常用晶体管3极管资料大全
晶体三极管的结构和类型
晶体三极管的结构和类型双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管PN结。
正向偏置的EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流I C。
在共发射极晶体管电路中, 发射结在基极电路中正向偏置, 其电压降很小。
绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。
由于V BE很小，所以基极电流约为I=5V/50kΩ=0.1mA。
B如果晶体管的共发射极电流放大系数β=I C / I B=100, 集电极电流I C=β*I B=10mA。
在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流i b，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/i b=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。
当栅G 电压V G增大时，p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。
当表面达到反型时，电子积累层将在n+ 源区S 和n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。
当V DS≠0时，源漏电极之间有较大的电流I DS流过。
使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压V T。
当V GS>V T并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的V DS下也将产生不同的I DS, 实现栅源电压V GS对源漏电流I DS的控制。
二、晶体管的命名方法晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。
三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。
三极管的参数解释
三极管的参数解释三极管的参数解释△λ---光谱半宽度△VF---正向压降差△Vz---稳压范围电压增量av---电压温度系数a---温度系数BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo---基极开路，CE结击穿电压BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压Cib---共基极输入电容Cic---集电结势垒电容Cieo---共发射极开路输入电容Cies---共发射极短路输入电容Cie---共发射极输入电容Cjo/Cjn---结电容变化Cjo---零偏压结电容Cjv---偏压结电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容CL---负载电容（外电路参数）Cn---中和电容（外电路参数）Cob---共基极输出电容。
在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coeo---共发射极开路输出电容Coe---共发射极输出电容Co---零偏压电容Co---输出电容Cp---并联电容（外电路参数）Cre---共发射极反馈电容Cs---管壳电容或封装电容CTC---电容温度系数CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比Ct---总电容Cvn---标称电容di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率D---占空比ESB---二次击穿能量fmax---最高振荡频率。
当三极管功率增益等于1时的工作频率fT---特征频率f---频率h RE---共发射极静态电压反馈系数hFE---共发射极静态电流放大系数hfe---共发射极小信号短路电压放大系数hIE---共发射极静态输入阻抗hie---共发射极小信号短路输入阻抗hOE---共发射极静态输出电导hoe---共发射极小信号开路输出导纳hre---共发射极小信号开路电压反馈系数IAGC---正向自动控制电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值IB---基极直流电流或交流电流的平均值Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE 为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流ICMP---集电极最大允许脉冲电流ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
