ch3
ch3化学名称
ch3化学名称
甲烷，也被称为液化石油气，是一种常见的有机化合物，是碳和氢原子组成的
稳定分子，每个分子由一个碳原子和四个氢原子组成。
甲烷是一种芳香族碳氢化合物，位于碳和碳与氢之间。
甲烷是无色可燃气体，也是一种温和的碳氢化合物。
甲烷主要用于燃烧以产生热能，这使它成为工厂热力发电和家庭供暖的重要进
口能源。
甲烷还用于工业生产过程，其中包括陶瓷材料的生产，钢铁的冶炼，以及氢气的提炼。
此外，甲烷也可以提供其他各种用途，其中包括制冷，饮料冲泡，汽车制动液，和抗虫剂。
甲烷对环境的主要影响是排放出其他温室气体，这些气体包括二氧化碳，水气
和其他污染物。
此外，甲烷也有致癌及污染空气的潜在危险。
因此，甲烷在家庭和工业应用中都必须严格控制其使用量，以保护环境。
总之，甲烷是一种常见的有机物，用来发电照明和供暖等各种家庭和工业用途，但它的排放可能对环境造成危害，需要严格控制使用量才能保护环境。
数字电路ch3补充：最大项、最小项、无关项
2 无关项在化简逻辑函数中的应用
【例3】 化简具有约束的逻辑函数
Y ABCD ABCD ABCD
给定约束条件为
ABC D ABCD ABCD ABCD ABC D ABCD ABCD 0
解：采用公式化简法
Y ( ABCD ABC D) ( AB C D ABCD) ( ABCD ABCD) ( AB CD AB CD )
解: Y1 A BCD BCD A
Y2 A B CD A B CD B CD Y3 Y4
ABC A B C AB C AB C C BD C C BD C C
B D D B
i
【例1】将逻辑函数展开为最小项之和的形式。
Y ABCD ACD AC
解： Y A BC D A( B B )CD A( B B)C
ABC D ABCD ABCD ABC ABC ABC D ABCD ABCD ABC( D D) ABC ( D D) ABC D ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABC D
强化： 逻辑函数的公式化简法
1 逻辑函数的最简形式
乘积项最少；每个乘积项里的因子也最少 一. 最简与-或式 二. 最简与非-与非式等
_ _
F AB A B
F AB A B
__________ ______ ____ __ __
三.最简与或非表达式
F AB AB
__________ ___ __ __
变量的各组取值 对应的最大项及其编号 最大项 编 号 A B C
0 0 0 0 1 1 1 1
CH3原理图元件绘制
2
修改法步骤
1. 2.
3. 4.
把相似元件放置在某个原理图中； 执行Design 执行Design Make Project Library,系统 Library,系统 会自动把当前原理图中的所有元件生成一 个元件库文件。 修改此元件库文件相关元件来满足需求。 点击Update Schematics来更新原理图上 点击Update Schematics来更新原理图上 的旧元件。
17
电气规则检查结果阅读方法
出错位置 错误类型 出错位置 原理图名 元件名及位置
18
2 生成网络表文件
执行菜单命令【Design】 执行菜单命令【Design】 【Create Netlist】 Netlist】。
19
3 生成元件列表报表
元件列表主要包括元件的名称、序号、封装 形式。这样可以对原理图中的所有元件有一 个详细的清单，以便购买，检查，校对。 执行菜单命令【Report】 执行菜单命令【Report】 【Bill of Material】 Material】。
2 绘制元件
这是一个具有6 这是一个具有6个引 脚的元件，该如何绘 制其元件图示呢？
原理图重在表示电气连接原理，不要过分要求形式 11
剩余步骤： 剩余步骤：
3. 4. 5.
