玻璃粉对片式电阻面电极耐焊性的影响
片式电阻器包封玻璃浆料的研究

片式电阻器包封玻璃浆料的研究2~37第6卷第4期混奢擞电子技术!!:!竺!片式电阻器包封玻璃浆料的研究T卜,2…昆明青空属研究所曼I,f-,摘要论述片式电阻嚣的破璃包封浆料对电阻特性的髟响?通过国产楚墅与国外琥璃关蕾谒墨皇里曼包封玻璃浆科,di,9k AStudyontheEncapsulationGlassPasteforChipResistorsSongXingyiAbs‟ndThispaperdescribeseffectsoftheencapsulati onglasspasteonresis- tartc~characteristicsot”thechipresistors.Throughthecomparisontests∞the do-mesticglasspasteandthosefromabroad.itisdemonstratedthatthedomesticgl asspastec~f1.beperfectlyusedinintrodu~lproduet|oalines. Keywordschipresistor,eneapsuhtionglasspaste1前t1986年成都无线电四厂曾向我们提出片式电阻器用浆料国产化的设想,我们在原低温包封玻璃的基础上进行了片式电阻器的中温包封玻璃的研究,同时也进行了片式电阻器电阻浆料的研究.1987开始到该厂进行包封玻璃浆料与电阻浆料的试验,着重做与国外浆料的对比试验,取得了较好的结果.开始由于我们对片式电阻器的工艺条俘吃不透,因而研究中也出现了一些弯路,白花了不少时间.如为了得到耐酸而且釉面非常光亮的包封玻璃,差不多我们为此花去了半年多的时间.最后厂方告诉我们.他们不收蕾日期一1995.10-1726希望带光泽的黑玻璃釉面.因光泽太厉害, 目测质量时会使眼睛容易疲劳.还有电镀的预处理问题.由于当时不知道包封后的电阻还要在稀硫酸中进行活化处理,因而在研究过程中就没有考虑耐酸问题.玻璃从外观看,表面质量得到了厂方的好评,认为玻璃不会有问题.可是上生产线时,经稀硫酸活化处理后则黑釉光泽不见了,变成灰色玻璃,且附着力也变差,而且溶解物还会污染电镀液.困而这时不得不再反过来研究玻璃的耐酸问题,此问题基本于1988年8月得到解决.此外又出现一个新问题,即电阻器经玻璃包封后,与国外玻璃比较,阻值的变化较大.开始采用简单的单一氧化物作为着色剂,颜色与国外无差异,但包封后的阻值变化比国外大.经过研究,1989年4月采用复合.氧化物着色剂,玻璃包封后阻值增大? 问题终于得到解决.同时又查清了阻值的变化还与玻璃的酸碱度有关.与此同时,也对片式电阻器的电阻浆料进行了研究,井到厂进行试验.由于电阻浆料要适应片式电阻器的生产工艺,难度很大,技术复杂,每个阻值要求达到的指标多,阻值范围又大,最小阻值与最大阻值相差6~7个数量级,虽然这当中某几个阻值可能符合要求了,但另一些阻值又很难达到要求.所以片式电阻浆料的国产化问题尚待今后进一步研究解决,关于片式电阻器的材料国产化问题.作者已有文介绍.率课题能顺利完成与应用,要特别感谢成都无线电四厂,丹东无线电十八厂,四平半导体厂以及沧州无线电三厂.他们为我们进行了无偿的条件试验.2试驻与结果当玻璃主体成分定下之后,关键问题是推广与应用,在推广试验当中发现问题解决问题.不少问题是在推广试验过程中发现的,如耐酸问题,玻璃包封后阻值变化等问题.这些问翘是在实践中不断改进与提高的,这当中也包括有机载体的改进.由于片式电阻器本身工艺的复杂性,我们每次试验都是与国外玻璃浆料做平行试验,否则所得结果很难说明差异.经过反复试验,结果说明我们的片式电阻用的包封玻璃已达到或者巳接近国外包封玻璃的水平.2?1片式电阻器的I艺特点试验工作分别在昆明及国内有关工厂进行,在昆明进行一切试验条件尽量与工厂条件吻合,试验电阻器主要是从成都无线电四厂生产线上带回的t有的已激光调阻有的则未调阻,未激光调阻的电阻器在玻璃包封后,比经激光调阻的电阻器在包封后阻值变{干i意.70~m)‟干燥loo一125C.1O一15丹钟.干撰膜厚l6—2m}烧成蜂温85o‟C.9分钟,烧应膜厚9—1】m.一次玻璃印刷——1—9760A.200目,调(总厚7m)l干燥ti00~i25C.i0~15分钟.干燥膜厚l8~22mI烧成t蜂温BoOC.5分钟,挠成膜厚9~1l1.阻——擞光调阻不同阻值,根据精度的要求,选用最佳条件.27二璃卵捌——l一9B2.(黑色).2oo目I(总厚7曲)?{1--9821(螺色).20o茸l(总厚?7m)Ii干燥.100~125”C,1o一151分钟.干燥膜厚35~4【m.文宇玻璃印尉——各件,325目1‟总厚z709m);I干爆l100~125”C.10~15{分钟II烧盘.峰疆600‟~.5分钟一…烧戚腱厚21~24pm.一次分开f二极印lil——s一82.oI干燥I100~125”C.10—15分钟.干燥膜厚2O一3mI烧成;蜂温600℃,5分钟,烧成膜厚1O~15m.二次分开l电‟镀——镀镍.镀扞镉(镀铒)住友公司的片式电阻器的制造工艺是当前世界上比较标准的工艺,国内不少厂家往往根据自己的条件对工艺作了一些修改, 当然,有些修改对片式电阻质量也无防碍, 而且还简化了工艺.目前国内片式电阻的引进线.由于厂家不同,条件也不尽相同.下面就谈谈各厂之间的一些差异.成都无线电四厂:电阻烧成后高于lOOk0/口电阻,先印刷绿色一层玻璃烧结后激光调阻,调阻后再印刷二层包封玻璃. 低于lO.Okfi/口的阻值,电阻烧成后先调阻. 再印包封玻璃与文字玻璃烘干烧成.其余工艺基本与住友一致.电阻包封后要求两次烧结后△R<±Io,一般iook~/口以上阻值变化ARs一5~一7,1okfl/f”]下一般为正变化.△R=3~7-一般情况包封玻璃对电阻包封后烧结时闻越长,阻值盎化越太.该厂烧结温度及工艺与住友一致.电镀前活化处理的硫酸为4.丹东无线电十八厂;所有工艺基本与住友一样,其是二层包封玻璃印副两次,以达到工艺要求的厚度.四平半导体厂:该厂工艺基本与住友一致.但包封玻璃的烧缩温度却提高50℃?即650℃烧成.提高烧结温度会给低阻带来不利影响.使阻值变化相应增大.从片式电阻器生产的工艺流程中可知,它有不少独特的地方:片式电阻的电极与一般的网络电阻的电极不一样.一般的阿络电阻的电掇都采用Ag—Pd电极浆料,且含钯量不低于5,最高钯含量又不超过2O,且印刷烧成一次就算完了,最多也就是烧结两次.而片式电阻器的电极部分采用二层,多数采用三层结构,这是片式电阻器的一大特征.初期的电阻器电极只有Ag~Pd一层.