模拟电路0403
模电(第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模电课件第三章(模拟电子技术基础第四版童诗白华成英)
Ri Ri1 R1 // R2 // rbe1 1.52k
直接耦合电路的特殊问题
R1 RC1 R2 T1 RC2
+UCC
T2
RE2
ui
uo
问题 1 :前后级Q点相互影响。
增加R2 、RE2 : 用于设置合适的Q点。
R1 RC1
RC2 T1 T2
+UCC
uo
R2
ui
有时会将 信号淹没
d
(2)共模( common mode) 输入
ui1 = ui2 = uC
U oc 共模电压 Ac 放大倍数: Uc
(一) 差模输入
RC RB T1 均压器 ui R
+UCC uo T2 RE
RC RB
R
–UEE
1 u i1 u i u d 2 1 u i 2 u i u d 2
T2
C11
C12
C22 uo
uo u i
CE
RE2
Ri
放大电路一
放大电路二
+VCC
R1 RC T1 ui R2 RE1 CE
+VCC RB C21 uo u i C22 T2 RE2 uo
C11
C12
Ri 1. 求直接采用放大电路一的放大倍数Au和Aus。
2. 若信号经放大电路一放大后，再经射极输出 器输出，求放大倍数Au、Ri和Ro 。
RB ib1
RC
RB rbe1
Ad1 Ad 2
B1 C1 rbe1 E
ui1
ib1
RC
uod1
差模电压放大倍数:
RC RB R ib1
uod Ad ui
模拟电子技术基础第四版第3章
RE1
+ CE1
RE2
uo
ui如为低频信号,
缺点:低频特性差，不能放大变化缓慢的信号； 可否放大? 在集成电路中不能制造大容量电容，因此阻容耦合放大电路不
便于集成化。
优点:各级之间的直流通路各不相连，各级的静态工作点相互独立， 电路的分析设计和调试简单。在分立元件电路中应用非常广泛。
3.2 多级放大电路的分析方法
当共集放大电路作第一级时，输入电阻Ri与其负载，即第二级的 输入电阻Ri2有关；而当共集放大电路作最后一级时，输出电阻 Ro与其信号源内阻，即倒数第二级的输出电阻Ro1有关。(二级)
.
Ii
.
Ie E Ib
•
C Io
RS +
us
.
Ui
.
RE rIbeb RC
RL
.
Uo
Ri
B
Ro
Ri RB1 // RB2 //[rbe (1 )RE ]
RB
ui1 ui
ui2 b
RC uo
uo1
T1
RC+VCC
uo2 RB
T2
RE
VEE
双端输入
a
RB
ui1 ui
ui2 b
RC uo
uo1
T1
RC+VCC
差模信号
uid=ui1–ui2 =ui
共模信号
uo2 T2
uic = u( i1 +ui2 )/2= 0 RB
RE
VEE
ui1， ui2：
一对差模信号分
•
Uo1
RB3
•
RE2 RL Uo
C2
Ro1
Ro
模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
图题所示电路在正常放大时
IB=(5– V/[200+(50+1)×] k= mA
IE≈IC=50× mA= mA
UB= V+ mA× k= V
UE= mA× k≈ V
UC=5 V– mA×2 k= V
将以上数据与表题中的数ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ比较分析，得出结论列入表中：
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
Ⅳ
Ⅴ
Ⅵ
Ⅶ
Ⅷ
UB/V
0
0
5
指针微动
UE/V
0
指针微动
0
0
0
指针微动
UC/V
0
5
5
5
5
结论
电源未接入不能正常工作
处于正常放大工作状态
三极管内部集电结断路不能正常工作
Re短路电路能正常放大
Rb断路电路不能正常工作
三极管内部发射结断路或Re断路不能正常工作
三极管内部集电结短路或外部b、c极之间短路不能正常工作
三极管内部发射结短路或外部b、e极之间短路不能正常工作
解答：
（a）结型N沟道，UGS(off)=–4 V,IDSS=4 mA
（b）耗尽型NMOS管，UGS(off)=–4 V,IDSS=2mA
（c）增强型PMOS管，UGS(th)=–2 V
（d）耗尽型PMOS管，UGS(off)=2 V,IDSS=2 mA
2．36 已知图题2．36所示电路中FET的IDSS=5 mA，已知gm=1．34 mS，试求：
解答：
