元器件降额标准(参考)
(整理)元器件降额使用参考
元器件降额使用参考一、集成电路因为集成电路的复杂性和保密性，一般我们只能根据半导体结温来推断集成电路的可靠性了。
我们通常规定：1，最大工作电压，不超过额定电压80%2，最大输出电流，不超过额定电流75%3，结温，最大85摄氏度，或不超过额定最高结温的80%二、二极管二极管种类繁多，特性不一。
故而，有通用要求，也有特别要求：通用要求：长期反向电压<70%～90%×V RRM（最大可重复反向电压）最大峰值反向电压<90%×V RRM正向平均电流<70%～90%×额定值正向峰值电流<75%～85%×I FRM正向可重复峰值电流对于工作结温，不同的二极管要求略有区别：信号二极管< 85～150℃玻璃钝化二极管< 85～150℃整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（<1000V）<85～125℃整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（≥1000V）<85～115℃肖特基二极管< 85～115℃稳压二极管（<0.5W）<85～125℃稳压二极管（≥0.5W）<85～100℃T case(外壳温度)≤0.8×T jmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。
这是一个可供参考的经验值三、功率MOSV GS<85%×V GSmax(最大栅极驱动电压)I D_peak<80%×I D_M(最大漏极脉冲电流)V DS<80～90%×额定电压dV/dt<50%～90%×额定值结温<85℃~80%×T jmax(最大工作结温)T case(外壳温度)≤0.8×T jmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。
元器件降额标准(参考)
TAM-20
TAM-20
TAM-20
输出功率
反射功率
占空比
…
声表面波器件
输入功率（f＞100MHz）
降低+10dBm
输入功率（f＜100MHz＝
降低+20dBm
<
纤维光学器件
光纤光源
峰值光输出功率
（适用于ILD）
电流
（适用于ILD）
结温
设法降低
光纤探测器
PIN反向压降
结温
设法降低
光纤与光缆
温度
上限额定值－20；下限额定值+20
最高结温（℃）
改进散热方式降低结温
分离半导体器件
,
晶体管
方向
电压
一般晶体管
功率MOSFET的栅源电压
|
电流
功率
~
功率管安全工作区
集电极－发射极电压
[
集电极最大允许电流
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
微波晶体管
！
最高结温
同晶体管
Note:Tj to Tcase has to be calculated for verification in any case
Diode
《
Vrm (%)
Io (%)
I fsm (%)
Tcase (°C)
Vrm (%)
Io (%)
I fsm (%)
Tcase (°C)
90
50
电路设计元器件降额标准
电路设计元器件降额标准1、晶体管/MOSFET：反向电压：0.7 0.8MOSFET栅源电压：0.6 0.7三极管集电极、发射机电压：0.7 0.8三极管集电极电流：0.7 0.8正反向电流：0.7 0.8温湿度0.7 0.82、二极管正向电压：10%稳定电压（稳压二极管）：反向漏电流+200%恢复开关时间+20%反向电压0.7 0.8电流0.7 0.8功率0.65浪涌电压、电流0.7 0.8温湿度0.7 0.83、断路器熔断电流：0.75 0.9 阻/容性负载0.4 0.5 感性负载0.2 0.35 电机温度：Tmax-204、保险丝电流>0.5A 0.45～0.5电流<0.5A 0.2~0.4环境温度超过25度时，按0.005/oC增加降额5、可控硅，闸流管控制极正向压降10%漏电流+200%开关时间+20%其它指标同二极管6、光电器件指标同二极管7、电阻/电阻网络电压0.75功率0.6 0.7封装2512 2010 1206 0805 0603 0402 0201 功率 1 1/2 1/4,1/8 1/10 1/16 1/16 1/32最大电压200 200 200 100 50 50类型片式金属氧化膜水泥电阻功率1/4 1W/2W/5W 5W及以上8、绕线电阻电压0.75功率0.45 0.6 精密型0.6 0.7 功率型9、热敏电阻电压：电源电压80%功率：0.5 0.5温度：TMax-1510、压敏电阻电压：0.75功率：0.6 0.7不靠近发热可燃器件，离开其它器件3mm11、非绕线电位器电压0.75功率0.45 0.6 精密型0.6 0.7 功率型12、电容器固定纸、塑料薄膜电容/玻璃铀/固定云母/固定陶瓷/ 电流、电压0.6 0.7温度Tmax-10铝电解电压、电流0.6 0.7钽电解电压、电流0.5 0.7温度Tmax-20钽固体电解电压电流0.8 0.9 20V以下0.7 0.8 25V以上温度Tmax-20可变电容器电流、电压0.5浪涌电流电压0.6 0.7温度Tmax-1013、电感热点温度Tmax-10~25 Tmax-15~0工作电流0.6～0.7瞬态电压电流0.9介质耐压0.5～0.6电压0.714、磁珠工作电流0.6～0.7瞬态电压0.915、继电器<100mW不降额电阻负载：0.75～0.90电容负载（最大浪涌电流）：0.75～0.90电感负载0.75 0.9 电感额定电流0.4 0.75 