容易被焊料侵蚀.不得不低温短时问进行焊接作业.多层结构(多达三层)能防止焊料侵蚀,采用流动焊式浸焊可以稳定地进行焊接操作.第一层(底层)由于直接与电阻接触,使用膜层(表面)电阻比较低的Ag—Pd为材料.第二层作为防止银熔析在焊料中的阻挡层,镀以熔析少的锿,铜等金属.最上一层,镀锡或焊料.以保证可焊性. 片式电阻规定电极的可焊性和耐焊热性分别为23O℃5秒和270~C10秒,这与传统电阻器是相同的.片式电阻器,为了面朝下使用对的绝缘性,及在制造工艺和组装工艺中保护电阻表面.所以使用玻璃作保护层,也有使用环氧树脂作保护层,不过我国几条片式电阻的生产线皆使用玻璃作保护层,而网络电阻厂有部分使用环氡树脂作保护层.2?2玻璃包封莱轷在片式电阻器上的试骚这里主要介绍昆明做的玻璃包封试验?试验条件与工厂基本相仿,试验结果与数据处理列于表1~6.不同电阻值,经玻璃包封后烧结的次数与阻值的变纯规律是不一样的,5n电阻每重烧一次阻值升高一次,每次重饶近成倍变化,1.75kn阻值则不同,它铄重烧一次阻值变化率相对减小,而900k~1电阻.重蹙瞳值几乎不变化.以上规律不管是中13种牌号的玻璃包封皆如此(衷1)表1中,日玻璃对电酲包封烧结的次数与阻值变他的关系棱包封的玻璃牌号△R()△R()△R()电阻值(n)M5l203.g512..5l9,07SGM87024.BD1O.8816.5OSGM87033.5310.o5l5.B0M51201.7S一1.7S—1.34—0.S69GB7o21.S一】.BS一1.4璺—0.99S6;MB7O31.T秘【一2.1l一1.7B—1.:7M5l2.n踟±..2O一仉i毛O.躔sGMe7D2n蛳—n】五nS2一O.{5SG础7030.9一刁.20一n13D.∞说明=车文中蓟所谓前中,丑薮璃对比,串系指中国昆明蠹金藕所,丑幕指丑奉.oGl一一次包封玻璃,绿色.O62——二农包封玻璃,黑色.丑率薮璃浆科韵摔号M5120(OG2),M52‟oG1),M6o2O(OG1).中国戛嚼贵金曩所玻璃浆斜斡髀号,SGMg702COG1).SG~[gT03(OG2).△R】一△焉所列豹相对壹亿事数据,暂系六个敏据舶平均擅△R是指电阻经玻璃包封后600℃烧成的驵癌变化率,△Ri墨soD℃第一斑重烧后的阻值变化率,△R,是500”C第二跃重烧后柏驵值变化率,△即6O0℃计烧三次柏阻值相对变化率.以下各表△R豆△妁平均殖管系六十效据掳平均氇,萁物理涵义葡袭1.以下各表的试验数据凡未标明烧结温度皆系6oo℃烧锗29表2中,8玻璃不同烧结温度与阻值变化的关系玻璃牌号被包封的电匪值(n)烧结温度△R1△R2 平均最大最小平均最大最小M51:0M5120M5120SGMS7O2SGM8702 SGM8702 SGM8703 SGM8703 SGM8703 MS120M5120M5lZO SGM87O2 SGM8702 SGM8702 SGM8703 SGM8703 SGM8703 M5120M5l2Ohf5比4~M88o2 sGMe孛o2 SGM‟87o2 i尊+ SGM8703弓6M两3 910kr91ok plOk9l畦580600620580600620580500620580600620580600620600 680 580 …500 620 580 6.o 620 580 600 62O 2.Ol l2.66 26.84 3.04 l2.28 25.24 2.31 l2.19 O4225.65 1.72 l0.81 23.38 1.69 9.O9 24.04 —2.87 —0.25 0.78 —2.S3 —1.53 0.03 —2.68 一1.300.05 —0.5l ——0.33 0.96 —0.68 —0.26 —0.29 —0.40 —0.16 一O.47 3O 一一mmm眦毗佻m畦_二LLLL_二r二_二二三虬;:虹由表2看出.玻璃包封后不同温度烧结,其阻值的相对变化也不尽相同,对于低阻尤为明显.50电阻.即使温度相差2O℃其电阻值的相对变化的差异也是不能忽视的.当温度较高时其重烧后的阻值变化率也成倍变化,因而对于低阻玻璃包封的烧结温度要严格控制在600℃,由于端面涂银的烧结要求不能再降低烧结温度,否则再降低一点烧结温度更好.包封玻璃不同烧结温度对于1k0以上电阻古lMn电阻其阻值的相对变化率的差异是小的,甚至烧结温度略高,阻值相对变化率还要小一些.重烧后阻值也几乎不变.甩中,日玻璃包封电阻器,阻值相对变化规律基本是一致的.襄3中,日玻璃对不周电阻的包封试磕技包封的△Rl△R:玻璃牌号电阻值(f1)平均最大最小平均最大最小SGM87o28.5k9.0510.778.131S.01I7.2813.98SGM87038.5k9.489.778.9l15-3216.4214.10M51208.5k5.345.67s_I99.8310‟359.57SGM8702IM—0.35——0.83一o.14一1.14——1.52——0.89 SGM8703IM一I.99—2.74一o.56—2.5I—3.89一I.23M;120IM—0.17——0.27一O.04——1.03—1.1O——0.94 SGM87021.75k—1.8l—2.2l—0.58—1.54一2.44——0.3B SGM81.75k一1.93一2.31—1.59—1.57—1.91一1.14MS1201.7$k一1.71—1.99—1.42—1-20一1.45—0.98由表3看出,除个别阻值的变化略大外-大部分的电阻值经中,日不同玻璃的牌号包封后.阻值相对变化差异是不大的.表4中910kf~电阻中,日玻璃包封后,△R变化率接近,可是8.5kn的电阻有些特别,中,日三种玻璃包封后,△变化达30?除此之外其它三种电阻器经中日玻璃包封后电阻的相对变化率很接近.8?5kn电阻经包封后阻值变化太-也可能与此电阻原配方的材料选择及工艺不当有关.电阻包封后阻值相对变化率除与阻值太小及烧结温度有关外还与激光调阻的槽长短有关,如同一基片上计有七只电阻,阻值为60kf~,其中有五个电阻刻槽为L型槽,阻值变化皆为一1O~一12,有两只电阻刻槽为单直槽,阻值变化率为一3~一5.