模拟电子技术试题及答案.pptx
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术试卷2附答案
考试科目 《模拟电子技术》 专业 （A 类B 卷）学号 姓名 考试日期： 年 月 日一、选择题(8小题,每空2分，共20分)1．电路如图所示，()V sin 05.0i t u ω=，当直流电源电压V 增大时，二极管V D 的动态电阻将__ __。
A ．增大，B ．减小，C ．保持不变2．已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的)GS(th U ＝4V 。
GS u =3V ，DS u =10V ，判断管子工作在 。
A ．恒流区，B ．可变电阻区 ，C ．截止区3. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时，输出电压为 4V ；输入电压为 0.2V 时，输出电压为 8V （均指直流电压）。
则该放大电路的电压放大倍数为________________。
A ．80 ，B ．40，C ．－40，D ．20 4. 在某双极型晶体管放大电路中，测得)m V 20sin (680BE t u ω+=，A μ)10sin (20B t i ω+=，则该放大电路中晶体管的_ ___。
A ．2，B ．34，C ．0.4，D ．15. 差分放大电路如图所示。
设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。
若R e 增加，差模电压放大倍数d u A 。
A ．增大，B ．减小，C ．基本不变6. 为使其构成OCL 电路，V 2CES ≈U ，正常工作时，三极管可能承受的最大管压降≈CEmax U 。
A ．36VB ．34VC ．32VD ．18V(-18V)7. 已知图示放大电路中晶体管的＝50，＝1k 。
该放大电路的中频电压放大倍数约为___ _ _（A ．50， B ．100， C ．200）；下限截止频率约为___ __Hz（A ．16， B ．160， C ．1.6k ）；当输入信号频率f ＝时，输出电压与输入电压相位差约为 _ _（A ．45°， B ．－45°， C ．－135°， D ．－225°）。
《模拟电子技术》试卷(十套附答案)
《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级：姓名总分：一、填空（每空1分，共15分）1. 二极管最主要的特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）。
2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。
３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。
４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。
５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。
６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。
二、选择题（每空2分，共10分）1. 在图示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则（）。
A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（）。
Ａ. 减小温漂Ｂ.增大放大倍数Ｃ. 提高输入电路Ｄ. 减小噪声３. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）负反馈。
Ａ. 电压串联Ｂ. 电压并联Ｃ. 电流串联Ｄ. 电流并联４. 欲实现Au＝-100的放大电路，应选用（）电路。
模拟电子技术考试模拟题+答案
模拟电子技术考试模拟题+答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、在基本放大电路中,影响直流负载线斜率大小的是( )A、RB的值B、Ucc的值C、RC的值D、β值正确答案：C2、电容的单位换算正确的是( )A、1F=1000000μFB、1μF=1000000pFC、1μF=10-6FD、以上都是正确答案：C3、为了提高交流放大电路的带负载能力，应选用( )作为输出级。
A、共发射极放大电路B、功率放大器C、射极输出器D、都可以正确答案：C4、功率放大电路的转换效率是指( )。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、输出功率与信号输入功率之比正确答案：B5、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A6、当用万用表不同电阻挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为( )A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、以上答案均不正确正确答案：B7、串联谐振是指电路呈纯( )性。
A、电阻B、电感C、电抗D、电容正确答案：A8、电阻47KΩ±1%的色环为( )。
A、黄-紫-橙-金B、黄-紫-红-黑-棕C、黄-紫-黑-橙-棕D、黄-紫-黑-红-棕正确答案：D9、稳压二极管两端电压变化量与通过它的电流空化量之比值称为稳压二极管的动态电阻。
稳压性能好的稳压二极管的动态电阻( )A、较小B、较大C、还与其他因素有关D、大小均一样正确答案：A10、安装桥式整流电路时，若将其中一只二极管虚焊，则通电工作时可能产生的后果是( )。
A、输出电压的极性改变B、输出电压只有原来的一半C、两只二极曾烧坏D、只有应焊的一只二极管烧坏正确答案：B11、在固定偏置放大电路中，如果负载电阻增大，则电压放大倍数( )A、增大B、无法确定C、减小D、不变正确答案：C12、由NPN型管构成的基本共射放大电路,输入是正弦信号，若从示波器显示的输出信号波形发现底部(负半周)削波失真，则该放大电路产生了( )失真。
模拟电子技术期末试卷及答案5套
学院 202 -202 学年第 学期《模拟电子技术》试卷（A 卷 专业 级）考试方式： 闭卷 本试卷考试分数占学生总评成绩的 60 %（本题共5小题，每小题4分，共 20 分）一、填空题 1.多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用 耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用 耦合方式。
2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I 1=1.2mA 、I 2=0.03mA 、I1=1.23mA 。
由此可知：电极1是 极，电极2是 极，电极3是极。
若已知I 1电流方向流入晶体管，则I 2电流方向与I 1电流方向 、I 3电流方向与I1电流方向 。
3. 硅二极管导通压降的典型值是 V 、锗二极管导通压降的典型值是 V ；NPN 型管的集电极电流和基极电流 晶体管；PNP 型管的集电极电流和基极电流 晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于 失真；幅频失真和相频失真属于 失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为 反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为 反馈。
放大电路通常采取 反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是 元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在 状态。
（本题共10小题，每小题1分，共10分）二、 判断正、误题 1. 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） 2. PN 结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
（ ） 3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。
（ ） 4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V 。
（ ）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。
模拟电子技术考试试题汇总及答案
参考答案
一、1.C 2.D 3.B 4.A 5.图1(C) B 6.C 7.C 8.A
二、1．-Rf/R12.虚短和虚断 3.反馈网络、选频网络 4.方波
5.单向导电性。6. 石英晶体
如何调整？⑶若 , 和 的 ， ，
，假设 、 、 中任意一个开路，将会产生什么后果？
⒋在图5-3桥式整流、电容滤波电路中,U2=12V(有效值)，RL=20Ω, C=2000µF。试问：①正常时 ？②如果电路中有一个二极管开路， 是否为正常值的一半？③如果 为下列数值，可能出了什么故障？
(a) (b) (c)
（5）假设图a放大电路的输入电阻和输出电阻均为4k ，图d的输入电阻为60k ，输出电阻为50 ，当用图a和d构成两级放大电路，其输入信号取自内阻为200 的电压源信号，输出端带4k 负载时，试问：由图a作为第一级、图d为第二级时电压增益的值大，还是图d为第一级、图a为第二级时电压增益的值大？
图3
三、(1)(a) CE (b) CB (c) CS (d) CC
（2）c
（3）d
（4）b
（5）a—d
四、（10分）
电路如图4所示。
（1）R5、R6和T4构成的电路有什么作用？
（2）希望在不增加其它任何元器件情况下，通过图中反馈电阻Rf引入负反馈，以稳定输出电压 。试画出反馈通路的连线，并说明该反馈是什么组态；
（3）假设引入的负反馈为深度负反馈，可忽略T2、T3的饱和管压降。当电路输入幅值为300mV的正弦波信号时，若要求负载电阻RL上得到最大不失真输出电压，反馈电阻Rf应取多大？此时负载获得的功率有多大？
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3.三极管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地电位分别为：UA = -5 V、UB = -8 V、UC = -5.2 V，则三极管对应的电极是：A 为 极、B 为 极 、C 为 极，晶体管为 型三极管。 4.在图示电路中 2CW5 的参数为：稳定电压 Uz = 12 V，最大稳定电流 IZmax = 20 mA。图中电压表中流过的电流忽略不计。当开关 S 闭合时，电 压表 V 和电流表A1、A2 的读数分别为 、 、 ；当开关S 断开时，其读数分别为 、 、 。
六、图为一高通有源滤波电路。设 A 为理想运算放大器，试推导传递函数 Uo(jw)/Ui(jw) 的表达式，并求出截止频率 fp。(8 分)
七、在图示两个电路中，A 为理想运算放大器，输出电压的极限值为 Uomax。 1. 指出这是两个什么类型的电路； 2. 画出它们的电压传输特性。(10 分)
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A. 差模输入电压为 10 mV，共模输入电压为 10 mV。 B. 差模输入电压为 10 mV，共模输入电压为 20 mV。 C. 差模输入电压为 20 mV，共模输入电压为 10 mV。 D.差模输入电压为 20 mV，共模输入电压为 20 mV。 4．通用型集成运 放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
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练习一 一 、 填 空 (16 分 ) 1．半导体二极管的主
要特性是
。
2. 三极管工作在放大区时，发射结为 偏置，集电结为
偏置；工作在饱和区时发射结为 偏置，集电结为 偏置。
3. 当输入信号频率为 fL 和 fH 时，放大倍数的幅值约下降为中频时的 倍，或者是下降了 dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为
八、题图电路为两个三端集成稳压器，已知电流 IQ = 5 mA。 1．写出图(a)中的I0 的表达式，并算出具体数值；
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2. 写出图(b)中的Uo 的表达式，并算出当 R2 = 5 W 时的具体数值； 3. 指出这两个电路分别具有什么功能。(9 分)
九、画出图中各电路的电压传输特性，要求 uI 的变化幅度足够大，并在图中表明有关数值。设所有集成运放具有理想的特性，所有电源电压为 ±12 V。(12 分)
6. 甲类放大电路是指放大管的导通角为 ；乙类放大电路则其放大管的导通角为 ；在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为 。 二、选择正确答案填空(9 分) 1．图示电路中二极管是理想的，电阻 R 为 6Ω。当普通指针式万用表置于 R X 1 Ω 档时，用黑表笔(通常带正电)接 A 点，红表笔(通常带负电) 接 B 点，则万用表的指示值为 。
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练习二
一、填空：(18 分) 1．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用 耦合方式，为了实现阻抗变换，使信号与负载间有较好的配合，放大电 路应采用 耦合方式。
2. 在三极管多级放大电路中，
，总的电压增益 = ；Au1 是 放大器；Au2 是 放大器；Au3 是 放
大器。 3. 单相桥式整流电路中，若输入电压 U2 = 30V，则输出电压Uo = V；若负载电阻RL = 100 W，整流二极管ID(AV) = A。 4. 文氏桥正弦波振荡器用 网络选频，当这种电路产生正弦波振荡时，该选频网络的反馈系数(即传输系数) 、jF = 。 5.在信号处理电路中，当有用信号频率低于 10 Hz 时，可选用 滤波器；有用信号频率高于 10 kHz 时，可选用? 滤波器；希望抑制 50 Hz 的交流 电源干扰时，可选用? 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 滤波器。
三、判断下列管子的工作状态(10 分) 1. 测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图所示，试判断它们分别工作在什么状态(饱和、截止、倒置)。设所有的三极管和二极管均为硅管 2. 电路如图所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(饱和区、夹断区、可变电阻区)。
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四、图示差分放大电路中，调零电位器 RP 的动端处在中点位置，已知 b1 = b2 = 50，UBE1 = UBE2 = 0.7 V，其它参数如图所示。 1．求静态工作点(IB、IC、UCE)； 2．画出半边对称放大电路的微变等效电路； 3．当 uS1 = -uS2 = 10 mV 时，求 uO = ？(12 分)
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四、图示运算放大电路中，已知 uI1 = 10 mV，uI2 = 30 mV，求 uO = ？(10 分)
五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示，试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率(8 分)
六、分析图示两个电路的级间反馈。回答：(12 分) 1．它们是正反馈还是负反馈？ 2. 是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有？ 3. 它们属于何种组态？ 4. 各自的电压放大倍数大约是多少？
A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示 电路中,Ri 为其输入电阻，RS 为常数，为使下限频率 fL 降低，应( )。 A．减小 C ，减小Ri B．减小 C，增大 Ri C．增大 C，减小Ri D．增大 C，增大 Ri 6．如图所示复合管，已知 V1 的 b1 = 30，V2 的 b2 = 50，则复合后的 b 约为( )。 A．1500 B．80 C．50 D．30 7．RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即 RC 串并联选频网络和( )。 A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路 C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路 8．已知某电路输入电压和输 出电压的波形如图所示，该电路可能是( )。 A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器
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七 、 电 路 如 图 所 示 。 试 回 答 ： 1． 该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件？ 2. 如不满足，应如何改动使之有可能振荡？如果满足，则它属于哪种类型的振荡电路？ 3. 在满足振荡条件的情况下，电路的振荡频率为多少？(10 分)
八、电路如图所示，已知稳压管 DZ 的稳压值 UZ = 6 V，IZmin = 5 mA，IZmax = 40 mA，变压器二次电压有效值 U2 = 20 V，电阻 R = 240Ω，电 容 C = 200 μF。求：(8 分) 1. 整流滤波后的直流电压 UI(AV) 约为多少伏？ 2. 当电网电压在 ±10%的围内波动时，负载电阻允许的变化范围有多大？
八、在图示电路中，Rf 和 Cf 均为反馈元件，设三极管饱和管压降为 0 V。
1
．为稳定f = 10，确定 Rf = ？ 3. 求最大不失真输出电压功率 Pomax = ？以及最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少？(12 分)
练习四
一、填空(20 分) 1.在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V；锗二极管的门槛电压约为 V，导通后在较大电流下的正 向压降约为 V。 2. 场效应管属于 控制型器件，而晶体三极管则是 控制型器件。 3.某场效应管的转移特性曲线如图所示，由此可知该管是 (N 或 P)沟道 (增强或耗尽)型的 (结型或绝缘栅)场效应管，图中 UGS = －2 V 称为该 管的 电压。
5. 若三级放大电路中 Au1 = Au2 = 30 dB，Au3 = 20 dB，则其总电压增益为 dB，折合为 倍。 6. 差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻 RE，使电路的RiC 、∣Auc∣= 、共摸抑制比= 。 7. 三端集成稳压器 CW7912 的输出电压为 V，而 CW7809 的输出电压则为 V。 二、已知图示电路中的三极管 b = 60，rbb￠ = 200 W,UBEQ = 0.7 V，RB1 = RB2 = 150 kW，RC = 5.1 kW，Rs = 300 W，Vcc = 12 V。试求：
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4．已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为： 表明其下限频率为 ，上限频率为 ，中频的电压增益为 dB，输出电压与输入电压在中频段的相位差为 。 5．在双端输入、双端输出的理 想差分放大电路中，若两个输入电压 DUI1 = DUI2，则输出电压 DUo = 。若 DUI1 = +1500 mV，DUI2 = +500 mV 则可知差动放大电路的输入 差模电压 DUId = ，差模输入信号分别为 DUId1 = ，DUId2 = ，共模输入信号 DUIc = 。 6．设计一个输出功率为 20 W 的扩音机电路，若用乙类推挽功率放大，则应选至少为 W 的功率管两个。 二、两级放大电路如图所示，已知三极管 b1 =b2 =50，rbe1 = 1.6 kΩ，rbe2 = 1.3 kΩ，各电容的数值都足够大，在中频区可视为短路。 (共 14 分) 1. 试说明 V1 和 V2 各组成什么电路组态？ 2. 画出中频区的 H 参数微变等效电路； 3. 计算放大器的输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro； 4. 计算中频区源电压放大倍数 Aus。
五、已知集成运放的 BWG = 1 MHz，试估算图示交流放大电路的下限频率和上限频率。(8 分)
学海无 涯
六、图示电路中各运算放大器是理想的，试写出各输出电压 Uo 的值。(10 分)
七、电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数 Auf。 (10 分)
二、选择正确答案填空(24 分)
区域。
1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该 管为( )。 A．P 沟道增强型MOS 管 B．P 沟道结型场效应管 C．N 沟道增强型MOS 管 D．N 沟道耗尽型MOS 管 3. 在图示 2 差分放大电路中，若 uI = 20 mV，则电路的( )。