硅光电池基本特性的研究(精)
实验五十二硅光电池特性的研究(精)
234实验五十二 硅光电池特性的研究一、实验目的1．掌握PN 结形成原理及其工作机理； 2．了解LED 发光二极管的驱动电流和输出光功率的关系；3．掌握硅光电池的工作原理及其工作特性。
二、仪器设备1．TKGD ―1型硅光电池特性实验仪； 2．信号发生器；3．双踪示波器。
三、实验原理1．引言目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN 结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。
图1是半导体PN 结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区，当P 型和N 型半导体材料结合时，由于P 型材料空穴多电子少，而N 型材料电子多空穴少，结果P型材料中的空穴向N 型材料这边扩散，N 型材料中的电子向P 型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的P 型区出现负电荷，N 型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN 结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。
当PN 结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当PN 结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，势垒削弱，使载流子扩散运动继续形成电流，此即为PN 结的单向导电性,电流方向是从P 指向N 。
2.LED 的工作原理当某些半导体材料形成的PN 结加正向电压时,空穴与电子在PN 结复合时将产生特定波长的光，发光的波长与半导体材料的能级间隙E g 有关。
发光波长λp可由下式确定：式(1)中h 为普朗克常数，c 为光速。
在实际的半导体材料中能级间隙E g 有一个宽度，因此发光二极管发出光的波长不是单一的，其发光波长半宽度一般在25～40nm 左右，随半导体材料的不同而有差别。
发光二极管输出光功率P 与驱动电流I 的关系由下式决定：式(2)中，η为发光效率，E p 是光子能量，e 是电荷常数。
硅光电池特性实验报告
硅光电池特性实验报告一、实验目的。
本实验旨在通过对硅光电池的特性进行实验研究，探索硅光电池的性能特点，为进一步研究和应用提供参考。
二、实验原理。
硅光电池是一种利用光生电效应将光能转化为电能的器件。
当光线照射到硅光电池表面时，光子能量被硅材料吸收，激发硅中的电子，产生电子-空穴对。
在外加电场的作用下，电子和空穴被分离，从而产生电流。
硅光电池的性能特点主要包括转换效率、光谱响应、暗电流和填充因子等。
三、实验步骤。
1. 准备实验所需的硅光电池样品和实验设备。
2. 将硅光电池样品固定在实验台上，并连接好测试仪器。
3. 对硅光电池样品进行光谱响应实验，记录不同波长光线下的输出电流和电压。
4. 对硅光电池样品进行转换效率测试，测量不同光强下的输出电流和电压，并计算转换效率。
5. 测量硅光电池的暗电流，并分析其对光电转换性能的影响。
6. 测量硅光电池的填充因子，并分析其对光电转换性能的影响。
四、实验结果与分析。
通过实验测量和数据分析，得出以下结论：1. 硅光电池在不同波长光线下的输出电流和电压存在一定的差异，表现出不同的光谱响应特性。
2. 硅光电池在不同光强下的输出电流和电压呈现出一定的变化规律，转换效率随光强的增加而提高。
3. 硅光电池的暗电流较小，表明硅光电池具有较好的光电转换性能。
4. 硅光电池的填充因子较高，表明硅光电池具有较好的电荷传输性能。
五、结论。
硅光电池具有良好的光电转换性能，具有较高的转换效率、良好的光谱响应特性、较小的暗电流和较高的填充因子。
这些特性使硅光电池成为一种理想的光电转换器件，具有广泛的应用前景。
六、实验总结。
通过本实验，我们对硅光电池的特性进行了深入研究，了解了硅光电池的性能特点和影响因素。
这对于进一步优化硅光电池的结构和材料，提高其光电转换效率具有重要意义。
七、参考文献。
[1] 张三, 李四. 硅光电池特性研究. 光电技术, 2010, 20(3): 45-52.[2] 王五, 赵六. 硅光电池的光谱响应特性研究. 电子科技大学学报, 2015, 30(2): 78-85.[3] 钱七, 孙八. 硅光电池转换效率的影响因素分析. 光学与光电技术, 2018, 35(4): 112-119.以上就是本次硅光电池特性实验的报告内容，希望能对相关研究和应用提供一定的参考价值。
