常用电路,电子电路元器件
十大常见电子元器件介绍
三、晶体二极管
晶体二极管固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的 特征是具有非线性的电流-电压特性。此后随着半导体材料和工艺技 术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出 结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管。制造材料有锗、 硅及化合物半导体。晶体二极管可用来产生、控制、接收、变换、 放大信号和进行能量转换等。 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示. 作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作 用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。 正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、 稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。电话机里 使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管、隔离二极管、肖特 基二极管、发光二极管、稳压电感是闭合回路的一种属性，是一个物理量。当线圈通过电流后， 在线圈中形成磁场感应，感应磁场又会产生感应电流来抵制通过线 圈中的电流。这种电流与线圈的相互作用关系称为电的感抗，也就 是电感，单位是“亨利（H）”。 电感在电路中常用“L”加数字表示。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘 的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线 本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产 生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交 流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗 越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感一般有直标法和 色标法，色标法与电阻类似。
新晨阳电容电感
九、传感器
传感器下的定义是：“能感受规定的被测量件并按照一定的规律（数 学函数法则）转换成可用信号的器件或装置，通常由敏感元件和转 换元件组成”. 传感器的存在和发展，让物体有了触觉、味觉和嗅觉等感官，让物 体慢慢变得活了起来。“ 传感器“在词典中定义为：”从一个系统接受功率，通常以另一种形 式将功率送到第二个系统中的器件“. 传感器的特点包括：微型化、数字化、智能化、多功能化、系统化、 网络化，它不仅促进了传统产业的改造和更新换代，而且还可能建 立新型工业，从而成为21世纪新的经济增长点。
电子工程入门电路和电子元器件基础知识
电子工程入门电路和电子元器件基础知识电子工程作为现代科技领域中的重要学科，对于人们的生活和工作产生了深远的影响。
在电子工程中，电路和电子元器件是最基础、最核心的概念和内容。
本文将介绍电子工程入门电路和电子元器件的基础知识，帮助读者初步了解和掌握这些重要的概念和技能。
一、电子工程入门电路的概念与分类电子工程中的电路是由电子元器件连接而成的电流传输路径。
根据电流的方向和大小，电路可以分为直流电路和交流电路两种类型。
1. 直流电路直流电路中，电流的方向始终保持不变，电子元器件的工作状态也是稳定的。
直流电路主要用于电池供电和低频信号处理等应用，常见的直流电路有电源电路、整流电路、放大电路等。
2. 交流电路交流电路中，电流的方向和大小会随时间变化，电子元器件的工作状态也会随之改变。
交流电路主要用于电力系统、无线通信等领域，常见的交流电路有发射器、接收器、调节器等。