三极管命名及使用
同一器件的
不同档次
符 意义
号
A、 B、 C…
表 器 改 型
示 件 进
例如 1N4148 表示开关二极管，2N3464 表示高频大功率 NPN 型硅管。
2.3 日本半导体器件命名法
表 2-17 日本半导体器件命名法
第一部分
第二部分
用数字表示器件 用 字 母 表 示 半
的电极数目
导体器件
符 意义 符
号
号
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
用符号表示器 件的等级
符 意义
号 J 军品
非军品 无
用数字表示 PN 结 数目
符 意义
号 1 二极管 2 三极管
3 四极管
用字母表示材 料
符 意义
号
表示不加 热即半导 N 体器件
用数字表示器 件登记序号
符号 意 义
2～4 登 记 位 顺序 数字 号
用字母表示
CS9018 310 100 12
8050 1000 1500 25
0.5
0.6
0.5
0.6
0.05 0.3 0.5
0.05 0.7 0.05 0.3 0.05 0.5 0.05 0.5
64
78
96
118 150
144
64
78
96 118 150
144
60
60
100 200 150
400
60 50
60
第四部分 用 2～3 位数字 表示器件登记 顺序号
第五部分 用拉丁字母表 示同一种型号 器件的改进型
例如 2SA53 表示高频 PNP 型三极管，1S92 表示半导体二极管。
晶体管的参数
晶体管的参数晶体管是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子设备中，如计算机、手机、电视以及各种电子仪器仪表中。
在电子技术领域，晶体管的参数是评估其性能与特性的重要指标。
本文将介绍晶体管的一些常见参数及其相关参考内容。
1. 器件类型：晶体管根据其结构和工作原理可以分为多种类型，包括普通二极管、NPN型和PNP型晶体管、场效应晶体管等。
对于不同类型的晶体管，其参数也会有所不同。
2. 极间电容（Cj）：晶体管的结构中存在着不同电势的极之间的电容，极间电容即指的是这种电容。
它会对高频特性产生影响。
Cj的值越小，晶体管的高频性能越好。
可以参考不同型号晶体管的数据手册，寻找其Cj值。
3. 最大耗散功率（Pd）：晶体管的最大耗散功率是指器件能承受的最大功率，过多的耗散功率会导致晶体管工作不稳定，甚至损毁器件。
因此，选择一个适合工作条件的晶体管时，必须注意其最大耗散功率的额定值。
可以在晶体管的数据手册中查找相关信息。
4. 比输入电容（Cin）：晶体管接收输入信号时的输入电容，其值与晶体管的增益、频率响应等有关。
较大的输入电容会导致信号源与晶体管之间的不匹配，影响信号的输入和输出。
数据手册中可以找到晶体管的输入电容值。
5. 最大搜线速度（fT）：最大搜线速度是指晶体管的最高工作频率。
它是晶体管的一个重要参数，直接影响到晶体管在高频电路中的应用能力。
查阅数据手册可以找到晶体管的最大搜线速度。
6. 饱和电流（Isat）：在晶体管的饱和区工作时，其主电流达到的最大值。
饱和电流取决于晶体管的材料和结构，并直接影响晶体管的功耗和工作特性。
可以在晶体管数据手册中找到相应的饱和电流值。
7. 最大集电极电流（Icmax）：晶体管集电极能承受的最大电流。
超过最大集电极电流时，晶体管可能会烧毁或损坏。
因此，在使用晶体管时，需要根据实际需求选择合适的最大集电极电流值。
8. 失真参数：晶体管在工作过程中会引入一定的失真，如基极电流的非线性变化导致的失真。
常用场效应管及晶体管参数表
设计、制作常用二极管资料大全29RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97DO-201AD 30RM4Z-RM4C3A 200-1000V 0.97DO-201ADI F V RRM V F Trr A V V μs 11F1-1F71A 50-1000V 1.30.15-0.5R-12FR10-FR601A-6A 50-1000V 1.30.15-0.531N4933-1N49371A 50-600V 1.20.2DO-4141N4942-1N49481A 200-1000V 1.30.15-0.5DO-415BA157-BA1591A 400-1000V 1.30.15-0.25DO-416MR850-MR8583A 100-800V 1.30.2DO-201AD 7EU1-EU20.25A-1A100-1000V1.30.4DO-41820DF1-20DF102A 100-1000V 1.30.2DO-15930DF1-30DF103A 100-1000V 1.30.2DO-201AD10RU1-RU40.25A-3A 100-1000V 1.30.411ERA22-02～100.5A 200-1000V 1.30.4R-112ERA18-02～100.8A200-1000V1.30.4R-113ERB43-02～100.5A 