说明激光刻槽越长阻值变化越大,短则小.3l表4中日玻璃包封试验被包封的△RI△R2玻璃牌号平均最大最小电阻值(0)平均最大最小M512Oo.9Mo.2103,1n10”—0.75——0.88—062M52500.9M士o.5l——o.93o.18一o.67——1.42一O.20 SGM8703n9M士0.170.31——002——o.77—097——055M51208.5k4.3l4.534.O47567.847.20M525o8.5kl95921.3516.2329.oo31.5425.26sGM87038.5k8.849.7l8.1513.O114.56l1.92M5l20lM士o.30—o.780.I2——o.79—1.25—0.6lM5250lM—0.67——1.520.03—1.36—2.32—O.81SGM87∞1M—1.09—2.350.04一】7l—2.52——0.82M51201.75k一1.23——1.89—0.95一1.3l——1.88——1.0-1 M52501.75k—1.32—1.79O.O7一104——I.400.48SGM87031.75k—1.50—2.18——0..98一1.64—2.25—0.99 寰5中,日琏璃对慑咀色封试验被包封的△R1.△R2号砬靖鼻号电阻值(a)平均最大最小平均最大最小1M512O57.327.7l7.ogl5.98l6.2ll5.532M525055.755.885.5915.33l5.73l5.n3M523e55.‟76.064.99l3-5814.3‟713.03…sGM870255.185.894.74l3.42l4.04l309598‟/0355.0l5.794.6913.24l4.0212.956M51205l1.34l1.65l1.17l9.842O.2119.367SGM870359.4810.148.77l8.2l18.7117.80注1~5号电阻未经墩光调阻.6~7号电阻已激光调阻. 32?从表5中,日玻璃包封5,Q电阻结果看,SGM8702及SGM8703玻璃包封阻值变化率相对比日本玻璃变化小,不管是未调阻或是已调阻皆如此.由此还可看出激光调阻后的电阻变化较大.表6中,日玻璃对不同电阻值(已激光调阻)的包封试验被包封的△R1△R=玻璃牌号电阻值(f1)平均晟大最小平均最大最小M512O8.5k3.6914.243.058.77g.458.07M5250B.5k17.08L87114.9631.0834,9l27.79M52388.5k4.024.523.7710.38l0.839.96SGM87028.5k6.987.666,28l4.5516.07l2.89SGM87038.5k7.177.526.43l4.?2l5.26186,8M5l201M—0.83——1.31一O.5l一O.48—0l93—0.18M52501M一O.22一O.650.040.220.470.10M52381M一】.06—1.72一O.43—0.60一1.18——0.26 SGM8702IM——4.06——6.43—1.06—3.15—5.OS——0.85 1SGM87031M——1.67—3,44—0.33一I.25一3_05—0.15M51201.75k一1.10——1.26一D.89一O.49一ot6S一O.32 M52s01.75一饥l7——0.30—0_lO0.9S1.180.64M52381.75k—1.38一1.92—1.16—1.00一1.1g一1.74SGM87021.‟/51k-2.63—3.32—1.96—2.39一2.90一1.9翻盯Oil1.7k一1.14一1.27——1.00一ot86一l_04一仉72 由表6看出,8.5k的电阻采用日本的三种玻璃与我们的两种玻璃包封,其阻值的变化都很大.从而说明此电阻的本身特性不好.而1MO与1.75k,.q,电阻对于五种玻璃的包封,其阻值变化皆相近,也就是说此五种玻璃都可用于生产.表1~6试验数据,全在昆明贵金属所试验测得,试验条件尽量与片式电阻厂接近.所用片式电阻(调阻的或者是未调阻的)全是片式电阻厂带回的.电阻浆料全部为进口浆料.表7~1】所列试验数据是在国内片式电阻引进生产线上测得的,从下列各表试验数据结果可看出昆明贵金属所的片式电阻包封玻璃已达到或接近日本同类浆料的水平,完全可以应用于片式电阻器的生产.2-3玻璃包封浆料在片式电阻生产线上的试验-33?下列试验.是用昆明贵金属所的两种脾号的玻璃带到有关的生产线上与日本玻璃浆料进行对比试验.或者用昆明贵金屑所玻璃单独试验,以考核昆明贵金屑所玻璃是否达到与符合片式电阻的有关标准.袭7中,日玻璃对不周电阻的包封试验技包封的△RI△Rl玻璃葬号电阻值<n)平均最大最小平均最太最小M5120962.352.462.253.66a.7ga.46M5120lok一】.72—2.02—1.Ol一1.22一1.29一o.23M$i203Sk—6.2l—6.92一5.7l—5.29—6.0l—4.96M512OlM一0.26—1.9SO1.9l0●20.‟M51201.7sk—0.09—o.270.021.602.121.32M6020963.Og3.660Sg3.明4.1口3.80M6020l0k一1.78—2.Ol一1.25一1.1a一1.35—0.76M602034k—5.97一7.2l—5.65—S.35—6.49—4.49M6o2OlM—1.93一7.7On40—035—6.18—0.50M60201.75k—0.40一0.830.12】.422540.803GM8埘953.003.622.Z23.624.163.22SC,M8‟/‟02l—1.88—2.79—1.20—1.18—1.89—0.63 SGM8‟/‟0234k—5.52—6.02—5,04—5.09—5.73—4.34 SC,M8‟/‟021M—4.42—10.58——0.80—2.47一B.09O.10 SGMS7O21.75k—0.72一1.12—0.48O.370.770.O2SC-M8703963.754.033.584.O14.153.88SGM8‟/‟03lO k—1.26—3.41一O.7O一1.8l—3.OO—0.87 SG姐B70335k—6.52—7.36一5.92一5.99一6.92—5.42SGMS7∞lM—2.46—7.66一O.3O2.724.921.4lSC,M87031.7——0.71—1.0G一0.440.450.66O.17注:试验时间t1991年4月25日?地点成都羌钱电四厂.34此表所列数据平均值皆为10~12个数据的平均值.由表7看,五种电阻值用四个牌号的玻璃包封,阻值的相对变化率,对于95~1,10kfl,35kfl,1Mfl差异都不大,很接近;而1.75kfl电阻,用昆贵所的SGM87132,SGM8703两种牌号的玻璃的包封比日本两种玻璃包封的变化率小得多,差不多为Et本包封玻璃的1/4变化率.因而对此阻值说-它优于日本包封玻璃.