《电力电子技术》复习题
电力电子技术复习题
《电力电子技术》一一、单选题1、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（D）。
A、30°～150°B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°2、已经导通的晶闸管被关断的条件是流过晶闸管的电流（B）。
A、减小至擎住电流以下B、减小至维持电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下3、直流斩波电路是一种（D）。
A、DC/ACB、AC/ACC、AC/DCD、DC/DC4、下列电路中，不可以实现有源逆变的是（C）。
A、三相桥式全控整流电路B、三相半波可控整流电路C、单相桥式可控整流电路外接续流二极管D、单相全波可控整流电路5、三相桥式全控整流电路中，晶闸管可能承受的正反向峰值电压（D）。
A、2U2B、U2C、U2D、U26、对于单相交交变频电路如下图，在t2~t3时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（B）。
A、P组阻断，N组逆变B、N组阻断，P组逆变C、P组阻断，N组整流D、N组阻断，P组整流7、只适用于全控型电力电子器件的换流方式为（A）。
A、器件换流B、负载换流C、强迫换流D、电网换流8、把两个晶闸管反并联后串联在交流电路中，在每半个周波内通过对晶闸管开通相位的控制，可以方便地调节输出电压的有效值，这种电路称为（B）。
A、交流调功电路B、交流调压电路C、交流电力电子开关D、变频电路9、调制法是把希望输出的波形作为调制信号，把接受调制的信号作为载波，通过信号波的调制得到所期望的PWM波形。
通常采用（A）作为载波。
A、等腰三角波B、方波C、矩形波D、正弦波10、采用（B）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。
A、直流快速断路器B、快速熔断器C、过电流继电器D、过电流保护的电子电路二、填空题1、PWM控制就是对脉冲的（宽度）进行调制的技术，它的重要理论基础是（面积等效原理）。
电力电子技术复习资料_普通用卷
电力电子技术课程一单选题 (共37题，总分值37分 )1. 单相半控桥，带大电感负载，直流侧并联续流管的主要作用是（1 分）A. 防止失控现象B. 减小输出电压的脉动C. 减小输出电流的脉动D. 直流侧过电压保护2. 大大（1 分）A. dadasB. dadaC. dada3. 下列器件中为全控型器件的是（）。
（1 分）A. 双向晶闸管B. 快速晶闸管C. 光控晶闸管D. 功率场效应晶体管4. （1 分）A.B.C.D.5. 单相全控桥式带电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（1 分）A. 90°B. 120°C. 150°D. 180°6. 单相半控桥式无续流二极管带阻感性负载的整流电路中，整流晶闸管的导通角为（1 分）A. 60°B. 90°C. 120°D. 180°7. PWM斩波电路一般采用（）。
（1 分）A. 定频调宽控制B. 定宽调频控制C. 调频调宽控制D. 瞬时值控制8. （1 分）A.B.C.D.9. 单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）（1 分）A. 0~90°B. 0~180°C. 90°~180°D. 180°~360°10. SPWM控制的逆变电路，输出SPWM波半周期包含25个脉冲波，设逆变器输出电压基波频率为400Hz，则电路开关管的工作频率为（1 分）A. 10kHzB. 20kHzC. 400HzD. 5kHz11. 按器件的可控性分类，普通晶闸管属于（）（1 分）A. 全控型器件B. 半控型器件C. 不控型器件D. 电压型器件12. 将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是（1 分）A. 有源逆变器B. A/D变换器C. D/A变换器D. 无源逆变器13. （1 分）A.B.C.D.14.（1 分）A.B.C.D.15. 晶闸管的三个引出电极分别是（）（1 分）A. 阳极、阴极、门极B. 阳极、阴极、栅极C. 栅极、漏极、源极D. 发射极、基极、集电极16. 三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差（）度。
电力电子技术复习题
电力电子技术复习题一、单项选择题（请选出1个正确答案填入括号中）。
1．电子技术包括信息电子技术和（）技术两大分支。
A. 电力电子B.通信电子C.模拟电子D.数字电子答案：A2．在下列电力电子器件中属于半控型器件的是（）。
A.SCRB.GTRC. IGBTD. POWER MOSFET 答案：A3．具有擎住效应的全控器件是（）。