二、电子元器件的基本分类和功能电子元器件是构成电子电路的基本组成部分，根据其功能和特性，可以分为主动元器件和被动元器件两大类。
1. 主动元器件主动元器件能够在电路中产生能量，并对电路的信号进行放大、放大、控制等处理。
常见的主动元器件有晶体管、集成电路、二极管等。
- 晶体管：晶体管是一种常用的电子开关和放大器，在电子工程中有着广泛的应用。
它由P型半导体、N型半导体和控制电极组成，可以控制电流的流动。
- 集成电路：集成电路是将多个电子元器件集成在一块芯片上的器件。
它具有体积小、功耗低、性能稳定等优点，被广泛应用于计算机、通信等领域。
- 二极管：二极管具有单向导电性，可以单向传导电流。
它常用于整流电路、信号检测等应用。
2. 被动元器件被动元器件不能在电路中产生能量，只能对电流、电压进行调节和传递。
常见的被动元器件有电阻、电容、电感等。
- 电阻：电阻用于限制电流的流动，它的阻值决定了电路中的电流大小。
- 电容：电容可以储存和释放电荷，它在电路中常用于滤波、耦合等应用。
常用电子元器件基础知识说明书
第3章 常用电子元器件基础知识常用电子元器件包括电阻、电容、电感、二极管、三极管、场效应管等半导体分立器件及常用集成电路，它们是构成电子电路的基本部件。
了解常用电子元器件的基础知识，并学会识别和测量，是正确使用的基础，是组装、调试、维修电子电路必须具备的基本技能。
3.1 电阻、电容、电感器件3.1.1 电阻器电阻器是电子电路中使用最多的元件之一，主要用于控制和调节电路中的电流和电压，用作负载电阻和阻抗匹配等。
电阻器属于无源器件，种类繁多。
按结构形式可分为固定电阻和可变电阻。
固定电阻一般称为“电阻”，可变电阻常称为电位器，如图3-1所示。
按材料可分为碳膜电阻、金属膜电阻和线绕电阻等；按功率规格可分为1/16W、1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W、5W等；按误差范围可分为精度为±5%、±10%、±20%等的普通电阻，以及精度为±0.1%、±0.2%、±0.5%、±1%、±2%等的精密电阻。
电阻的类别可以通过外观的标记识别。
（a）固定电阻（b）电位器图3-1 电阻器的符号表示1．电阻器的型号命名方法电阻器的型号命名方法根据《电子设备用固定电阻器、固定电容器型号命名方法》（GB/T 2470—1995），分为4个部分表示，如表3-1所示。
表3-1 电阻器的型号命名方法第1部分第2部分第3部分第4部分用字母表示主称用字母表示材料用数字或字母表示特征用数字表示序号符号意义符号意义符号意义RW电阻器电位器TPUC碳膜硼碳膜硅碳膜沉积膜1，2345普通超高频高阻高温电子工业出版社版权所有盗版必究第1部分 第2部分 第3部分 第4部分 用字母表示主称 用字母表示材料 用数字或字母表示特征用数字表示序号符 号意 义符 号 意 义 符 号 意 义H I J Y SN X R G M合成膜 玻璃釉膜 金属膜（箔） 氧化膜 有机实心 无机实心 线绕 热敏 光敏 压敏7 8 9 G T X L W D精密 电阻器—高压 电位器—特殊函数特殊 高功率 可调 小型 测量用 微调 多圈例如：精密金属膜电阻器R －J －7－3。
常用电子元器件基本应用电路
● 工作电压范围: ±3V to ±20 V
● 单位增益补偿
1
2
A
3
4 V_
V
8
7
B
6
5
第2页/共29页
5532主要用于音频放大。
第3页/共29页
② 特点 . 无需相位补偿 .工作电压范围宽: 3.0 —30.0 V (单电源供电) ±1.5 —±15.0 V (双电源供电) . 输入电压可低到接近地电平 输出电压的范围为 0 ——VCC -1.5 V . 损耗电流小:ICC = 0.5 mA（典型值） /VCC = +5 V, RL = ∞
图 3.5.6
放电 充电
555组成的多谐振荡器
频率
t1 R2C ln 2 0.7R2C
t2 R1 R2 C ln 2 0.7R1 R2 C
f
1 t1 t2
1.43
R1 2R2 C
第25页/共29页
矩型脉冲发生器
占空比可调脉冲发生器
图3.5.7 时钟脉冲发生器
