三极管的微变等效电路
npn型三极管的微变等效电路
npn型三极管的微变等效电路摘要：1.NPN 型三极管的基本结构2.微变等效电路的概念3.NPN 型三极管的微变等效电路分析4.微变等效电路的应用正文：1.NPN 型三极管的基本结构PN 型三极管是一种双极型晶体管，由两个n 型半导体（发射极和集电极）和一个p 型半导体（基极）组成。
发射极和集电极之间的电流放大主要依赖于基极电流的控制。
在实际应用中，三极管被广泛用于信号放大、开关控制等电路。
2.微变等效电路的概念微变等效电路是一种将复杂电路简化为等效电路的方法，主要用于研究电路的稳定性、动态响应等性能。
通过将原电路中的元器件替换为等效电路，可以大大简化问题，便于分析和计算。
3.NPN 型三极管的微变等效电路分析对于NPN 型三极管，其微变等效电路主要包括两个部分：发射极电阻Re 和集电极电阻Rc。
这两个电阻分别模拟了三极管的发射极和集电极的特性。
通过这两个电阻和基极电流Ib，可以构建一个等效电路，用于描述三极管的电流放大特性。
具体来说，发射极电阻Re 的作用是限制基极电流Ib 的大小，防止过大的基极电流导致三极管工作在非线性区。
集电极电阻Rc 的作用是限制集电极电流Ic 的大小，防止过大的集电极电流导致三极管损坏。
4.微变等效电路的应用PN 型三极管的微变等效电路在实际应用中有广泛的应用，例如在信号放大电路、振荡电路、脉冲发生电路等。
通过使用微变等效电路，可以简化电路分析过程，提高计算效率，同时也有助于理解三极管的工作原理和性能特点。
总之，NPN 型三极管的微变等效电路是一种重要的电路分析方法，对于理解三极管的工作原理和性能特点具有重要意义。
三极管的直流模型和中低频小信号等效模型
三极管简化直流电路模型
2、三极管的微变等效模型
（1）三极管的h参数：
在小信号情况下，对上两式取全微分得
Δ uBE
物理意义：输出端交流短路时的正向电流 传输比或电流放大系数（β ）； 几何意义：在uCE=UCEQ的竖线上Q点附 近，不同的两个iB和在对应两条输出特性 曲线上产生的iC变化值的比对
物理意义：输入端交流开路时的输 出电导(1/rce,非常小）。
几何意义：IB=IBQ的那条输出特性 曲线在Q点附近的斜率
பைடு நூலகம்
）
对于低频小功率管
与 点有关。
例1：
已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现 测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14 所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并 在圆圈中画出管子。
例2 ：习题12 例3：习题14
作业：习题11
ΔiC
Δ iC
Δ iB
四个参数量纲各不相同，故称为混合参数。
Δ uCE
（2）三极管的h参数等效电路
根据
可得小信号模型
的 参数模型
4. 简化的H参数等效模型（微变等效电路）
一般情况下：
H参数等效电路 则 的简化等效电路：
微变等效电路
5. H参数的确定 一般用测试仪测出；
npn型三极管的微变等效电路
npn型三极管的微变等效电路
pn型三极管是一种常见的双极型晶体管，由n型半导体（发射极）、p型半导体（基极）和n型半导体（集电极）组成。
它在电子电路中有着广泛的应用，如放大、开关、振荡等。
pn型三极管的工作原理如下：当基极电流（IB）流过时，发射极与基极之间的pn结呈现正向偏置，发射电子进入基极，再经过基极进入集电极。
这样，集电极的电流（IC）就与基极电流成正比，实现了信号的放大。
pn型三极管的微变等效电路是为了简化电路分析而提出的。
它将三极管的电流关系用一个等效的电流源表示，这个电流源的电流与实际三极管的电流关系相同。
微变等效电路包括三个部分：基极电流源（IB）、发射极电流源（IE）和集电极电流源（IC）。
基极电流源（IB）是一个恒流源，其电流大小与发射极-基极电压（VBE）有关。
发射极电流源（IE）是一个恒流源，其电流大小与集电极-发射极电压（VCE）有关。
集电极电流源（IC）是一个电压源，其输出电压等于集电极-基极电压（VCB）。
微变等效电路的应用主要包括以下几个方面：
1.电路分析：在进行电路分析时，将实际的三极管电路替换为微变等效电路，可以简化计算过程，更容易分析电路的性能。
2.电路设计：在设计电子电路时，利用微变等效电路可以更方便地确定元器件的参数，提高电路的工作效率。
3.电路仿真：通过将实际电路转换为微变等效电路，可以方便地进行电路
仿真，预测电路的性能。
总之，npn型三极管的微变等效电路在电子电路设计和分析中具有重要的应用价值。
(完整版)三极管及放大电路原理
测判三极管的口诀三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。
”下面让我们逐句进行解释吧。