A.SCRB.GTRC. IGBTD. POWER MOSFET 答案：C4．电力电子技术中，DC-DC是什么变换？（）A. 整流B. 逆变C. 直流斩波D. 交流变换答案：C5．隔离型DC-DC变换器主要类型有（）、反激、桥式和推挽式。
A. 同向B. 反向C. 正激D. 反相答案：C6．逆变器的三种变换方式为方波变换、阶梯波变换和（）变换。
A. 余弦波B. 正弦波C. 三角波D. 正切波答案：B7．不控整流电路中的整流管为（）。
A. GTRB. 二极管 C . IGBT D. SCR答案：B8．变压器漏感对整流电路输出电压的影响，使得输出电压（）。
A、恒定B、不能确定C、变大 D.变小答案：D9．AC-DC变换器又可分为（）和有源逆变运行两种工作状态。
A、交流调压B、直流斩波C、逆变D、整流答案：D10．交流调压电路一般采用相位控制，其特点是维持（）不变，仅改变输出电压的幅值。
A、初相B、相位C、平均值D、频率答案：D11．按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，电力电子器件分为（）和电压驱动型。
A. 电流驱动型B.电子驱动型C.空穴驱动型D.电荷驱动型答案：A12．电力电子装置中会产生外因过电压和（）过电压。
A. 内因B.电源C. 负载D. 电阻答案：A13．缓冲电路分为关断缓冲电路和（）缓冲电路。
A. 开通B.电源C. 负载D. 吸收答案：A14．电力电子技术中，DC-AC是什么变换？（）A. 整流B. 逆变C. 直流斩波D. 交流变换答案：B15．隔离型DC-DC变换器主要类型有正激、（）、和桥式和推挽式。
电力电子技术复习题 _含答案)
12、 在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取 U2（）
13、 在单相桥式全控整流电路中，带大电感负载，不带续流二极管时，输出电压波形中没有负面积。
（）
14、 单相全控晶闸管整流电路中，带电感性负载，没有续流二极管时，导通的晶闸管在电源电压过零时不关断。
（）
15、 三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。（ ）
2 晶闸管整流电路
2、 给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。 （ ）
3、 晶闸管导通后其电流趋向无穷大。
（）
4、 已经导通的晶闸管恢复阻断的唯一条件是 AK 极电源电压降到零或反向。（ ）
5、 晶闸管并联使用时，必须采取均压措施。 （ ）
6、 晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。 （ ）
7、 触发普通晶闸管的触发脉冲，也能触发可关断晶闸管。（ ）
合型 的 PWM 控制方法。 3、 正激电路和反激电路属于 13 励磁，半桥电路和全桥电路属于 14 励磁。 4、 开关电源大都采用 15 PWM 控制器.其原理方案分为 16 、 17 和 18 三类。 5、 试填写下列电路的名称
3 / 14
半桥电路 反激电路
正激电路 全桥电路
推挽电路
4、逆变电路
中，通常采用 规则采样法 来代替上述方法，在计算量大为减小的情况下得到的效果能够满足工程需要。
3. PWM 逆变电路３种目标控制： ７ 电压、 ８
电流和圆形磁链的 ９ 压 比较、 滞环电流比较 和 三角波比较。
5. 相电压正弦波叠加 3 次谐波构成 13 与三角波比较产生 PWM，可以提高 14 利用率并降低 15 。
2 / 14
致集电极电流增大，造成器件损坏。这种电流失控现象被称这 擎住 效应。 11、 IGBT 往往与 反并联 的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件 。 12、电力电子器件是在电力电子电路中是作为可控开关来用。电力电子器件是一种半导体开关，实际上是一种单 向单极开关。它不是理想开关，存在开关时间和开关暂态过程。开关时间尤其是关断时间限制了电力电子器件的 开关频率。 13、电力电子应用系统一般由控制电路、驱动电路和主电路组成一个系统。为了提高系统可靠性，还应加入电 压、电流检测电路和过压、过流保护电路并构成反馈闭环控制。 14.几乎所有的电力半导体器件均为 单向极性 开关。电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可 关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（Power MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中， 在可控的器件中，功率范围最大的是 SCR 晶体管 ，开关频率最高的是_PMOS 电力场效应管
电力电子技术期末复习题及其答案
第一章复习题1.使晶闸管导通的条件是什么？答：当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。