若UCE=10 V，则ICPCM/UCE=150mW/10 V=15 mA；
若IC=1mA，则UCE=PCM/IC=150mW/1 mA=150 V，此电压大于U(BR)CEO=30 V，故工作电压的极限值应为30 V。
模拟电路第四章习题解答
用 SPICE 分析： （1） 求电路的静态工作点； （2） 输入取频率为 1 kHz、幅值为 10 mV 的正弦信号，绘出差模输入时，
输出电压 vo1 和 vo2 的波形，并绘出 vo vo1 vo2 的波形； （3） 输入取频率为 1 kHz、幅值为 100 mV 的正弦信号，绘出差模输入时，
vo
而同相输入端的电位为：
u
R2 R1 R2
v1
因为“虚短”，即 u u ，所以
R2 R1 R2
v2
R1 R1 R2
vo
R2 R1 R2
v1 ，整理可求得差分放大器的输入输出关系为
vo
R2 R1
(v1
v2 )
。
题目中，电路增益为-10，因此 R2 10 。 R1
设：IIB 为运放输入偏置电流，IB1，IB2 分别是运放两个输入端的输入偏置电 流，IOs 为输入失调电流。有
vi 1mHz 1V
C1
R1 100KΩ
10uF
+ U1
R5 1KΩ
R2 10KΩ R3 1KΩ
-
U2
vo
+
R4 2KΩ
图 P4.8 解：U1 组成积分电路，U2 组成比例放大电路。
vi 1mHz 1V
C1
R1 100KΩ
10uF
-
U1
+
R5 1KΩ
vo1
R2
10KΩ
R3
1KΩ
-
U2
vo
+
R4 2KΩ
+
M4 Vo1 vo1
-
VEE
这是一个带有密勒补偿的两级运算放大器。放大器采用 PMOS 管输入。 a、低频电压增益；
湖北省考研电子科学与技术复习资料模拟电路重点知识梳理
湖北省考研电子科学与技术复习资料模拟电路重点知识梳理一、引言模拟电路是电子科学与技术的核心内容之一，也是湖北省考研电子科学与技术专业重点关注的知识点。
本文将对模拟电路的重点知识进行梳理，帮助考生更好地复习这一部分内容。
二、基本概念模拟电路是以电子器件为基础，用电流、电压和功率等模拟变量表示信号的电路。
了解模拟电路的基本概念对于后续的学习和理解非常重要。
模拟电路包括模拟信号的产生、调理、放大、滤波、变换等处理。
三、放大器放大器是模拟电路中最基本的功能电路之一。
其中，共射放大器、共基放大器和共集放大器是考研的重点内容。
掌握放大器的工作原理、输入输出特性和参数计算是必备的知识点。
四、运放运算放大器（Op-Amp）是模拟电路中应用广泛的一类放大器。
通过对运放的输入电压进行调节，可以实现信号的放大、滤波、求和等功能。
熟悉运放的内部结构、理想运放模型、反馈电路等知识是考研中重点关注的内容。
五、滤波器滤波器是模拟电路中常用的一类电路，主要用于信号的频率选择性处理。
常见的滤波器有低通、高通、带通和带阻滤波器等。
理解滤波器的基本原理、频率响应曲线和设计方法是考研中的重点内容。
六、振荡器振荡器是模拟电路中产生周期性信号的重要电路。
根据振荡器的工作原理和振荡方式的不同，可以将其分为RC振荡器、LC振荡器和晶体振荡器等。
掌握振荡器的工作原理、频率稳定性和参数计算是考研中需要重点掌握的内容。
七、功率放大器功率放大器用于输出较大的功率信号，广泛应用于音频放大、射频通信等领域。
了解功率放大器的分类、失真机理和效率等是考研中需要关注的重点内容。
八、综合应用在考研中，对于模拟电路的学习不仅仅要掌握知识点本身，还需要能够将所学知识应用于实际问题的解决。
通过大量的练习和实例分析，考生可以提高自己的综合应用能力。
九、总结模拟电路是湖北省考研电子科学与技术专业的重要内容之一。
通过对模拟电路的重点知识进行梳理，考生可以更加高效地进行复习。
模拟电路考试试题和答案(长沙理工大学)
长沙理工大学考试试卷………………………………………………………………………………………………………………试卷编号01 拟题教研室（或教师）签名电子教研室教研室主任签名………………………………………………………………………………………………………………课程名称（含档次）模拟电子技术课程代号专业电类相关专业层次（本、专）本科考试方式（开、闭卷）闭卷一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。
2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。
3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。
4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。