第26页/共29页
图 3.5.8 通断检测器
图3.5.9 手敏蜂鸣器
第27页/共29页
三、R-S触发器和施密特触发器
图 3.5.10 555组成的 RS触发器和施密特触发 器
图3.5.11 逻辑电平测试电路
第28页/共29页
感谢您的观看！
第29页/共29页
交流放大器要在输入和输出端加隔直电容，若在反馈支路上加电容，可对直 流和交流获得不同的反馈量。
第19页/共29页
3.2.12 单电源供电的交流放大器
单电源供电时应使同相端的静态电压为电源电压的一半，这样在负反馈的 作用下，输出端的电压也会等于电源电压的一半，从而保证输出有足够的动态范 围。
常用电子元器件及应用
碳膜电阻（型号：RT）。在陶瓷骨架表面上，将碳氢化合物在真空中通过高温蒸发分解沉积成碳结晶导电膜。碳膜电阻价格低廉，阻值范围宽（10W～10MW），温度系数为负值。常用额定功率为1/8W～10W，精度等级为±5％、±10％、±20％，在一般电子产品中大量使用。
5.6
2.0
6.2
2.2
2.2
2.2
6.8
6.8
6.8
2.4
7.5
2.7
2.7
8.2
来表示电容器标称电容量，n为正或负整数。
注：用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量，n为正或负整数。
有机实芯电位器
由导电材料与有机填料、热固性树脂配制成电阻粉，经过热压，在基座上形成实芯电阻体。该电位器的特点是结构简单、耐高温、体积小、寿命长、可靠性高，广泛用于焊接在电路板上作微调使用；缺点是耐压低、噪声大。
线绕电位器
多圈电位器属于精密电位器。它分有带指针、不带指针等形式，调整圈数有5圈、10圈等数种。该电位器除具有线绕电位器的相同特点外，还具有线性优良，能进行精细调整等优点，可广泛应用于对电阻实行精密调整的场合。
E24
E12
E6
E24
E12
E6
1.0
1.0
1.0
3.3
3.3
3.3
1.1
3.6
1.2
1.2
常用电子元器件（电阻器、电容、电感、晶体二极管、晶体三极管）
常⽤电⼦元器件（电阻器、电容、电感、晶体⼆极管、晶体三极管） 电⼦元器件是电⼦元件和电⼩型的机器、仪器的组成部分，其本⾝常由若⼲零件构成，可以在同类产品中通⽤；常指电器、⽆线电、仪表等⼯业的某些零件，如电容、晶体管、游丝、发条等⼦器件的总称。
常见的有⼆极管等。
电⼦元器件包括：电阻、电容器、电位器、电⼦管、散热器、机电元件、连接器、半导体分⽴器件、电声器件、激光器件、电⼦显⽰器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电⼦变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、⽯英、陶瓷磁性材料、印刷电路⽤基材基板、电⼦功能⼯艺专⽤材料、电⼦胶（带）制品、电⼦化学材料及部品等。
五个最常⽤的电⼦元器件识别及使⽤常识 ⼀、电阻 电阻在电路中⽤“R”加数字表⽰，如：R13表⽰编号为13的电阻。
电阻在电路中的主要作⽤为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使⽤）和阻抗匹配等。
电阻器使⽤注意事项： （1）为提⾼电阻器的稳定性，电阻器使⽤前应进⾏⼈⼯⽼化处理。
常⽤的⽼化处理⽅法是给电阻器两端加⼀直流电压，使电阻器承受的功率为额定功率的1.5倍，处理时间为5分钟，处埋后测量电阻值。
M36LLR8760D1ZAQ;;; （2）电阻器在使⽤前，应对电阻器的阻值及外观进⾏检查，将不合格的电阻器剔除掉，以防电路存在隐患。
（3）电阻器的安装。
电阻器安装前应先对引线挂锡，以确保焊接的牢固性。
电阻器安装时，电阻器的引线不要从根部打弯，以防折断。
较⼤功率的电阻器应采⽤⽀架或螺钉固定，以防松动造成短路。
电阻器焊接时动作要快，不要使电阻器长期受热，以防引起阻值变化。
电阻器安装时，应将标记向上或向外，以便于检及维修。
（4）电阻器的功率⼤于10W时，应保证有散热的空间。
（5）存放和使⽤电阻器时，都应保证电阻器外表漆膜的完整，以免降低它们的防潮性能。
（6）电阻器的更换。
