金属和半导体材料电导材料物理性能
材料导电性能
材料导电性能
材料的导电性能是指材料在外加电场作用下，电子在材料内部的传输能力。
导
电性能是材料的重要物理性能之一，对于材料的应用具有重要的意义。
在现代科技领域中，导电材料被广泛应用于电子器件、光伏材料、电磁屏蔽材料等领域，因此对材料的导电性能进行研究具有重要意义。
材料的导电性能受多种因素的影响，其中包括材料的结构、成分、晶体结构等
因素。
导电材料通常分为金属导体和半导体两大类。
金属导体的导电性能主要取决于其自由电子的浓度和迁移率，而半导体材料的导电性能则受到杂质、缺陷、温度等因素的影响。
材料的导电性能可以通过电导率来表征。
电导率是描述材料导电性能的物理量，通常用σ表示，单位为（Ω·cm）^-1。
电导率越大，表明材料的导电性能越好。
金属材料通常具有较高的电导率，而半导体材料的电导率则介于金属和绝缘体之间。
在实际应用中，我们常常需要根据具体的要求来选择合适的导电材料。
例如，
在电子器件中，我们通常选择电导率较高的金属材料作为导线，以保证电子的顺畅传输；在光伏材料中，我们则需要选择能够有效转化光能的半导体材料。
除了常规的金属和半导体材料，近年来，碳纳米材料也成为了研究的热点之一。
碳纳米材料具有优异的导电性能和热导性能，因此被广泛应用于柔性电子器件、导电涂料、导电纤维等领域。
总的来说，材料的导电性能是材料科学研究中的重要内容之一。
随着科技的不
断发展，对导电材料的需求也在不断增加，因此对导电性能的研究也将会变得更加深入和广泛。
希望通过对导电性能的研究，能够为材料科学的发展和应用提供更多的可能性。
电子器件材料的物理性质与器件性能研究
电子器件材料的物理性质与器件性能研究近年来，随着科技的快速发展与电子设备的不断普及，电子器件材料的物理性质与器件性能研究变得愈发重要。
电子器件材料是现代电子技术的基础，其物理性质直接影响着器件的性能与可靠性。
在这篇文章中，将对电子器件材料的物理性质与器件性能进行深入探讨。
首先，我们需要了解电子器件材料的物理性质。
电子器件材料主要包括导体、半导体和绝缘体。
导体具有良好的电导特性，通常由金属材料构成。
电子在导体中容易自由移动，因此导体具有较高的电导率。
相比之下，绝缘体的电导率非常低，电子几乎不能在绝缘体中发生自由移动。
而半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的特性，其电导率在导体和绝缘体之间变化。
这些不同的物理性质直接影响着电子器件的工作原理和性能。
其次，电子器件材料的物理性质对器件性能产生着重要影响。
以半导体材料为例，其特殊的能带结构决定了半导体器件的特性。
光导带和价带之间的能隙决定了材料的光学特性，而材料的载流子浓度则直接影响着电导率。
通过控制半导体器件的材料和工艺参数，可以调节器件的电阻、电容等性能指标，从而实现不同的电子功能。
在电子器件材料的研究过程中，表征方法起着非常重要的作用。
电子显微镜是一种常用的表征方法之一，可以通过观察材料的微观结构来揭示其物理性质。
通过透射电子显微镜（TEM）、扫描电子显微镜（SEM）等技术，可以观察到材料的晶体结构、缺陷等特征，从而对其电子性质进行分析。
此外，拉曼光谱、X射线衍射等方法也被广泛应用于电子器件材料的表征。
除了理论计算和表征方法，材料制备工艺也是电子器件材料研究的重要环节。
不同的材料制备工艺对材料的物理性质和器件性能产生着直接影响。
例如，半导体材料的掺杂工艺可以改变材料的导电性质，从而实现不同的器件应用。
而对于导体材料，其晶粒尺寸和晶界性质也会对电导率和热导率产生重要影响。
因此，材料制备工艺的优化是提高电子器件性能的关键。
为了进一步改善电子器件的性能，研究人员还在不断寻求新的材料。
材料物理性能电学性能
E