保存新元件库文件，在原理图中使用此新 元件库。 从库中找到元件加入原理图中即可。 如果需要改进元件，修改后点击Update 如果需要改进元件，修改后点击Update Schematics来更新原理图上的旧元件。 Schematics来更新原理图上的旧元件。
21
练习/ 练习/提问时间
22
3
原理图Байду номын сангаас件库绘图工具栏
ch3烷烃
C8H3C7H2C6HCH5 CH4 2CH3 CH22CH13
CH3
3 ,4 , 6- < 3 ,5 , 6-
3 ,4 , 6-三甲基辛烷
24
CH3
CH3
1 2 3 45 6 7 8
C8H3C7H2C6HCH5 CH4 2CH3 CH22CH13
CH3
3 ,4 , 6- < 3 ,5 , 6-
3 ,4 , 6-三甲基辛烷
第六节 烷烃的化学性质
➢ 常温下很不活泼; ➢ 常用作溶剂、基质等; ➢ 由于C—H，C－C牢固性和小极性。
一、氧化和燃烧
RH +O2 (燃烧) CO2 + H2O + Q
在标准状态下，一摩尔烷烃完全燃烧所放出的热量称 作燃烧热。燃烧热越大，表明分子内能越高，稳定性越低。
氧化还原反应
碳原子周围电子云密度降低时氧化 碳原子周围电子云密度增加时 还原
裂化反应主要用于提高汽油的产量和质量。
根据反应条件的不同，可将裂化反应分为三种：
① 热裂化：5.0MPa，500～700℃，可提高汽油产量；
② 催化裂化：450～500℃，常压，硅酸铝催化，除断C—C键 外还有异构化、环化、脱氢等反应，生成带有支链的烷、烯、 芳烃，使汽油、柴油的产、质量提高；
③ 深度裂化：温度高于700℃，又称为裂解反应，主要是提高 烯烃（如乙烯）的产量。
1. 单原子取代基，按原子序数大小排列。
I > Br > Cl > F > O > N > C > D > H
2. 原子序数大，顺序较优先；原子次序小，顺序在后； 同位素中质量高的，顺序大。
2.多原子基团首先比较第一个原子，按原子序数大 小排列；若第一个原子相同,则依次比较与其相连的 其它原子。
数据通信CH3 常见网络接口与线缆
– 目前已发展到万兆以太网，仍在继续发展 …
IEEE 802.3 以太网标准（主要的）
传统以太网：10Mb/s
• • • • 802.3 —— 粗同轴电缆 802.3a —— 细同轴电缆 802.3i —— 双绞线 802.3j —— 光纤
快速以太网（FE）：100Mb/s
SFP光模块
该模块可插拔，主要用于1端口单通道POS48 接口板、4端口POS3接口板、1端口ATM 155M接口板上，使用的接口类型为LC。
3.1.3 全双工以太网
只能在双绞线和光纤链路上实现；
收、发使用了不同的物理信道
不再使用CSMA/CD机制，因此传输距离不 受时间槽的限制；
但要受到信号衰减的影响
使用双绞线或光纤； 链路两端的设备都必须支持全双工操作；
全双工操作的条件：
支持全双工的设备包括全双工网卡、网络交换机。
3.1.4 局域网扩展
什么情况下需要扩展？
网络范围扩大 更多的站点加入网络 多个独立的局域网进行互联
主要在三个层次上
如何扩展？
物理层 数据链路层 网络层
介质转换器是可连接不同介质的中继器
ST接口
该接口为收发两个圆形头，使用ST接头的光 纤
SC接口
该接口为收发两个方形头，使用SC接头的光纤。
LC接口
该接口为收发两个方形头，尺寸小于SC，使用 LC接头的光纤。
MTRJ接口
该接口收发集中在一个方形头，使用MTRJ接 头的光纤。
GBIC光模块
