半导体制造工艺流程33442
半导体八大工艺顺序
半导体八大工艺顺序半导体制造是一个复杂的过程，需要经过八个主要的工艺步骤才能完成。
这些工艺步骤包括晶圆清洗、沉积、光刻、蚀刻、清洗、离子注入、退火和测试。
下面将对这些工艺步骤进行详细介绍。
1. 晶圆清洗晶圆清洗是制造半导体的第一步，目的是去除晶圆表面的杂质和污染物，以确保后续工艺的顺利进行。
晶圆清洗通常使用化学物质和超声波来实现。
首先将晶圆浸泡在去离子水中，然后使用化学物质和超声波来去除表面污染物。
2. 沉积沉积是将材料沉积在晶圆表面的过程。
这个过程通常使用化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）来实现。
在CVD中，化学反应会产生气体，然后将其放置在晶圆上，在高温下发生反应并形成所需的材料层。
在PVD中，原子或分子会通过真空管道传输到晶圆表面，然后在晶圆表面生成所需的材料层。
3. 光刻光刻是将图案转移到晶圆表面的过程。
这个过程通常使用光刻胶和掩模来实现。
首先，在晶圆表面涂上一层光刻胶，然后将掩模放置在光刻胶上，并使用紫外线照射掩模。
这会使光刻胶在掩模的开口处固化，形成所需的图案。
4. 蚀刻蚀刻是将材料从晶圆表面移除的过程。
这个过程通常使用干法或湿法蚀刻来实现。
在干法蚀刻中，使用等离子体或化学反应来去除不需要的材料层。
在湿法蚀刻中，使用化学物质来溶解不需要的材料层。
5. 清洗清洗是去除蚀刻残留物和其他污染物的过程。
这个过程通常使用酸、碱和有机溶剂来实现。
首先将晶圆浸泡在酸、碱或有机溶剂中，然后用去离子水冲洗干净。
6. 离子注入离子注入是将离子注入晶圆表面的过程。
这个过程通常用于形成掺杂层和修饰材料的电学性质。
在离子注入过程中，使用加速器将离子加速到非常高的速度，然后将它们注入晶圆表面。
7. 退火退火是在高温下加热晶圆以改善其电学性质的过程。
在退火过程中，晶圆被放置在高温炉中，并暴露于高温下一段时间。
这会使掺杂层扩散并形成所需的电学性质。
8. 测试测试是检查芯片是否正常运行的过程。
这个过程通常使用测试设备来实现。
半导体生产工艺流程
半导体生产工艺流程1.原材料准备：半导体生产的原材料主要包括硅、氮化镓、砷化镓、硒化镉等。
首先需要对原材料进行加工和准备，以确保其质量和纯度。
2.原料制备：原材料通过熔炼、混合等工艺制备成为用于生产半导体的原料。
3.单晶生长：利用单晶生长技术，在高温下将原料转化为单晶硅或其他单晶半导体材料。
这一步骤是半导体生产的核心步骤，决定了半导体器件的质量和性能。
4.切割：将生长的单晶材料切割成片，通常为几毫米到几十毫米的薄片。
这些切割片将用于制造半导体器件。
5.清洗：将切割后的半导体片进行清洗，以去除表面的杂质和污染物。
6.晶圆制备：将清洗后的半导体片进行研磨和打磨，使其表面光滑均匀，并进行化学处理，以增强半导体片的表面特性。
7.掺杂和扩散：将半导体片通过高温处理，将掺杂剂引入其表面，使其在特定区域具有特定的电子特性。
8.晶圆涂覆：在半导体片表面涂覆保护层，以防止金属和氧气等杂质的侵入。
9.制造半导体器件：在半导体片上通过光刻、蒸发等工艺制造半导体器件的结构和元件。
这些器件可能包括晶体管、二极管、集成电路等。
10.清洗和测试：对制造完成的半导体器件进行清洗和测试，以验证其质量和性能。
11.封装和封装测试：将半导体器件封装在塑料或陶瓷封装中，并进行封装测试，以确保器件的可靠性和稳定性。
12.探针测试：将封装好的器件进行探针测试，以验证其电性能和功耗等指标。
13.成品测试和筛选：对探针测试合格的器件进行成品测试和筛选，以确保其质量符合要求。
14.包装和成品测试：将成品封装好，并进行最终的成品测试和筛选，以确保其质量和性能。
15.成品存储和交付：将符合要求的成品进行分类、存储和交付，以供后续使用或销售。
以上是半导体生产工艺流程的主要步骤，其中涉及多种专业技术和设备的应用。
这些步骤的顺序和细节可能会因不同的半导体产品而有所不同，但总体流程是大致相似的。
半导体生产工艺的不断改进和创新，是推动半导体产业发展和技术进步的重要驱动力量。
半导体制作工艺流程
半导体制作工艺流程半导体制作工艺流程是指将半导体材料加工成电子器件的一系列工艺步骤。
半导体器件广泛应用于电子产品和通信领域，其制作工艺的精细程度对器件性能有着重要影响。
下面将介绍一般的半导体制作工艺流程。
1. 半导体材料选择与准备半导体材料通常选用硅(Si)或砷化镓(GaAs)等材料。