热电偶测温
铂铑－铂，镍铬－镍铝，铜－康铜
1 2 V 1 ( 6 2) 0 V 2 ( 6 0 , 2 0 ) V 5 1 0 ( 6 , 2 0 )5 0
ε12对应的温差（575℃）＋25℃＝600℃（测量端温度）
1
600℃
2
25℃
热电子效应
金属的导电理论
• 经典电子理论
• 金属晶体为正离子＋电子 气
• 外加电场时，自由电子定 向迁移，形成电流。自由 电子与正离子机械碰撞产 生电阻
E
e
v
电子在自由程终点获得的定向迁移速度
vatEet m
平均速度
v1vE et 2 2m
a－加速度 t－两次碰撞时间间隔 E－电场强度 m－电子质量
电流密度
ⅡA族，外壳层价电子数为2。Mg的3p能带与3s能带重叠， 3s上的电子可跃迁到3p能带上，也有较好的导电性。
ⅡA族，外壳层价电子数为2 ⅢA族，外壳层价电子数为3
d壳层电子逐渐填满－过渡金属。Fe原子形成晶体时4s能带 与3d能带重叠。由于价电子核内层电子有强的交互作用，铁 的导电性稍差。
d壳层电子逐渐填满－过渡金属
导电性
• 电阻与材料性能和尺寸的关系 R L
S
• 电阻率
• 电导率 1
• 电阻温度系数 t 0(1t)
t
t 0 0t
t
d 1 dt t
• 导体（纯金属10-8~10-7Ω·m， 合金10-7~10-5Ω·m ） • 半导体（10-3~109Ω·m） • 绝缘体（>109Ω·m）
元素周期表
Jnven2E etn2E eL 2m 2mv
金属相 半导体相的差异
金属相半导体相的差异金属相与半导体相的差异金属相和半导体相是材料科学中两种不同的物质状态。
它们在电导性、能带结构、热导性和应变特性等方面存在着显著的差异。
本文将从这些方面详细介绍金属相和半导体相的不同之处。
一、电导性差异金属相具有良好的电导性能，其原因在于金属中存在大量自由电子。
这些自由电子可以自由移动，形成电流。
金属的电导率通常很高，因此在电器、电子等领域得到广泛应用。
半导体相的电导性要弱于金属相，其原因在于半导体中的电子能带结构与金属不同。
半导体中存在价带和导带之间的禁带，电子需要获得足够的能量才能跃迁到导带，形成电流。
半导体的电导率通常在导体和绝缘体之间，可以通过掺杂等方法来调节电导性能。
二、能带结构差异金属相的能带结构特点是导带与价带之间没有禁带，电子能够自由地跃迁，形成电流。
这种能带结构使金属具有良好的导电性能。
半导体相的能带结构特点是导带和价带之间存在禁带。
禁带宽度决定了半导体的导电性能。
在常温下，纯净的半导体材料中，禁带宽度较大，电子很难跃迁到导带中，因此电导率较低。
但通过其他手段，如掺杂和加热等，可以改变半导体的能带结构，提高其导电性能。
三、热导性差异金属相的热导性能通常很好，因为金属中的自由电子可以通过传导电子来传递热量。
金属的热导率高，是热工学和材料工程领域中重要的特性之一。
半导体相的热导性能较差，因为半导体中的电子能带结构限制了热量的传导。
半导体的热导率通常较低，但可以通过合适的掺杂来改善其热导性能。
四、应变特性差异金属相具有良好的应变特性，可以承受较大的应力和变形。
金属的晶格结构可以容纳和传递应变，因此金属在机械工程领域得到广泛应用。
半导体相的应变特性较差，其晶格结构对应变的容忍度较低。
应力和变形容易导致半导体材料的性能变差，因此在设计和制造中需要特别注意。
金属相和半导体相在电导性、能带结构、热导性和应变特性等方面存在着显著的差异。
这些差异决定了它们在不同领域和应用中的适用性和性能表现。
导电材料种类及特点
导电材料种类及特点导电材料是指具有良好导电性能的材料，其特点是能够将电流传导到物体中。
根据导电机制的不同，导电材料可以分为金属导体、半导体和导电聚合物等几大类。
1. 金属导体金属导体是最常见的导电材料，其导电性能优异。
