高分辨透射电子显微分析技术
生物大分子的超高分辨率显微技术

生物大分子的超高分辨率显微技术生物大分子如蛋白质、核酸和多糖等是生命的基础,它们是组成细胞的重要组分。
研究生物分子结构与功能具有重要的生物学意义。
然而,传统的显微技术无法解决生物大分子高分辨率成像的问题,难以直观地观察这些分子的内部结构。
随着技术进步和设备发展,在生物大分子超高分辨率显微技术方面取得了重大突破,例如:1. 电子束成像技术电子束成像技术是从电子显微镜技术发展而来的一种方法。
与传统光学显微镜不同,电子束成像技术是利用高速电子束在样品表面扫描而成,而电子束的波长要比光波短得多,这可以提高成像的分辨率。
基于电子束成像技术的方法有扫描透射电子显微镜(STEM)和电子投影拍摄技术(EPT)。
STEM通过调节电子束的聚焦区域扫描样品,形成高分辨率图像,具有超越光学显微镜的成像分辨率,成像分辨率可以达到1纳米以下。
EPT通过大量的成像数据和复杂的数据处理方法,可以在三维空间中重构分子的立体结构。
2. 原子力显微镜技术原子力显微镜技术是最早用于获取分子细节结构的一种技术。
原子力显微镜技术可以通过测量样品表面的原子间距离和力的变化来成像,可以实现纳米级分辨率。
原子力显微镜分为原子力显微镜(AFM)和扫描隧道显微镜(STM)两种类型。
AFM是一种测量力的技术,它使用具有探针的机械臂扫描样品表面,并计算探针和样品之间的力,从而构建图像。
STM则是一种电子显微镜技术,它使用电子流穿过探针和样品之间的隧穿距离来成像。
3. 光学显微镜技术光学显微镜技术是最广泛应用于生物学和医学领域的成像技术之一。
它可以通过改变光源的波长、振幅和相位等参数,获得高对比度和分辨率的图像。
近年来,光学显微镜技术得到了极大的发展。
超分辨率显微镜(SRM)是利用特殊的光源及其物理特性,实现显微镜分辨率大幅提高的一类光学显微镜。
这包括激光光镊显微镜(STED)、脉冲激光显微镜(PALM)和单分子荧光显微镜(SMLM)等。
这些技术的使用,已经使得科学家在生物大分子超高分辨率成像方面探索了全新的研究方向和内容。
材料分析高分辨电子显微学

(2)经物镜作用在后焦面处形成衍射谱 Q(u,v)=F[q(x,y)] (3)像平面上形成高分辨电子显微像 当物平面与像平面严格地为一对共轭面时,像面波Ψ(r) 真实地放大了物面波q(r),而当物镜有像差时,像平面不严 格与物平面共轭,此时像面波不再真实地复现物面波。像面 波与物面波之间的这种偏差可用在物镜后焦面上给衍射波加 上一个乘子,就是衬度传递函数exp(iⅹ (u,v)) 。 同时考虑物镜光阑的作用C(U,V).因而像平面的电子散射 振幅为: Ψ(u,v)=F[C(U,V) Q(u,v) exp(iⅹ (u,v)) ] 像平面上像的强度为像平面上电子散射振幅的平方,即 振幅及其共轭的乘积: I(x,y)= Ψ*(u,v) · Ψ(u,v) =│1 +iF{C(U,V)F[σφ(x,y) Δz ] exp(iⅹ (u,v))} │2
(4)样品厚度对像衬度的影响 高分辨像实际上是所有参加成像的衍射束与透 射束之间因相位差而形成的干涉图像。因此,试样 厚度非直观地影响高分辨像的衬度。 图3-3所示为Nb2O5单晶在同一欠焦量下不同试 样厚度区域的高分辨照片。在照片上能看到由于试 样厚度不均匀等因素引起的图像衬度区域性变化, 即图像从试样边缘的非晶衬度过渡到合适厚度下的 晶胞单元结构像。
高分辨电子显微学
林鹏 081820022
目录
1.绪论
2.高分辨电子显微相位衬度像的成像原理 3.高分辨电子显微像衬度的影响因素 4.高分辨电子显微像的计算机模拟 5.高分辨电子显微观察和拍摄图像的程序 6.高分辨电子显微图像的类型和应用实例
1.绪论
不同材料有不同的使用性能;材料的性能 决定于材料的结构,特别是它的微观结构。 为了获得能满足人类生活和生产需要的材料, 必须研究材料的结构,首先要直接观察到结 构的细节。 1956年,门特用分辨率为0.8nm的透射 电子显微镜直接观察到酞菁铜晶体的相位衬 度像,这是高分辨电子显微学诞生的萌芽。
高分辨透射电镜的原理

高分辨透射电镜的原理