电阻额定电流电机负载0.75 0.9 电感额定电流0.2 0.75 电阻额定电流0.1 0.3 灯丝0.5 0.7 水印继电器（VA）线圈释放电压0.9最小～1.1最大温度额定-20振动额定60%16、开关<100mW不降额电阻负载：0.75～0.90电容负载（最大浪涌电流）：0.75～0.90电感负载0.75 0.9 电感额定电流0.4 0.75 电阻额定电流电机负载0.75 0.9 电感额定电流0.2 0.75 电阻额定电流0.1 0.3 灯丝触点额定电压0.5 0.7功率0.5 0.717、电连接器电压0.7 0.8电流0.7 0.85温度Tmax-25 Tmax-2018、晶体温度：最低+10，最高-1019、光学器件光纤光源：峰值输出功率0.5峰值电流0.5结温设法降低光纤：温度：低温+20，高温-20张力：光纤20%拉力，光缆50%拉升值弯曲半径：最小允许值200%光纤连接器：温度：Tmax-25 Tmax-20。
Z35
表2 降额量值确定的基础
降额工作基础分类
元器件类别
A
集成电路,半导体分立器件,电阻器,电位器,电容器
GJB/Z 35-93
B
电感元件,继电器,开关,旋转电器,电连接器,线缆,灯泡,电路断路
器,保险丝
C
电真空器件,晶体,声表面波器件,激光器件,纤维光学器件
GJB/Z 35-93
４．６ 元 器 件 的 质 量 水 平
a.Ⅰ级降额：±3％； b.Ⅱ级降额：±5％； c.Ⅲ级降额：按相关详细规范要求。 ５．１．２．３ 主要参数的设计容差
为保证设备长期可靠的工作，设计应允许集成电路参数容差为：
模拟电路：
电压增益：-25％（运算放大器） -20％（其他）
输入失调电压：+50％（低失调器件可达300％） 输入失调电流：+50％或+5nA 输入偏置电压：±1mV（运算放大器和比较器） 输出电压：±0.25％（电压调整器） 负载调整率：±0.20％（电压调整器） 数字电路：
降额参数
降额等级
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
电源电压 1)
0.70
0.80
0.80
输出电流 2)
0.80
0.90
0.90
频率
0.80
0.80
0.9
最高结温 ℃
85
100
115
注：1)电源电压降额后不应小于推荐的正常工作电压；输入电压在任何情况下不得超过电源电压。 2)仅适用于缓冲器和触发器，从 IOL 的最大值降额；工作于粒子辐射环境的器件需要进一步降
应按设备可靠性要求、设计的成熟性、维修费用和难易程度、安全性要求，以及对设备 重量和尺寸的限制因素，综合权衡确定其降额等级。在最佳降额范围内推荐采用三个降额等 级。
元器件降额标准(参考)
晶体管
方向
电压
一般晶体管
功率MOSFET的栅源电压
电流
功率
功率管安全工作区
集电极－发射极电压
集电极最大允许电流
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
微波晶体管
最高结温
同晶体管
二极管（基准管除外）
电压（不适用于稳压管）
输出电流
功率
最高结温（℃）
80
95
105
数字电路
双极型 电路
频率
输出电流
最高结温（℃）
85
100
115
MOS型电路
电源电压
输出电流
功率
最高结温（℃）
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路（W/cm2）
薄模集成电路（W/cm2）
最高结温（℃）
85
100
115
大规模集成电路
最高结温（℃）
改进散热方式降低结温
TAM-20
TAM-20
TAM-20
微调电容器
直流工作电压
~
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
电感元件
热点温度THS（℃）(简写T)
T-40~25
T-25~10
T-15~0
工作电流
~
~
~
瞬间电压/电流
介质耐压
~
~
~
扼流圈工作电压
继电器
元器件降额准则GJBZ 35-1993
元器件降额准则编号：WI-TE-006版次：V01编制：审核：批准：目录1.0目的--------------------------------------------------------------------------------42.0适用范围--------------------------------------------------------------------------43.0引用文件--------------------------------------------------------------------------44.0一般要求--------------------------------------------------------------------------45.0详细要求--------------------------------------------------------------------------56.0应用指南-------------------------------------------------------------------------131.0目的为了满足客户对产品可靠性和使用寿命的要求，本标准规定了电子、电气元器件（以下简称元器件）在不同应用情况下应降额的参数及其量值，同时提供了若干与降额使用有关的应用指南。