200-1000V 1.30.4DO-4114ERB44-02～101A 200-1000V 1.30.4DO-1515ERC18-02～10 1.2A 200-1000V 1.30.4DO-1516ERD28-02～10 1.5A 200-1000V 1.30.4DO-201AD 17ERD29-02～10 2.5A 200-1000V 1.30.4DO-201AD 18ERD32-02～103A 200-1000V 1.30.4DO-201AD 19ERD09-13～153A1300-1500V1.50.6R-51SK1-02～30 1.5A 200-3000V 1.3-40.5-1DO-152SK2-02～301A 200-3000V 1.3-40.5-1DO-413SK3-02～302A 200-3000V 1.3-40.5-1DO-154SK4-02～300.5A 300-3000V 1.3-40.5-1DO-4152CG04-2CG300.2A 300-3000V 1.3-40.5-1DO-4112CN1-2CN1C 1A 200-1200V 1.32DO-4122CN2D-2CN2M 0.5A 200-1000V 1.32DO-4132CN3D-2CN3M 1A 200-1000V 1.36DO-4142CN4D-2CN4M 1.5A 200-1000V 1.30.8DO-1552CN5D-2CN5M 1.5A 200-1000V 11DO-1562CN6D-2CN6M1A200-1000V1.36DO-41（1）快恢复塑封整流二极管（2）SK、2CG系列快恢复整流二极管（3）快恢复塑封阻尼二极管2.快恢复塑封整流二极管序号型号外形72CN12D-2CN12M3A200-1000V 1.31DO-201AD8RH1Z-RH1C0.6A200-1000V 1.34DO-41 9TVR4J-TVR4N 1.2A600-1000V 1.220DO-151ERA34-100.1A1000V30.15R-12ERA32-02～101A200-1000V 1.30.1DO-413ERB32-02～101.2A200-1000V 1.30.1DO-154ERC30-02～101.5A200-1000V 1.30.1DO-155ERC32-02～103A200-1000V 1.30.1DO-201AD6EG01E-EG01C0.5A200-1000V20.1DO-41 7EG1E-EG1C1A200-1000V 1.80.1DO-41 8RG10Z-RG10C 1.2A200-1000V20.1DO-15 9RG2Z-RG2C 1.5A200-1000V 1.80.1DO-15 10RG4Z-RG4C3A200-1000V20.1D0-201ADI F V RRM V F TrrA V V ns1SF10-SF501-5A50-1000V0.95-1.7352SF80-SF1608-16A50-600V0.95-1.435TO-220 3EGP10-EGP501-5A50-200V 1.1354ERC38～04-ERC38～101A400-1000V 1.750DO-415RL2-RL2C2A400-1000V 1.750DO-15 6RL3-RL3C3A400-1000V 1.750DO-201AD71H1-1H81A50-1000V 1.1-1.750-75R-18HER10-HER601-6A50-1000V 1.1-1.750-759HER80-HER1608-6A50-1000V 1.1-1.750-75TO-22010UF10-UF601-6A50-1000V 1.1-1.750-7511EL1Z-EL1 1.5A200-350V 1.350DO-151MUR120-MUR11201A200-1200V0.95-1.535-50DO-412MUR420-MUR41204A200-1200V0.95-1.635-75DO-201AD3MUR820-MUR81208A200-1200V 1.3-2.135-75TO-220AC4MUR1020-MUR1012010A200-1200V 1.3-2.135-75TO-220AC5MUR1520-MUR1512015A200-1200V 1.3-2.135-75TO-220AC6MUR2020-MUR2012020A200-1200V 1.3-2.135-75TO-220AB7MUR3020-MUR3012030A200-1200V 1.3-2.135-75TO-247AD（2）MUR超快恢复整流二极管4.超快恢复塑封二极管序号型号外形（1）超快恢复塑封二极管3.