电力电子填空简答全

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《电力电子技术》题库含答案

《电力电子技术》题库含答案

一、填空题(每空1分,共50分)1、对同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。

2、功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是________________________________。

3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为,U DSM ________ U BO。

4、电阻负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____,设U2为相电压有效值。

5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。

6、对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使用输出电压平均值_______________________。

7、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。

8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。

9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。

10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路,其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。

11、改变SPWM逆变器中的调制比,可以改变_____________________________________________的幅值。

12、为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是___________________________________________。

13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。

14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。

电力电子期末复习

电力电子期末复习
41.绝缘栅双极晶体管(IGBT)(开通需10~15V):综合了GTR和MOSFET的优点,即开关频率高,容量大的特点,因此具有良好的特性。
42.拖尾电流:tfi2对应的集电极电流称为拖尾电流。
43.正向偏置安全工作区:根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗可以确定IGBT在导通工作状态的参数极限范围。
24.快恢复二极管(快二极管):恢复过程很短,特别是反向恢复过程很短(一般在5微秒以下)的二极管。
25.肖特基二极管:以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管。其优点是,反向恢复时间很短(10~40ms),正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲,在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小,明显低于快恢复二极管。其弱点是,当所能承受的反向耐压提高时,其正向压降也会高的不能满足要求,因此多用于200V以下的低压场合,反向漏电流较大且对温度敏感,因此反向稳态损耗不能忽略,而且必须严格地限制其工作温度。
82.电压换流:给晶闸管加上反向电压而使其关断的换流叫电压换流。
83.电流换流:先使晶闸管电流减为零,然后通过反并联二极管使其加上反向电压的换流叫电流换流。
84.直流侧是电压源的称为电压型逆变电路型逆变电路和电流源型逆变电路。
85.电压型逆变电路的主要特点:⑴直流侧位电压源,或并联有大电容,相当于电压源。直流侧电压基本无脉动,直流回路呈现低阻抗;⑵由于直流电压源的钳位作用,交流测输出电压波形为矩形波,并且与负载阻抗角无关。而交流测输出电流波形和相位因负载阻抗情况的不同而不同;⑶当交流测为阻感负载时需要提供无功功率,直流侧电容起缓冲无功能量的作用。为了给交流测向直流侧反馈的无功能量提供通道,逆变桥各臂都并联了反馈二极管。
60.续流二极管:在整流电路的负载两端并联一个二极管,并在电路中起到续流的作用。

电力电子简答题

电力电子简答题
雪崩击穿多发生在杂质浓度较低的二极管,一般需要比较高的电压(>6V),击穿电PN结空间电荷区中存在一个强电场,它能够破坏共价键将束缚电子分离出来造成电子—空穴对,形成较大的反向电流。发生齐纳击穿需要的电场强度约为2*105V/cm,这只有在杂质浓度特别大的PN结中才能达到,因为杂质浓度大,空间电荷区内电荷密度(即杂质离子)也大,因而空间电荷区很窄,电场强度就可能很高。一般整流二极管掺杂浓度没有这么高,它在电击穿中多数是雪崩击穿造成的。
2.一次击穿
晶体管的击穿分为一次击穿和二次击穿,一次击穿又称雪崩击穿。一次击穿是一种可恢复性击穿;二次击穿为不可恢复击穿,或称破坏性击穿。
一、雪崩击穿:
当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强。通过空间电荷区的电子和空穴,在电场作用下获得的能量增大,在晶体中运动的电子和空穴,将不断地与晶体原子发生碰撞,当电子和空穴的能量足够大时,通过这样的碰撞,可使共价键中的电子激发形成自由电子—空穴对,这种现象称为碰撞电离。新产生的电子和空穴与原有的电子和空穴一样,在电场作用下,也向相反的方向运动,重新获得能量,又可通过碰撞,再产生电子—空穴对,这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后,载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样,载流子增加得多而快,使反向电流急剧增大,于是PN结就发生雪崩击穿。
(4)、产生一次击穿的原因是明确的。但产生二次击穿的原因尚未被我们完全掌握。
2、二次击穿和一次击穿的区别:
(1)、从功率开关的二次击穿特性曲线上就能看出,二次击穿后,集电极电压比一次击穿后的集电极电压低得多;
(2)、一次击穿是可逆的,二次击穿是不可逆的。
(3)、一次击穿取决于功率开关所加电压的高低,而二次击穿取决于给功率开关上所加的能量大小和积累时间的长短。

(完整版)电力电子技术简答题

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2、什么叫逆变失败?逆变失败的原因是什么?答:晶闸管变流器在逆变运行时,一旦不能正常换相,外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路,或者使变流器输出的平均电压和直流电动势变成顺向串联,形成很大的短路电流,这种情况叫逆变失败,或叫逆变颠覆。

造成逆变失败的原因主要有:(2 分)触发电路工作不可靠。

例如脉冲丢失、脉冲延迟等。

晶闸管本身性能不好。

在应该阻断期间管子失去阻断能力,或在应该导通时不能导通。

交流电源故障。

例如突然断电、缺相或电压过低等。

换相的裕量角过小。

主要是对换相重叠角估计不足,使换相的裕量时间小于晶闸管的关断时间。

逆变失败后果会在逆变桥与逆变电源之间产生强大的环流,损坏开关器件(4 分)防止逆变失败采用最小逆变角B min防止逆变失败、晶闸管实现导通的条件是什么?关断的条件及如何实现关断?答:在晶闸管阳极——阴极之间加正向电压,门极也加正向电压,产生足够的门极电流lg,则晶闸管导通,其导通过程叫触发。

关断条件:使流过晶闸管的阳极电流小于维持电流。

(3 分)实现关断的方式:1>减小阳极电压。

2>增大负载阻抗。

3>加反向电压。

3、为什么半控桥的负载侧并有续流管的电路不能实现有源逆变?( 5 分)答:由逆变可知,晶闸管半控桥式电路及具有续流二极管电路,它们不能输出负电压Ud 固不能实现有源逆变。

(5 分)2、电压型逆变电路的主要特点是什么?(8 分)(1)直流侧为电压源或并联大电容,直流侧电压基本无脉动;(2 分)(2)输出电压为矩形波,输出电流因负载阻抗不同而不同;(3 分)(3)阻感负载时需提供无功。

为了给交流侧向直流侧反馈的无功提供通道,逆变桥各臂并联反馈二极管。

(3 分)3、逆变电路必须具备什么条件才能进行逆变工作?答:逆变电路必须同时具备下述两个条件才能产生有源逆变:(1)变流电路直流侧应具有能提供逆变能量的直流电源电势Ed,其极性应与晶闸管的导电电流方向一致。

(3 分)(2)变流电路输出的直流平均电压Ud 的极性必须为负(相对于整流时定义的极性) ,以保证与直流电源电势Ed 构成同极性相连,且满足Ud<Ed 。

电力电子填空题

电力电子填空题

第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、_双极型器件_ 、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。

6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。

9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_〔如何连接〕在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。

15.IGBT 的开启电压UGE〔th〕随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。

16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。

电力电子简答题(完整版)

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第二章要点1.晶闸管导通的条件是什么?如何使已导通的晶闸管关闭?(2015)+1答:导通条件是晶闸管承受正向电压,并在门极施加触发电流。

要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。

2.维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?(2016)答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。

要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。

3.通态平均电流(额定电流)。

1+1答:国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40℃和规定的冷却状态下,稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。

4.请说明什么是晶闸管的维持电流与擎住电流。

(2017)答:维持电流:指使晶闸管维持导通所必需的最小电流;(2.5分)擎住电流:指晶闸管刚才断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的最小电流。

(2.5分)5.GTR的二次击穿。

1+1+1答:当GTR发生一次击穿时如不有效地限制电流,Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升,同时伴随电压的陡然下降,这种现象称为二次击穿。