2.0适用范围本准则适用于我司研发的所有电源产品3.0引用文件GJB/Z 35-1993元器件降额准则4.0一般要求4.1降额等级的划分我司降额等级分别从两方面来划分，一个主要从产品性能方面来考虑，另一个主要从产品经济效益方面来考虑。
首先，为适合我司对产品工作应力从稳态与瞬态两方面来进行要求和评估，从而制定两个降额等级：S—稳态应力降额，T—瞬态应力降额。
稳态应力是指在产品规格书中所规定的全电压输入范围、各种输出条件及环境条件下，产品稳定工作时，器件在某种组合条件下所承受的最大应力。
元器件降额标准(参考)
（适用于ILD）
电流
（适用于ILD）
结温
设法降低
光纤探测器
PIN反向压降
结温
设法降低
光纤 与光 缆
温度
上限额定值—20;下限额定值+20
张力
光纤
耐拉试验的
光缆
拉伸额定值的
弯曲半径
最小允许值的
核辐射
按产品详细规范降额或加固
导线 与电 缆
最大应用电压
最大绝缘电压规定值的
最大应用电流（A）
线规Avg
线绕 电位 器
电压
功率
普通型
非密封功率型
—
—
微调线绕型
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
热敏电阻器
功率
最高环境温度(C)
Tam-15
Tam-15
Tam-15
电容
器
固定玻璃釉型
直流工作电压
最高额定环境温度Tam(C)
Tam-10
Tam-10
Tam-10
直流工作电压
固定云母型
最高额定环境温度Tam(C)
Tam-10
输出电流
功率
最高结温（C）
80
95
105
数字电路
双极型电 路
频率
输出电流
最高结温（C）
85
100
115
MOS型电路
电源电压
输出电流
功率
最高结温（C）
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路（W/cm2）
薄模集成电路（W/cm2）
最高结温（C）
85
100
115
大规模集成电路
元器件降额标准(参考)
0.90
0.90
功率
0.80
0.80
0.90
最高结温（℃）
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路（W/cm2）
7.5
薄模集成电路（W/cm2）
6.5
最高结温（℃）
85
100
115
大规模集成电路
最高结温（℃）
改进散热方式降低结温
分离半导体器件
晶体管
方向
电压
一般晶体管
0.60
0.70
0.80
功率MOSFET的栅源电压
电压
0.60
0.70
0.80
电流
0.50
0.65
0.80
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
固定电阻器
合成型电阻器
电压
0.75
0.75
0.75
功率
0.50
0.60
0.70
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
薄膜型电阻器
电压
0.75
0.75
0.90
电感负载
电感额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.35
0.40
0.75
电机负载
电机额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.15
0.20
0.35
灯丝负载
灯泡额定电流的
0.50
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电阻负载
电容负载（最大浪涌电流）
电感负载
电感额定电流的
电阻额定电流的
电机负载
电机额定电流的
电阻额定电流的
灯丝负载
灯泡额定电流的
电阻额定电流的
~
触点功率（用于舌簧水银式）
线圈吸合电压
最小维持电压
最小线圈电压
线圈释放电压
最大允许值
最小允许值
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-20
TAM-20
TAM-20
合成型电阻器
电压
功率
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
薄膜型电阻器
电压
功率
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
电阻网络
电压
功率
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
线绕电阻
电压
功率
精密型
功率型
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
电位器
非线绕电位器
电压
功率
合成、薄膜微调
精密塑料型
不采用
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
线绕电位器
电流
功率
最高结温
Tjm（℃）
200
115
Байду номын сангаас140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
微波二极管
最高结温
同二极管
基准二极管
可控硅/半导体光电器件
电压
电流
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
固定电阻器
振动极限
工作寿命（循环次数）
开关
连续触点电流
小功率负荷（＜100mW）
不降额
电阻负载
电容负载（电阻额定电流的）
电感负载
电感额定电流的
电阻额定电流的
电机负载
电机额定电流的
电阻额定电流的
灯丝负载
灯泡额定电流的
电阻额定电流的
~
触点电压
触点功率
连接器
工作电压
工作电流