在制作过程中，需要从纯度高的单晶硅或高纯度的砷和镓等原料开始，通过化学方法或物理方法制备出所需的半导体材料。
2. 晶圆制备晶圆是半导体材料的基片，制作工艺的第一步是将半导体材料加工成晶圆。
通常采用切割硅棒的方法，将硅棒切割成薄片，然后进行化学机械抛光等处理，得到表面平整的晶圆。
3. 清洗与去除杂质在制作过程中，晶圆表面会附着一些杂质，如尘埃、氧化物和有机物等。
清洗是为了去除这些杂质，保证晶圆的表面洁净。
常用的清洗方法包括化学清洗和热酸清洗等。
4. 晶圆表面处理晶圆表面处理是为了形成特定的结构和层，常用的方法有扩散、离子注入、溅射等。
其中，扩散是通过高温加热将掺杂物扩散到晶圆表面，形成特定的电子掺杂浓度分布；离子注入是将掺杂离子注入晶圆表面，改变其电子性质；溅射是利用高能离子轰击晶圆表面，使其表面原子沉积形成特定结构和层。
5. 光刻与光刻胶光刻是将芯片上的图形投射到光刻胶上，在光刻胶上形成图形。
光刻胶是一种对紫外光敏感的聚合物，通过紫外光照射、显影等步骤，可以形成所需的图形。
6. 离子蚀刻与湿法蚀刻离子蚀刻是利用高能离子轰击晶圆表面，使其表面原子沉积形成特定结构和层。
湿法蚀刻是通过特定的化学液体，将晶圆表面的非遮蔽区域溶解掉，形成所需的结构。
7. 金属沉积与蚀刻金属沉积是将金属沉积在晶圆表面，形成导线、电极等结构。
常用的金属沉积方法有物理气相沉积、化学气相沉积和电镀等。
蚀刻是将多余的金属去除，使得只有所需的结构。
8. 封装与测试半导体器件制作完成后，需要进行封装和测试。
封装是将芯片封装在塑料或陶瓷封装体内，以保护芯片并方便与外部电路连接。
半导体的生产工艺流程
半导体的生产工艺流程1.晶圆制备：晶圆制备是半导体生产的第一步，通常从硅片开始。
首先，取一块纯度高达99.9999%的单晶硅，然后经过脱氧、精炼、单晶生长和棒状晶圆切割等步骤，制备出硅片。
这些步骤的目的是获得高纯度、无杂质的单晶硅片。
2.晶圆加工：晶圆加工是将硅片加工成具有特定电子器件的过程。
首先，通过化学机械抛光（CMP）去除硅片上的表面缺陷。
然后，利用光刻技术将特定图案投射到硅片上，并使用光刻胶保护未被刻蚀的区域。
接下来，使用等离子刻蚀技术去除未被保护的硅片区域。
这些步骤的目的是在硅片上形成特定的电子器件结构。
3.器件制造：器件制造是将晶圆上的电子器件形成完整的制造流程。
首先，通过高温扩散或离子注入方法向硅片中掺杂特定的杂质，以形成PN结。
然后，使用化学气相沉积技术在硅片表面沉积氧化层，形成绝缘层。
接下来，使用物理气相沉积技术沉积金属薄膜，形成电压、电流等电子元件。
这些步骤的目的是在硅片上形成具有特定功能的电子器件。
4.封装测试：封装测试是将器件封装成实际可使用的电子产品。
首先，将器件倒装到封装盒中，并连接到封装基板上。
然后，通过线缆或焊接技术将封装基板连接到主板或其他电路板上。
接下来，进行电极焊接、塑料封装封装，形成具有特定外形尺寸和保护功能的半导体芯片。
最后，对封装好的半导体芯片进行功能性测试和质量检查，以确保其性能和可靠性。
总结起来，半导体的生产工艺流程包括晶圆制备、晶圆加工、器件制造和封装测试几个主要步骤。
这些步骤的有机组合使得我们能够生产出高性能、高效能的半导体器件，广泛应用于电子产品和信息技术领域。
半导体制造工艺流程
半导体制造工艺流程半导体制造工艺是半导体芯片制造的基础流程，也是一项复杂且精细的工艺。
下面是一份大致的半导体制造工艺流程，仅供参考。
1. 半导体材料的准备：半导体材料通常是硅，需要经过精细的提纯过程，将杂质降低到一定程度，以确保半导体器件的性能。
还需要进行晶体生长、切割和抛光等工艺，以制备出适用于制造芯片的晶片。
2. 晶片清洗和处理：经过前面的准备步骤后，晶片需要进行清洗，以去除表面的杂质和污染物。
清洗包括化学溶液浸泡和超声波清洗等步骤。
之后，通过化学气相沉积等工艺，在晶片上形成氧化层或氮化层，以保护晶片表面。
3. 光刻和光刻胶涂布：在晶片表面涂布一层光刻胶，然后通过光刻机将设计好的芯片图案投射在胶涂层上，形成光刻胶图案。
光刻胶图案将成为制作芯片电路的模板。
4. 蚀刻：将光刻胶图案转移到晶片上，通过干式或湿式蚀刻工艺，将未被光刻胶保护的部分材料去除，形成电路图案。
蚀刻可以通过化学溶液或高能离子束等方式进行。
5. 激光刻蚀：对于一些特殊材料或细微的电路结构，可以使用激光刻蚀来实现更高精度的图案形成。
激光刻蚀可以通过激光束对材料进行精确的去除。