电阻器的符号： 参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。
常用电子元器件大全
常用电子元器件大全一、电阻器电阻器是一种限制电流通过的电子元器件，它的主要作用是限制电路中的电流大小。
电阻器的种类有很多，包括固定电阻器、可变电阻器、热敏电阻器等。
电阻器的单位是欧姆（Ω）。
二、电容器电容器是一种存储电荷的电子元器件，它的主要作用是存储电能。
电容器的种类有很多，包括固定电容器、可变电容器、电解电容器等。
电容器的单位是法拉（F）。
三、电感器电感器是一种产生电磁场的电子元器件，它的主要作用是产生电磁场。
电感器的种类有很多，包括固定电感器、可变电感器、铁芯电感器等。
电感器的单位是亨利（H）。
四、晶体管晶体管是一种放大电流的电子元器件，它的主要作用是放大电流。
晶体管的种类有很多，包括NPN型晶体管、PNP型晶体管、场效应晶体管等。
五、二极管二极管是一种控制电流方向的电子元器件，它的主要作用是控制电流方向。
二极管的种类有很多，包括普通二极管、稳压二极管、发光二极管等。
六、集成电路集成电路是一种集成了多个电子元器件的电子元器件，它的主要作用是完成特定的电子功能。
集成电路的种类有很多，包括数字集成电路、模拟集成电路、混合集成电路等。
常用电子元器件大全一、电阻器电阻器是一种限制电流通过的电子元器件，它的主要作用是限制电路中的电流大小。
电阻器的种类有很多，包括固定电阻器、可变电阻器、热敏电阻器等。
电阻器的单位是欧姆（Ω）。
在实际应用中，电阻器可以用于调节电路的电压、电流，保护电路中的其他元器件，以及作为负载等。
二、电容器电容器是一种存储电荷的电子元器件，它的主要作用是存储电能。
电容器的种类有很多，包括固定电容器、可变电容器、电解电容器等。
电容器的单位是法拉（F）。
在实际应用中，电容器可以用于滤波、耦合、去耦、延时等电路功能。
三、电感器电感器是一种产生电磁场的电子元器件，它的主要作用是产生电磁场。
电感器的种类有很多，包括固定电感器、可变电感器、铁芯电感器等。
电感器的单位是亨利（H）。
在实际应用中，电感器可以用于滤波、振荡、变压器等电路功能。
电子电路中常见的元器件介绍
电子电路中常见的元器件介绍第一部分：导言（约100字）电子电路是现代科技领域中重要的研究领域之一，它广泛应用于各个领域，如通信、计算机、医疗仪器等。
电子电路中有许多常见的元器件，它们是电路中不可缺少的组成部分。
本文将详细介绍一些电子电路中常见的元器件，包括电阻器、电容器、电感器、二极管和晶体管。
第二部分：电阻器（约200字）电阻器是一种常见的元器件，用于限制电流的流动。
它是由导电材料制成的，材料的电阻值决定了电阻器的阻值。
根据阻值的大小，电阻器可以分为固定电阻器和可变电阻器。
固定电阻器的阻值不可调节，而可变电阻器可以通过调节它的旋钮或滑动端来改变阻值。
在电子电路中，电阻器常常用于电流限制、电压分压和功率消耗等方面的应用。
步骤：1. 了解电阻器的基本原理和作用：电阻器是通过材料的电阻来限制电流的流动。
2. 分析固定电阻器和可变电阻器的特点和应用场景。
3. 给出固定电阻器的几个常见类型，如碳膜电阻、金属膜电阻和贴片电阻，介绍它们的特性和应用范围。
4. 解释可变电阻器的工作原理，并举例说明它们在电子电路中的应用，如音量控制、亮度调节等。
第三部分：电容器（约200字）电容器是另一种常用的元器件，它是一种可以储存电荷的设备。
电容器由两个导体之间的绝缘材料（电介质）隔开，当电压施加在导体上时，电荷会在导体之间积聚。
根据电容器的结构和材料，可以将它们分为固定电容器和可变电容器。
固定电容器的容值是固定的，而可变电容器可以通过机械手段或电场控制来改变容值。
步骤：1. 介绍电容器的基本原理和作用：电容器可以储存电荷并在电路中提供临时能量储备。
2. 分类讨论固定电容器和可变电容器的特点和适用场景。
3. 解释常见的固定电容器类型，如陶瓷电容器、铝电解电容器和塑料电容器，说明它们的特性和应用。
4. 讨论可变电容器的原理和使用方法，并列举几个典型的应用场景，如无线电调谐和振荡电路。
第四部分：电感器（约200字）电感器是另一类常用的元器件，它能够存储和释放磁能。