表8昆贯所SC-M8703对120kf~电阻包封结果(90只电阻) l21.6120123.O122.8l20.9lZ2.9124.2122.0l21.5121.6l23.812l-2l22.O124.5122.6l22.3122.3123—8123.2120.6 122.2123.6l19.8l22.3120.2l22.3120-1119.2l21.9120.{121.2119.4122.3121.2120.4ll7.912l一7116.8l1&‟7122.7 12nll2l-ll21.8121.6l21.0121.1121.8121.6l21.0122.7114.012l-7122.7120.5l19.1121.1119.5122.2120.0122.1l21.0121.2ll9.2121.2l19.{120.4124.2121.BlZO.5l14.5 121.3116-5123.1l14.3124.3120.6116.6l22.0124.0l23.2l22.6121.9121.7123.6122.7l21.0120.8124.1l22.1124.0表9昆贯所SC‟M8703对22n电阻的包封结果22.O22.O21.921.921.821.920.822.021.821.7—21.721.821.921.921.921.921.921.821.621.521.922.521.521.620.521.721.92l+921.921.9—22.O21.921.721.521.621.321.921.821.921.921.921.922.022.122.021.821.721.922—021.822.O22.021.821.821.821.921.97.3.121.921.9—21.921.821.721.621.521.021.822.O21.g21.721.721.721.421.421.821.922.322.521.721.921.920.921.721.921.921.821.721.721.921.9—3S1991年4月25日在戚部无线电四厂还用SGM8703对120k~及22n两种电阻值进行包封试验.电阻包封后两次烧结其阻值变化见表8~9.按厂家要求120kfl的电阻经包封后凡阻值在115k~IZ5kfl之问都屑合格产品.要求成品台格率95.O,从试验结果看,试验共投9O只电阻,其中87只电阻在合格范圈,结果昆贵所的玻璃包封产品台格率是96.7?符台厂方要求?按厂家要求,220电阻经玻璃包封凡阻值在21.O~22.9n之闻都属台格产品,要求舍格率95,试验共投入9O只电阻,其中86只电阻在合格范围内.4只电阻超出范围.结果成品合格率为95.5.选到了厂家要求表lO昆贵所SGM87O3习电强包封试验序号Ro(kn)R1(k0)△R()序号.(kn)R:(kn)△R()l81.0677g.E一1.毛315甚2.1S881.?94一_..47 283.O6lB2.511—1.3D¨.37571.898一n右5 342.15741.5Il--I.乱j7柏.9457毒.8鲇一1.3J ●璺盘.l怎1.5Il一.48l言.5筋78.五确一1D7 暑暑t8●t1.蜘--1.耋暮a9.a.t57姐.7懿--I.稍…gjl舾E锕--1.21明7薯.蜘霭.17,一乳妇~,害5.{3OJ目臣姒一D.埘l79.霉El7叠.0酋I--J..07I.榴托.i盯一口._珀盘脏7皿8|.7霸—1.业,嚣0.3n相.锄--1.蝣2蓦丑..782鹤一.柚j口基3.番l2豇Ⅲ一1.订247B.1端了7.133--1.西U毫】■3殂.】,---1.3225髓.m87,3B5.一1.船12毫5.丑‟8l,噶—1.312五朝327璐.$61一0.商Bl3S1.穗I8t..研一乱鞠279o.瑚鹤.4gS—O.萼0lls1.耋2|ng睹一0.毫S.瑚93.9139106一O.蹦拄-试验对翔19毗牟5勇8~旦丑?地赢西平半导体广.——索包封前的龟强煎,R广一经玻璃包封君豹皂苴蠹.试驻电阻为lO0兄.为藏多着梧,赦疆牟取嚣努屯显敦鬻剜囊.t璃包封君650C奠站?嚣其龟短平均变毫率为△R】-36?()一一1.02,最大变他率~1.63最小变诧率为一D.o4,符合厂方要束.裹11SGM8703对lookN电阻包封卮经耐酸.电镀后的阻值变化宰{身号Rn(kIt)R,It)△R】()编号Ro(klt)R,(kn)△Rl(“)199.7599.71一n04ll99.oo98.97一o.032IO0.9610o.050.08121oi.731oi.73o.0o3‟98.g298.79—0.031399.o79g.o70oo497.8897.970.091498.3598.33一0.02599.9799.93——o.041599.2l99,23o.O261oi.2l1oi.19—0.o8l699.3399.330.00799.4499.35——o.091799.2299.3o一O.028103.961o3.97o.oi18loi.04lO1.03—0.oi91o0.421oo.4l—O.oIl998.2198.21o.oo1098.8998.86~o.03注;试验对闯:TL99~.年5月8~9日,地点:四平半导体厂Ro——电阻包封后的电阻值;R——电阻经耐酸,镀镍,镀铅一锡后的阻值;△R一试验后阻值的相对变化率. 从表¨试验结果看.昆贵所的包封玻璃经耐酸电镀后.阻值变化很小.完全符合厂方要求.3结论昆明贵金属所的片式电阻的包封玻璃经过反复多批的中,日包封玻璃对不同阻值的电阻包封对比试验.结果说明其玻璃特性基本达到或接近日本包封玻璃的水平.完全可以用于片式电阻的生产.1993年已销售片式电阻的包封玻璃40多公斤,未发现任何产品质量问题.采用昆贵所玻璃浆料.既节约了外汇又降低了生产成本.参考文献[1]文渊.国外片状元件发展动态.电子材料,1983第6辑(总第16辑)P1—9[2]佐藤忠士他,受动手7部品0新L, 动;.电子技术(日).V o!.24,No4,P54~57[3]日本片状元件制造商的生产和销售活动?电子材料,1983,第6辑(总第16 辑),P34—38[4]El本片状元件的标准化,电子材料.第6 辑(总第16辑),P39—51E5]本田义夫,抵抗器,电子技术(日),1983, No6,P53—56[6]采兴义,浅谈我国片式电阻浆料的国产化.电子元件与材料,1993,V.J.12,N04,P39—4O37。
玻璃粉在ZnO压敏电阻用银浆料中的作用

玻璃粉 S4
480~500 N 平均=6.33
附着力 / N 520~540 N 平均=13.17
560~580 N 平均=9.55
2.9 通过以上试验可以看出 要想满足在峰值温度