2．维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：（1）维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
（2）若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
3.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？答：（1）GTO在设计时，a2较大，这样晶体管v2控制灵敏，易于GTO关断；（2）GTO导通时a1+a2的更接近于1，普通晶闸管a1+a2≥1.5，而GTO则为约等于1.05，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制提供了有利条件；（3）多元集成结构每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得p2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
4．如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏？答：（1）一般在不用时将其三个电极短接；（2）装配时人体，工作台，电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地；（3）电路中，栅，源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高。
（4）漏，源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。
5.IGBT,GTR,GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？答：IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电力电子技术复习题(整理版)
电力电子技术复习题(整理版)电力电子技术复习题一、填空题1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是：______极、______极和______极。
2、单相半波可控整流电路中，控制角α的最大移相范围是__________。
3、对于同一个晶闸管，其维持电流IH _______擎住电流IL（数值大小关系）。
4、在GTR和IGBT两种自关断器件中，属于电压驱动的器件是_____，属于电流驱动的器件是___。
5、在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下，三相可控整流电路与单相可控整流电路比较，三相可控整流电路可获得__________的输出电压。
6、为了使电力晶体管安全、可靠地运行，驱动电路和主电路应该实行_________。
7、把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称_________，而把直流电能转换成交流电能称_________。
8、可关断晶闸管（GTO）的电流关断增益βoff 的定义式为βoff=___________，其值越______越好。
9、单相全控桥式整流大电感负载电路中，晶闸管的导通角θ=___________。
10、将直流电能转换为交流电能，并把交流电能直接提供给交流用电负载的逆变电路称为___________逆变器。
11、对于普通晶闸管，在没有门极触发脉冲的情况下，有两种因素会使其导通，一是过高，二是_______________。
12、晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为器件。
能保持晶闸管导通的最小电流称为。
13、电压型单相桥式逆变电路中，与开关管反并联的二极管起着___________和防止开关器件承受反压的作用。
14、电力电子电路中为了实现主电路与控制电路的隔离，常采用的隔离方法有_________隔离和_________隔离。
15、单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始导通到关断之间的角度称为__________。
16、正弦脉宽调制(SPWM)的载波信号波形一般是_________波，基准信号波形为_________波。
电力电子复习资料
《电力电子技术》复习题一一、填空题（每空2分，共20分）1、电力电子技术包括（1）、（2）和（3）三个部分，它的研究任务是电力电子器件的应用。
2、电力电子的根本任务是实现电能的变换和控制，其基本形式可以分成四种，分别是（1）、（2）和（3）和（4）。
3、请填写下面各元件的英文简称，电力二极管（1）、晶闸管（2）。