5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。
6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。
7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。
8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比K CMR为__________之比。
9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。
二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
年秋国开《模拟电子电路》实验报告一至四题库
年秋国开《模拟电子电路》实验报告一至四题库实验一集成运放的线性运算电路温馨提示：进行试验操作之前，您可能需要先了解一下电路仿真软件Multisim（一）实验目的 1．掌握运放运算电路的测量分析方法。
2．巩固集成运放几种典型运算电路的用法，掌握电路元、器件选择技巧。
（二）实验仪器与设备 1．模拟电路实验箱：包括本实验所需元器件； 2．双踪示波器 1 台； 3．万用电表 1 台。
（三）实验原理 1 ．反相求和运算电路图 1-1 为典型的反相求和运算电路，输出 U o 与输入 U I 有如下关系若设 R 1 =R 2 =R 3 =R F ，上式可简化为图 1-1 反相求和运算电路 2 ．差分比例运算电路图 1-2 为差分比例运算电路，输出 U o 与输入 U I 有如下关系电路的输入电阻为图 1-2 差分比例运算电路（四）实验内容与步骤 1 ．反相求和运算电路实验（1）按照图 1-1 连接电路；（2）调节实验箱上的可调电阻器，在 0～1.5V 范围内分别为 U I1 、U I2 、U I3选择一组给定值；（3）测量输入电压 U I1 、U I2 、U I3和输出电压 U o ，将测量结果填入下表中；（4）重复（2）、（3），完成三组数据测量。
U I1（V）U I2（V）U I3（V）U o （V）误差测量值计算值第 1 组第 2 组第 3 组2 ．差动比例运算电路实验（1）按图 1-2 连接电路电路，接通电源；（2）按下表在输入端加上直流电压，测量对应的输出电压，填入表中，并与计算值比较。
U I10mV 40mV 0.4V 1.2V U I"15mV 50mV 0.6V 2V U I" -U IU O （实测值）U O （计算值）（五）作业要求预习要求 1．复习第 1 单元有关内容；2．下载或绘制实验记录表； 3．预习双踪示波器的使用方法实验报告要求 1．填写实验表格； 2．进行实验小结； 3．上传实验报告。
模拟电路试题及答案解析[十套]
模拟电路试题及答案解析[十套](总82页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为 V；若u i1=1500µV, u i2=500µV，则差模输入电压u id为µV，共模输入信号u ic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE的变化情况为（）。
A．β增加，I CBO,和 u BE减小 B. β和I CBO增加，u BE减小C．β和u BE减小，I CBO增加 D. β、I CBO和u BE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
《模拟电路教案》
《模拟电路教案》word版教案章节：一、模拟电路概述1.1 模拟电路的定义1.2 模拟电路的特点1.3 模拟电路的应用二、模拟电路基本元件2.1 电阻元件2.2 电容元件2.3 电感元件2.4 电压源和电流源三、模拟电路基本分析方法3.1 节点分析法3.2 回路分析法3.3 叠加分析法3.4 戴维南-诺顿定理四、模拟电路常见电路模块4.1 放大器4.2 滤波器4.3 振荡器4.4 模拟信号发生器五、模拟电路设计与仿真5.1 模拟电路设计流程5.2 仿真软件的选择与使用5.3 电路仿真的一般步骤5.4 仿真结果分析与优化《模拟电路教案》word版教案章节：六、放大器的设计与分析6.1 放大器的作用与分类6.2 放大器的特性指标6.3 晶体管放大器的设计与分析6.4 运算放大器的设计与分析七、滤波器的设计与分析7.1 滤波器的作用与分类7.2 滤波器的特性指标7.3 