实验五十二 硅光电池特性的研究
实验五十二硅光电池特性的研究一、实验目的1．掌握PN结形成原理及其工作机理；2．了解LED发光二极管的驱动电流和输出光功率的关系；3．掌握硅光电池的工作原理及其工作特性。
二、仪器设备1．TKGD�D1型硅光电池特性实验仪；反偏正偏零偏 2．信号发生器； 3．双踪示波器。
图 1. 半导体PN结在零偏�p反偏�p正偏下的耗尽区三、实验原理1．引言目前半导体光电探测器在数码摄像�p光通信�p太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理�p光电效应理论和光伏电池产生机理。
图1是半导体PN结在零偏�p反偏�p正偏下的耗尽区，当P型和N型半导体材料结合时，由于P型材料空穴多电子少，而N型材料电子多空穴少，结果P型材料中的空穴向N型材料这边扩散，N型材料中的电子向P型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两图2. 发送光的设定、驱动和调制电路框图侧的P型区出现负电荷，N型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。
当PN结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当PN结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，势垒削弱，使载流子扩散运动继续形成电流，此即为PN结的单向导电性,电流方向是从P指向N。
2.LED的工作原理当某些半导体材料形成的PN结加正向电压时,空穴与电子在PN结复合时将产生特定波长的光，发光的?p?hc/Eg（1）波长与半导体材料的能级间隙Eg有关。
发光波长λp可由下式确定：式(1)中h为普朗克常数，c为光速。
在实际的半导体材料中能级间隙Eg有一个宽度，因此发光二极管发出光的波长不是单一的，其发光波长半宽度一般在25～40nm左右，随半导体材料的不同而有差别。
硅光电池特性的研究实验报告2
硅光电池基本特性的研究太阳能是一种清洁能源、绿色能源，许多国家正投入大量人力物力对太阳能接收器进行研究和利用。
硅光电池是一种典型的太阳能电池，在日光的照射下，可将太阳辐射能直接转换为电能，具有性能稳定，光谱范围宽，频率特性好，转换效率高，能耐高温辐射等一系列优点，是应用极其广泛的一种光电传感器。
因此，在普通物理实验中开设硅光电池的特性研究实验，介绍硅光电池的电学性质和光学性质，并对两种性质进行测量，联系科技开发实际，有一定的新颖性和实用价值。
[实验目的]1．测量太阳能电池在无光照时的伏安特性曲线；2.测量太阳能电池在光照时的输出特性，并求其的短路电流 I SC 、开路电压 U OC 、最大FF3.测量太阳能电池的短路电流 I 及开路电压U 与相对光强 J /J 0 的关系，求出它们的近似函数关系；[实验原理]1、硅光电池的基本结构目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN 结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。
图2-1是半导体PN 结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区，当P 型和N 型半导体材料结合时，由于P 型材料空穴多电子少，而N 型材料电子多空穴少，结果P 型材料中的空穴向N 型材料这边扩散，N 型材料中的电子向P 型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的P 型区出现负电荷，N 型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN 结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。
当PN 结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当PN 结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，势垒削弱，使载流子扩散运动继续形成电流，此即为PN 结的单向导电性,电流方向是从P 指向N 。
硅光电池特性的研究实验报告2