4、请填写下面各元件的英文简称，功率晶体管（1）、绝缘栅双极型晶体管（2）。
5、按照电力电子器件的开关特性进行分类，可以分为（1）器件、（2）器件和（3）器件三类。
6、晶闸管的导通条件可以定性归纳为（1）和（2）。
7、对于晶闸管在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为（1）。
8、给晶闸管门极施加触发电压，当元件刚从阻断状态转为导通状态就撤除触发电压，此时元件维持导通所需的最小阳极电流称为（1）。
9、允许开关频率在400Hz以上工作的晶闸管称为（1），而开关频率在10kHz以上工作的晶闸管称为（1）。
10、双向晶闸管在结构和特性上可以看作是一对（1）的普通晶闸管。
11、GTR发生二次击穿必须同时具备三个条件，即（1）、（2）和（3）。
12、按照导电沟道的不同，电力MOSFET可以分为（1）和（2）两种。
13、IGBT有三个电极，分别是（1）、（2）和（3）。
14、型号为KS30-3的元件，KS表示（4），它的额定电压为（5）V，额定电流为（6）A。
15、型号为KP20-5的元件，KS表示（4），它的额定电压为（5），额定电流为（6）A。
16、型号为KK10-2的元件，KS表示（4），它的额定电压为（5），额定电流为（6）A。
17、在逆变电路中，根据负载的特点进行分类包括（1）和（2）两类逆变电路。
18、绝缘栅双极晶体管是（1））和（1）复合，结合二者的优点19、三相全控控整流电路整流输出电压的脉动频率为（1）H Z。
20、将直流电能变为交流能输出至负载的逆变电路称为（1）。
电力电子技术复习题及答案
1、单相桥式半控整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（180）度。
15、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差（180度）。
2、α为（30度）时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
18、α=(60_)度时，三相全控桥式整流电路带电阻负载电路，输出负载电压波形处于连续和断续的临界状态。
5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理（30º-35º）17、由晶闸管构成的可逆调速系统中，逆变角βmin选（300~350）时系统工作才可靠。
6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。
A、三相半波可控整流电路。
B、三相半控整流桥电路。
C、单相全控桥接续流二极管电路。
D、单相半控桥整流电路。
7、在有源逆变电路中，逆变角的移相范围应选（=35º~90º）为最好。
8、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压（等于u U+u V的一半即：）9、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉冲间距相隔角度符合要求。
请选择B。
11、下面哪种功能不属于变流的功能（C、变压器降压）13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（B、750V）14、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是(0º-180°)16、可实现有源逆变的电路为(单相全控桥可控整流电路) 。
4、可实现有源逆变的电路为（三相半波可控整流电路）。
19、变流装置的功率因数总是(C、小于1 )。
20、变流器工作在逆变状态时，控制角α必须在(90°-150°)度。
21、三相半波可控整流电阻性负载电路，如果三个晶闸管采用同一相触发脉冲，α的移相范围D、0º--150º。
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《电力电子技术》复习题一、就是非题1、表示各种电力半导体器件的额定电流,都就是以平均电流表示的。
( ╳ )2、对于门极可关断晶闸管,当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通,当门极加上足够的负触发脉冲时又可使导通着的晶闸管关断。
( )3、晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门极电流,称为该管的维持电流。
( ╳ )4、在规定条件下,不论流过晶闸管的电流波形如何,也不论晶闸管的导通角就是多大,只要通过管子的电流的有效值不超过该管额定电流的有效值,管子的发热就就是允许的。
( )5、三相半波可控整流电路的最大移相范围就是0°～180°。
(╳)6、无源逆变就是将直流电变换为某一频率或可变频率的交流电供给负载使用。
( )7、正弦波脉宽调制(SPWM)就是指参考信号为正弦波的脉冲宽度调制方式。