一、三颠倒，找基极大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。
根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管，图1是它们的电路符号和等效电路。
测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。
图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。
由图可见，红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。
假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。
测试的第一步是判断哪个管脚是基极。
这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。
在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。
二、PN结，定管型找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。
将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。
三、顺箭头，偏转大找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。
(1) 对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路如图3所示。
根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c 极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。
三极管微变等效电路
ui
uo
解：（1）
µ = = −23 A I BQ = V CC − U BE
−12 + 0.3
RB
510
I CQ = β I BQ = 50 × ( − 23 µ A ) = − 1.15 mA
UCEQ = VCC − ICQ (RC + RC′ ) = −7.4V
rbe
=
300 +
(1 +
β
)
般可忽略它们的影响，得到
简化电路
ib rbe ube µT uce
uce
ic
β ib rce uce
关于小信号模型的说明
v H参数均是针对变化量的，因此模型只能用来求 动态变化量，不能用来求静态直流量；
v H参数均是在Q点附近确定的，因此只有在输入信 号幅度不大，晶体管工作在线性区时应用此模型 误差较小；
A&u
=
U&o U&i
=
− βI&b ( RC // RL ) I&brbe + (1 + β )I&b RE1
I&b
bc
= − β ( RC // RL ) I&c rbe + (1 + β )RE1
= − 50(2 // 2) 0.85 + (1+ 50) × 0.5
+
UU&&ii
rbe
RB
e
βI&b
（2）
RS
+ U&s
-
I&b b c I&c
+
r U&i R1
三极管微变等效电路输入输出电阻
三极管微变等效电路输入输出电阻导论：在电子电路中，三极管是一种重要的元件，具有放大、开关等功能。
在三极管的应用中，经常需要考虑其输入输出电阻。
本文将介绍三极管微变等效电路输入输出电阻的相关知识，并讨论其计算方法及影响因素。
第一部分：三极管微变等效电路三极管微变等效电路是用来描述三极管的小信号特性的电路模型。
它是基于小信号近似的原理，将三极管的非线性特性线性化，从而方便进行分析和计算。
在这个等效电路中，通常包括输入电阻、输出电阻等参数。
第二部分：输入电阻的定义和计算输入电阻是指在三极管的输入端口，当输入信号电阻源电压为零时，引起输入端口电流变化的电压变化比。
通常表示为rπ。
在三极管的等效电路中，输入电阻可以通过计算交流小信号模型中的参数来获得。
一般来说，输入电阻的计算方法有两种：基本计算方法和近似计算方法。
其中，基本计算方法需要根据三极管的基本参数和特性方程进行繁琐的计算，而近似计算方法则是进行一定假设的条件下的简化计算。
除了上述方法，还可以通过实验测量的方法来获得三极管的输入电阻。
例如可以将三极管接入一个小信号测试中，通过改变输入信号的电压和测量输入端口的电流，从而获得输入电阻。
第三部分：输出电阻的定义和计算输出电阻是指在三极管的输出端口，当输出信号电压为零时，引起输出端口电流变化的电流变化比。
通常表示为ro。
在三极管的等效电路中，输出电阻可以通过计算交流小信号模型中的参数来获得。
与输入电阻一样，输出电阻的计算方法包括基本计算方法和近似计算方法。
在实际工程中，通常采用近似计算方法，因为它更加简便。