低通滤波器的设计与分析7.4 高通滤波器的设计与分析八、振荡器的设计与分析8.1 振荡器的作用与分类8.2 振荡器的特性指标8.3 晶体振荡器的设计与分析8.4 RC振荡器的设计与分析九、模拟信号发生器的设计与分析9.1 模拟信号发生器的作用与分类9.2 模拟信号发生器的特性指标9.3 正弦波发生器的设计与分析9.4 方波发生器的设计与分析十、模拟电路的测试与调试10.1 测试与调试的目的与方法10.2 测试仪器与设备的选择10.3 电路测试的一般步骤10.4 测试结果分析与调试《模拟电路教案》word版教案章节：十一、模拟电路在实际应用中的案例分析11.1 通信系统中的模拟电路应用11.2 音频设备中的模拟电路应用11.3 医疗设备中的模拟电路应用11.4 工业控制中的模拟电路应用十二、模拟电路的可靠性与稳定性12.1 影响模拟电路可靠性的因素12.2 提高模拟电路稳定性的方法12.3 电路保护与故障处理12.4 电路的长期维护与保养十三、模拟电路的现代设计方法13.1 集成电路设计基础13.2 数字模拟混合信号电路设计13.3 射频电路设计简介13.4 基于计算机辅助设计（CAD）的工具与应用十四、模拟电路教学实验与实践14.1 实验目的与要求14.2 实验设备与材料14.3 实验内容与步骤14.4 实验结果与分析十五、模拟电路课程设计15.1 课程设计的要求与流程15.2 课程设计选题与指导15.4 课程设计的评价与反馈重点和难点解析一、模拟电路概述：理解模拟电路的基本概念和特点，掌握模拟电路与数字电路的区别。
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集成运放工作在线性区时，输入失调电压随电
源电压的变化率:
KSVR
2019/12/15
U O Aud
1
U
1 S
21
1
U O
A U ud
Shongfeng@
电子线路基础
4.6 理想集成运算放大器
2019/12/15
11
(7) VCC
T7 D1
T9 T11
25
uo
T8
(6)
T10
D2
(4)
VEE
hongfeng@
电①子线输路基入础 级：由P沟道JFET管 T1 、T2 构成了恒流 源偏置的双端输入－双端输出式差动放大电路。
②中间级：输入级的输出信号送入由 、 组成的双端输入－单端输出式差动放大T电5 路T进6 一步放大电压，该级差放电路也是恒流源偏置 的。
因此有： 可得：
iC6 IOY iRY
iRY
uY RY
uO
2uY RY
RC
th
u1 2U T
当电压 u1 UT时，上式可简化为：
uO
2RC RY
uY
u1 2U T
RC RYU T
u1uY
K1 u1uY
式中
K1
RC RY UT
。
2019/12/15
入电压( u u )可能很大，即 u u 。
(2)理想集成运放的输入电流等于零：
2019/12/15
28
hongfeng@
电子线路基础
4.7 模拟乘法器
4.7.1 模拟乘法器的原理
4.7.2 模拟乘法器的应用
2019/12/15
29
hongfeng@
按照组成集成运放的电路类型:
双极型（BJT）、JFET型、MOS型和混合型，
MOS型: NMOS、PMOS、CMOS
混合型: BJT与JFET管混合（BiFET）、BJT与 MOS管混合（BiCMOS）等。
2019/12/15
2
hongfeng@
电子线路基础
ui
差动输入级
ui2
iC1
iC2
iC5 th
u1 2U T
同理：
iC4
iC3
iC6 th
u1 2U T
所以：
uO
iC5
iC6
RC
th
u1 2U T
2019/12/15
33
hongfeng@
电子线路基础
由图可得： iC5 IOY iRY
ui
uo
T1
T2
ui2
T7
T3
T
2019/12/15
14 VSS(－7.5V)
hongfeng@
电①子线路偏基础置电路：由T5、T6、T8组成比例恒流源（比
例系数由器件结构决定），外接电阻R用以设置参
考工作电流。
② 输入级：由T1～T4组成有源负载的差动输入级。
③ 输出级：由NMOS管T7组成共源放大器，PMOS管 T8为它的有源负载。
二象限乘法器：信号 uX (t) 、uY (t) 中一个输入 能够适应正、负两种极性电压，而另一个输 入只能适应单一极性电压的乘法器；
四象限乘法器：信号 uX (t) 、uY (t) 能适应四种 极性组合的乘法器。
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31
hongfeng@
电子线路基础
.
.
.. . .