( )8、直流斩波器可以把直流电源的固定电压变为可调的直流电压输出。
( )9、斩波器的定频调宽工作方式,就是指保持斩波器通端频率不变,通过改变电压脉冲的宽度来使输出电压平均值改变。
( )10、电流型逆变器抑制过电流能力比电压型逆变器强,适用于经常要求起动、制动与反转拖动装置。
( )11、三相桥式全控整流大电感负载电路工作于整流状态时,其触发延迟角 的最大移相范围为0°～90°。
()12、额定电流为100A的双向晶闸管与额定电流为50A两只反并联的普通晶闸管,两者的电流容量就是相同的。
( ╳ )13晶闸管的正向阻断峰值电压,即在门极断开与正向阻断条件下,可以重复加于晶闸管的正向峰值电压,其值低于转折电压。
( )14、在SPWM调制方式的逆变器中,只要改变参考信号正弦波的幅值,就可以调节逆变器输出交流电压的大小。
( )15在SPWM调制方式的逆变器中,只要改变载波信号的频率,就可以改变逆变器输出交流电压的频率( ╳)16、若加到晶闸管两端电压的上升率过大,就可能造成晶闸管误导通。
( )二、选择题1、双极型晶体管与场效应晶体管的驱动信号 D 。
A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极性晶体管为电压控制,场效应晶体管为电流控制D、双极性晶体管为电流控制,场效应晶体管为电压控制2、GTR的主要缺点之一就是D 。
A、开关时间长B、高频特性差C、通态压降大D、有二次击穿现象3、当阳极与阴极之间加上正向电压而门极不加任何信号时,晶闸管处于B 。
A、导通状态B、关断状态C、不确定状态4、晶闸管触发导通后,其门极对电路B 。
A、仍有控制作用B、失去控制作用C、有时仍有控制作用5、对于一个确定的晶闸管来说,允许通过它的电流平均值随导电角的减小而 B 。
A、增加B、减小C、6、如果对可控整流电路的输出电流波形质量要求较高,最好采用 A滤波。
A、串平波电抗器B、并大电容C、串大电阻7、晶闸管整流电路中“同步”的概念就是指 C 。
A、触发脉冲与主电路电源电压同时到来,同时消失B、触发脉冲与电源电压频率相同C、触发脉冲与主点路电源电压频8、带续流二极管的单相半控桥式整流大电感负载电路,当触发延迟角 等于 C 时,流过续流二极管电流的平均值等于流过晶闸管电流的平均值。
A、120°B、90°C、60°9、三相半波可控整流电路带电阻负载时,每只晶闸管的最大导通角为D 。
A、60°B、150°C、90°D、120°10、三相半波可控整流电路带阻性负载时,当触发延迟角大于 A时,输出电流开始断续。
A、30°B、60°C、11、在三相半波可控整流电路中,当负载为电感性时,在一定范围内若负载电感量越大,则D 。
A、输出电压越高B、输出电压越低C、导通角θ越小D、导通角θ越大12、带感性负载的可控整流电路加入续流二极管后,晶闸管的导通角比没有二极管前减小了,此时电路的功率因数 A 。
A、提高了B、减小了C、并不变化13、在需要直流电压较低、电流较大的场合,宜采用 D 整流电源。
A、单相桥式可控B、三相桥式可控C、三相桥式全控D、带平衡电抗器三相双反星形可控14、带平衡电抗器三相双反星形可控整流电路中,每只晶闸管流过的平均电流就是负载电流的D 。
A、1/2倍B、1/3倍C、1/4倍D、1/6倍15、三相桥式半控整流电路中,每只晶闸管流过的平均电流就是负载电流的 C 。
A、1倍B、1/2倍C、1/3倍D、1/6倍16、三相全控桥式整流电阻性负载电路中,整流变压器二次相电压的有效值为U2ϕ,当触发延迟角α的变化范围在30°～60°之间时,其输出平均电压为U d= B 。
A、1、17U2ϕcosαB、2、34U2ϕcosαC、Ud=2、34U2ϕ[1+cos (60°+ α)]D、2、34U2ϕsinα17、晶闸管三相串联二极管式电流型逆变器就是属于 A 导通型。
A、120°B、150°C、18、要想使正向导通着的普通晶闸管关断,只要 C 即可。
A、断开门极B、给门极加反压C、使通过晶闸管的电流小于维持电流19、三相半波可控整流电路带电阻负载时,其触发延迟角 的移动范围就是 B 。
A、0°～120°B、0°～150°C、0°～180°20、三相桥式半控整流电路中,每只晶闸管承受的最高正反向电压为变压器二次相电压的 C 。
A、√‾2倍B、√‾‾3倍C、√‾2X√‾3倍D、2√‾3倍21、带平衡电抗器三相双反星形可控整流电路中,平衡电抗器的作用就是使两组三相半波可控整流电路D 。
A、相串联B、相并联C、单独输出D、以180°相位差相并联三、简答题 :1.电力晶体管(GTR)有哪些特点？答:电力晶体管(GTR)就是一种双极型大功率晶体管,属于电流控制型器件。
由于大电流时,GTR会产生大电流效应,导致放大倍数减小,因此在结构上常采用达林顿结构。
其特点就是:导通压降低,所需的驱动电流大,使用在感性负载或开关频率较高时必须设置缓冲电路,且过载能力差,易发生二次击穿。