最高接触对额定温度TM（℃）
TM-40
TM-20
元器件降额准则（参考件）
元器件种类
降额参数
降额等级
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
集成电路
模拟电路
放大器
电源电压
输入电压
输出电流
功率
最高结温（℃）
80
95
105
比较器
电源电压
输入电压
输出电流
功率
最高结温（℃）
80
95
105
电 压调整器
电源电压
输入电压
输出输入电压差
输出电流
功率
最高结温（℃）
80
95
105
模拟开关
电源电压
输入电压
V peak (%)
I rms
(%)
I p-p (%)
Temp (%)
V DC (%)
V CP (%)
V peak (%)
I rms
(%)
I p-p (%)
Temp (%)
薄膜电容
85
85
PE
MPE
90
85
MPP
85
85
85
Ceramic fixed
陶瓷电容
75
80
90
90
Electrolytic
(85° C, 2000 h)
输出电流
功率
最高结温（℃）
80
95
105
数字电路
双极型 电路
频率
输出电流
最高结温（℃）
85
100
115
MOS型电路
电源电压
输出电流
功率
最高结温（℃）
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路（W/cm2）
薄模集成电路（W/cm2）
最高结温（℃）
85
100
115
大规模集成电路
最高结温（℃）
改进散热方式降低结温
Ip (%)
IDM (%)
VGS (%)
85
80
80
85
90
85
80
85
IC
Vpeak (%)
Pd (%)
Tcase (°C)
Vpeak (%)
Pd (%)
Tcase (°C)
80
80
90
85
80
90
PCB ( Solder Temp)
85°C
100°C
Special Parts
Vpeak (%)
Irms (%)
分离半导体器件
晶体管
方向
电压
一般晶体管
功率MOSFET的栅源电压
电流
功率
功率管安全工作区
集电极－发射极电压
集电极最大允许电流
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
微波晶体管
最高结温
同晶体管
二极管（基准管除外）
电压（不适用于稳压管）
Vpeak (%)
Irms (%)
Tcase (%)
Vpeak (%)
Irms (%)
Tcase (%)
H-Driver/Vertical
行场驱动
80
80
75
85
80
80
TM-15
电机
最高工作温度（℃）
T-40
T-20
T-15
最低极限（℃）
0
0
0
轴承载荷额定值
灯泡
白炽灯
工作电压（如可行）
氖/氩灯
工作电压（如可行）
电路断路器
电流
阻性负载
容性负载
感性负载
电机负载
灯丝负载
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-20
保险丝
电流额定值
＞0.5A
~
~
~
≤0.5A
~
~
~
T＞25℃时，增加降额1/℃
单根导线电流ISV
线规AVG
14/12/10/8/6/4
单根导线电流ISV
双极型数字电路降额准则
降额参数
降额等级
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
电源电容容限
±3％
±5％
见技术条件
频率
输出电流
最高结温（C）
85
100
115
HP电压降额标准
器件型号
正常状态
最差状态
电阻
峰值电压(%)
功率(%)
温度
峰值电压(%)
功率(%)
温度
碳膜、金属膜
TAM-10
固定陶瓷型
直流工作电压
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
固定纸/塑料薄膜
直流工作电压
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
电解电容器
铝电解
直流工作电压
－
－
最高额定环境温度TAM（℃）
－
－
TAM-20
钽电解
直流工作电压
最高额定环境温度TAM（℃）
晶体
最低温度（℃）
TL+10
TL+10
TL+10
最高温度（℃）
TU-10
TU-10
TU-10
微波管
最高额定环境温度（℃）
TAM-20
TAM-20
TAM-20
输出功率
反射功率
占空比
声表面波器件
输入功率（f＞100MHz）
降低+10dBm
输入功率（f＜100MHz＝
降低+20dBm
纤维光学器件
光纤光源
峰值光输出功率
Vrm (%)
Io (%)
I fsm (%)
Tcase (°C)
90
50
70
90
Zener Diode
Pd (%)
Iz (%)
IFM (%)
Tcase (°C)
Pd (%)
Iz (%)
IFM (%)
Tcase (°C)
50
50
80
90
Damp/ModulationDiode
Vrm (%)
Io (%)
80
80
85
60
90
95
90
70
Electrolytic
(105° C, 2000 h)
80
80
90
60
90
95
90
70
Component Typ
Normal Case
Worst Case
Inductors
Core Temp (°C)
Core Temp (%)
Core Temp (°C)
Core Temp (%)
Tcase (°C)
Vpeak (%)
Irms (%)
Tcase (°C)
Switch Power
MOSFET