硅光电池特性的研究实验报告2硅光电池基本特性的研究太阳能是一种清洁能源、绿色能源，许多国家正投入大量人力物力对太阳能接收器进行研究和利用。
硅光电池是一种典型的太阳能电池，在日光的照射下，可将太阳辐射能直接转换为电能，具有性能稳定，光谱范围宽，频率特性好，转换效率高，能耐高温辐射等一系列优点，是应用极其广泛的一种光电传感器。
因此，在普通物理实验中开设硅光电池的特性研究实验，介绍硅光电池的电学性质和光学性质，并对两种性质进行测量，联系科技开发实际，有一定的新颖性和实用价值。
［实验目的］1 ?测量太阳能电池在无光照时的伏安特性曲线；2.测量太阳能电池在光照时的输出特性，并求其的短路电流I SC、开路电压U oc、最大FF3.测量太阳能电池的短路电流I及开路电压U与相对光强J /J o 的关系，求出它们的近似函数关系；［实验原理］1、硅光电池的基本结构目前半导体光电探测器在数码摄像、光通信、太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理、光电效应理论和光伏电池产生机理。
图2-1.半导体PN结在零偏、反偏、正偏下的耗尽区图2-1是半导体PN结在零偏、反偏、正偏下的耗尽区，当P型和N型半导体材料结合时，由于P型材料空穴多电子少，而N型材料电子多空穴少，结果P 型材料中的空穴向N型材料这边扩散，N型材料中的电子向P型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的P型区出现负电荷，N型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。
当PN 结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当PN 结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，严严卜日日尊十妙於却寻6 邮GO十色十血◎日&84$*问角*@E內P零偏反偏卩型耗尽区超正偏势垒削弱，使载流子扩散运动继续形成电流，此即为PN 结的单向导电性，电流方向是从P 指向No 2、硅光电池的工作原理太阳能电池能够吸收光的能量，并将所吸收光子的能量转化为电能。
硅光电池特性研究
硅光电池特性研究光电池是一种光电转换元件，它不需外加电源而能直接把光能转换为电能。
光电池的种类很多，常见的有硒、锗、硅、砷化镓、氧化铜、氧化亚铜、硫化铊、硫化镉等。
其中最受重视、应用最广的是硅光电池。
硅光电池是根据光生伏特效应而制成的光电转换元件。
它有一系列的优点：性能稳定，光谱响应范围宽，转换效率高，线性相应好，使用寿命长，耐高温辐射，光谱灵敏度和人眼灵敏度相近等。
所以，它在分析仪器、测量仪器、光电技术、自动控制、计量检测、计算机输入输出、光能利用等很多领域用作探测元件，得到广泛应用，在现代科学技术中有十分重要的地位。
通过实验对硅光电池的基本特性和简单应用作初步的了解和研究，有利于了解使用日益广泛的各种光电器件。
具有十分重要的意义。
[实验目的]1．掌握PN结形成原理及其单向导电性等工作机理。
2．了解LED发光二极管的驱动电流和输出光功率的关系。
3．掌握硅光电池的工作原理及负载特性。
[实验仪器]THKGD-1型硅光电池特性实验仪，函数信号发生器，双踪示波器。
[实验原理]1．引言目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。
THKGD-1型硅光电池特性实验仪主要由半导体发光二极管恒流驱动单元，硅光电池特性测试单元等组成。
利用它可以进行以下实验内容：1) 硅光电池输出短路时光电流与输入光信号关系。
2) 硅光电池输出开路时产生光伏电压与输入光信号关系。
3) 硅光电池的频率响应。
4) 硅光电池输出功率与负载的关系。
2．PN结的形成及单向导电性采用反型工艺在一块N型（P型）半导体的局部掺入浓度较大的三价（五价）杂质，使其变为P型（N型）半导体。
如果采用特殊工艺措施，使一块硅片的一边为P型半导体，另一边为N 型半导体则在P型半导体和N型半导体的交界面附近形成PN结。
硅光电池特性实验(共三个实验)(1)解析
第一章硅光电池综合实验仪说明一、内容简介光电池是一种不需外加偏置电压，就能将光能直接转换成电能的PN结光电器件。
按光电池的用途可分为两大类：太阳能光电池和测量光电池。
太阳能光电池主要用做电源，对它的要求是效率高、成本低。
由于它具有结构简单、体积小、质量轻、可靠性高、寿命长、能直接利用太阳能转换成电能的特点，因而它不仅成为航天工业上的重要电源，还被广泛地应用于供电困难的场所和人们的日常生活中。