金属导体的导电机制是自由电子在金属晶格中的传导，电子在金属中几乎没有受到阻碍，因此金属导体具有很低的电阻和良好的导电性能。
常见的金属导体有铜、铝、银、金等。
金属导体的导电性能随温度的升高而下降，这是因为温度升高会增加金属晶格的振动，从而增加电子的碰撞。
2. 半导体半导体是一类介于导体和绝缘体之间的材料，其导电性能介于金属导体和绝缘体之间。
半导体的导电机制主要是通过掺杂、光照或热激活等方式来增加载流子的浓度。
常见的半导体材料有硅、锗、镓等。
半导体可以通过控制掺杂浓度和施加电场来调节其导电性能，因此在电子器件中有广泛的应用，如集成电路、太阳能电池等。
3. 导电聚合物导电聚合物是一种具有导电性能的聚合物材料，其导电机制是通过引入导电性的团簇或离子来实现。
导电聚合物具有良好的柔韧性和可塑性，可以制备成薄膜、纤维等形式，因此在柔性电子器件领域有广泛的应用。
常见的导电聚合物有聚苯胺、聚噻吩等。
导电聚合物的导电性能受到氧气、水分等环境因素的影响较大，因此需要进行防护措施。
除了上述几类导电材料，还有一些特殊的导电材料也值得一提：4. 导电陶瓷导电陶瓷是一种介于金属导体和绝缘体之间的材料，具有较高的电导率和绝缘性能。
导电陶瓷常用于高温环境下的导电部件，如热敏电阻、热电偶等。
5. 导电纳米材料导电纳米材料是一类具有纳米尺寸的导电材料，具有较高的比表面积和特殊的电子结构。
导电纳米材料的导电性能优异，常用于制备高性能传感器、透明导电膜等。
导电材料种类繁多，根据导电机制的不同可以分为金属导体、半导体和导电聚合物等几大类。
每种导电材料都具有其特有的导电性能和应用领域，它们的研究和应用对于电子技术和材料科学的发展具有重要意义。
探究材料的电导特性
探究材料的电导特性材料的电导特性是指材料对电流的导电能力。
在电路中，材料的电导特性对电流的传输起着关键作用，不同的材料具有不同的导电特性。
本文将探究材料的电导特性。
接下来，将从金属、半导体和绝缘体三个方面来详细介绍材料的电导特性。
一、金属的电导特性金属是一类具有良好导电性的材料，其电导特性主要源于其特殊的电子结构。
金属的电导特性可解释为自由电子在金属中的传导行为。
金属的导电性是由于金属中的离子排列相对松散，导致金属内部存在大量自由电子。
这些自由电子可以在金属内部自由移动，并形成电流。
当施加电压或电场时，自由电子会受到电压的作用，发生定向移动，从而构成电流。
金属的电导特性通常是连续和均匀的，因此具有优良的导电性。
二、半导体的电导特性半导体是介于金属和绝缘体之间的材料，其导电特性处于两者之间。
半导体的电导特性主要受到温度和杂质掺杂的影响。
在室温下，纯净的半导体几乎没有自由电子和缺电子的激发态。
因此，纯净的半导体是几乎没有导电的。
然而，通过在半导体中掺杂少量的杂质，可以形成导电性。
其中，主要有n型半导体和p型半导体。
对于n型半导体，掺杂的杂质通常是五价元素，如磷或砷。
这些杂质的原子与半导体晶格中的原子替换，同时会多出一个外层电子。
这个额外的电子容易被激发，并形成自由电子，从而提高了半导体的导电性。
而对于p型半导体，掺杂的杂质通常是三价元素，如硼或铝。
这些杂质的原子与半导体晶格中的原子替换，同时会少一个外层电子，形成空穴。
空穴的运动类似于正电荷的流动，因此也可以构成电流。
三、绝缘体的电导特性相比金属和半导体，绝缘体的电导特性非常差。
绝缘体的导电能力远远小于金属和半导体，主要是由于其原子结构和电子能带结构的差异导致。
绝缘体的原子结构中，电子处于较为稳定的能级中，并且禁止带宽很大。
这意味着绝缘体中没有自由电子可以自由移动，几乎不能传导电流。
当施加电场或电压时，绝缘体中的电子是束缚状态，无法形成电流。
四、总结综上所述，材料的电导特性是指材料对电流的导电能力。
半导体材料和器件的物理性能