6. 金属薄膜沉积：在晶片表面沉积金属薄膜，以形成电路中的金属导线和连接器。
金属薄膜通常是铝、铜等材料，通过物理气相沉积或化学气相沉积等工艺进行。
7. 金属薄膜刻蚀和清洗：对金属薄膜进行蚀刻和清洗，以去除多余的金属，留下需要的导线和连接器。
8. 测量和测试：对制造好的芯片进行电学性能的测试和测量，以确保其符合设计要求。
9. 封装和封装测试：将芯片封装在外部环境中，通常采用芯片封装材料进行密封，然后进行封装测试，以验证封装后芯片的性能和可靠性。
10. 最终测试：对封装好的芯片进行最终的功能和性能测试，以确保其满足市场需求和客户要求。
以上是半导体制造的基本流程，其中每个步骤都需要高度的精确性和专业技术。
半导体制造工艺的不断改进和创新，是推动半导体技术不断进步和发展的重要驱动力。
半导体制造工艺流程
半导体制造工艺流程半导体制造工艺是一种复杂而精密的工艺流程，它涉及到许多步骤和技术，需要高度的精准和专业知识。
在半导体制造工艺中，主要包括晶圆制备、沉积、光刻、蚀刻、离子注入、退火和封装等步骤。
下面将对这些步骤进行详细介绍。
首先，晶圆制备是半导体制造的第一步。
晶圆通常由硅材料制成，经过多道工序加工而成。
制备好的晶圆需要经过清洗和去除杂质等步骤，以确保表面的纯净度和平整度。
接下来是沉积步骤，这一步骤是将各种材料沉积到晶圆表面，以形成所需的结构和层。
常见的沉积方法包括化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD），这些方法可以实现对不同材料的精确控制和沉积。
光刻是半导体制造中非常关键的一步，它通过光刻胶和光刻机将图案转移到晶圆表面，以便进行后续的蚀刻和沉积。
光刻技术需要高精度的设备和工艺控制，以确保图案的清晰度和精度。
蚀刻是将不需要的材料从晶圆表面去除的过程，常见的蚀刻方法包括干法蚀刻和湿法蚀刻。
蚀刻工艺需要严格的控制，以确保所需的结构和层能够准确地形成。
离子注入是将掺杂剂注入晶圆表面的过程，以改变材料的导电性能和其他特性。
离子注入需要精确控制能量和注入深度，以确保掺杂剂能够准确地分布在晶圆表面。
退火是将晶圆加热到高温，以去除应力和缺陷，同时改善材料的性能和稳定性。
退火工艺需要严格的温度和时间控制，以确保退火效果的稳定和可靠。
最后是封装步骤，这一步骤是将晶圆切割成单个芯片，并封装到芯片载体中，以便进行后续的测试和使用。
封装工艺需要精密的设备和技术，以确保芯片的可靠性和稳定性。
总的来说，半导体制造工艺流程是一个复杂而精密的过程，需要多种技术和工艺的结合，以确保最终产品的质量和性能。
在实际生产中，需要严格控制每一个步骤和参数，以确保整个制造过程的稳定性和可靠性。
只有这样，才能生产出高质量的半导体产品，满足市场的需求。
半导体制造工艺流程
半导体制造工艺流程1.单晶硅材料制备：利用高纯度的硅源材料，通过化学方法或物理方法制备出单晶硅片。
这些单晶硅片用于制造芯片的基底。
2.潮湿腐蚀：将单晶硅片放入一定浓度的酸中进行腐蚀，以去除表面的氧化层和杂质，使得单晶硅表面更加平整。
3.清洗：用化学溶液对单晶硅片进行清洗，去除表面的杂质和有机物。
4.氮氧化：将单晶硅片放入氮气环境中进行热氧化，生成一层氮氧化物的薄膜。
这个薄膜在后续工艺中用于隔离器件。
5.光刻：将光刻胶涂在氮氧化层上，然后通过曝光和显影的方式将芯片的图案转移到光刻胶上，形成光刻图案。
6.腐蚀和沉积：将芯片放入化学溶液中进行腐蚀，去除曝光没有覆盖的区域，然后进行金属沉积。
金属沉积可以形成导电层或者连接层。
7.退火：通过高温处理，使得芯片中的材料发生结晶和扩散，提高电子器件的性能。
退火还有去除应力、填充缺陷和提高结晶度的作用。
8.清洗：用化学溶液清洗芯片，去除残留的光刻胶和沉积物，保证芯片的纯净度。
9.蚀刻和沉积：使用干法或湿法蚀刻技术，去除部分芯片表面材料，形成电子器件的结构。
然后再进行金属或者氧化物的沉积，形成电极或者绝缘层。
10.清洗和检测：再次清洗芯片，以确保芯片的纯净度。
然后进行各类检测，如电性能测试、材料分析等，以保证芯片质量。
11.封装：将芯片放入封装材料中，进行电缆连接和封装。
然后将封装好的芯片焊接到PCB板上，形成最终的电子产品。
以上是一般的半导体制造工艺流程，其中每个步骤都有详细的工艺参数和设备要求。
随着技术的不断发展，半导体制造工艺也在不断改进和创新，以提高芯片的性能和生产效率。
半导体制造流程及生产工艺流程