除了计算方法，实验测量也是获得输出电阻的一种有效方法。
同样可以通过测量输出端口的电流和电压来得到输出电阻。
第四部分：影响因素分析三极管的输入输出电阻受到多种因素的影响。
主要包括管子几何尺寸、基材电阻、电子浓度、应力效应、温度效应等。
其中，管子几何尺寸是决定输入输出电阻的关键因素。
电阻效应被电子浓度和基材电阻共同影响。
第7讲 微变等效电路法 - 副本
一、电路组成
+VCC
——分压式偏置电路
Rb2 iR C1+ iB
Rc+ C2 iC
+
+ ui
uB
Rb1
iE
uE +
Re
RL Ce
uo
由于
UBQ
不随温度变化，
图
2.5.2
分压式工作点稳定电路
T ICQ IEQ UEQ UBEQ (= UBQ – UEQ)
IBQ ICQ
——电流负反馈式工作点稳定电路
2.5 工作点的稳定问题
2.5.1 温度对静态工作点的影响
三极管是一种对温度十分敏感的元件。温度变化对管 子参数的影响主要表现有：
1. UBE 改变。UBE 的温度系数约为 –2 mV/C，即温度 每升高 1C，UBE 约下降 2 mV 。
2. 改变。温度每升高 1C， 值约增加 0.5% ~ 1 %， 温度系数分散性较大。
其中 Ie (1 )Ib
引入发射极电阻
后， Au 降低了。
若满足(1 + ) Re >> rbe
Au
RL Re
Au 与 三 极 管 的 参 数 、rbe 无关。
b +
Ui Rb
Ib
Ic c
rbe e
Ib Rc
Ie Re
+
RLUo
2. 放大电路的输入电阻
Ri
Ui Ii
rbe (1 )Re
+
uBE
iC c
+
uCE
iB b
+
uBE rbe
iC c
+
iB uCE
小信号模型分析法(微变等效电路法)
ic hoe vce
β = hfe
rce= 1/hoe
• ur很小，一般为10-3∼10-4 ， 很小，一般为10 • rce很大，约为100kΩ。故 很大，约为100kΩ 100k 一般可忽略它们的影响， 一般可忽略它们的影响， 得到简化电路 BJT的 BJT的H参数模型为
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模拟电子技术基础
2
β 一般用测试仪测出； 一般用测试仪测出；
H参数的确定 H参数的确定
rbe 与Q点有关，可用图示 点有关，
仪测出。 仪测出。 也用公式估算 rbe rbe= rb + (1+ β ) re
rb为基区电阻，约为200Ω 为基区电阻，约为200 200Ω
VT (m ) V 26(m ) V re = = IEQ(m ) IEQ(m ) A A
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模拟电子技术基础
二
建立小信号模型的思路
当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管 当放大电路的输入信号电压很小时， 小范围内的特性曲线近似地用直线来代替， 小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三 极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。 极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。
dvBE = ∂vBE ∂iB
VCE ⋅ di + B
ic ib + vbe – b e c + vce –
∂iC d iC = ∂iB
∂iC VCE ⋅ diB + ∂vCE
∂vBE ∂vCE
IB
⋅ dvCE
IB
⋅ dvCE
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模拟电子技术基础
vbe = hieib + hrevce ic = hfe ib + hoevce
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三极管的微变等效电路
NPN型三极管的微变等效电路如图1（b）所示，。
晶体管的输入端加交流信号vi时，在其基极将产生相应的变化电流ib，如同在一个电阻上加交流电压而产生交流电流一样。
因此晶体管的输入端b、e之间用一个等效电阻代替，这个电阻称为三极管的输入电阻rbe，其大小为
(a) (b)
图1三极管的微变等效电路
在输入小信号的情况下，rbe基本上不随信号而变化，可以用下面的近似公式
式中rbb’是晶体管基区电阻，在小电流（IEQ约为几毫安）工作情况下，约为80Ω左右，26mV为温度的电压当量，在室温(300K)时的值。
应当注意的是，上式的适用范围为0.1mA＜IE＜5mA，实验表明，超越此范围，将带来较大的误差。
从上式可看出，rbe与静态电流IE有关。
值得注意的是，rbe是三极管b、e之间的交流等效电阻，而不是直流电阻。