高分辨透射电镜(High-ResolutionEmissionTomography,HRET)是一种高分辨率的显微成像技术,它以高分辨的电子探针(ElectronProbe)作为主要成像工具。
它可获得原子分辨率的三维图像。
与其他显微成像技术相比,HRET具有下列优点:
1.获得的图像比电子探针观察到的高一个数量级;
2.对样品无破坏性;
3.图像质量高,分辨率可达0.1纳米;
4.可获得样品表面精细结构和信息;
5.可观察样品表面或内部细微结构,且不受样品厚度限制;
6.扫描速度快,每秒可扫描数百张图片。
高分辨透射电镜的工作原理是:电子探针在透射电镜中通过电子束轰击样品时,被激发的电子或离子被偏转到样品表面的不同部位,并在这些部位产生新的电子或离子。
这些被偏转的电子或离子分别向各自相反的方向运动。
偏转后,原来被激发到样品表面的电子或离子又回到原来的位置。
这样,就可以通过扫描电镜记录下来。
—— 1 —1 —。
高分辨电子显微技术与材料表征

高分辨电子显微技术与材料表征随着科学技术的不断发展,高分辨电子显微技术在材料表征领域取得了重大进展。
这种技术通过利用电子束对材料进行成像,能够突破传统光学显微镜的分辨率限制,实现对微观结构的高清观察和表征。
本文将从原理、应用和发展趋势三个方面来探讨这一技术。
首先,我们来看一下高分辨电子显微技术的原理。
所谓电子显微技术,就是利用电子束与样品相互作用的过程来获取样品的信息。
相比于光学显微镜,电子显微镜使用的是电子束而非光束,其波长要小于光的波长,从而能够达到更高的分辨率。
而高分辨电子显微技术在原理上又有所突破,它主要利用透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)来对样品进行分析。
TEM通过电子束的透射来观察样品的内部结构,分辨率可以达到纳米级别。
而SEM通过电子束的扫描来观察样品的表面形貌,分辨率也可以达到纳米级别。
通过这两种技术,可以获取到材料在微观尺度上的结构和特性信息。
接下来,我们将来探讨高分辨电子显微技术在材料表征中的应用。
高分辨电子显微技术在材料科学、生物学、化学等领域都有广泛的应用。
在材料科学中,它可以对金属、陶瓷、聚合物等各类材料的晶体结构、晶体缺陷、表面形貌等进行观察和分析,为新材料的研发和制备提供重要的支持。
在生物学中,电子显微技术可以对生物细胞、组织等进行高清观察,揭示生物体内部结构和功能的微观细节。
在化学中,电子显微技术可以用于观察化合物的晶体结构、原子排列等,有助于解决一些化学反应机理等问题。
可以说,高分辨电子显微技术在各个学科领域都有重要的应用,对于科学研究和工程实践都具有重要的意义。
最后,我们来看一下高分辨电子显微技术在未来的发展趋势。
随着材料科学和纳米技术的发展,人们对于高分辨电子显微技术的要求也越来越高。
一方面,人们要求更高的分辨率,以便观察和研究更细致的结构和性质。
另一方面,人们也要求更高的空间分辨率,以便观察和分析更大范围的样品。
因此,未来的高分辨电子显微技术将会朝着更高分辨率、更高空间分辨率和更高样品适应能力的方向发展。
中南大学-透射电镜-高分辨显微术

对主要由轻元素组成的薄晶体,展开上式,略 去高次项,可得:
(7)
按照弱相位体近似,试样下表面处的透射电子波与试样沿 电子束方向的晶体电势投影分布成线性关系。如果在以后的成 像过程中,物镜是一个理想无像差透镜,则它可以将A(x,y) 还原成真实反映晶体结构的像面波。然而实际情况不是这样, 物镜存在像差.这就要考虑像差对A(x,y)的调制。下面讨论这种调 制和其它因素对成像过程的影响。
A(x)可以分解为一系列频率函数G1(υ)G2(υ)G3(υ)G4(υ)---
逆过程,一些列频率函数G1(υ)G2(υ)G3(υ)G4(υ)—可以合成 出原函数A(x)
推而广之,两个函数只要他们的自变量之间存在某种可以 表述的函数关系,例如倒空间和正空间之间的关系,都可 写成:
• ②物镜的成像过程 • 具体到电镜上的成像过程,可用下图 示意表示。物镜对试样下表面的物面波 A(x,y)进行富里叶变换,得到后焦面上 的衍射波函数(衍射谱)G(h,k),记 作:
Si4N4与SiC晶界的高 分辨TEM像在电子束 具有良好相干性条件 下拍摄的晶界高分辨 结构像。 箭头所指区域为孪 晶.A为晶界
1 原理概述
高分辨电子显徽术是一种基于相位衬度成像机制的成像技术。 (1)透射函数 相位相同的入射电子束受晶体势场的调制,在试样下表面各点, 形成了携带结构信息的振幅和相位均不同的电子波场。在加速电压 E下,运动电子的波长,由下式表示:
引入附加相位位移的最常用方法是利用物镜的球 差和散焦
左图是球差产生相位位移示意图。 从靠近物镜前焦面A点,与光轴成 倾角离开试样下表面的电子束, 经物镜作用后本应交物镜后焦面 于C点,但由于物镜球差的缘故, 使其偏离原路径角,交后焦面于D 点。C、D两点相距为dR。这样, 由于路径的改变,出现了光程差
透射电子显微镜的原理及应用

透射电子显微镜的原理及应用一.前言人的眼睛只能分辨1/60度视角的物体,相当于在明视距离下能分辨0.1mm 的目标。
光学显微镜通过透镜将视角扩大,提高了分辨极限,可达到2000A 。
光学显微镜做为材料研究和检验的常用工具,发挥了重大作用。
但是随着材料科学的发展,人们对于显微镜分析技术的要求不断提高,观察的对象也越来越细。
如要求分表几十埃或更小尺寸的分子或原子。
一般光学显微镜,通过扩大视角可提高的放大倍数不是无止境的。
阿贝(Abbe )证明了显微镜的分辨极限取决于光源波长的大小。
在一定波长条件下,超越了这个极限度,在继续放大将是徒劳的,得到的像是模糊不清的。
图1-1(a )表示了两个点光源O 、P 经过会聚透镜L ,在平面上形成像O ,、P ,的光路。
实际上当点光源透射会聚成像时,由于衍射效应的作用在像平面并不能得到像点。
图1-1(b )所示,在像面上形成了一个中央亮斑及周围明暗相间圆环所组成的埃利斑(Airy )。
图中表示了像平面上光强度的分布。
约84%的强度集中在中央亮斑上。
其余则由内向外顺次递减,分散在第一、第二……亮环上。
一般将第一暗环半径定义为埃利斑的半径。
如果将两个光源O 、P 靠拢,相应的两个埃利斑也逐渐重叠。
当斑中心O ,、P ,间距等于案例版半径时,刚好能分辨出是两个斑,此时的光点距离d 称为分辨本领,可表示如下:αλsin 61.0d n = (1-1) 式中,λ为光的波长,n 为折射系数,α孔径半角。
上式表明分辨的最小距离与波长成正比。
在光学显微镜的可见光的波长条件下,最大限度只能分辨2000A 。
于是,人们用很长时间寻找波长短,又能聚焦成像的光波。
后来的X 射线和γ射线波长较短,但是难以会聚聚焦。
1924年德布罗(De Broglie )证明了快速粒子的辐射,并发现了一种高速运动电子,其波长为0.05A 。
,这比可见的绿光波长短十万倍!又过了两年布施(Busch )提出用轴对称的电场和磁场聚焦电子线。
第六章-高分辨电子显微技术-2

(3)一维结构像实例
3、二晶格像
(1)成像原因:在衍射花样中,套取原点和单胞晶面的衍射束,使之干涉 成像,就可以获得显示单胞二维晶格的像,因为该像不包含原子尺度(单 胞内原子排列的信息),因此,称为二维晶格像。
(2)成像特点: i、为离散的或明、或暗的像点构成二维网格; ii、像点不能说明原子是否存在; iii、当试样中存在缺陷时,要使用薄试样和最佳的聚焦条件,否则缺陷 像发生错乱,很难解释。
5、特殊像
2、一维结构像
(3) 晶 格 条 纹 像 的 实 例
(1)成像原因:当入射束平行于某一晶带轴时,在最佳聚焦条件下,可以 获得包含晶体结构的一维条纹像,即像的衬度与原子排列存在对应关系。
(2)成像特点: i、由明暗相间的条纹组成,每条条纹对应于一个堆垛层面; ii、适于多层结构材料的分析,一般附带衍射花样。
(3)二维晶格像的实例
4、二维结构像
(1)成像原因:保证分辨率的前提下,在衍射花样中,套取原点和尽可能 多的单胞晶面的衍射束,使之干涉成像,就可以获得含有单胞内原子排列 信息的单胞二维结构像。
(2)成像特点: i、由明暗相间的图样周期排列组成; ii、像点对应于单胞内的原子; iii、对于原子序数高的试样,结构像只在薄区可以观察到。
位 错 线 必 须 是 直 的 !