半导体制造流程及生产工艺流程1.原料准备：半导体制造的原料主要是硅（Si），通过提取和纯化的方式获得高纯度的硅单晶。
2. 晶圆制备：将高纯度的硅原料通过Czochralski或者Float Zone方法，使其形成大型硅单晶圆（晶圆直径一般为200mm或300mm）。
3.表面处理：进行化学机械抛光（CMP）和去杂质处理，以去除晶圆表面的污染物和粗糙度。
4.晶圆清洗：使用化学溶液进行清洗，以去除晶圆表面的有机和无机污染物。
5.硅片扩散：通过高温反应，将所需的杂质（如磷或硼）掺杂到硅片中，以改变其电子性质。
6.光刻：在硅片上涂覆光刻胶，并使用掩模板上的图案进行曝光。
然后将光刻胶显影，形成图案。
7.蚀刻：使用化学溶液进行蚀刻，以去除未被光刻胶所保护的区域，暴露出下面的硅片。
8.金属蒸镀：在硅片表面沉积金属层，用于连接电路的不同部分。
9.氧化和陶瓷：在硅片表面形成氧化层，用于隔离不同的电路元件。
10.电极制备：在硅片上形成金属电极，用于与其他电路元件连接。
11.测试和封装：将晶圆切割成单个芯片，然后对其进行测试和封装，以确保其性能符合要求。
以上是半导体制造的主要步骤，不同的半导体产品可能还涉及到其他特定的工艺流程。
此外，半导体制造过程还需要严格的质量控制和环境控制，以确保产品的可靠性和性能。
不同的半导体生产流程会有所不同，但大致上都包含以下几个关键的工艺流程：1. 前端制程（Front-end Process）：包括晶圆清洗、来料检测、扩散、光刻、蚀刻、沉积等步骤。
这些步骤主要用于在硅片上形成电子元件的结构。
2. 中端制程（Middle-end Process）：包括溅射、化学机械抛光、化学物理蚀刻、金属蒸镀等步骤。
这些步骤主要用于在晶圆上形成连接电子元件的金属线路。
3. 后端制程（Back-end Process）：包括划片、电极制备、测试、封装等步骤。
这些步骤主要用于将芯片进行切割、封装，以及测试芯片的性能。
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低的静态功耗、宽的电源电压范围、宽的输出电压幅 度（无阈值损失），具有高速度、高密度潜力；可与 TTL电路兼容。电流驱动能力低
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半导体制造环境要求
• 主要污染源：微尘颗粒、中金属离子、有 机物残留物和钠离子等轻金属例子。
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半导体制造工艺分类
• 一 双极型IC的基本制造工艺： • A 在元器件间要做电隔离区（PN结隔
离、全介质隔离及PN结介质混合隔离） ECL（不掺金） （非饱和型） 、
TTL/DTL （饱和型） 、STTL （饱和型） B 在元器件间自然隔离
I2L（饱和型）
精品课件
半导体制造工艺分类
• 二 MOSIC的基本制造工艺： 根据栅工艺分类
• A 铝栅工艺 • B 硅 栅工艺 • 其他分类 1 、（根据沟道） PMOS、NMOS、CMOS 2 、（根据负载元件）E/R、E/E、E/D
精品课件
半导体制造工艺分类
• 三 Bi-CMOS工艺： A 以CMOS工艺为基础 P阱 N阱 B 以双极型工艺为基础
精品课件
双极型集成电路和MOS集成电路 优缺点
• 6。光III---N管场区光刻，刻出N管场区 注入孔； N管场区注入。
P-
N-Si
精品课件
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 7。光Ⅳ---p管场区光刻，p管场区注入， 调节PMOS管的开启电压，生长多晶硅。
B+
P-
N-Si
精品课件
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
P
P+
P
PNP
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纵向晶体管刨面图
CBE P
N
N+ C
B
E p+
N P
NPN
PNP
精品课件
NPN晶体管刨面图
SiO2
B
N+ E
AL C
P
P+
P+
N-epi
N+-BL
P-SUB
精品课件
1.衬底选择
P型Si
ρ 10Ω.cm 111晶向,偏
离2O~5O