电子线路基础
4.4 场效应管集成运算放大器
4.4.1 JFET集成运算放大器
4.4.2 CMOS集成运算放@
4.4.1 电子线路基础 JFET集成运算放大器
(1)
p (5)
(3)T1
T3 T2 (2)
T4
T5
T6
2019/12/15
电子线路基础
2019/12/15
VCC
BN
UO uid
BP
VE E
17
hongfeng@
电子线路基础
3.温度漂移 放大器的温度漂移:输入失调电压和输入失调电 流随温度漂移的大小。 (1)输入失调电压温漂 UIO T 在规定温度范围内 UIO 的温度系数,也是衡量电 路温漂的重要指标。 (2)输入失调电流温漂 IIO T 在规定温度范围内 IIO 的温度系数，也是对放大 器电流漂移的量度。
U E B12 R5 6
U BE11
VE E
hongfeng@
电子线2路.基输础 入级
T8
VCC
T9
ui1
T1
T2
ui2
T3 T7
3,4
T4
T5
T6
2 1
1K 50K
3
1K
R
1K
C9
C 10
VE E
Rw10K
2019/12/15
7
hongfeng@
(6)输入偏置电流 2019/12/15
IIB
23 0
hongfeng@
电子线路基础
ui1
ui2
-
i u
+
+
i u
2019/12/15
24
uo
u
hongfeng@
电子线路基础
2.理想集成运放工作在线性区时的特点 集成运放的工作状态可分为两种情况： 工作在线性区、工作在非线性区。
③输出级：由 T7 组成的射极跟随器来驱动NPN 管 T9 及PNP型复合管构成的准互补对称输出电
路。
2019/12/15
12
hongfeng@
T11电子线路基础
④保护电路：由 T11 、R及 D2构成输出电流保 护环节，可允许输出端长期处于对地短路状 态，R为短路电流采样电阻。
电子线路基础
3.中间级
9
VCC
C3
T15
30pF
8
T16
T1 7 VE E
2019/12/15
8
hongfeng@
电子线路基础
4.输出级
2019/12/15
. VCC
C3
7
D1
T15
8
ui
D2 T18
9
T14
9
uo
10
T19 V hongfeng@
中间放大级
恒流偏置
功率输出级
uo
N
P
2019/12/15
3
hongfeng@
电子线路基础
1
13.4K
ui1
1
T1
2
13.4K
. T2
2
ui2
1mA
VCC (+10V)
3
5.1K
T5
T3
5
3.5K
T4
4
1.9K
1mA
T6 uO
3
6
2.0K
2019/12/15
VEE (-10V)
4
hongfeng@
电子 4线.路3基.础2 典型集成运算放大器电路分析
T8
T9
T12
ui T1
T3
ui2 T2
T4
T7
5
39K
T5
T6
T10
T11
1
2
3
1K 50K 1K
4
3K
VCC (+15V)
T13
D1
7
4.5K T15
30 PF
8
7.5K
D2
T16
T18
22
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电子线路基础
1.理想集成运放的技术参数
理想集成运放: 具有理想技术参数指标的集 成运算放大器。
这些理想的技术参数如下：
(1)开环差模电压放大倍数 Aud
(2)差模输入电阻 Rid
(3)输出电阻 Ro 0
(4)共模抑制比 KCMR (5)输入失调电压 UIO 、失调电流 IIO 以及它们 的温漂均为零；
(2)理想集成运放的输入电流等于零
虚断：集成运放的同相输入端和反相输入端 的电流都等于零，好像这两点间被断开。
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电子3线.路理基础想集成运放工作在非线性区时的特点
uo UOH
理想特性
实际特性
0
+
uu
-
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UOL
非线性区
线性27区
电子线路基础
4.7.1 模拟乘法器的原理
模拟乘法器(模拟相乘器): 一种完成两个模拟信号 （连续变化的电流或电压）相乘作用的电子器件， 通常具有两个输入端和一个输出端。
uO (t) KMuX (t)uY (t)
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电子线路基础
单象限乘法器：信号uX (t) 、uY (t)均限定为某一 极性的电压的乘法器；
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电子8线.路开基环础 带宽和单位增益带宽 BW0.7 : 在正弦小信号激励下，集成运放的开
环差模电压增益值从直流增益值下降3dB时所对 应的输入信号频率。
BWG: 集成运放在开环差模电压增益下降到 0时所对应的输入信号频率。
9.电源电压抑制比 KSVR
阶跃信号或突变信号时，放大器输出电压对时