半导体材料和器件的物理性能在现代科技发展中，半导体技术已成为电子、通信、光电及信息产业中最为重要和最为基础的关键技术之一。
半导体材料是半导体器件的核心，其物理性能直接影响着半导体器件的性能和应用。
本文将从半导体材料的物理性能入手，探究其对半导体器件性能的影响。
一、导电性能半导体材料的导电性与其电子结构有着密切的关系。
半导体中的电子处于价带和导带之间，其能够跃迁到导带中的电子称为载流子。
在纯净半导体中，载流子密度极低，因而其导电性能很弱。
为了提高半导体材料的导电性，通常需要通过杂质掺入或制备异质结构等手段来改善半导体的导电性能。
掺杂加入的杂质原子可以提供自由电子或空穴，从而改善了半导体的导电性。
异质结构通过构建具有不同能带结构的半导体材料，可以形成电子和空穴浓度很高的区域。
二、光学性能半导体材料的光学性能是指其与光的相互作用过程中的一系列特征。
当激发半导体材料时，光与其结构产生相互作用。
光可以被半导体材料吸收，诱导电子从价带跃迁到导带中，生成电子-空穴对。
同时，光也可以激发半导体材料内部极化振动的声子，从而影响材料的电子结构，导致其光学性能发生变化。
利用半导体的光学特性，可以开发出各种显示器件、光电检测器件、激光器件等。
三、热学性能热学性能是指半导体材料在不同温度下的特性。
随着温度的升高，半导体的载流子密度也会逐渐变大，从而增强其导电性。
但是，在过高的温度下，可能会导致载流子的寿命变短，从而影响其性能。
因此，在半导体材料的制备和应用过程中，需要注意热学特性的影响，以保证半导体器件在不同温度下的性能稳定性。
四、机械性能半导体材料的机械性能是指其受到外力作用下的力学响应。
半导体材料通常需要经受不同程度的应力，如热应力、机械应力、结晶应力等。
在制备过程中，若应力过大，可能会导致晶体结构的畸变和缺陷，影响其器件的性能。
因此，准确把握半导体材料的机械性能，对于半导体器件的制备和应用有着重要的意义。
总之，半导体材料的导电性、光学性、热学性和机械性等物理特性，直接影响着半导体器件的性能和应用。
半导体光电子设备的材料与性能特性
半导体光电子设备的材料与性能特性随着现代科技的快速发展，半导体光电子技术也日趋成熟。
在光电子技术中，半导体器件是最为常见和重要的一类器件。
其中，半导体光电子设备的材料及其性能特性是影响其稳定性和使用期的重要因素。
一、半导体物理学基础半导体光电子设备主要使用的是半导体材料。
半导体材料，也就是半导体晶体，是指它的电导率介于金属和非金属之间的材料。
半导体晶体的导电性取决于掺杂材料和温度等因素。
半导体材料被广泛应用于电子元器件、光电子设备、太阳能电池等领域中。
半导体物理学的基础知识是学习和应用半导体光电子技术的前提。
二、半导体材料的性能特性半导体材料在光电子领域中的应用需要具有一些特殊的物理和化学性能特性。
以下是几个重要的性能特性：1. 晶体结构：晶体结构决定了半导体材料的优劣程度和物理性质。
通常半导体材料均为晶体结构，其结晶形态决定了其电子、能量特征和光学性质。
2. 能隙：能隙是指由于能带结构而分开了的电子能量的缝隙。
能隙越小，导电性越好；能隙越大，电阻越大，导电性越差。
例如，硅材料的能隙为1.12电子伏特。
3. 拓扑结构：半导体材料的拓扑结构决定了其电学、光学性质和纯度。
比如说以锗、硅等材料为基础的半导体材料，具有简单的立方晶体结构，特性稳定，容易制备和使用。
4. 掺杂：半导体材料的导电性能常常通过掺杂的方式来调节和控制。
对原有的半导体材料进行正、负掺杂等，即可得到电导性能良好的物质。
三、半导体光电子设备的材料半导体光电子设备主要涉及到的材料有晶体材料（硅、锗等）、半导体复合材料、非晶态材料（玻璃、非晶硅等）等。
这些材料在制备过程中需要遵循一些严格的制备方法和条件，以确保其材料质量稳定和性能优异。