晶圆（晶片） 晶圆（晶片）的生产由砂即（二氧化硅）开始， 经由电弧炉的提炼还原成 冶炼级的硅，再经 由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后， 透过慢速分 解过程，制成棒状或粒状的「多 晶硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解 后， 再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公 分长，重76.6公斤的 8寸 硅晶棒，约需 2天 半时间长成。经研磨、抛光、切片后，即成半 导体之原料 晶圆片
• 1。光刻I---阱区光刻，刻出阱区注入孔
SiO2
N-Si
N-Si
精品课件
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 2。阱区注入及推进，形成阱区
P-
N-Si
精品课件
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 3。去除SiO2，长薄氧，长Si3N4 Si3N4
P-
N-Si
精品课件
1:1:1.5
HCl:H2O2:H2O
=1:1:5
溶液槽
除去表面颗粒
除去重金属粒 子
DI清洗
去离子水
溶液槽
除去清洗溶剂
精品课件
光学显影
光学显影是在感光胶上经过曝光和显影的程序， 把光罩上的图形转换到感光胶下面的薄膜层 或硅晶上。光学显影主要包含了感光胶涂布、 烘烤、光罩对准、 曝光和显影等程序。
关键技术参数:最小可分辨图形尺寸Lmin(nm) 聚焦深度DOF
精品课件
典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程
衬底制备 一次氧化 隐埋层光刻 隐埋层扩散
外延淀积
基区光刻
再氧化
隔离扩散
隔离光刻
基区扩散 再分布及氧化 发射区光刻 背面掺金
热氧化 发射区扩散
铝合金
反刻铝
铝淀积
接触孔光刻 再分布及氧化
淀积钝化层 压焊块光刻
中测
精品课件
横向晶体管刨面图
B
C E
P+
P N
精品课件
第一次光刻—N+埋层扩散孔
• 1。减小集电极串联电阻 • 2。减小寄生PNP管的影响
要求： 1。 杂质固浓度大
SiO2
2。高温时在Si中的扩散系数小，
以减小上推
N+-BL
3。 与衬底晶格匹配好，以减小应力
P-SUB
涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗 —去膜--清洗—N+扩散(P)
• 後段（Back End） 构装（Packaging）、 测试制程（Initial Test and Final Test）
精品课件
一、晶圆处理制程
• 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与
电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上
述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程 ，
以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理
P-SUB
R P+
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集成电路中电阻3
基区沟道电阻
SiO2 P+
R
N+
P N-epi
N+-BL
P-SUB
精品课件
R P+
集成电路中电阻4
外延层电阻
SiO2
R
N+
R
P+
P
P+
N-epi
P-SUB
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集成电路中电阻5
多晶硅
SiO2
MOS中多晶硅电阻
氧化层
Si
其它：MOS管电阻
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集成电路中电容1
As 光刻胶
P-
N-Si
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CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 11。长PSG（磷硅玻璃）。
N+ N+ P-
P+
N-Si
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PSG P+