可以观察到:位错分解、位错宽度
(2)电子束垂直于位错线 (沿b轴入射) (3)电子束垂直位错线 (沿c轴入射)
可以观察到:不全位错间层错的宽度或者不全位错线上的扭折。
可以观察:位错割阶和相关晶格缺陷的形态和特征。
2、晶界和相界 (1)晶界 (2)孪晶界
3、表面 (3)相界
(3)二维结构像的实例
5、特殊像
高分辨透射电子显微术.

第三节 高分辨电子显微术的应用
六、高分辨像的计算机模拟 图12-10为沿和-Si3N4相c轴方向的高分辨结构像,照 片中的暗点对应于原子的位置
图12-10 氮化硅的高分辨结构像 a) -Si3N4和b) -Si3N4
18
第三节 高分辨电子显微术的应用
六、高分辨像的计算机模拟 如图12-11,大暗点对应Tl、Ba重原子位置,小暗点对应Cu 原子位置
图12-11 Tl2Ba2CuO6超导氧化物的高分辨结构像
19
第三节 高分辨电子显微术的应用
六、高分辨像的计算机模拟 如图12-12所示,在InAs和InAsSb界面处可明显观察到 有刃型位错存在,位置见图中箭头处
界面
界面
图12-12 半导体材料InAs和InAsSb界面的高分辨像
20
第三节 高分辨电子显微术的应用
高分辨型
上述三类电镜主要因物镜极靴结构的差别, 从而使物镜球 差系数CS不同,减小CS是提高分辨率的途径之一 4
第二节 高分辨电子显微像的原理
一、样品透射函数 用样品透射函数q(x,y),以描述样品对入射电子波的散射 q(x, y) = A(x, y)exp[iφt(x, y)] (12-2) 式中,A(x, y)是振幅,且 A(x, y) = 1为单一值; φt(x, y)是相 位,样品足够薄时,有 V ( x, y , z ) dz Vt ( x, y ) (12-8) 式中, = /E为相互作用常数。上式表明,总的相位移动 仅依赖于晶体的势函数V(x, y, z)。忽略极小的吸收效应,则 q(x, y) = 1 + i Vt(x, y) (12-10) 这就是弱相位体近似, 弱相位体近似表明, 对于非常薄 的 样品, 透射函数与晶体的投影势呈线性关系, 且仅考虑 晶
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↓ 物镜引起的相位的变化 ↑ 物镜的球差系数
↓
物镜的离焦量
C 像平面上形成高分辨电子显微像
像平面的电子散射振幅可由后焦面散射振幅的 傅里叶变化得到
(u, v) F [C (u, v)Q(u, v)];
C (u, v)表示物镜光阑的作用, 即 C(u, v) 1( u 2 v 2 r ) 0( u 2 v 2 r ); r物镜光阑半径
7.2高分辨电子显微成像原理
透射电子显微像的两种衬度获取方式 (a)常规透射吸收衍射振幅衬度像:NiAl(7)合金中的第7.2相和位 错组态(b)Nb2O5的高分辨电子显微模式的相位衬度像
7.2高分辨电子显微成像原理
图(a)与图(b)的比较: 1)都经过了由试样物面(实空间) →物镜后焦面处 获取衍射谱(倒易空间) →像平面处获取图像(实 空间). 2)电子束入射到试样是为了获取试样的普遍结构 信息,即衍射谱. 3)两种不同衬度像反映的结构细节的层次是和参 加成像的衍射束的多少相对应的.每一束衍射束 都携带着一定的结构信息,参加成像的衍射束越 多,最终成像所包含的试样结构信息越丰富,即 层次越高越逼真.