480~580 段烧成时对附着力的要求 单一玻璃粉无
法实现 笔者认为:复合玻璃粉的作用机理在于将其制
备成浆料后 在烧成时 其中具有较低软化 熔融点
520~540
玻璃粉
S1 S2 S3 S5 S6
附着力 / N
Nmin= 8.30 Nmax= 12.96 N 平均= 9.40 Nmin= 12.50 Nmax= 14.14 N 平均= 13.30 Nmin= 2.30 Nmax= 8.90 N 平均= 6.28 Nmin= 16.83 Nmax= 19.81 N 平均= 17.48 Nmin= 19.45 Nmax= 21.06 N 平均= 20.39
480~500
ζ (玻璃粉) S2 : S5
S2 : S6
附着力 / N Nmin=17.67 Nmax=23.09 N 平均=21.21 Nmin= 8.37 Nmax=14.99 N 平均=12.35
2.5 将 S2 与 S5 S6 配合 在峰值温度 520~540 段
烧成 测试附着力 膜厚 20 μm
的玻璃粉先软化 浸润了具有较高软化 熔融点的玻
璃粉及基体 起到了流平 填充的作用 而具有较高
软化 熔融点的玻璃粉起到了骨架的作用 通过两种
玻璃粉的综合作用 不仅提高了烧成膜与基体的附着
力 而且也提高了烧成膜本身的强度 结果就表现出
膜层致密 与基体的附着力强 制作出的 ZnO 压敏电
阻器的通流能力大等特点 复合玻璃粉在 ZnO 压敏电
玻璃粉的润湿性对硅太阳电池性能的影响

第36卷第7期2008年7月硅酸盐学报JOURNALOFTHECHINESECERAMICSOCIETYV01.36,No.7July,2008玻璃粉的润湿性对硅太阳电池性能的影响张亚萍,杨云霞,郑建华,丁丽华,花巍,陈国荣(华东理工大学材料科学与工程学院,超细材料制各与应用教育部重点实验室,上海200_237)摘要:用快速烧结法制备了硅太阳电池片,讨论了作为硅太阳电池高温黏结相的Pb0L-A1203—B203一si02玻璃的润湿能力对A邪j欧姆接触,银粉烧结和电极导电机制的影响。
采用平行板黏度计测定了玻璃的黏度—温度曲线并确定了软化温度;用扫描电子显微镜对电极表面的微观结构进行了分析:通过对电流一电压特性曲线的分析得到了串联电阻、填充因子、开路电压、效率等性能数据。
结果表明:玻璃的软化温度越低,电极结构越致密,说明良好的润湿能力有助于银粉烧结;玻璃的润湿能力不仅对形成A∥si接触的重结晶银晶粒尺寸和数量有影响,还是决定导电机制的重要因素。
因此,具有适当润湿能力的玻璃粉是获得最佳电池性能的关键因素之一。
关键词:玻璃粉;润湿性:硅太阳电池;导电性能中图分类号:0482.3文献标识码:A文章编号;0454-5“8(2008)07_1022-05EFFECToFGLASSFRIT、vETTINGPRoPERTYoNTHEPERFoRMANCESoFSILICoNSoLARCELLSZ删^rG脚以g,翻ⅣG玩船抽,刁姗舶拧厅蝴,D,ⅣG£f晟“口,删×耽f,a扭ⅣG“伽略(K掣La_boratoryforUl船FineMat嘶alsofMinis缸yofEducation,SchoolofMat甜alsscience觚dEngineerin岛EastChinaUniVer-sityofScience矾dTechnology’Shan曲ai200237,China)Abstract:Pbo-A1203—-B203—Si02glass衔tswereusedasbinde巧d11riIlgrapidt11e咖alprocessing(RTP)form距uf.actIlrillgSisolarcells.111einnuencesoft11ePbo_A1203一B203一si02glass丘itwettingpropen),on廿IeA∥Siohmiccontact,sinteringofAgpowderpaIticlesandconductingmechanismoftlleAg鲥dwerediscussed.ThesoReningtemperatllresweredeteminedbyt圭leViscos-ity—temperanIrecurves,whichwefemea驯【red廿1roughparallelplateViscomet阱ScallIlingelec朝fonmicmsc叩ywasusedfbr妯vesti-gatingthemicmstmcmresoft11esurfacesoftlleAg鲥ds.TheseriesresistaIlce,fiUfactor’opencircuitvoltageande伍ciencyweredet锄i11edby卢矿analysjs.Theresultsshow廿latgoodwettingabilitycanimproVethesinteringofAgpowdersbecausethelowert11esoReningt钿peramre,thedImser也estrIlctureofmeAg鲥d.ThewettiIlgabili够affbctstheconductingmech柚ismasweUast11eamountandsizeofAgre—c叮s删1jtes,whichf.onnA∥Sicontacts.Thefef.ore,glass伍twitllpr叩erwettillgabili够isak秒factortoobtaintllebestperfornlanceofsolarcells.1(eywords:gl勰sfm;we仕itlgproperty;siliconsolarcells;condl础gpcrf.omances丝网印刷银厚膜已被广泛的应用于晶体硅太阳电池正面电极的金属化。
低熔点玻璃粉对导电银浆烧结性能及微结构的影响

低熔点玻璃粉对导电银浆烧结性能及微结构的影响探讨图1 玻璃粉的XRD图图2 导电银浆的热重分析曲线2.3 玻璃软化点对导电银浆性能的影响在浆料的烧结过程中,玻璃相粘度特性对粘性流动传质及烧结致密化过程有很大的影响,最终影响到导电银浆的微观结构和性能。
图3是玻璃粉的软化点与银浆方阻和附着力的关系曲线。
从图中可以看出,玻璃的软化点为420℃时,银浆的导电性能最好,方阻最小为2.4 mΩ/□。
随着玻璃粉软化点的升高,银浆的方阻从逐渐增大,当软化点为500℃时,方阻达到了5.7 mΩ/□;从附着力的关系曲线看,随着玻璃软化点的升高,银浆的附着力呈现先增大后减小的趋势。