该模块为可插拔千兆以太网接口模块，主要用 于两端口千兆以太网接口板上，使用的接口类 型为SC。
ch3化学元素
ch3化学元素CH3化学元素，即甲基，是有机化学中的基本结构单元之一，由一个碳原子和三个氢原子组成。
甲基在有机化学中极为重要，可以与其他原子或基团共价键合并构成各种有机化合物，是构成生物大分子的必要单元之一。
首先，我们来看看甲基在有机化学中的重要性。
甲基不仅是构成有机分子的基本单元之一，它还可以作为反应中的中间体或催化剂。
例如，甲基自由基是重要的自由基中间体，可以在自由基链反应中发挥关键作用。
此外，甲基还可以参与重要的化学反应，如芳香烃质子化、单一取代烷基卤代烷基化反应等。
因此，对于有机化学的学习者而言，深入了解甲基的结构和性质是非常必要的。
接下来，让我们来看看甲基的物理性质。
甲基是一种无色、有臭味的气体，能够随浓度不同而变化其色及味。
其密度比空气轻，且不易溶于水，但易溶于有机溶剂。
甲基的熔点为-182°C，沸点为-161.5°C。
这样的物理性质大大限制了甲基在生活中的直接应用，但却不影响其在化学领域中的应用。
那么，甲基在有机化学中的化学性质是怎样的呢？首先，甲基对于不饱和化合物的加成反应有较强的反应性，同时也可以容易地和氨合成甲胺、与水合成甲醇以及和卤素发生取代反应，且常常是链反应或复杂反应机理的主要参与者。
特别是在自由基反应中，甲基自由基具有非常强的反应性，常常会发生大量的自由基链反应，产生复杂的产物。
此外，甲基也可以作为配体与其他化合物通过配位键形成络合物。
这种反应的机理与金属配合物的形成使其在工业生产上具有重要应用。
此外，甲基还可以作为重要的基团，被用来构成多种有机化合物，如甲基苯、甲基叔丁基醚等。
总之，甲基在有机化学中扮演了非常重要的角色。
甲基的结构和性质决定了其在化学反应中的作用，而我们则可以应用这些知识来设计或改良合成方法、提高产率以及优化产品性能。
我们需要深入了解甲基的本质，以使我们更好地应用有机化学的最前沿技术。
碳正离子最稳定的ch3
碳正离子最稳定的ch3
关于甲烷的三碳正离子最稳定情况的文章
甲烷（CH3）是一种天然存在于环境中的有机物质，它是由一个碳原子和三个氢原子组成
的最简单的碳氢化合物。
由于它是碳氢有机物中含氢量最多的，故它也被称为“万能气体”。
三碳正离子甲烷不仅是一种重要的有机物质，而且是最稳定的有机物质之一。
由于它是有机物中碳和氢原子最少的合成物，其价键能量最小，从而能够最好地保持稳定
的半对称性质结构。
碳原子的官能团在氢原子的覆盖下，使甲烷的结构很容易稳定，从而
增加了甲烷的化学稳定性。
另外，由于原子量最小，三碳正离子甲烷具有小分子的特点，它的碰撞，外部结构更加紧密，比大分子更稳定，它可以在低温低压下得到稳定的结构。
此外，三碳正离子甲烷是一种非常重要的简单有机物质，正离子性能改变会对其结构产生
重大影响，研究需要投入大量精力，所以正离子甲烷是最稳定的。
作为一种有用的简单有机物质，三碳正离子甲烷在各种行业中都有着广泛的应用，由于它
的机理和性能都非常稳定，因此它被广泛用于汽油、柴油、天然气、食品、医药等行业中。
总之，三碳正离子甲烷是碳氢化合物中最稳定的物质，能够用于各种行业中，也被称为“万能气体”，它是一种有用而重要的简单有机物质，给人类带来了巨大的帮助。
—ch3, —ch2— 分子式
—ch3, —ch2—分子式—CH3, —CH2—分子式为标题引言：分子式是一种用来描述化学物质组成的简化表示方式，其中CH3和CH2是两种常见的有机化合物的分子式。
本文将分别介绍CH3和CH2的结构和性质，以及它们在化学和生物领域中的应用。