超高频塑封二极管8MUR6020-MUR6012060A200-1200V 1.3-2.135-75TO-247AD1RHRP820-RHRP81208A200-1200V 2.1-3.235-70TO-220AC2RHRP1520-RHRP1512015A200-1200V 2.1-3.240-75TO-220AC3RHRP3020-RHRP3012030A200-1200V 2.1-3.245-75TO-220AC4RHRG3020-RHRG3012030A200-1200V 2.1-3.245-75TO-247AC5RHRG5020-RHRG5012050A200-1200V 2.1-3.250-100TO-247AC6RHRG6020-RHRG6012060A200-1200V 2.1-3.245-75TO-247AD1BYW29-100～2008A100-200V 1.125TO-220AC2BYV29-300～5009A300-500V 1.2560TO-220AC3BYQ28-100～20010A100-200V 1.120TO-220AB4BYT28-300～50010A300-500V 1.460TO-220AB5BYV79-100～20014A100-200V 1.330TO-220AC6BYT79-300～50014A300-500V 1.460TO-220AC7BYV32-100～20020A100-200V 1.125TO-220AB8BYV34-300～50020A300-500V 1.160TO-220AB9BYV42-100～20030A100-200V 1.128TO-220AB10BYV44-300～50030A300-500V 1.2560TO-220ABI F V RRM V FA V V11N5817-1N58191A20-40V0.45-0.6DO-4121N5820-1N58223A20-40V0.45-0.6DO-201AD3SRT12-SRT1001A20-100V0.55-0.85R-14SR10-SR501-5A20-100V0.55-0.855SB120-SB1B01A20-100V0.55-0.85DO-41 6SB220-SB2B02A20-100V0.55-0.85DO-15 7SB320-SB3B03A20-100V0.55-0.85DO-201AD 8SB520-SB5B05A20-100V0.55-0.85D0-201AD9ERA81-002～0091A20-90V0.55-0.9DO-4110ERB81-002～0092A20-90V0.55-0.9DO-15（1）肖特基塑封整流二极管（3）RHRP、RHRG超快恢复二极管（4）BYV29～79、BYT28～79超快恢复二极管5.肖特基整流二极管序号型号外形11ERC81-002～0093A20-90V0.55-0.9DO201AD12EK03-EK091A20-90V0.55-0.81DO-41 13EK13-EK19 1.5A20-90V0.55-0.81DO-15 14EK33-EK392A20-90V0.55-0.81DO-15 15EK43-EK493A20-90V0.55-0.81DO-201AD1MBR1020-MBR106010A20-60V0.57-0.8TO-220AC2MBR1620-MBR166016A20-60V0.57-0.8TO-220AC3MBR2020CT-2060CT20A20-60V0.57-0.8TO-220AB4MBR2520CT-2560CT25A20-60V0.57-0.8TO-220AB5MBR3020PT-3060PT30A20-60V0.57-0.8TO-247AD6MBR4020PT-4060PT40A20-60V0.57-0.8TO-247AD7MBR6020PT-6060PT60A20-60V0.57-0.8TO-247AD8PBYR735-7457A20-45V0.56-0.66TO-220AC9PBYR1020-106010A20-60V0.56-0.77TO-220AC10PBYR1635-166016A20-60V0.56-0.77TO-220AC11PBYR2020CT-2045CT20A20-45V0.56-0.65TO-220AB12PBYR3035PT-3060PT30A20-60V0.56-0.77TO-247ADI F V RRM V F TrrA V V ns1BYV26A-BYV26E1A200-1000V 1.50.03DO-204AP2BYV12-BYV16 1.5A100-1000V 1.50.3DO-204AP3BYV96A-BYV96E1.5A100-1000V 1.50.3DO-204AP4BYV27-50～2002A50-200V 1.10.025DO-204AP5BYV28-50～2003.5A50-200V 1.10.03G36BYT52A-BYT52M1A50-1000V 1.30.2DO-204AP7BYT54A-BYT54M1.25A50-1000V 1.50.1DO-204AP8BYT53A-BYT53M1.5A50-1000V 1.10.05DO-204AP9BYT56A-BYT56M3A200-1000V 1.40.1G310BYM26A-BYM26M2.3A200-1000V 1.50.03G3（1）BYV、BYT、BYM、BYW玻球快恢复二极管（2）MBR、PBYR系列大电流肖特基整流二极管6.