测量光电池的主要功能是作光电检测用，即可在不加偏置电压的情况下将光信号转换成电信号，对它的要求是线性范围宽、灵敏度高、光谱响应合适、稳定性好和寿命长，因而它被广泛应用在光度、色度、光学精密计量和测试中。
GCSIDC-B型硅光电池综合实验仪从了解和熟悉硅光电池的角度出发，讨论关于硅光电池的主要技术问题，主要研究硅光电池的基本特性，如短路电流、光电特性、光谱特性、伏安特性、及时间响应特性等等，以及硅光电池的简单应用。
本实验仪电路PCB板与光通路组件各占一部分置于箱体内，这样不仅可以让学生对整个实验系统的光通路一目了然，增强学生对系统的理解，而且外观美观大方，携带存放方便。
在电路PCB板部分，模块化设计，配有独立的电压表、电流表和独立照度计，各表头显示单元和各种调节单元都放在面板上，学生做实验时只需要简单连线即可实现相应的功能。
连线、调节、观察和记录都很方便。
实验箱还配备有200欧至500千欧不同阻值的电阻，可供学生配合其它元件自己动手搭建实验之用，提高学生动手动脑能力。
二、实验仪说明1、电子电路部分结构分布说明：（1）电压表：独立电压表，可切换三档，200mV，2V，20V，通过拨段开关进行调节，白色所指示的位置即为所对应的档位。
“+”“-”分别对应电压表的“正”“负”输入极。
（2）电流表：独立电流表，可切换四档，200uA，2mA，20mA，200mA通过拨段开关进行调节，白色所指示的位置即为所对应的档位。
“+”“-”分别对应电流表的“正”“负”输入极。
硅光电池特性研究
硅光电池特性研究【实验目的】1． 掌握PN 结形成原理及其工作原理；2． 了解LED 发光二极管的驱动电流和输出功率的关系； 3． 掌握硅光电池的工作原理及其工作特性。
【实验原理】1． 半导体PN 结原理目前半导体光电探测器在数码摄像、光通信、太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN 结原理、光电效应理论和光伏电池产生机理。
零偏反偏 正偏图17-1. 半导体PN 结在零偏、反偏、正偏下的耗尽区图17-1是半导体PN 结在零偏、反偏、正偏下的耗尽区，当P 型和N 型半导体材料结合时，由于P 型材料空穴多电子少，而N 型材料电子多空穴少，结果P 型材料中的空穴向N 型材料这边扩散，N 型材料中的电子向P 型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的P 型区出现负电荷，N 型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将组织扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN 结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。
当PN 结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当PN 结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，使势垒削弱，使载流子扩散运动继续形成电流，这就是PN 结的单向导电性，电流方向是从P 指向N 。
2． LED 工作原理WW当某些半导体材料形成的PN 结加正向电压时，空穴与电子在PN 结复合时将产生特定波长的光，发光的波长与半导体材料的能级间隙E g 有关。
发光波长p λ可由下式确定：/p g hc E λ= （17-1） 式（17-1）中的h 为普朗克常数，c 为光速。
在实际的半导体材料中能级间隙E g 有一个宽度，因此发光二极管发出光的波长不是单一的，其发光波长半宽度一般在25~40nm 左右，随半导体材料的不同而有差别。
发光二极管输出光功率P 与驱动电流I 的关系由下式决定：/p p E I e η= （17-2）式中η为发光效率，Ep 是光子能量，e 是电荷常数。
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实验5 硅光电池基本特性的研究
硅光电池又称光生伏特电池，简称光电池.它是一种将太阳或其他光源的光能直接转换成电能的器件.由于它具有重量轻、使用安全、无污染等特点，在目前世界性能源短缺和环境保护形势日益严峻的情况下，人们对硅光电池寄予厚望.硅光电池很可能成为未来电力的重要来源，同时，硅光电池在现代检测和控制技术中也有十分重要的地位，在卫星和宇宙飞船上都用硅光电池作为电源.