一、CH3的结构和性质CH3是甲基基团的化学式，由一个碳原子和三个氢原子组成。
甲基是一种非常常见的有机基团，在许多有机化合物中都有出现。
1.1 结构甲基的结构可以用简化的化学式CH3表示，其中C代表碳原子，H 代表氢原子。
甲基是一种单独存在的基团，可以与其他化合物中的基团进行化学反应。
1.2 性质甲基是一种非极性的基团，由于电子云分布均匀，不带电荷，不具有明显的化学活性。
但是，由于甲基中的碳原子上有三个键合的氢原子，可以与其他化合物中的基团发生反应，参与化学反应。
二、CH2的结构和性质CH2是亚甲基基团的化学式，由一个碳原子和两个氢原子组成。
亚甲基在有机化学中也是一种常见的基团。
2.1 结构亚甲基的结构可以用化学式CH2表示，其中C代表碳原子，H代表氢原子。
亚甲基是一种单独存在的基团，与其他化合物中的基团可以进行化学反应。
2.2 性质亚甲基是一种非极性的基团，由于电子云分布均匀，不带电荷，不具有明显的化学活性。
然而，亚甲基中的碳原子上只有两个键合的氢原子，相比甲基而言，亚甲基的反应性略高。
三、CH3和CH2的应用CH3和CH2作为常见的有机基团，在化学和生物领域有着广泛的应用。
3.1 化学领域应用甲基和亚甲基是许多有机化合物的基础结构，它们可以作为反应中间体参与各种有机反应。
例如，甲基和亚甲基可以参与酯化反应、醚化反应、烷基化反应等，合成各种有机化合物。
3.2 生物领域应用甲基和亚甲基在生物体内也有重要的作用。
例如，在生物体内，甲基可以与DNA分子中的碱基进行甲基化修饰，影响基因表达和细胞功能。
另外，亚甲基也是生物体内一些重要分子的组成部分，如甲基协同子S-腺苷甲硫氨酸。
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设计铝条时的注意事项
布线层短而宽 布线不相交。可通过多发射极管的发射区间 距或发射区与基区间距，也可从电阻上穿过； 采用“磷桥”穿接，但要注意引入附加电阻 且不允许加在地线上；采用多层布线；焊点 的分布合理 几何结构尽可能对称；参数相近的元件放在 相邻区域 沿隔离槽走线，多开孔 电源孔也应尽可能开大些（短而宽） 集电极等扩磷孔应比其他接触孔大
举例：
（2）ECL版图设计
图5.7 采用磷穿透工艺 输入管采用双基极条结构 输出管采用梳妆结构 划分隔离区：
可以把输入管放在同一隔离区内； T4需要单独在一个隔离区； T5、T6管放在同一隔离区；
LSTTL工艺、版图设计
采用泡发射极工艺。缩小发射极大小，从
保证元件的对称性
接地孔尽可能开大些
铝条适当盖住接触孔
过载能力，避免使用易损坏的元件 确定光刻的基本尺寸。
最关键的是发射极接触孔的尺寸和套刻间距 最小图形就是发射极接触孔的宽度 外延层电阻率、外延层厚度、集电结结深、 隐埋薄层电阻、基区薄层电阻、发射区薄层 电阻、发射去接触孔尺寸、基区接触孔尺寸、 集电区接触孔宽度、电阻条宽度、铝条覆盖 接触孔、铝条宽度、铝条间距、发射区和基 极间距、接触孔距基极和发射极间距、接触 孔距集电极和隔离槽的距离、相邻电阻条间 距、压焊块尺寸、压焊块之间间距
3.2 双极型IC的基本制造过程
硅平面工艺
在元器件间要做电隔离区
线性/ECL
TTL/DTL
STTL
元器件间自然隔离
主要应用于I2L
在制作双极型集成电路时先要在硅片上制作各自电绝缘的“隔离岛”
基本的隔离工艺
反偏PN结隔离 全介质的V型槽隔离 等平面的PN结-介质混合隔离
P-N结隔离IC工艺
• 工艺流程：
衬底制备 隐埋氧化 隐埋光刻 隐埋扩散 外延淀积 隔离氧化