玻球快恢复二极管、玻钝芯片塑封二极管序号型号外形11BYM36A-BYM36M 3A 200-1000V 1.10.15G312BYW32-BYW382A 200-1000V 1.10.2DO-204AP 13BYW52-BYW562A 200-1000V 1.14DO-204AP 14BYW72-BYW763A 200-600V 1.10.2G315BYW96A-BYW96E 3A 200-1000V 1.50.2G316BY2283A 1500V 1.520G317GP10-GP301-3A 50-1000V 1.118RGP01-10～RGP01-200.1A 1000-2000V 20.2-0.5DO-4119RGP05-10～RGP05-200.5A 1000-2000V 20.2-0.5DO-4120RGP10-RGP601-6A50-2000V1.30.15-0.51PD0112-PD01600.1A 1200-6000V 1.2-5DO-412PD0312-PD03600.3A 1200-6000V 1.2-5DO-153PD0512-PD05600.5A 1200-6000V 1.2-5DO-154PD112-PD1301A 1200-3000V 1.2-4DO-155PD1512-PD1530 1.5A 1200-3000V 1.2-4DO-156PD212-PD2202A 1200-2000V 1.2-2.5DO-201AD 7PD312-PD3203A 1200-2000V 1.2-2.5DO-201AD 8PD612-PD6206A1200-2000V1.2-2.5R-69TR0112-TR01600.1A 1200-6000V 1.5-80.5-0.8DO-4110TR0312-TR03600.3A 1200-6000V 1.5-80.5-0.8DO-1511TR0512-TR05600.5A 1200-6000V 1.5-80.5-0.8DO-1512TR112-TR1301A 1200-3000V 1.5-60.5-0.8DO-1513TR1512-TR1530 1.5A 1200-3000V 1.5-60.5-0.8DO-1514TR212-TR2202A 1200-2000V 1.5-2.70.5-0.8DO-201AD 15TR312-TR3203A 1200-2000V 1.5-2.70.5-0.7DO-201AD 16TR612-TR6206A 1200-2000V 1.5-2.70.5-0.8R-617PR01-PR10.1-1A 1200-3000V 1.5-40.1-0.5DO-1518RC20.3A 2000V 30.5DO-4119RU4D-RP3F1.5A-2A 1300-1500V1.50.3DO-201ADP ZM V Z W V 1稳BZX550.5W 2.4V-47V 21N5985B～1N6031B0.5W2.4V-200V8.稳压二极管序号名称型号（2）GP、RGP系列玻钝芯片塑封二极管7.PD、TR、PR系列高压塑封二极管3压1N4728～1N47641W 3.3V-100V 41N5911B～1N5956B 1.5W 2.7V-200V 5二2CW37-2.4～360.5W 2.4V-36V 62CW51-2CW680.25W 3V-28.5V 7极2CW101-2CW1211W 3V-37.5V 82DW50-2DW641W 41V-190V 9管2DW80-2DW1903W 41V-190V 102DW110-2DW15110W 4.3V-470V 112DW170-2DW20250W 4.3V-200V 温度补偿稳压二极管I C V RM Trr mA V ns 11N4148150100V 4DO-3521N4149-1N415415035-100V 2月4日DO-3531N4446-1N445415040-100V 1月4日DO-3541N91475100V 4DO-355BAV17-BAV2125025-250V 50DO-356BAW75-BAW7630035-75V 4DO-3572CK70-2CK7910-28020-60V 3月10日DO-3582CK80-2CK8510-30020-60V 5月10日DO-3591S1553-1S155510070-35V 3DO-35101S2471-1S2473130-11090-40V3DO-350.2W5.8V-6.6V9.高速开关二极管序号型号外形122DW230-2DW236。
3极管三个极的作用
3极管三个极的作用
3极管，又被称为双极型晶体管，是一种半导体电子器件，其最基本的结构由三个区域组成：P型、N型、P型（PNP），或N型、P型、N型（NPN）。
每个区域称为极，因此得名3极管。
3极管的三个极分别是发射极、基极和集电极，其作用各不相同，下文将介绍3极管三个极的工作原理及其作用。