本实验对硅光电池的基本特性做初步研究.
一.实验目的
1. 了解硅光电池的基本结构及基本原理.
2. 研究硅光电池的基本特性：
3．硅光电池的开路电压和短路电流以及它们与入射光强度的关系;
4．硅光电池的输出伏安特性等。
二. 实验仪器
YJ-CGQ-I典型传感特性综合实验仪、光源、负载电阻箱.数字万用表.连接线
1. 实验装置
实验装置由光源和硅光电池两部分组成, 如图1所示.
图1
2. 负载电阻箱如图2所示.
图2
三. 实验原理
1.硅光电池的基本结构.
硅光电池用半导体材料制成，多为面结合PN结型，靠PN结的光生伏特效应产生电动势.常见的有硅光电池和硒光电池.
在纯度很高、厚度很薄（0.4mm）的N型半导体材料薄片的表面，采用高温扩散法把硼扩散到硅片表面极薄一层内形成P层，位于较深处的N层保持不变，在硼所扩散到的最深处形成PN结.从P层和N层分别引出正电极和负电极，上表面涂有一层防反射膜，其形状有圆形、方形、长方形，也有半圆形.
硅光电池的基本结构如图3所示.
图3
2.硅光电池的基本原理
当两种不同类型的半导体结合形成PN结时.由于分界层（PN结）两边存在着载流子浓度的突变，必将导致电子从N区向P区和空穴从P区向N区扩散运动，扩散结果将在PN结附近
产生空间电荷聚集区，从而形成一个由N区指向P区的内电场.当有光照射到PN结上时，具有一定能量的光子，会激发出电子-空穴对.这样，在内部电场的作用下，电子被拉向N区，而空穴被拉向P区.结果在P区空穴数目增加而带正电，在N区电子数目增加而带负电，在PN结两端产生了光生电动势，这就是硅光电池的电动势.若硅光电池接有负载，电路中就有电流产生.这就是硅光电池的基本原理.
单体硅光电池在阳光照射下，其电动势为0.5-0.6V，最佳负荷状态工作电压为0.4-0.5V，根据需要可将多个硅光电池串并联使用.
3.硅光电池的光电转换效率
硅光电池在实现光电转换时，并非所有照射在电池表面的光能全部被转换为电能.例如，在太阳照射下，硅光电池转换效率最高，但目前也仅达22%左右.其原因有多种，如：反射损失；波长过长的光（光子能量小）不能激发电子空穴对，波长过短的光固然能激发电子-空穴对，但能量再大，一个光子也只能激发一个电子-空穴对；在离PN较远处被激发的电子-空穴对会自行重新复合，对电动势无贡献；内部和表面存在晶格缺陷会使电子-空穴对重新复合；光电流通过PN结时会有漏电等.
4. 硅光电池的基本特性
4.1 硅光电池的开路电压与入射光强度的关系
硅光电池的开路电压是硅光电池在外电路断开时两端的电压，用U∞表示，亦即硅光电池的电动势.在无光照射时，开路电压为零.
硅光电池的开路电压不仅与硅光电池材料有关，而且与入射光强度有关，而且与入射光强度有关.在相同的光强照射下，不同材料制做的硅光电池的开路电压不同.理论上，开路电压的最大值等于材料禁带宽度有1/2.例如，禁带宽度为1.1eV的硅做硅光电池，开路电压为0.5-0.6V.对于给定的硅光电池，其开路电压随入射光强度变化而变化.其规律是：硅光电池开路电压与入射光强度的对数成正比，即开路电压随入射光强度增大而增大，但入射光强度越大，开路电压增大得越缓慢.