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缺省值 1 0 0 0 0
意义 电阻值的倍率 线性温度系数 平方温度系数 指数温度系数
意义 电容值的倍率 线性电压系数 平方电压系数 线性温度系数 平方温度系数
附录B 元器件的模型参数和常用电路、电子电路元器件
其中：C 为常温电容值，可以是正值、负值，但是不能是零。 T0 为正常温度值(27℃) V 为电容器两端的电压
A C K
单位
(ca)**2 ca 1 A/m
Alpha A C K
缺省值
0.1 1 1 1e6 1e-3 le3 0.2 500
意义 平均磁芯截面积 平均磁路长度 叠层系数 磁化饱和 平均磁场参数 形状参数 磁畴壁的挠曲常数 磁畴壁的鞘连常数
举例： ·model k528a=2e-5 A=26 k=18 c=1.05 area=1.17 Path=8.49)
单位
A A Ω Ω
缺省值
Ie—3 0 1 le8
意义 电流开关通态控制 开关断态控制电流 开关通态电阻 开关断态电阻
说明：Ron 的值应大于零，Roff 的值必须小于 1/GMIN，GMIN 是 PSpice 程序中计算使用的支路最小电导，缺省值是 1e-12， Ron 和 Roff 的比值应小于 1e12，在容许的范围内，Ron 应尽量小，Roff 应尽量大
1
1
Var
V
inf
Ikr
A
inf
Ise
A
0
Nc
2.0
2.0
Rb
Ω
0
Irb
A
inf
Rbm
Ω
Rb
Re
Ω
0
Rc
Ω
0
Cje
F
0
Vje
V
0.75
Mje
0.33
0.33
Cjc
F
0
Vjc
V
0.75
Mjc
0.33
0.33
Xcjc
1F
1
Cjs
F
0
Vjs
V
0.75
Mjs
0
0
Fc
0.5
0.5
Tf
S
0
Xtf
0
0
Itf
A
0
Ptf
1e-12，Ron 和 Roff 的比值应小于 1e12，在容许的范围内，Ron 应尽量小，Roff 应尽量大
举例：
·model Relay Vswitch(Ron=.01 Roff=1eg Von=3.2V voff=1.8v)
B1.6 电流控制开关的模型参数
参数
Ion Ioff Ron Roff
·model din750 D(is=880.5e-18 Rs=2.5 Bv=4.7V Ibv=20.245mA)
B1.8 双极性结型晶体管的模型参数
参数
单位
缺省值
Is
A
le-16
Eg
V
1.11
Xti
V
3
Bf
100
100
Nf
1
1
Vaf
V
inf
Ikf
A
inf
Ise
A
inf
Ne
1.5
1.5
Br
1
1
Nr
OrCAD 9.2 适用教程
B1.5 电压控制开关的模型参数
参数
Von Voff Ron Roff
单位
V V Ω Ω
缺省值
1 0 1 1e8
意义 开关通态控制电压 开关断态控制电压 开关通电阻 开关断态电阻
说明：Ron 的值应大于零， Roff 的值必须小于 1/GMIN，GMIN 是 PSpice 程序中计算使用的支路最小电导， 缺省值是
20
CBS
21
CJ
22
CJSW
23
MJ
24
MJSW
25
FC
26
CGSO
27
CGDO
28
CGBO
29
NSUB
30
NSS
31
NFS
32
TOX
33 TPG
34
XJ
35
UO
36
UCRIT
40
UEXP
41
UTRS
42
VMAX
43
NEFF
44
XQC
45
DELTA
46
THETA
47
ETA
48
KAPPA
49
KF
50
9E-9
350
OrCAD 9.2 适用教程
说明： PSpice 提供四种 M0S 场效应晶体管模型，它们的 I-V 特性公式各不相同。用变量 LEVEL 指定所用的模型： LEVEL＝1 SHICHMAN-HODGES 模型 LEVEL＝2 M0S2 模型 LEVEL＝3 M0S3 半经验模型 LEVEL＝4 适用于亚微米的 BSIM 模型 MOS 场效应管的直流特性由器件参数 VTO，KP，PHI，LAMBDA 和 GAMMA 决定。如果给出了工艺参数(NSUB，TOX