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 12。光刻Ⅷ---引线孔光刻。
N+ N+ P-
P+
N-Si
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PSG P+
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 8。光Ⅴ---多晶硅光刻，形成多晶硅栅 及多晶硅电阻
多晶硅
P-
N-Si
精品课件
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 9。光ⅤI---P+区光刻，P+区注入。形成 PMOS管的源、漏区及P+保护环。
B+
P-
N-Si
精品课件
CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例
• 10。光Ⅶ---N管场区光刻，N管场区注入， 形成NMOS的源、漏区及N+保护环。
子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制
作。
精品课件
二、晶圆针测制程
• 经过Wafer Fab之制程後，晶圆上即形成 一格格的小格 ，我们称之为晶方或是晶 粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆 上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同 一片晶圆 上制作不同规格的产品；这些 晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一 一经过针测（Probe）仪器以测试其电气 特性， 而不合格的的晶粒将会被标上记 号（Ink Dot），此程序即 称之为晶圆针 测制程（Wafer Probe）。然後晶圆将依 晶粒 为单位分割成一粒粒独立的晶粒
乾蝕刻（dry etching）:乾蝕刻則是利用一种電漿蝕 刻（plasma etching）。電漿蝕刻中蝕刻的作用， 可能是電漿中离子撞擊晶片表面所產生的物理作用， 或者是電漿中活性自由基（Radical）与晶片表面 原子間的化學反應，甚至也可能是以上兩者的复合 作用。
步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，
动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿
度与 含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-
Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所
使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆
先经过适 当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧
化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离
去SiO2—氧化--涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜 —蚀刻—清洗—去膜—清洗—基区扩散(B)
精品课件
第四次光刻—N+发射区扩散孔
• 集电极和N型电阻的接触孔,以及外延层的反偏孔。 • Al—N-Si 欧姆接触：ND≥1019cm-3，
P P+
N+-BL
N+
P+ NP-epi
P+
N+-BL
• 超净间：洁净等级主要由 微尘颗粒数/m3
I级 10 级 100级 1000级
0.1um 35 350 NA NA
0.2um 0.3um 0.5
7.5
3
75
30
750
300
NA
NA
10
精品课件
半 导体元件制造过程
前段（Front End）制程---前工序
晶圆处理制程（Wafer Fabrication；简称 Wafer Fab）
曝光方式:紫外线、X射线、电子束、极紫外
精品课件
蝕刻技術（Etching Technology）
蝕刻技術（Etching Technology）是將材料使用化學 反應物理撞擊作用而移除的技術。可以分為: