用标准的有关情况。

从八十年代开始,我国军用标准化组织参照美国军用标准(MIL)体系建立了GJB体系,其中元器件的标准有规范、标准、指导性技术文件三种形式:a.规范—主要包括:元器件的总规范和详细规范,这两种规范统称产品规范;b.标准—主要包括:试验和测量标准、质量保证大纲和生产线认证标准、元器件材料和零件标准、型号命名标准、文字和图形符号标准等;c.指导性技术文件—主要包括:指导正确选择和使用元器件的指南、用于电子设备可靠性预计的手册、元器件系列型谱等。

根据我国的具体情况,军标分为国家军用标准、行业军用标准、企业军用标准三个级别。

下面对组成国家军用元器件标准体系的三种形式:规范、标准和指导性技术文件作简要的介绍。

B1.1 规范元器件规范主要包括:元器件的总规范(通用规范)和详细规范两个层次。

总规范对某一类元器件的质量控制规定了共性的要求,详细规范是对某一类元器件中的一个或一系列型号规定的具体的性能和质量控制要求,总规范必须与详细规范配套使用。

元器件的产品规范是元器件生产线认证和元器件鉴定的依据之一,也是使用方选择、采购元器件的主要依据。

现在我国国防工业主管部门已发布了大量的元器件总规范,但是详细规范还没完全配套,所以往往由器件生产单位制定了详细规范(属于企业军用标准级别)经标准化机构确认后贯彻执行。

阻容吸收器和过电压保护装置选型指南

阻容吸收器和过电压保护装置选型指南

阻容吸收器过电压保护装置选型指南前言真空断路器、真空负荷开关、真空接触器、真空分断器和真空重合器(以下简称真空开关设备)因具有体积小、重量轻、高性能、高可靠性、维护检查方便、适合频繁操作等优点,因此迅速地占领了市场,在各个领域都得到了广泛的应用。

但是真空开关设备由于其灭弧能力特别强,因此在开断电动机、变压器、电炉变压器、电抗器和电容器等负载时容易引起截流、多次重燃和三相同步开断操作过电压。

随着稳定安全供电重要性的增强,对提高系统可靠性要求愈加严格。

而操作过电压危害极大,在很大程度上影响着系统的稳定性和可靠性,因此了解操作过电压的产生、性质和特点,对正确选用过电压保护装置是十分重要的。

本文对操作过电压的产生、性质及特点以及如何正确选用过电压保护装置进行粗浅的分析,供设计和用户选型时参考,同时也热忱欢迎提出宝贵意见。

一、操作过电压的产生、性质和特点:操作过电压是指真空开关设备在分、合闸时产生的高幅值、高频率的瞬间振荡电压。

这个电压对运行着的各种电器设备危害极大,因此必须合理选用适当的过电压保护装置以降低乃至消除这个过电压。

众所周知,真空灭弧室中的电弧是由从触头蒸发出的中性金属蒸汽中的原子、离子和电子组成,它们由触头提供后,迅速地扩散到灭弧室中,冷却后附着在电弧屏蔽罩和触头的表面上。

在电流自然零点附近及电流过零后,这些粒子的快速运动使得真空开关设备具有极高的绝缘恢复能力,但是随之也产生了极陡的截流现象和极高的高频灭弧能力。

这是产生过电压的极其重要因素。

此外,因这些粒子的产生源为触头,所以上述的各种特性还会很大程度上受触头材料特性的影响。

1、1截流过电压真空灭弧室中的电弧的构成如前所述,在开断小电流(如空载变压器)时,在电流过零前后,这些粒子的供给量不足以补充扩散量,这时电弧变得极难维持,使电流变得极不稳定,在某一电流值(不同触头材料特性决定的电流值)以下时,在电流自然过零点之前电流就被开断,这就是截流现象。

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电容
电容通常是电路中使用最多的元件,目前常用的有MLCC多层陶瓷电容以及Solid TAN 电容。

2.1电容的指标
耐压指标额定电压rated voltage UR 允许的加到电容两端的最大持续直流电压。

常说的电容耐压指的就是这个数据。

电容的结构,材料,体积(绝缘层的厚度)决定其耐压值。

反向电压reverse voltage对于有极性电容polar capacitor ,要求两端电压方向不能变反.通常的极性电容都能容忍偶尔的短时间的反向电压,长时间加上较大反向电压可能导致破坏性后果。

即便不发生破坏性后果,也会导致容量变小,损耗增大。

容值
AC Capacitance
利用测试用正弦波测试电容AC阻抗得到的容值。

有120HZ 和1KHZ 两个标准。

测试电压<0.5Vrms,DC bias 在2v 左右。

(有较为通用的业界标准)
DC capacitance
利用充放电和RC定时电路得到的容值。

通常情况下DC capacitance要比ACcapacitance 大一些,在耐压低的电容上差别还要明显。

电容上标称的电容为额定值,一般是指AC capacitance,而且是在一定的测试方法下测得的,测试条件变化,将得到不同的容值。

Temperature dependence
电容温度变化时,容值也将发生变化。

一般标称值是指室温下的容值。

温度升高,容值增大,低耐压和大电容受温度的影响要严重一
些。

Frequency dependence
电容容值受到工作频率的影响,当频率升高时,由于受杂散电阻和杂散电感的影响,阻抗下降没有那么快。

这直接导致了测量的AC cap(等效的容值)变小。

下图为某电容的测试情
况。

Dissipation factor tanδ损耗因素(损耗正切)
其是电容的等效串联电阻ESR 与其容性电抗的比值,或者说是其消耗的power(有功)与其反射的power(无功)的比值。

该值反映了电容的能量损耗,因为纯电容是不消耗能量的。

工作频率高时,介质损耗增大。

不同介质材料相对温度的损耗特性复杂一些。

一般,温度升高,介质损耗增大。

而对于通常材料的TAN,NB,在常温下,损耗最小.温度升高,降低都会导致损耗增大.电容的损耗因素与电感的Q 值相当,都反映了其的品质.
Impendence:
ESR: dielectric losses 和引线封装引起的,受频率,温度影响。

通常来讲f 升高,ESR 降低,但此时损耗还是增加的。

温度升高时,ESR 也是降低的。

ESL:封装引线引起的,受频率影响,基本不受温度影响。

上图为某电容的典型阻抗特性,其经历了如下几个阶段。

Ripple current
允许通过电容的交流电流的RMS值(均方根值),可能是纹波或周期的工作电压引起的。

依据损耗因素的定义,电容本身需要消耗一定的能量。

这将引起电容自身温度上升,如果受到电容体积和layout 的限制,导致散热不良,将影响电容的寿命和性能。

当环境温度较高时,允许的纹波电流应该更小。

电容手册中给出了纹波电流的指标,但是温度和频率变化时,其允许的纹波电流也是变化的。

纹波电流产生的热量是影响电容寿命的主要因素,因此在纹波电流较大的场合,应该尽可能的选择较大的耐压和容值的电容。

2.2电容的常识
2.2.1.电容的标称值
通常使用的E12 code,这点类似于电阻的命名.
2.2.2电容的封装,精度,耐压
同电阻的封装命名
CASE M1608
CASE P2012
CASE A3216
CASE B3528
CASE C6032
CASE D7343
精度:K+-10% M+-20%
耐压:0J6.3V1A10V 1C16。

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