晶体材料：晶体材料中以硅材料最为常见。
硅材料具有优异的电学性质和光电学性质，能够被广泛地应用到半导体器件中。
同时，硅材料制备和加工工艺差异较大，这也使得硅材料具有高度的控制和灵活度。
非晶态材料：非晶态材料主要指非晶硅、非晶碳等材料。
材料的导电性和导电材料
材料的导电性和导电材料材料的导电性是指物质对电流的导电能力，而导电材料则是能够有效传递电流的物质。
在现代科技发展的背景下，导电性和导电材料在电子技术、能源科学以及材料科学领域具有重要的应用和研究价值。
本文将从材料的导电性机制以及常见的导电材料两个方面展开讨论。
一、材料的导电性机制材料的导电性主要是由材料内部的电荷输运机制决定的。
根据材料内部电荷的输运方式不同，导电性可分为金属导电和半导体导电两种类型。
1. 金属导电金属导电主要是由于金属材料中自由电子的存在。
在金属中，金属原子的电子外层的原子轨道部分被“束缚”关住，形成价带；而电子外层的自由电子则呈现出一种“流动”状态，构成导体的导带。
当电场作用于金属材料时，自由电子在电场力的驱动下开始运动，形成电流。
2. 半导体导电半导体导电则是因为半导体材料的导带结构与金属不同。
在半导体中，导带与价带之间存在能带隙，即能量差。
当外部施加电场或接受能量激发时，电子可以突破能带间的能量差，从价带跃迁到导带，形成载流子，进而导致电流的传递。
二、常见的导电材料1. 金属材料金属材料是最常见的导电材料之一，具有良好的导电性能。
铜、银、铝等金属都属于优良导体，被广泛应用于电线、电路等电子元件的制造。
金属的导电性能好，是由于金属结构中自由电子的存在。
2. 半导体材料半导体材料导电性能介于导体和绝缘体之间。
硅和锗是最常见的半导体材料，具有广泛的应用前景。
半导体材料的导电性可以通过控制材料的掺杂来改变。
P型半导体和N型半导体的结合可以形成PN结，通过施加电场或外界激发，控制电子在导带和价带之间的跃迁，实现对电流的控制。
3. 导电聚合物近年来，导电聚合物也成为研究热点。
导电聚合物是一种特殊的有机材料，具有高导电性和可塑性，可以制备成薄膜、纤维等形式。
常见的导电聚合物有聚对苯二甲酸乙二酯（PEDOT）和聚噻吩（PTh）等。
导电聚合物被广泛应用于柔性电子、聚合物太阳能电池等领域。
除了以上提到的常见导电材料外，还存在着许多特殊的导电材料，如碳纳米管、石墨烯等。
材料物理性能整理
名词解释：0.马基申定则：当金属中存在缺陷时，散射系数μ=μT+△μ。
总的电阻包括金属的基本电阻和溶质浓度引起的电阻1.本征半导体：是指纯净的无结构缺陷的半导体单晶2.载流子：任何一种物质，只要存在带电荷的自由粒子就可以在电场下产生导电电流3.多子：在n型半导体中，自由电子的浓度大，故自由电子称为多数载流子，简称多子4.少子：由于自由电子的浓度大，有本征激发产生的空穴与它们相遇的机会也增多，故空穴被复合的掉的数量也增多，所以n型半导体中空穴的浓度反而比本征半导体中的空穴浓度小，故把n型半导体中的空穴称为少数载流子，简称少子5.电介质的击穿：当施加于电介质上的电场强度或电压增大到一定程度时，电介质由介电状态变为导电状态的现象。
6.击穿电压：当施加于电介质上的电场强度或电压增大到一定程度时，电介质由介电状态变为导电状态，此时所加电压称为击穿电压，用Ub表示7.耐电强度（介电强度）：发生击穿时的电场强度称为击穿电场强度，又称耐电强度（介电强度）8.电介质的极化：电介质在电场的作用下，其内部的束缚电荷所发生的弹性位移现象和偶极子的取向（正端转向电场的负极，负端转向电场的正极）现象，称为电介质的极化9. 介质损耗:电介质在电场作用下，在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率，简称介质损耗介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之一10. 