1. 发射极
发射极是3极管的基极与P区接触的那个区域。
当一个极为0.7伏的电压施加在基极上，发射极与基极之间就会形成电子流，也就是电子从发射极拌了基极到达集电极，这个过程叫做放大。
发射极的主要作用是供应电子，控制电流。
2. 基极
基极是3极管的控制极，当一个较小的电流（例如来自微处理器的信号）施加在基极上，就能控制发射极、基极之间电子流的大小。
也就是说，基极的信号可以控制集电极和发射极之间的电流运输。
基极的主要作用是控制电流。
3. 集电极
集电极是3极管的输出极（或耗散）区域，其主要作用是将电子从发射极流向集电极，因此，集电极提供了电
子上的载体或流通的电路路径。
集电极与发射极之间存在一定的电流放大倍数，这就是3极管的主要作用。
综上，3极管的3个极各自承担着不同的任务，合理地控制和运用这些极，可以实现对电流信号的放大、切换、开关等一系列操作。
在现代电子科技中，3极管被广泛应用于电子电路、通讯、军工、航天等领域，成为当今世界必不可缺的重要元件之一。
TIP122参数
该TIP120，TIP121和TIP122疏外延基NPN达林顿功率晶体管,采用TO-220塑料封装。
与互补类型的TIP125，TIP126和TIP127可成对使用。
图2是TIP120，TIP121和TIP122 NPN三极管的内部图,图3是TIP125，TIP126和TIP127 PNP三极管的内部图。
图1 引脚图片并联电阻R1，R2起分流作用，使对温度敏感的穿透电流多了一个通路，就不会全部进入下一级的基极，同时并联电阻降低了发射结反向电阻，管子截止时发射极不易被反向电压击穿，但是电阻也增加了前级的负载。
达林顿管IC，一般都是用来驱动功率稍微大一点的被动器件的，而驱动的被动器件里，有很大一部分是感性的，如继电器、马达、电磁阀等，这些感性器件在关断瞬间会产生很高的自感电动势（自感电压），低的10多伏，高的几十伏，甚至几百伏，这么高的电压很容易把达林顿管打坏，甚至打坏电路中的其它元器件，所以需要在感性器件上并联一个二极管，用来续流（就是把那个自感高压放掉），保护IC和其它器件不受破坏，此续流二极管正极接2803输出端(即电感器件的一端），负极接驱动电源（也就是电感器件的另一端）。
在内部设计了二极管以后，用户在使用的时候不需要外接二极管，在同时驱动多路器件的时候可以节省PCB空间，节约成本、方便走线。
达林顿管就是两个三极管接在一起，极性只认前面的三极管。
具体接法如下，以两个相同极性的三极管为例，前面三极管集电极跟后面三极管集电极相接，前面三极管发射极跟后面三极管基极相接，前面三极管功率一般比后面三极管小，前面三极管基极为达林顿管基极，后面三极管发射极为达林顿管发射极，用法跟三极管一样，放大倍数是两个三极管放大倍数的乘积。
1复合管原理达林顿管原理达林顿管又称复合管。
为共基组合放大器，以组成一只等效的新的三极管。
这等效于三极管的放大倍数是二者之积。
在电子学电路设计中，达林顿接法常用于功率放大器和稳压电林顿管是一重复合三极管，他将两个三极管串联，第一个管子的发射极接第2个管子的基极，所以达林顿管的放大倍数是两个三极管放大倍数的乘积。
第三章双极结型三极管及放大电路基础资料
放大电路应遵循以下原则:
RS
1、有直流通路， 并保证合适的直流偏置。
VS ＋
RL
－
2、有交流通路，即待放大的
输入信号能加到晶体管上，
且放大了的信号能从电路中取出。 直流电源及偏置电路
模拟电子线路
共发射极放大器（建立放大器感性认识）
共发射极放大器是应用最为广泛的基本放大器。
NPN晶体管起放大作用；
远大于ΔvI，实现电压信号的放大。 放大作用：输入回路加微小信号，通过基极电流的改变
量去控制集电极电流，从而将VCC的能量转换为与输入 信号变化规律相同、能量更大的输出信号。
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对放大器的分析可分为直流分析和交流分析
直流分析：确定晶体管的静态工作点（各节点的直流电 压值）
交流分析：确定电路中各交流信号之间的关系。
50
降到额定值2/3时的iC值。 40
iC值超过ICM时管子易损坏。ICM 30
集电极最大允许功耗PCM
20 10
PCM＝iCvCE
反向击穿电压
0
1.0 0.8
0.6 过Leabharlann 坏区0.4 安全工作区iB = 0.2mA
PC <PCM
10
20 V(BR)CEO 30
vCE / V
V(BR)CBO - 发射极开路时,集电极－基极间反向击穿电压。
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2) 饱和区 vCE较小时，集电结吸引电子能力弱，iC不随iB的增加而增 加，晶体管失去放大作用。饱和时集电极电压称为饱和压 降VCE(sat)。
Si管VCE(sat) ≈0.3V，而发射结的饱和压降VBE(sat) ≈0.8V， 故VCB(sat) = VCE(sat) - VBE(sat) ≈- 0.5V