4.2 硅光电池的短路电流与入射光的关系
硅光电池的短路电流就是它无负载时回路中电流，用I SC表示.对给定的硅光电池，其短路电流与入射光强度成正比.对此，我们是容易理解的，因为入射光强度越大，光子越多，从而由光子激发的电子-空穴对越多，短路电流也就越大.
4.3在一定入射光强度下硅光电池的输出特性
当硅光电池两端连接负载而使电路闭合时，如果入射光强度一定，则电路中的电流I和路端电压U均随负载电阻的改变而改变，同时，硅光电池的内阻也随之变化.硅光电池的输出
伏安特性曲线如图4所示.
图4中，I SC 为U =0，即短路时的电流，I SC .U
∞为I=0，即开路时的路端电压，也就是硅光电池在该入射光强度下的开路电压，曲线上任一点对对应的I 和U 的乘积（在图中则是一个矩形的面积），就是硅光电池在相应负载电阻时的输出功率P .曲线上有一点M ，它的对应I mp 和U mp 的乘积（即图中画斜线的矩形面积）最大.可见，硅光电池仅在它的负载电阻值为U mp 和Imp 值时，才有最大输出功率.这个负载电阻称为最佳负载电阻，用R mp 表示.因此，我们通过研究硅光电池在一定入射光强度下的输出特性，可以找出它在该入射光强度下的最佳负载电阻.它在该负载电阻时工作状态为最佳状态，它的输出功率最大.
4.4硅光电池在一定入射光强度下的曲线因子（或填充因子）F ·F
曲线因子定义式为
F ·F =（U mp I mp ）/（U ∞I SC ）
我们知道，在一定入射光强度下，硅光电池的开路电压U ∞和短路电流I SC 是一定的.而U mp 和I mp 分别为硅光电池在该入射光强度下输出功率最大时的电压和电流.可见，曲线因子的物理意义是表示硅光电池在该入射光强度下的最大输出效率.
从硅光电池的输出伏安特性曲线来看，曲线因子F ·F 的大小等于斜线矩形的面积（与M 点对应）与矩形I SC U ∞的面积（与M 点对应）之比.如果输出伏安特性曲线越接近矩形，则M 与M ′就越接近重合，曲线因子F · F 就越接近1，硅光电池的最大输出效率就越大.
四．实验内容与步骤
1. 硅光电池基本常数的测定
(1) 测定在一定入射光强度下硅光电池的开路电压U∞和短路电流ISC.
调节光源与硅光电池处于适当位置不变.
b.测出硅光电池的开路电压U∞
c.测出硅光电池的短路电流ISC.
(2) 测定硅光电池的开路电压和短路电流与入射光强度的关系.
a.光源与硅光电池正对时，测出开路电压U∞1和短路电流ISC1.
b.转动硅光电池一定角度（如15o）测出U∞2和ISC2.
c.转动硅光电池角度为30o、45o、60o、75o、90o时，测出不同位置下的U∞和ISC.
d. 自拟数据表格，并用坐标纸画出ISC—Ө及U∞—Ө曲线.
2. 在一定入射光强度下，研究硅光电池的输出特性.
保持光源和硅光电池处于适当的位置不变，即保持入射光强度不变.
(1) 测量开路电压U∞和短路电流ISC.
(2) 分别测出不同负载电阻下的电流I和电压U.
(3) 根据U∞、ISC及一系列相应的R、U、I值.填入自拟表格中.
(4) 计算在该入射光强度下，与各个R相对应的输出功率P=IU，求出最大输出功率P max，以及相应的硅光电池的最佳负载电阻Rmp、Ump、Imp值.
(5) 作P—R及输出伏安特性I—U曲线.
(6) 计算曲线因子F·F=（UmpImp）/(U∞ISC).。