2.电力场效应晶体管(MOSFET)有哪些特点？答:电力场效应管(MOSFET)就是一种单极型大功率晶体管,属于电压控制型器件。
其主要优点就是基本上无二次击穿现象,驱动功率小,开关频率高,输入阻抗大,易于并联与保护。
缺点就是导通压降较大,限制了其电流容量的提高。
3.为什么选用了较高电压、电流等级的晶闸管还要采用过电压、过电流保护？答:因为电路发生短路故障时的短路电流一般都很大,而且电路中各种过电压的峰值可达到电源电压幅值的好几倍,所以电路中一定要设置过电流、过电压保护环节。
此外,大电流,高电压的晶闸管比较昂贵,也需要提供必要的保护。
4.在晶闸管交流调压调速电路中,采用相位控制与通断控制各有何优缺点？答:在晶闸管交流调压调速电路中,采用相位控制时,输出电压较为精确、调速精度较高,快速性好,低速时转速脉动较小,但会产生谐波,对电网造成污染。
采用同断控制时,不会产生谐波污染,但电动机端电压变化剧烈,转速脉动较大。
5.实现有源逆变的条件就是什么？答:实现有源逆变的条件时:(1)变流电路直流侧必须有直流电源E g,且其值要略大于U d,为逆变提供能量;(2)变流电路必须工作在β﹤90o(即α﹥90o)区域,使U d﹤0,才能把直流电能逆变为交流电能。
上述两个条件,缺一不可,同时逆变电路需要串联平波电抗器。
5.绝缘栅双极晶体管(IGBT)有哪些特点？答:结缘栅双极型晶体管(IGBT)就是一种由单极性的MOSFET与双极型晶体管复合而成的器件。
它兼有MOSFET与GTR二者的优点,属于电压型驱动器件。
其特点就是:输入阻抗高,驱动功率小;工作频率高,导通压降低,功耗小。
IGBT就是一种很有发展前途的新型电力半导体器件,在中、小容量的电力电子应用方面大有取代其它全控型器件的趋势6.电力场效应晶体管(MOSFET)有哪些特点？答:电力场效应管(MOSFET)就是一种单极型大功率晶体管,属于电压控制型器件。
其主要优点就是基本上无二次击穿现象,驱动功率小,开关频率高,输入阻抗大,易于并联与保护。
缺点就是导通压降较大,限制了其电流容量的提高。
7.额定电流为100A的双向晶闸管,可以用两只普通晶闸管反并联来代替,若使其电流容量相等,普通晶闸管的额定电流应就是多大？答:双向晶闸管的额定电流与普通晶闸管不同,就是以最大允许有效电流来定义的。
额定电流100A的双向晶闸管,其峰值为141A,,而普通晶闸管的额定电流就是以正弦半波平均值表示,因此,峰值为141A的正弦半波,它的平均值为A45π。
所以一个100A/141≈的双向晶闸管可以用两个45A的普通晶闸管来代替。
8.在脉冲宽度调制(PWM)技术中,脉冲宽度可以通过何种电路来实现调制？答:在脉宽调制(PWM)技术中,脉冲宽度可以提高一个比较器来实现,即用一个三角波(调制信号)与一个直流控制电压(参考信号)进行比较,比较器输出电压的极性由这两个比较电压的差值的正负来决定。
这样改变控制电压的大小,即可以改变两个电压的交点位置,也就就是改变输出电压极性的位置,从而改变正、负脉冲的宽度9.电流型逆变器有何特点？答:电流型逆变器的直流电源经大电感滤波,直流侧可近似的瞧成恒压源。
逆变器输出的电流波形为矩型波,电压波形为近似的正弦波,该逆变器抑制过电流的能力很强,特别适用于频繁启动与加、减速的电动机负载。
四、计算题:1、单相半控桥式整流电路带电阻性负载,已知U1=220V,R d=4 ,要求整流电路的直流输出电流I d在0～25A之间变化,求(1)变压器的电压比;(2)若导线允许电流密度J=5A,求连接负载导线的截面积;(3)若考虑晶闸管电压、电流取2倍的裕量,选择晶闸管型号;(4)忽略变压器励磁功率,求变压器的容量;(5)计算负载电阻R d 的功率;(6)计算电路的功率因数。
1、 解:(1)V V R I Ud d d 100425max max =⨯== V U U d 1119.02== 211122021≈==U U K(2)当α＝0时,整流电路的输出最大。
A A I I K I dd f 75.272511.111.1=⨯=== 26.5575.27MM J I S ≈== (3)A A I I T AV T 25225257.12)(=⨯=⨯≥ 取A I AV T 30)(=V V U U U TM RM 314111222222=⨯⨯=⨯=≥ 取V U RM 400=因此选择晶闸管的型号为:KP30－4(4)A KV I U I U S ⋅≈⨯===08.375.27111222 取A KV S ⋅=3(5)KW W R I P dRd 08.3475.2722=⨯== (6)12sin 21cos =-+=παπαπϕ (当α＝0时) 2、三相全控桥式整流电路带大电感负载,已知三相整流变压器的二次绕组接成星形,整流电路输出U d 可从0～220V 之间变化,负载的L d =0、2H,R d =4Ω,试计算(1)整流变压器的二次线电压U 2l ;(2)晶闸管电流的平均值I T(AV)、有效值I T 及晶闸管可能承受的最大电压U TM ;(3)选择晶闸管型号 (晶闸管电压、电流裕量取2倍)。