磁滞损耗Q：磁滞回线所包围的面积表示磁化一周时所消耗的功，称为磁滞损耗Q，其大小为Q=∮HdB11.原子磁矩：为原子中各电子磁矩总和12.自发磁化：在铁磁物质内部存在着很强的与外磁场无关的“分子场”，在这种“分子场”的作用下，原子磁矩趋于同向平行排列，即自发的磁化至饱和，称自发磁化13. 磁化强度M：单位体积的磁矩称为磁化强度，即在外磁场H的作用下，材料中因磁矩沿外电场方向排列而使磁场强化的度量14.矫顽力Hc: 是材料在正向加磁场使磁化强度达到饱和，然后去掉磁场，再反向加磁场直到磁化强度为零，其相对应的磁场称为矫顽力Hc15.饱和磁化强度Ms：随磁化场的增加，磁感应强度B开始时增加较缓慢，然后迅速地增加，再缓慢的增加，最后磁场强度达到Hs时，磁化至饱和。
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1.电子电导的载流子：电子或空穴(即电子空位)。 2.电子电导材料：主要发生在导体和半导体中。 3.电子的运动： 1）理想晶体中：电子运动像理想气体分子在真空中的运动一 样，电子运动时不受阻力，迁移率为无限大。
2）实际晶体中：周期性受到破坏，电子运动受到阻碍。电子 与点阵的非弹性碰撞引起电子波的散射是电子运动受阻的原 因之一。
原因：价电子转移使有效导
电的电子数减小。 Cu—Pd、Ag—Pd和Au—Pd合金
电组率与成分的关系金属和半导体材料电导材料物理性
14
能
合金有序化后电阻降低
电子结合比无序态时强，导电电子数减少
固溶体有序化
晶体的离子势场更为对称，电子的散射降低
合金电阻降低
完全有序合金在0 K和纯金属一样电阻为零， 只有当原子的有序排列遭破坏时才有电阻。
2.合金元素
最大电阻率通常在 50 %浓度处
原因：
晶体点阵畸变； 杂质对理想晶体的局部破坏； 合金化对能带结构的影响； 合金化对弹性常数的影响。
Ag-Cu合金电金阻属率和半与导体成材料分电的导材关料物系理性
13
能
铁磁性和强顺磁性金属组成 的固溶体，不仅电阻的极大 值出现在较高浓度处，而且 电阻也异常的高。
金属键 PK 离子键或共价键
中间相金属化合物根据是否存在奇异点分为道尔 顿体和别尔多利体两种。
金属和半导体材料电导材料物理性
17
能
5. 金属导电性的测量与分析
单（双）电桥法
直流电位差计法
电阻分析的应用
金属和半导体材料电导材料物理性
18
能
单电桥法
未知臂 Rx
R2 比较臂
金属和半导体材料电导材料物理性
15
能
K状态最早在Ni80Cr20合金中发现。
不均匀固溶体的金属电和半阻导体率材与料电温导材度料的物理关性 系示意图
16
能
存在金属间化合物
金属化合物的电阻率要比各组元的电阻率高， 若两组元给出价电子的能力相同，则所形成的 化合物的电阻就低；相反，若两组元的电离势 相差较大，则化合物的电阻就大。
实际晶体中： 电子运动会被声子、杂质、缺陷散射，使金属有电阻。 电子在前进方向上的平均迁移速度为0，外加电场使电子获得定向速度。
金属和半导体材料电导材料物理性
2
能
2）电子定向速度（实际晶体）
自由电子的平均速度： vateE/me
电子质量
2—为电子每两次碰撞之间的平均时间；
为松弛时间 ，与晶格缺陷和温度有关，温度越高，晶体缺陷越多 电子散射几率越大， 越小；单位时间平均散射次数1/2 ；
➢ 电场周期破坏的原因：晶格热振动、杂质的引入、位错和裂缝 等。
➢ 电子运动受阻的原因：电子与点阵的非弹性碰撞引起电子波的
散射使电子运动受阻。金属和半导体材能料电导材料物理性
1
一、电子迁移率
1、经典力学理论 ——导体中电子的运动
1）电子定向加速
E
自由电子在外电场E作用下的加速度为： a = eE/me