二次击穿常常立即导致器件的永久损坏,或者工作特性明显衰减,因而对GTR危害极大。

6.简述电力MOSFET关断过程非常迅速的原因。

答:由于MOSFET只靠多子导电,不存在少子存储效应,因而其关断过程是非常迅速的。

第三章要点1.简述三相可控整流电路输入电感,包括变压器副边绕组漏感对晶闸管换流的影响。

答:①出现换相重叠角,整流输出电压平均值Ud降低。

②整流电路的工作状态增多。

③晶闸管的di/dt减小,有利于晶闸管的安全导通。

④换相时晶闸管电压出现缺口,产生正的du/dt,可能是晶闸管误导通,为此必须加吸收电路。

电力电子简答

1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?答:晶闸管的导通条件是:晶闸管阳极和阳极间施加正向电压,并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲)。

导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定,负载上电压由输入阳极电压U A决定。

1.2晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答:晶闸管的关断条件是:要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态,可采用阳极电压反向使阳极电流I A减小,I A下降到维持电流I H以下时,晶闸管内部建立的正反馈无法进行。

进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压U A决定。

1.5请简述晶闸管的关断时间定义。

答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。

2.9带电阻性负载三相半波相控整流电路,如触发脉冲左移到自然换流点之前15°处,分析电路工作情况,画出触发脉冲宽度分别为10°和20°时负载两端的电压ud波形。

解:三相半波相控整流电路触发脉冲的的最早触发时刻在自然换流点,如触发脉冲左移到自然换流点之前15°处,触发脉冲宽度为10°时,不能触发晶闸管,ud=0。

触发脉冲宽度为15°时,能触发晶闸管,其波形图相当于α=0°时的波形。

2.18 什么是有源逆变?有源逆变的条件是什么?有源逆变有何作用?答:如果将逆变电路交流侧接到交流电网上,把直流电逆变成同频率的交流电,反送到电网上去称为有源逆变。

有源逆变的条件:(1)一定要有直流电动势,其极性必须与晶闸导通方向一致,其值应稍大于变流器直流侧的平均电压;(2)变流器必须工作在的区域内使U d<0。

有源逆变的作用:它可用于直流电机的可逆调速,绕线型异步电动机的串级调速,高压电流输电太阳能发电等方面。

3.2 试比较Buck电路和Boost电路的异同。

答;相同点:Buck电路和Boost电路多以主控型电力电子器件(如GTO,GTR,VDMOS和IGBT等)作为开关器件,其开关频率高,变换效率也高。

电力电子简答题

【】晶闸管的导通条件?当晶闸管承受正向电压且在门极有触发电流时晶闸管能导通;【】使变流器工作在有源逆变状态的条件是什么?①直流侧要有电动势,其极性须和晶闸管的导通方向一致,其值应大于变流电路直流侧的平均电压②要求晶闸管的控制角α>π/2,使Ud为负值。

【】衡量PWM控制方法优劣的三个基本标志?(1)输出波形中谐波的含量(2)直流电压利用率(3)器件开关次数【】为什么PWM逆变电路比方波(六拍阶梯波)逆变器输出波形更接近正弦波?因为PWM逆变器不存在不存在对电网的谐波污染;而方波它的正向最大值和负向最大值几乎同时产生,对负载和逆变器本身造成非常大的不稳定影响,所以它的波形质量差。

【】与信息电子电路中MOSFET相比,电力MOSFET具有怎样的结构特点才使它具有耐高压和大电流的能力?电力MOSFET的缺点是什么?结构特点:(1)垂直导电结构:发射极和集电极位于基区两侧,基区面积大,很薄,电流容量很大(2)N-飘逸区:集电区加入掺杂N-漂移区,提高耐压(3)集电极安装于硅片底部,设计方便,封装密度高,耐压特性好。

缺点:电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置【】三相桥式全控整流电路,其整流输出电压中包含有哪些次数的谐波?其中幅值最大的是那一次?变压器二次侧电流中含有哪些次数的谐波?其中主要的是哪几次?三相桥式全控整流电路的整流输出电压中含有6k(k=1,2。

)次的谐波,其中增幅最大的是6次谐波。

变压器二次侧电流中含有6k±1(k=1,2。

)次的谐波,其中主要是5,7次谐波。

【】多相多重斩波电路有何优点?多相多重斩波电路因在电源与负载间接入了多个结构相同的基本斩波电路,使得输入电源电流和输出负载电流的脉动次数增加,脉动幅度减小,对输入和输出电流滤波更容易,滤波电感减小。

多相多重斩波电路还具有备用功能,各斩波单元之间互为备用,总体可靠性提高。

【】交交变频电路的最高输出频率是多少?制约输出频率提高的因素是什么?交-交变频电路的最高输出频率为你所用频率的1/3到1/2之间。

电力电子技术(简答,大题,选择填空)

简答题1. 使晶闸管导通的条件是什么?答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲).或:u AK>0且u GK>0.2. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流.要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。

3.多相多重斩波电路有何优点?答:多相多重斩波电路因在电源与负载间接入了多个结构相同的基本斩波电路,使得输入电源电流和输出负载电流的脉动次数增加、脉动幅度减小,对输入和输出电流滤波更容易,滤波电感减小。

此外,多相多重斩波电路还具有备用功能,各斩波单元之间互为备用,总体可靠性提高.4.交交变频电路的最高输出频率是多少?制约输出频率提高的因素是什么?答:一般来讲,构成交交变频电路的两组变流电路的脉波数越多,最高输出频率就越高。

当交交变频电路中采用常用的6脉波三相桥式整流电路时,最高输出频率不应高于电网频率的1/3~1/2错误!未找到引用源。

当电网频率为50Hz时,交交变频电路输出的上限频率为20Hz左右。

当输出频率增高时,输出电压一周期所包含的电网电压段数减少,波形畸变严重,电压波形畸变和由此引起的电流波形畸变以及电动机的转矩脉动是限制输出频率提高的主要因素。

5.试说明PWM控制的基本原理。

答:PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术.即通过对一系列脉冲的宽度进行调制,来等效地获得所需要波形(含形状和幅值)。

在采样控制理论中有一条重要的结论:冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同,冲量即窄脉冲的面积。

效果基本相同是指环节的输出响应波形基本相同。

上述原理称为面积等效原理6.1什么是异步调制?主要特点答:载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制.在异步调制方式中,通常保持载波频率f c 固定不变,因而当信号波频率f r变化时,载波比N是变化的.异步调制的主要特点是:在信号波的半个周期内,PWM波的脉冲个数不固定,相位也不固定,正负半周期的脉冲不对称,半周期内前后1/4周期的脉冲也不对称。

电力电子试题及答案

电力电子试题及答案一、单项选择题(每题2分,共10分)1. 电力电子技术中,用于将交流电转换为直流电的设备是:A. 变压器B. 整流器C. 逆变器D. 稳压器答案:B2. 下列哪个不是电力电子器件?A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管(IGBT)C. 继电器D. 功率MOSFET答案:C3. 电力电子技术中,PWM调制的全称是:A. 脉冲宽度调制B. 脉冲频率调制C. 脉冲密度调制D. 脉冲相位调制答案:A4. 电力电子变换器中,升压变换器的输出电压与输入电压的关系是:A. 输出电压低于输入电压B. 输出电压等于输入电压C. 输出电压高于输入电压D. 输出电压与输入电压无关答案:C5. 在电力电子应用中,软开关技术的主要作用是:A. 提高系统的功率因数B. 减少开关损耗C. 提高系统的稳定性D. 降低系统的噪声答案:B二、填空题(每题2分,共10分)1. 电力电子技术中,_________器件是实现交流到直流转换的关键。

答案:整流器2. 电力电子变换器的效率可以通过_________来提高。

答案:软开关技术3. 电力电子技术在_________和_________领域有着广泛的应用。

答案:能源转换;电机控制4. 电力电子技术中,_________调制是一种常用的控制策略。

答案:PWM5. 电力电子变换器中的_________变换器可以将直流电转换为交流电。

答案:逆变器三、简答题(每题5分,共20分)1. 简述电力电子技术在现代电力系统中的作用。

答案:电力电子技术在现代电力系统中起着至关重要的作用,包括提高电能的传输效率、实现电能的高效转换、优化电力系统的稳定性和可靠性、以及支持可再生能源的接入和利用。

2. 描述PWM调制在电力电子变换器中的应用。

答案:PWM调制在电力电子变换器中应用广泛,主要用于控制逆变器的输出电压和频率。

通过调整脉冲的宽度,可以控制输出电压的大小,同时通过改变脉冲的频率,可以控制输出电压的频率。

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1、请在空格内标出下面元件的简称,电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波波,输出电流波形为方波波5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为 800V伏、额定有效电流为100A6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。

8在有环流逆变系统中,环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。

环流可在电路中加电抗器来限制。

为了减小环流一般采用控制角α=β的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。

10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为电压型逆变器和电流型逆变器,电压型逆变器直流侧是电压源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波,电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是180º度;而电流型逆变器直流侧是电流源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波,电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度120º。

11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路升压斩波电路升降压斩波电12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流强迫换流。

13、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。

14、有一晶闸管的型号为KK200-9请说明快速晶闸管200表示表示200A,9表示900V。

15、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲;主要用于驱动小功率的晶闸管;锯齿波同步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲;可以触发大功率的晶闸管。

17、为了减小变流电路的开、关损耗,通常让元件工作在软开关状态,软开关电路种类很多,但归纳起来可分为零电流开关与零电压开关两大类。

18、直流斩波电路在改变负载的直流电压时,常用的控制方式有等频调宽控制;等宽调频控制;脉宽与频率同时控制三种。

19、由波形系数可知,晶闸管在额定情况下的有效值电流为I Tn等于1.57倍I T(AV),如果I T(AV)=100安培,则它允许的有效电流为157安培。

通常在选择晶闸管时还要留出1.5—2倍的裕量。

20、通常变流电路实现换流的方式有器件换流,电网换流,负载换流,强迫换流四种。

21、在单相交流调压电路中,负载为电阻性时移相0-180,负载是阻感性时移相范围是Φ-180。

22、在电力晶闸管电路中,常用的过电压保护有避雷器;阻容吸收;硒堆;压敏电阻;整流式阻容吸收等几种。

23、。

晶闸管的维持电流I H是指在温40度以下温度条件下,门极断开时,晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小阳极电流。

25、普通晶闸管的图形符号是,三个电极分别是阳极A 阴极K 和门极G 晶闸管的导通条件是阳极加正电压,阴极接负电压,门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通;关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流I H时,导通的晶闸管关断。

.。

27、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极作为栅极,以电力晶体管集电极和发射极复合而成。

28、在电力晶闸管电路中常用的过电流保护有快速熔断器;电路串电抗器;过流时快速移相;直流快速开关;等几种。

29、晶闸管的换相重叠角与电路的触发角α;变压器漏X B;平均电流I d;电源相电压U2。

等到参数有关。

31、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为根号2倍U2。

三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为根号6倍U2。

(电源相电压为U2)32、要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种,一是用大于60º小于120º的宽脉冲触发;二是用脉冲前沿相差60º的双窄脉冲触发。

35、带平衡电抗器的双反星形电路,变压器绕组同时有两相相导电;晶闸管每隔60度换一次流每只晶闸管导通120度变压器同一铁心柱上的两个绕组同名端相反,所以以两绕组的电流方向也相反因此变压器的铁心不会被磁化。

36、三相桥式全控整流电路是由一组共阴极三只晶闸管和一组共阳极的三只晶闸管串联后构成的,晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。

每隔60度换一次相,在电流连续时每只晶闸管导通120度。

要使电路工作正常,必须任何时刻要有两只晶闸管同时导通,一个是共阴极的另一个是共阳极的元件,且要求不是不在同一桥臂上的两个元件。

37、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角角,用α表示。

38、一般操作引起的过电压都是瞬时尖峰电压,经常使用的保护方法是阻容保护而对于能量较大的过电压,还需要设置非线性电阻保护,目前常用的方法有压敏电阻和硒堆39、交流零触发开关电路就是利用过零触发方式来控制晶闸管导通与关断的。

40型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管管、它的额定压为 800V伏额定电流为100A 安。

41、实现有源逆为的条件为要有一个直流逆变电源,它的极性方向与晶闸管的导通方向一致,其幅极应稍大于逆变桥直流侧输出的平均电压;逆变桥必须工作在β<90º(即α>90º)区间,使输出电压极性与整流时相反,才能把直流能量逆变成交流能量反送到交流电网。

42、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组整流状态、逆变状态、反组整流状态,逆变状态。

43、有源逆变指的是把直流能量转变成交流能量后送给电网的装置。

44、给晶闸管阳极加上一定的正向电压;在门极加上正向门极电压,并形成足够的门极触发电流,晶闸管才能导通。

45、当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时单相桥式半控整流桥与三相桥式半控整流桥电路会出现失控现象。

46、三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为150H Z;而三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为300H Z;这说明三相桥式全控整流桥电路的纹波系数比三相半波可控流电路电路要小。

47、造成逆变失败的原因有逆变桥晶闸管或元件损坏,供电电源缺相,逆变角太小,触发脉冲丢失或未按时到达等48、晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于掣住电流之前,如去掉触发脉冲,晶闸管又会关断。

49、对三相桥式全控变流电路实施触发时,如采用单宽脉冲触发,单宽脉冲的宽度一般取 90º度较合适;如采用双窄脉冲触发时,双窄脉冲的间隔应为60º度。

50、三相半波可控整流电路电阻性负载时,电路的移相范围0º--150º,三相全控桥电阻性负载时,电路的移相范围0º--120º三相半控桥电阻性负载时电路的移相范0--150。

51、锯齿波触发电路的主要环节是由同步环节;锯齿波形成;脉冲形成;整形放大;强触发及输出环节组成。

52.软开关技术构成的变换器目前有谐振型,零开关PWM,和零转换PWM型1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差180度。

2、α为30度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。

3、晶闸管触发电路中,若改变控制电压的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。

4、可实现有源逆变的电路为三相半波可控整流电路。

5、在一般可逆电路中,最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理30º-35º。

6、在下面几种电路中,不能实现有源逆变的电路有哪几种三相半控整流桥电路、单相全控桥接续流二极管电路、单相半控桥整流电路7、在有源逆变电路中,逆变角β的移相范围应选35º∽9011、下面哪种功能不属于变流的功能(变压器降压)12、三相半波可控整流电路的自然换相点是本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处;13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V,反向重复峰值电压为825V,则该晶闸管的额定电压应为(750)14、单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是0º-180°15、在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差180度。

16、可实现有源逆变的电路为单相全控桥可控整流电路。

17、由晶闸管构成的可逆调速系统中,逆变角βmin选 300~350时系统工作才可靠。

18、α= 60度时,三相全控桥式整流电路带电阻负载电路,输出负载电压波形处于连续和断续的临界状态。

19、变流装置的功率因数总是小于1。

20、变流器工作在逆变状态时,控制角α必须在90°-150。

21、三相半波可控整流电阻性负载电路,如果三个晶闸管采用同一相触发脉冲,α的移相范围0º--15023、在单相桥式全控整流电路中,大电感负载时,控制角α的有效移相范围是0°~90。

24、三相全控桥式整流电路带电阻负载,当触发角α=0º时,输出的负载电压平均值为 2.34U2。

26、三相全控桥式整流电路带大电感负载时,控制角α的有效移相范围是0°-90度。

问答分析题1、在晶闸管两端并联R、C吸收回路的主要作用有哪些?其中电阻R的作用是什么?答:(1)R、C回路的作用是:吸收晶闸管瞬间过电压,限制电流上升率,动态均压作用。

(2)R的作用为:使L、C形成阻尼振荡,不会产生振荡过电压,减小晶闸管的开通电流上升率,降低开通损耗。

、1、实现有源逆变必须满足哪两个必不可少的条件?答:(1)直流侧必需外接与直流电流Id同方向的直流电源E,其数值要稍大于逆变器输出平均电压Ud,2)逆变器必需工作在β<90º(α>90º)区域,使Ud< 0,才能把直流功率逆变为交流功率返送电网。

晶闸管触发的触发脉冲要满足哪几项基本要求?答:(1)触发信号应有足够的功率。

2)触发脉冲应有一定的宽度,脉冲前沿尽可能陡,使元件在触发导通后,阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。

3)触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步,脉冲移相范围必须满足电路要求。

2、PWM逆变电路的控制方法主要有哪几种?简述异步调制与同步调制各有哪些优点?答:(1)PWM逆变电路的常用控制方法有两种,一是计算法;二是调制法。

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