2 V (1 1 2 )
式中
/ c
(7.2)
h eV 2 me eV (1 ) 2 2meC
(7.3)
式中,h为普朗克常数,me为电子 质量;e为电子电荷,为电子速度, c为光速
在试样厚度比较小 (7.1)式可近似为
z(2~3nm)
(7.4) 由上式可知,电子显微镜加速电压越低, 物质内势越大,由试样引起的入射电子相 位变化 ( x, y) 也越大。
(7.8) (7.7)
若不考虑像的放大倍数 ,像平面上像的强度为 像平面 上电子散射振幅的平方 ,即振幅及其共轭的乘 积: I( x, y ) * ( x, y ) ( x, y ) | 1 iF{C (u, v) F [ ( x, y )] exp(i (u, v))}|2 ; (7.9)
7.2高分辨电子显微成像原理
4)衍射谱的质量,即它能否逼真地充分地携带物 样的结构信息,与电子束的性质(能量稳定性和 束直径大小)以及物镜的设计质量和性能密切 相关.
7.2高分辨电子显微成像原理
7.2.1高分辨电子显微像的成像过程
入射电子束作用于试样晶体的静电势,在试样下表 面形成出射波q(r), q(r)中携带着与电子发生作用的 晶体结构的信息(晶体的投影电势 (r )),它反映 了晶体结构沿入射电子束方向的投影。相对于下面 的物镜而言,出射波就是物波;穿过物镜,在物镜 的后焦面处形成衍射波Q(H)。 即q(r)(实空间) →FT → Q(r)(倒空间).在后焦面处Q(H)*物镜传递函数 T(H) →FT → 物镜像平面处的第一次成像的物波 Ψ(r)(实空间)。 Ψ(r)和q(r)是对应的, 可有Ψ(r)解析 出q(r)中的 (2
2.4Cs
1 4
3 4
, (7.15) 0, } r
{ (u , v) 1200 , 令u 2 v 2 r 2 ,
电子显微镜的分辨率为 : d s (u 2 v 2 )
1 2
0.65Cs , (7.16)
1 4
3 4
7.2.1.3厚试样的高分辨电子显微 像
像模拟方法:此法先假设一种原子排列模型, 然后根据电子波成像的物理过程进行模拟计算, 以获得模拟的高分辨像。如果模拟像与实验像 相匹配,便得到了正确的原子排列结构像。
7.2高分辨电子显微成像原理
下面介绍几个基本概念 衬度传递函数T(H):是一个反映透射电子显微 像成像过程中物镜所起作用的函数,它是一个 与物镜球差、色差、离焦量和入射电子束发散 度有关的函数。一般来说,它是一个随着空间 频率的变化在+1与-1间来回震荡的函数。 相位体(phase object):电子波与物体作用后 如果只改变波的相位而波振幅不变,这种物体 成为相位体,反之称振幅体。
7.2高分辨电子显微成像原理
相位衬度当透射束和至少一束衍射束同时通过 物镜光阑参与成像时,由于透射束与衍射束的 相干作用,形成一种反映晶体点阵周期性的条 纹(晶格)像和结构像。这种像衬度的形成是 透射束和衍射束相位相干的结果,故称为相位 衬度。获得的像的衬度与样品结构之间具有完 全一一对应关系的高分辨像称之为晶体结构像, 或原子像;除反映点阵周期,还反映晶体的结 构。
7.2.1.1薄试样高分辨电子显微像
A 入射电子与试样物质的相互作用
设试样为薄晶体,忽略电子吸收,在相位体近似下, 只引起入射电子的相位变化,用下述透射函数(出 射波函数)表示试样经受入射电子的作用: q( x, y) exp(i ( x, y)z ) ( 7.1)
经受试样作用较之真空中传播的电子,入射电子只发生 了相位变化 ( x, y )z ;σ加速电压决定的 量。 ( x, y ) 反应晶体势场沿电子束入射方向分布并受晶体 结构调制的波函数。
7.2高分辨电子显微成像原理
由于成像条件(Cs、λ、Δf)的原因,这些高分 辨像无法正确地显示轻重原子列的位置,而只 能反映出晶体的平移周期性,这种高分辨像一 般称为晶格像。 聚焦漂移:聚焦随着时间向欠焦一侧或过焦一 侧移动的现象。 像散:电子透镜由于设计和加工精度的原因,其 工作状态难免存在畸变,意味着正焦点的位置 随方向而异,这种像差称为像散。
当试样非常薄时,可用 I ( x, y) 1 2 ( x, y) 给出电子衍射像的衬度:而当试样厚度达到 5nm以上时用式 q( x, y) 1 i ( x, y) 弱相位体近 似和 q( x, y) exp(i ( x, y)z ) 相位体近似 的处理就不够了。