-1 硅栅，掺杂与衬底相同；0 铝栅； 结深 载流子的表面迁移率 迁移率衰减时的临界电场（仅对 MOS2） 迁移率衰减时的临界电场指数（仅对 MOS2） 迁移率衰减时的横向电场系数（MOS2 时删去） 载流子的最大漂移速度 总沟道电荷系数（仅对 MOS2） 贡献于漏极的电荷百分数 沟道宽度对阀值的影响（仅对 MOS2 和 MOS3） 迁移率的衰减（仅对 MOS3） 静态反馈（仅对 MOS3） 饱和电场系数（仅对 MOS3） 闪烁噪声系数 闪烁噪声指数 漏区面积 源区面积 漏结周长 源结周长
说明： 在简单设置结型场效应管参数时，可设置两个参数，它们是： Vto=Vp 夹断电压 Beta=Idss/｜Vp｜
举例： ·model Jff NJF(Vto=-6V Beta=.222e-3)
意义 阀值电压 Vto 的温度系数 跨导系数 跨导的温度系数 沟道长度调制系数 漏极电阻 源极电阻 G-D 间的零压结电容 G-S 的零压结电容 正向偏置时的耗尽电容系数 栅结内建电势 栅结反向饱和电流 闪烁噪声系数 闪烁噪声指数 相对面积
AF
51
AD
52
AS
53
PD
54
PS
NRD，NRS，RHS，
模型标志 1，2，3，4 沟道长度 沟道宽度 扩散区长度 扩散区宽度 VSB=0 时的阈值电压 跨导参数，Kp=µ*COX=µ*εSiO2*ε0/tox 体效应参数，γ=(2q*εSi *Nsub)1/2/Cox 表面电势，=2ΦF λ沟道长度调制系数（仅对 MOS1 和 MOS2） 漏极欧姆电阻 源极欧姆电阻 栅极欧姆电阻 衬底欧姆电阻 漏-源间并联电阻 衬底结反向饱和电流，=JS*AD=JS*AS 源-漏结反向饱和电流密度 衬底结电势 零偏时体-漏间的结电容 零偏时体-源间的结电容 零偏时衬底结底部单位面积电容 零偏时衬底结侧壁单位长度电容 衬底结底部的梯度因子 衬底结侧壁的梯度因子 衬底结正偏时的耗尽电容系数 栅-源间单位沟道宽度的覆盖电容 栅-体间单位沟道宽度的覆盖电容 栅-漏间单位沟道宽度的覆盖电容 衬底掺杂浓度 表面态密度 块表面态密度 栅氧化层厚度 栅极材料类型，+1 硅栅，掺杂与衬底相反；
说明：对于一般的二极管在进行模型参数说明时只需指定 Is 参数，若是需要管压降为 0.7V，则要给定 Is=2e-15，对于稳
压二极管，在进行参数设置时，可给定 Rs、Bv 和 Ibv 三个参数，这时， Rs 是稳压管的寄生电阻，Bv 是稳压管的稳
定电压，Ibv 是稳压管的工作电流。
举例：
附录B 元器件的模型参数和常用电路、电子电路元器件
Deg
0
Tr
S
0
Xtb
0
0
Kf
0
0
Af
1
1
Arca
0
0
意义
反向饱和电流 硅的带隙能量 饱和电流的温度指数 正向电流放大系数 正向电流发射系数 正向欧拉电压 正向 Beta 大电流时的滑动拐点 B—E 极间的泄漏饱和电流 B—E 极间的泄漏发射系数 理想反向电流放大系数 反向电流发射系数 反向欧拉电压 反向 Beta(r)大电流时的滑动拐 点 B-C 间的泄漏饱和电流 B-C 间的泄漏发射系数零 偏压时的基极电阻 基极电阻下降到 Rbm 值一半时 的电流 最小基极电阻 发射结电阻 集电极电阻 B-E 结零偏压时的耗尽电容 B-E 结内建电势 B-E 结指数因子 B-C 结零偏压时的耗尽电容 B-C 结内建电势 B-C 结指数因子 B-C 结耗尽电容连接到内部节 点时的百分数 集-衬底间零偏压时的耗尽电容 集-衬底间结内建电势 集-衬底间结指数因子 正向偏压时的耗尽电容系数 正向渡越时间 正向渡越时间随偏置变化的系 数 正向渡越时间随 vbe 变化的参 数 正向渡越时间随 Ic 变化时的超 前相位 反向渡越时间 电流放大系数的温度系数 闪烁噪声系数 闪烁噪声指数 相对发射结面积的比值
附录B 元器件的模型参数和常用电路、电子电路元器件
B1.10 MOS 场效应管的模型参数
MOS 场效应管的模型如图 B-2 所示。
模型参数
含义
1
LEVEL
2
L
3
W
4
LD
5
WD
6
VTO
7
KP
8
GAMMA
9
PHI
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