玻璃的软化点为420℃时,银膜层温度附着力最小为6 N,当玻璃软化点提高至450℃时,银膜层的附着力急剧增大至13 N,继续升高玻璃粉软化点,银膜层附着力反而降低。
在银浆烧结过程中,玻璃粉随着温度的升高逐渐软化。
当玻璃粉软化点较低时,熔融玻璃液的粘度小,流动性强,易于浸润银颗粒,更易在银颗粒之间成液相桥。
由于玻璃液的表面张力作用,拉动银粉颗粒靠近,形成致密导电膜层[9],此时导电性能最优。
但是由于玻璃液的粘度低也会导致玻璃液易于向成分银粉玻璃粉图3 玻璃软化点对银浆方阻、附着力的影响图4是不同软化点玻璃料制备的银膜层表面扫描电镜图片。
从图4(a)中可以看出,层孔洞较少、致密,银层烧结完全,银晶粒较大。
随着玻璃软化点的增大,图4(b)、(c)的表面孔洞逐渐增多,烧结后银晶粒减小,致密程度降低。
当玻璃软化点升至500℃时,图4(d)中银膜层烧结程度差,膜层孔洞较多,玻璃液明显没有完全浸润银粉,银粉颗粒感明显。
在浆料的烧结过程中,玻璃相粘度特性对粘性流动传质及烧结致密化过程有很大的影响,最终影响到微观结构。
在峰值烧结温度下,软化点的降低引起玻璃液的粘度下降,使膜层的烧结过程更易进行,膜层愈致密,缺陷愈少,导电颗粒间的接触电阻也就越小,膜层的方阻值降低。
焊接用玻璃粉

焊接用玻璃粉
焊接用玻璃粉是一种常见的焊接材料,它具有许多优点和应用领域。
玻璃粉是由玻璃材料研磨而成的,颗粒细小且均匀,可以提供更好的焊接效果和强度。
焊接用玻璃粉适用于各种金属材料的焊接。
无论是钢铁、铜、铝还是不锈钢,玻璃粉都能与其良好地结合。
这使得焊接过程更加灵活,可以应用于各种不同的行业和领域。
焊接用玻璃粉的使用还能提供更高的耐热性和耐腐蚀性。
由于玻璃粉的成分中含有较高的硅元素,使其具有优异的耐高温性能。
在高温环境下,焊接接头不易出现变形或破裂,确保焊接质量和稳定性。
同时,玻璃粉具有良好的耐腐蚀性,可以在各种恶劣环境下使用,如酸碱腐蚀和氧化。
焊接用玻璃粉还具有较好的导电性能。
在焊接过程中,玻璃粉能够提供良好的电流传导,确保焊接接头的稳定性和导电效果。
这使得焊接过程更加高效和可靠。
焊接用玻璃粉还能提供较好的密封性能。
在焊接过程中,玻璃粉可以填充焊接接头的微小缝隙,形成坚固的密封层,防止外界的气体和液体渗入。
这在一些特殊领域的应用中尤为重要,如航空航天和汽车制造等。
焊接用玻璃粉是一种非常优秀的焊接材料,具有广泛的应用前景。
它的高温耐性、耐腐蚀性、导电性和密封性能使其成为各行各业焊接工艺中不可或缺的一部分。
无论是在制造业、建筑业还是电子工业,焊接用玻璃粉都发挥着重要的作用,为我们的生活和工作带来诸多便利。
BaBSi玻璃对ZnVSb基压敏电阻结构与性能的影响

收稿日期:2006211207 基金项目:国家自然科学基金资助项目(60501015);陕西省自然科学基金资助项目(N6CS0001) 作者简介:刘佳骥(19852),男,湖北人,硕士生,主要研究方向:功能陶瓷。
文章编号:100422474(2008)0120112203B a BSi 玻璃对Zn VSb 基压敏电阻结构与性能的影响刘佳骥,赵 鸣,高 峰,田长生(西北工业大学材料学院,陕西西安710072) 摘 要:通过传统工艺制备出Ba 2B 2Si 玻璃相掺杂的Zn 2V 2Sb 基压敏电阻材料,研究了其微观结构及性能。
结果表明,Ba 2B 2Si 玻璃相的掺杂能降低Zn 2V 2Sb 基压敏电阻试样的烧结温度,玻璃相中B 2O 3的含量过多,会使ZnO 压敏电阻材料的伏安(V 2I )特性变差;而Ba 2+含量的增加,使ZnO 压敏电阻材料的非线性系数上升。
关键词:Ba 2B 2Si 玻璃相;压敏电阻;烧结温度;掺杂中图分类号:TQ174.01 文献标识码:AThe E ffects of Doping B a 2B 2Si Frits on the Microstructure and Properties of Zn 2V 2Sb B ased V aristorL IU Jia 2ji ,ZHAO Ming ,G AO Feng ,TIAN Chang 2sheng(College of Material Science ,Nort hwestern Polytechnical University ,Xi ′an 710072,China ) Abstract :Zn 2V 2Sb based varistor ceramics doped with Ba 2B 2Si f rits were prepared and the microstructure andproperties were investigated.The results revealed that the sintering temperatures of Zn 2V 2Sb based ceramics would decline with doping Ba 2B 2Si f rits.The V 2I properties of samples got worse with extra B 2O 3,while nonlinearity expo 2nent of Zn 2V 2Sb ceramics rised with ascension of BaO.K ey w ords :Ba 2B 2Si frits ;varistor ;sintering temperature ;doping ZnO 2V 2O 5系压敏电阻是一种新兴的压敏材料,其非线性系数(α)高,是目前唯一能在900℃下烧结的压敏电阻材料[1]。
玻璃粉的腐蚀性对太阳电池性能的影响

玻璃粉的腐蚀性对太阳电池性能的影响刘朋;钟晶晶【摘要】导电银浆是制造晶体硅太阳能电池正面银电极的关键材料,其组成相的成分配方、性质和制备工艺直接影响着电池的物理和光电性能.作为导电银浆的重要组成部分,玻璃粉的腐蚀性能对电极的导电通路起着重要影响,从而间接影响电池的电学性能以至效率.本文在详细介绍正银电极导电机理的基础之上,深入研究了玻璃粉的腐蚀性能等对电池性能的影响,并针对现有的不足,结合文献及专利,提出了相应的解决方法,以期最大程度地提高太阳能电池的光电转化效率.【期刊名称】《呼伦贝尔学院学报》【年(卷),期】2017(025)006【总页数】4页(P144-146,143)【关键词】太阳能电池;正银浆料;玻璃粉;腐蚀性能【作者】刘朋;钟晶晶【作者单位】山东省环境保护科学研究设计院山东济南 250000;山东省环境保护科学研究设计院山东济南 250000【正文语种】中文【中图分类】O69在光伏太阳能电池中,晶体硅太阳能电池由于光电转化效率高、材料性能稳定、便于工业化生产处于主导地位。