(1)第一薄层内物质 对入射波的作用:看 成是在晶体上表面发 生了由式
q( x, y) exp( ( x, y)z ) i
从图像确定结构的途径
从图像Ψ(r) →出射波q(r)并从中解析出晶体结构 (r )。 从图像Ψ(r) → (r ),从图像直接求出晶体结构。 从一张“离轴电子全息图”或多张“欠焦系列或倾转 系列”的实验高分辨像,重新构造出样品下表面的出 (r 射波q(r),然后又q(r)解读出 ) 。 高分辨电子显微像与电子衍射相结合测定晶体结构的 两步图像法。即:将一幅在任意离焦条件下拍摄的高 分辨像借助最大熵原理或衍射分析中的直接法进行解 卷处理,可将该像转换为结构像。然后将此结构像和 电子衍射强度结合起来,进行相位外推可得到高分辨 率的结构像。
一般说: 黑点处是有原子的位置,黑衬度也有深浅, 深黑衬度对应Z较大的原子,浅黑衬度对应Z 较小的原子:两个向邻近的原子其像衬度也可 连在一起,这涉及电子显微镜的分辨率。
7.2.1.2电子显微镜的分辨率
对实际电子显微镜最佳聚焦量(谢尔策聚焦值) 1 由下式表示: f 1.2(Cs ) 2 (7.14) 规定 f 的符号在欠焦一侧取值为正。 此时散射波相位没有破坏,还能成像,其高波 数一侧的边界可由下式表示:
左上插图是结构原子 位置模型示意图。照 片上相应于重原子Tl 和Ba的位置出现大黑 点,而环绕它们的周 围则呈现亮的衬度。 插图中从最上一个Ba 原子到最下一个Ba原 子之间的4个Cu原子 和3个Ca原子和它们 的周围通道也呈亮衬 度。
Tl 系超导氧化物的高分辨电子显微像 TlBa2Ca3Cu4O11粉碎法制备,400kV电 子显微镜,沿[010]入射
Q( u, v) F [q( x, y) 像面波 (u, v) Q(u, v) exp(i (u, v)) F [q( x, y)]exp(i (u, v)) ( u, v) iF[ ( x, y)] exp[i (u, v))
↓ ↓ (7.5)
透射波
衍射波
(u, v) {f(u v ) 0.5Cs (u v ) } (7.6)
7.2高分辨电子显微成像原理
最佳欠焦条件(optimum underfocuscongdition):相位衬度电子显微像成像时使像能 最真实反映物体结构的物镜离焦条件,这个离 焦条件总是在欠焦的一端。 系列离焦像(through focus series of images) :系列离焦像是保持其他成像条件不变,只改 变离焦量而拍摄的一系列像。
7高分辨电子显微学
主要内容
7.1引言 7.2高分辨电子显微成像原理 7.3高分辨电子显微观察和拍摄图形的程序 7.4高分辨电子显微方法的实践和应用
7.1引言
概念:高分辨电子显微术是运用相位衬度成像 的一种直接观测晶体结构和缺陷的技术。 历史:1956年门特用分辨率为0.8nm的透射电 子显微镜直接观察到酞箐铜晶体的相位衬度像 这是高分辨电子显微学的萌芽;在20世纪70年 代,解释高分辨像成像理论和分析技术的研究 取得了重要进展;实验技术的进一步完善,以 及以J.M.Cowley的多片层计算分析方法为标志 的理论进展,宣布了高分辨电子显微学的成熟.
下面介绍考虑了电子与实样物质交互作用过 程中透射束与衍射束以及衍射束之间的动力学 Cowley Moodie 多层片法。 交互作用的
Cowley Moodie
多层片法的要点是:
把试样沿垂直于电子入射方向分割成许 多薄层,将每一层看作一个相位体:上层 的衍射束看成下层的入射束,并要考虑上 层到下层之间的菲涅尔传播过程。薄片层 的厚度一般取0.2-0.5nm各层的作用视为由 两部分组成:一是由于物体的存在使相位 发生变化。:二是在这个厚度范围内播的 传播。
(a)反映了晶体中 重原子或轻原子 列沿电子束方向 的势分布;(b) 是电子显微像上 强度的分 布,可 知 ( x, y) 具有比1小得多的 值。 由于重原子列具 有较大的势((a) 中心峰高),像 强度弱(负峰)。 可见(a)(b) 反映了由试样中 轻重原子的差异 所带来的像上衬 度的差异。