磷穿透扩散 在分布及氧化 基区扩散 基区光刻 基区氧化 隔离扩散 隔离光刻
发射区光刻
发射区生长
引线孔氧化 引线孔光刻
铝淀积
反刻引线
中测
压焊块光刻
淀积钝化层
3.2.2 等平面隔离工艺
O2 SiO2 Si3N4
应用上受限制
3.5 集成二极管、SBD和肖特 基晶体管
3.5.1集成二级管 六种类型的二极管（表2.2） 不增加IC的工序，且设计二级管的特性多样化 最常用的为BC结短接的晶体管作为二极管 齐纳二极管—反偏特性 3.5.2肖特基势垒二极管（SBD）和肖特基晶体
管
SBD图形设计考虑 减小结电容、SBD串联电阻 -> 面积要小 提高反向击穿电压，降低漏电流 -> 保护环、 覆盖电极（终端技术）
K1为端头修正因子0.35~0.65 K2为拐角修正因子0.5 可简化为R =R□((L0+L1+„+LN)/W+0.5n)。n： 拐角数
横向扩散：修正公式：式3.3
硼扩散电阻器的功率限制
功耗 -> 散热性能 -> 电路性能 最大功耗=电流的平方· 电阻 IWmax=(PAmax/R□)1/2 电流只与薄层电阻R□有关，从上式可以计算出电阻 条的最小宽度
设计过程
制定具体的工艺参数、设计规则和电路图 划分隔离区 确定器件方案，设计出图形和尺寸 验证、布图 刻出掩模原图
PN结隔离的双极型集成电路版图设计
3.4.2 集成晶体管的常用图形
见图（集成NPN晶体管常用图形） 单发射极、单基极、单集电极版图
发射区的有效长度较短 -> IEmax较小 面积较小，具有较高的特征频率 单基极基区电阻大 允许通过的最大电流较大 特征频率较低，最高振荡频率较高
课堂讨论
• PN结隔离双极型SIC来说，衬底一般选用 什么类型硅？
衬底总是与电路中最低电位相连 一般选用<111>晶向轻掺杂的P型硅 衬底电阻率一般在10欧姆.厘米左右
3.2.1Leabharlann PN结隔离工艺 所有晶体管的集电极都作在外延层上
PN结隔离工艺流程（按光刻掩膜顺序）
一次光刻：埋层扩散 二次光刻：隔离结扩散 三次光刻：集电极接触穿透扩散 四次光刻：基区扩散 五次光刻：发射区扩散 六次光刻：接触孔 七次光刻：电极布线
VOL ≤0.3伏 ≤0.45伏 VOH ≥2.4伏 ≥2.4伏 工作状态 饱和或截止 饱和或截止
典型数据
电路类型 TTL LSTTL
ECL
≤-1.7伏
≥-0.98伏
放大区或截止
集成电容器
PN结电容
寄生效应 MOS电容器 金属-氧化物-金属
平板电容
通常电容值很小，占面积大
3.7 版图设计的一般规则
版图设计必须与线路设计、工艺设计、工艺水平
相适应 工艺条件、器件物理、电路原理以及测试方式
3.7.1版图设计的准备工作： 1、了解工艺现状、确定工艺路线 2、解剖同类型的IC产品
硅局部氧化法
（LOCOS：Local Oxidation Silicon）
底部采用PN结隔离，侧壁采用介质隔离 等平面I 等平面II U型槽隔离技术 改进掺杂方式：利用掺有所需杂质的多晶硅 作为电极材料
3.2.3 其他隔离工艺
深（浅）槽隔离工艺
DTI：Deep Trench Isolation STI：Shallow Trench Isolation
而减小晶体管尺寸，降低寄生电容 输入肖特基钳位二极管和导引肖特基二极 管都采用带p型保护环的图形 六管单元与非门
各管工作状态 不用SCT结构的晶体管 划分隔离区
LSTTL电路的版图设计
采用PN结隔离工艺
基本参数