正银浆料是制造晶体硅太阳能电池正面电极的关键材料。
它主要由 3 部分组成:(1)导电银粉;(2)玻璃粉;(3)有机相。
玻璃粉在银浆中只占较小比例(1-5%wt.),但却是浆料的核心添加剂,是电池片形成欧姆接触和传输电子的主要动力。
银厚膜浆料中的玻璃粉是决定银粉烧结动力学、硅表面腐蚀程度、接触电阻大小以及最终电极性能的重要因素。
从一定程度上说,玻璃粉性能的好坏直接影响到浆料的性质。
因此,开发太阳能浆料很大程度上依赖于玻璃粉的研发上。
玻璃粉对电池性能的影响主要表现在腐蚀性能方面。
下面将以正银电极的导电机理为基础,深入探讨玻璃腐蚀性能对太阳电池电学性能的影响,并针对其不足提出改进方法。
目前,关于电流的传输机理主要有三种:(1)银晶-银栅之间的之间接触传导。
(2)银晶-薄玻璃层-银栅传导。
当硅基底与银栅之间的玻璃层较薄时(<5nm),电子逸出时的能量足够穿透较薄的玻璃层,通过电子隧道效应传输到银栅中形成电流。
贺利氏专业解读丨玻璃粉在太阳能浆料中的作用

贺利⽒专业解读⼁玻璃粉在太阳能浆料中的作⽤Heraeus专业解读导读接着上⼀篇《⾦属银在太阳能浆料中的作⽤》,我们给⼤家分享⼀下贺利⽒光伏研发团队对于玻璃粉在浆料中作⽤的理解。
玻璃粉作为厚膜导电浆料的另⼀个关键成分,对于银粉的烧结,钝化层烧穿,欧姆接触的形成以及浆料的焊接拉⼒,起着决定性的作⽤。
贺利⽒光伏秉承着德国⼯匠精神,致⼒于玻璃粉领域的精耕细作,在太阳能浆料领域不断推陈出新,⼒争给客户带来不断的惊喜。
12贺利⽒可再⽣能源释义:玻璃粉玻璃粉在太阳能导电浆料中的重量百分⽐⼤约在0.5 ~ 10% 之间,通常粒度在微⽶级。
玻璃粉协同其他⽆机物添加剂,在⾼温烧结过程中和银粉共同作⽤,缺⼀不可。
因此我们将玻璃粉及功能性⽆机添加剂概括在⼀起,称之为”⽆机反应体系“ (IRS, Inorganic Reaction System)。
在下⽂中,我们依然根据惯例,简称其为玻璃粉。
贺利⽒玻璃粉功能⼩结在贺利⽒光伏的⼀篇专利 (US9257578 B2) 中,我们将玻璃粉的功能⼩结如下: 玻璃粉提供了⼀个⾼温输运介质,使得浆料中各种功能性成分运输到半导体基体的表⾯;玻璃粉还提供了⼀个粘结介质,使得各种粉体烧结在⼀起,并紧密结合在硅⽚的表⾯;玻璃粉更是提供了⼀个反应介质,促进在⾼温下各种粉体颗粒间物理和化学反应 (例如溶解,融化,扩散,烧结,沉淀,结晶,相变,氧化和还原)。
贺利⽒ · 解读在⼀个只有⼏⼗秒的快速烧结过程中,太阳能浆料中的玻璃粉历经每分钟⼏千摄⽒度的急速升温和骤降,必须完成上述的所有功能。
这个配⽅的优化对所有光伏玻璃科学家⽽⾔都是个挑战;很多时候,玻璃成分的配⽅优化,与其说是科学实验,不如说是经验及失败的积累。
然⽽,单纯的试错过程往往⽆法带来⼀些玻璃粉的⾰命性的突破,贺利⽒光伏的基础研发团队充分利⽤贺利⽒的世界⼀流的科研资源,逐本溯源,探索这些经验和失败背后的本质和原理;这使得我们的玻璃粉研发团队,能够在很短的时间给客户提供⼀个产品解决⽅案。
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玻璃粉对片式电阻面电极耐焊性的影响赵科良;梅元;徐小艳;党莉萍;陆冬梅【摘要】The effects of two kinds of frits, Ca-Si-Al-B and Bi-Si-Al-B on resistivity of chip resistor surface electrode (C1) were studied before and after dealing with soldering. The results show that C1 products have good electrical property and excellent solder-resistance property when mass fraction of Ca-Si-Al-B glass powder is 4%-6%. The analyses of the SEM and EDS declare that the silver layer of the C1 is well-stacked and continuous, which contains Ca-Si-Al-B glass powder after solder-resistance. This is mainly due to the silver being cordoned off by the calcium feldspar needle structure during the Ca-Si-Al-B glass powder sintering and the larger surface tension of the solder.%研究了Ca-Si-Al-B和Bi-Si-Al-B两种不同玻璃粉对片式电阻面电极(C1)耐焊处理前后电阻率的影响.结果表明,当Ca-Si-Al-B玻璃质量分数为4%~6%时,C1产品具有良好的电性能以及优异的耐焊特性.SEM和EDS分析表明含有Ca-Si-Al-B玻璃的C1经耐焊处理后导体层保留有较厚且连续的银层,这主要是由于Ca-Si-Al-B玻璃粉在烧结时形成的钙长石针状结构对银的"封锁"和与钎料较大的表面张力造成.【期刊名称】《电子元件与材料》【年(卷),期】2017(036)010【总页数】5页(P37-40,45)【关键词】银浆;片式电阻;面电极;耐焊性;玻璃粉;无铅钎料【作者】赵科良;梅元;徐小艳;党莉萍;陆冬梅【作者单位】西安宏星电子浆料科技有限责任公司,陕西西安 710065;西安宏星电子浆料科技有限责任公司,陕西西安 710065;西安宏星电子浆料科技有限责任公司,陕西西安 710065;西安宏星电子浆料科技有限责任公司,陕西西安 710065;西安宏星电子浆料科技有限责任公司,陕西西安 710065【正文语种】中文【中图分类】TQ174近年来,片式元件是电子元件发展的主流和方向,其中片式电阻器技术已进入到一个迅速升级换代的时期,全球片式电阻器的年需求量已经超过了1万亿只[1-2]。
就片式电阻器的发展方向来讲,主要有超小型化、绿色环保化、高精度化、低温度系数化以及贱金属化[3]。
片式电阻器通过丝网印刷面电极、电阻、背电极浆料以及保护浆料,经高温烧结制作而成。
其在使用过程中需要进行焊接,焊接时无铅钎料对片式电阻面电极(简称C1)存在侵蚀,降低面电极银层的性能,更为严重者导致片式电阻产品断路[4-10]。