1.温度
➢迁移率与温度关系 高温下，声子散射项起主要作用
I aT3/2
低温下杂质离子散射项起主要作用；
I bT3/2
金属和半导体材料电导材料物理性 能
迁移率与温度的关系
10
1.温度
电子-声子散射
电子-电子散射
在室温和更高温度 下，非过渡金属的 电阻率：
T01T
非过渡族金属的电阻—温度曲线
电阻温度系数
掺杂浓度:掺杂越多，载流子和电离杂 质相通而被散射的机会也就越多。
➢温度:温度越高，载流子运动速度越 大，散射作用越弱。
电离杂质散射
温度对两种散射作用的影响是相反的，在高掺杂时，电离杂质散射随温度变 化的趋势与晶格散射相反，因此迁移率随温度变化较小。
金属和半导体材料电导材料物理性
6
能
二、金属材料中载流子浓度
自由电子的迁移率：
ev /EeE /m eEe/m e
有效电子（晶格场中电子波） 迁移率：
e=v/E=e/m*（有效电子）
有效电子m*=？
金属和半导体材料电导材料物理性
3
能
大多数导体（自由电子），m*= me 半导体和绝缘体以及部分导体，m*≠ me
3）晶格场中的电子迁移率μ：
μ = eτ/ m*
为化学缺陷和物理缺陷引起的残余电阻率，
残 与温度无关。
金属和半导体材料电导材料物理性
反映了能金属的纯度和完整性
8
2.偏离马提申规则
TCRd 1 dT
TT0TT0T0
获取精密电阻合金的途径：
（1）提高合金电阻率 （2）降低合金电阻率随温度的变化率
金属和半导体材料电导材料物理性
9
能
二、金属材料导电性的影响因素
➢金属导体能带结构 导带 价带
费米能级Ef
导带和价带之间没有禁区，电子进入导带 不需要能量，导电电子的浓度很大。
金属和半导体材料电导材料物理性
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能
2.2.2金属材料的导电性
一、金属材料导电特性的实验规律
1.马提申规则
2.偏离马提申规则
1.马提申规则
杂质和缺陷上的散射
i T残
i
声子散射和电子散射
T 为金属的基本电阻率，与温度有关；
电阻—温度关系在低温条件下较复杂，室温以上则较简单。
金属和半导体材料电导材料物理性
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能
电阻温度系数
0 ~ T℃温区T 的平0 均温度系数 0T
在温度T 时的真电阻温度系数为
T
1
T
d
dT
纯金属： α≈ 4×10－3
过渡族金属，特别是金属铁和磁半导性体金材属料电α导较材高料物理性
能
Fe：6×10－3 Co ：6.6×10－3 Ni ：6.2×10－3 12
散射越弱，τ越长，迁移率也就越高。
影响电子电导的控制因素-散射对自由程的影响
➢散射 (1)晶格散射 光学波和声学波散射。随着温度的增加， 晶格振动的散射越来显著，而杂质电离的 散射变得不显著了。
温度越高，晶格振动越强，对载流子的晶
格散射增强。
金属和半导体材料电导材料物理性
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能
(2)电离杂质散射 电离杂质的散射：施主杂质在电离后是一个带正电的离子，而受主 杂质电离后则是负离子。在正离子有或负离子周围形成一个库仑势 场，载流子将受到这个库仑场的作用，即散射。
经典理论e=v/E=e/m*（有效电子）
m*决定于晶格，对氧化物m*一般为me的2-10倍；对碱性盐m*= me /2。
取决于散射和温度
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能
3.影响迁移率的因素：
μ = eτ/ m*
不同的半导体材料，电子和空穴的有效质量不同。
平均自由运动时间的长短是由载流子的散射的强弱来决定的。