P型衬底、隐埋层、隔离扩散、外延层 基区扩散、离子注入硼电阻 发射极、铝层 最小套刻间距 最小开孔 图形到隔离槽最小间距 基极接触孔到发射区扩散孔最小间距 基区扩散孔到基极接触孔最小间距 集电区到基区接触孔最小间距 发射区到基区扩散孔最小间距 基区扩散条之间的最小间距 肖特基孔到发射区扩散孔最小间距 最小基区条宽 最小隔离槽宽 最小铝条宽 铝条间最小距离
集成晶体管的常用图形 集成电阻 设计规则 理解TTL电路版图设计
设计过程
确定电路指标 工艺选择 划分隔离区 器件方案 计算机辅助
掩模板
3.1 IC的开发流程
IC的开发包括电路设计、元件设计、IC设
计、IC工艺设计、IC制作和可靠性试验等 六个环节 设计规则：工艺流水线给出的一组几何参 数和一组电学参数。
介质隔离工艺
SiO2
3.3 版图设计与工艺设计
版图设计：按版图设计规则和一定的工艺流
程，把电子线路转换成一张集成电路版图 （又称工艺复合图标示为GDSII和CIF文件） 进而制作出一套供生产投片用的光刻掩膜版。
横向尺寸、纵向尺寸 外延层掺杂浓度和厚度直接影响到结电容、击 穿电压、集电极串联电阻、饱和压降 发射区扩散和基区扩散决定的基区宽度决定了 电流放大倍数和特征频率
硼扩散电阻的设计原则
工艺修正因子C=1.2~1.25 横向扩散：Weff=W+mXjc 例子：已知电路封装限制的功耗PAmax=8X106W/μm2，若R □ =200Ω/□，电路中流过R=30KΩ 电阻的电流I=4mA。求电阻的最小宽度Wmin? 以最小宽度的一倍作为电阻宽度，L的确定 接触孔的面积、电阻条间距
双基极条形版图
集成电路中的PNP管
种类
横向PNP 衬底PNP
横向PNP管（图2.12）
工艺兼容 寄生晶体管
获得尽可能大的发射区侧面积和底面积之比 采用隐埋层 直流电流放大系数（基区宽度、发射区浓度、 表面复合） 特征频率
电学特性
衬底PNP管（图2.18）
3.7.2 一般规则
设计原则：充分利用硅片（晶圆）面积 隔离区的数目尽可能少 隔离框面积约占管芯面积的三分之一 集电极电位相同的晶体管可放在同一隔离区，二极 管同上 全部电阻可以放在同一隔离区，但要注意引线的方 向 引出线的压焊块放在隔离区内 防止各种寄生效应 隔离槽要接电路最负电位，电阻岛的外延层接最高 电位 输入与输出端应尽可能远离 发热元件置于芯片中央
第三章 双极型逻辑电 路的版图设计
双极型半导体集成成电路的基 本制作过程
通过前一章的 学习说明三者 STTL 工艺上差别？
TTL/DTL ECL I2L
元件间需要制作电隔离区 工艺兼容
元件自然隔离
采用硅平面工艺
学习要求
理解等平面隔离工艺（LOCOS） 掌握双极型逻辑集成电路的设计
设计规则
双极型数字IC小结
名词术语
fabless、foundry、IDM、集成度、特征尺寸、电路优 值、pn结隔离 有源寄生、无源寄生效应、薄层电阻、有效发射极的长 度 TTL电路、FAST电路、ECL电路特性 高电平VOH、低电平VOL的定义 单位LE的最大工作电流 噪声容限
肖特基晶体管（见图2.23）
3.6 集成电阻器
分类：
低阻类电阻 高阻类电阻 高精度电阻 误差大±20% 温度系数大 面积大
缺点
3.6.1硼扩散电阻器（最广泛采用）
（图3.1~5），适用于电阻值要求误差不高， 只要求电阻比值误差小的电路（TTL） R=R□L/W R□ =ρ /xj=1/(q∫0xjμ(x)Nb(x)dx） 100~300Ω/□，相对误差可控制在±20％ 电阻的版图与阻值计算 RR 常用电阻图形有胖形、瘦形、折叠形三 种，见图3.2。范围一般在50Ω~50kΩ 修正后公式：R=R□(L/W+2K1+nK2)