传统面电极浆料中均含有钯,因钯元素对面电极抵抗钎料侵蚀有良好的保护作用。
但随着行业发展低成本要求,各大厂商提出了产品无钯化的需求。
为此,各浆料厂商纷纷展开对无钯耐焊型面电极浆料研究。
国内对无钯耐焊型面电极浆料研究较少,为适应片式电阻器低成本高可靠性的发展要求,本文研究了片式电阻器面电极浆料粘结剂性能,制备了无钯耐焊型片式电阻器用面电极浆料,该浆料具有优异的抗钎料侵蚀特性,可较好满足片式电阻器行业的低成本高性能要求。
1.1 原材料及设备银粉(平均粒径0.5 μm)纯度为99.8%、Ca-Si-Al-B系玻璃粉末(平均粒径3 μm,简称F-Ca)、Bi-Si-Al-B系玻璃粉末(平均粒径3 μm,简称F-Bi)均为自制,乙基纤维素、松油醇均为分析纯,纯度96%的Al2O3陶瓷基板、无铅钎料(“96.5Sn3.0Ag0.5Cu”)、助焊剂(主成分松香,中性体系)。
捷克TESCAN VEGA 3LMH扫描电子显微镜;牛津INCA x-cat 51-ADD0007能谱仪;马尔文HYDRO2000MU激光粒度分析仪;贝士德仪器科技3H-2000BET-A比表面积分析仪;SURFCON 480B表面粗糙测试仪;Agilent 34410A电阻率测试仪。
1.2 样品制备与测试方法按一定质量比例称取银粉、玻璃粉以及乙基纤维素和松油醇的混合物,搅拌均匀,经三辊轧机轧制成浆料,细度控制在10 μm以下。
浆料通过丝网印刷在Al2O3陶瓷基板上形成100方(1方为长和宽为1 cm的正方形)的电极,经烘干,850 ℃烧结10 min形成待测电极。
采用电阻率测试仪测试电极阻值,计算方阻(方阻=阻值/方数)。
耐焊处理:将电极浸蘸一定的助焊剂,浸于260 ℃的无铅钎料槽中,停留10 s取出,清洗后测其阻值并计算方阻。
1.3 钎料侵蚀原理片式电阻产品在电镀镍、电镀锡时,由于包封层导电性差,在电镀层和包封层之间存在间隙,使产品在后期电路焊接过程中,钎料沿缝隙玻璃进入C1层如图1所示,对C1层形成侵蚀,甚至断路。
由图1可以看出,随着侵蚀程度的增加,C1层持续被破坏,直至断路。
2.1 玻璃质量分数对C1电性能的影响目前由于片式电阻行业降成本要求,在满足电性能即较低的方阻(5~10 mΩ/□,7 μm)的同时,无钯化及贵金属含量降低已成为研究的主流。
为此,研究了两种体系玻璃粉添加量对C1方阻性能的影响,结果如图2所示。
由图2可以看出C1银浆均随着玻璃粉质量分数的增加,C1的方阻呈增大趋势。
当玻璃粉质量分数超过6%时方阻增大至20 mΩ/□左右,这主要是由于当玻璃质量分数增加,在烧结过程中玻璃粉阻断了银的连续性引起阻值增大。
当玻璃粉质量分数超过14%时,方阻呈明显的增大趋势,这主要是玻璃粉在烧结过程中由于质量分数较高,上浮于银层之上,造成阻值明显增大。
因此,C1浆料中玻璃粉的质量分数≤6%时具有优良的电性能。
2.2 玻璃质量分数对C1耐焊性的影响图3为玻璃粉质量分数对C1耐焊处理后方阻的影响。
由图3可以看出,当含有F-Ca玻璃的C1银浆,其质量分数≥4%时其耐焊处理后方阻约为10 mΩ/□。
当含有F-Bi玻璃的C1银浆,其质量分数≥8%时其耐焊处理后方阻约为10 mΩ/□。
结合图2和图3可以看出,采用质量分数为4%~6%的F-Ca玻璃粉C1浆料具有良好的电性能和优良的耐焊性能。
2.3 C1耐焊处理后电性能分析依照1.2所述方法,采用表1配方制备样品,经烧结形成电极。
采用1.2所述方法进行样品耐焊性评测,结果如表2和表3所示。
由表2表3耐焊处理结果可以看出含钙系玻璃C1样品经钎料侵蚀后,阻值增大幅度小于含有Bi 系玻璃C1样品,说明钙系玻璃在面电极受到钎料侵蚀时,能对面电极起到保护作用。
而铋系面电极耐焊处理后测试第一次时,有部分出现了断路的现象,第二次以后全部断路,说明其表面银层被钎料侵蚀,出现了不连续的现象。
这可能是由于Ca-Si-Al-B玻璃粉[11]在烧结时能够形成具有针状结构的钙长石(CaA12Si4O8)类化合物[12-17],能够形成“钙长石-Ag-钙长石”的交替网络结构,将银牢牢封锁在网络内部。
当进行钎料侵蚀时,表面银与锡形成银锡合金,银层被部分侵蚀,内部银层被钙长石的针状网络结构牢牢“封锁”,露出的钙长石化合物具有较大的表面张力,钎料不能被较好地浸润,如图4(a)所示,从而对银层具有较好的保护作用。
相反,Bi-Si-Al-B玻璃粉[18]在烧结时不能形成“封锁”银层的结构体,在与钎料接触时能与其较好地浸润,如图4(b)所示,因而容易被钎料侵蚀,造成耐焊性较差。
2.4 不同玻璃粉C1 SEM以及EDS分析分别对含有F-Ca和F-Bi玻璃粉的C1烧结膜层断面进行耐焊前后的SEM和EDS 分析,结果如图5、图6所示。
由图5(a1)、(a2)和图6(a1)、(a2)可以看出含有F-Ca玻璃的C1经耐焊3次试验后,仍有银层。
而含有F-Bi玻璃的C1几乎没有银层残留,如图5(b1)、(b2)和图6(b1)、(b2)所示。
这进一步说明含有Ca-Si-Al-B玻璃的C1具有较好的抗钎料侵蚀性能。
由Sn-Ag形成合金相图[19]可知Sn-Ag的共晶成分为Sn-3.5Ag,熔点为221 ℃,Sn中几乎不能固溶Ag,所形成的共晶合金组织是由不含Ag的纯β-Sn和微细的Ag3Sn相组成的二元共晶组织,除了有微细的Ag3Sn弥散分布以外,还形成了最大可达数十微米的板状Ag3Sn初晶,这主要是由于采用F-Ca的玻璃粉经过烧结后,F-Ca玻璃粉形成具有钙长石的针状网络结构将银层牢牢“封锁”,致使在进行钎焊时银层受到保护,因而不易与无铅钎料(96.5Sn3.0Ag0.5Cu)形成Sn-Ag 合金。
从而使得元件表面的银层在进行多次钎焊或较长时间的焊接时,可有效阻止钎料的进一步侵蚀。
因此元器件电极银层仍具有较好的导通性能,元器件的可靠性能大大提升。
通过研究Ca-Si-Al-B玻璃粉和Bi-Si-Al-B系两种不同体系的玻璃粉对片式电阻正面电极C1浆料的影响,发现:(1)Ca-Si-Al-B玻璃粉在浆料中质量分数为4%~6%时,C1具有较低的初始方阻以及良好的耐钎料侵蚀特性;(2)含有Ca-Si-Al-B玻璃粉的片式电阻面电极C1不易被钎料所侵蚀,这主要是由于Ca-Si-Al-B玻璃粉在烧结时形成的钙长石针状结构对银的“封锁”作用;(3)含有Ca-Si-Al-B玻璃粉的片式电阻面电极浆料具有电阻率小、成本低、可靠性高的特点,其面电极浆料为片式电阻产品的规模化生产提供了良好的解决方案。
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