电力电子复习回顾
大二电力电子技术基础知识点总结
大二电力电子技术基础知识点总结如下是大二电力电子技术基础知识点的总结：电力电子技术是电气工程领域的重要分支之一，它主要涉及电力电子器件和电力电子电路的设计与应用。
在大二的学习中，我们接触到了很多电力电子技术的基础知识点，这些知识点对于我们的学习和未来的工作都有着重要的意义。
下面是对这些知识点的总结：1. 电力电子器件电力电子器件是实现电力电子技术的基石，常见的电力电子器件有功率场效应管(MOSFET)、双极型晶体管(BJT)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。
这些器件具有不同的特性和应用场景，我们需要掌握它们的工作原理、特性参数以及选型和驱动方法。
2. 电力电子电路电力电子电路是电力电子技术的核心，其中包括直流-直流变换器、直流-交流变换器、交流-交流变换器等。
我们需要了解这些电路的结构和工作原理，掌握它们的控制方法、效率计算以及应用领域。
3. 开关功率器件开关功率器件是电力电子电路的关键组成部分，常见的开关功率器件有晶闸管(SCR)、双向可控硅(Triac)、发光二极管(LED)等。
了解开关功率器件的工作原理、特性和保护方法，能够更好地设计和应用电力电子电路。
4. 电力电子变换器电力电子变换器是实现电能的变换与调控的关键设备，常见的电力电子变换器有直流电压变换器、直流电流变换器、交流电压变换器等。
我们需要了解这些变换器的结构和动作原理，掌握它们的控制策略、效率计算以及在电力系统中的应用。
5. 短路保护与故障诊断在电力电子技术应用中，短路故障是常见的问题。
我们需要学习短路保护的原理和方法，能够设计和应用短路保护电路。
同时，故障诊断技术也十分重要，我们需要了解故障诊断的基本原理和方法，能够快速准确地分析和解决故障问题。
6. 可编程控制器(PLC)在电力电子技术中的应用近年来，可编程控制器在电力电子技术中的应用越来越广泛。
我们需要了解PLC的基本原理和应用技巧，能够利用PLC实现电力电子设备的自动控制和远程监控。
电力电子复习整理
第一章电力电子技术的概念根据电力电子器件的特性、采用一种有效的静态变换和控制方法，将一种电能形式转换为另一种电能形式的技术。
电力电子功率变换的分类 AC/DC 变换 整流器 DC/AC 变换 逆变有源逆变 DC/AC 变换时，交流输出与电网相连。
无源逆变 DC/AC 变换时，交流输出直接与负载相连 。
AC/AC 变换 变频器 DC/DC 变换 直流斩波 第二章功率半导体器件分类不可控型: 功率二极管:导通和关断均由电路潮流决定。
半可控型: 晶闸管:在器件在承受正向电压时，由控制信号控制器件的导通，而关断状态由电路潮流决定。
全控型: 可控开关 :由控制信号控制器件的导通和关断。
绝缘栅双极晶体管（IGBT ） 门极可关断晶闸管（GTO ） 电力场效应晶体管（MOSFET ） 双极结型晶体管（BJT ）绝缘栅门极换流晶闸管（IGCT ）二极管的工作原理、特性和分类当功率二极管承受正向电压时，它的正向导通压降很小，大约在1V 左右。
当功率二极管承受反向电压时，只有极小的漏电流可通过该器件。
正向平均电流IF （AV ）设正弦半波电流的峰值为Im ，则额定电流为:()I 1I sin ()2mF AV m I td t πωωππ==⎰额定电流有效值为：I 2m F I ==某电流波形的有效值与平均值之比为这个电流的波形系数:f K =电流有效值电流平均值()F F AV I 1.57I 2f K π==≈额定电流IF(AV)=100A 的电流功率二极管，其额定电流有效值IF =Kf IF(AV)=157A 。
正向压降UF几种常用的功率二极管 肖特基二极管快恢复二极管工频二极管晶闸管的工作原理、特性、分类和选型（电流有效值、波形系数、额定电压和额定电流）晶闸管承受正向电压时，在门极注入正向脉冲电流可将它触发导通。
晶闸管一旦开始导通，门极就失去控制作用。
不论门极触发电流是否存在，晶闸管都保持导通。
通过外电路使阳极电流反向，并且降到接近于零的某一数值，可使已导通的晶闸管关断。
电力电子技术总复习
1
说明： ② Features of power electronic devices（电力电 子器件的主要特征，与信息电子器件的不同点） • 容量远大于电子器件 • 工作在开关状态以减小功率损耗 • 由控制电路控制，控制电路与功率电路之间需要加驱动 电路 • 功率损耗远大于电子器件，需要散热器 说明： ③ 注意：计算开关损耗时，要先画出开关过程中 管子上的电压电流波形，电压电流波形不同，开关损耗的 计算式也不同。 说明：④通态损耗：
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本节小结
6、理解晶闸管(SCR) MOSFET) 器件的工作原理、特点、主 要参数的含义；掌握晶闸管额定电流的计算方法；理解电路 中dv/dt、di/dt参数对晶闸管器件的影响 。
13
本节小结
说明：① 晶闸管额定电流计算 Average on-state current---IT(AV)
IAV
11
说明：③ 驱动电路的功能/作用 Provide an interface between the control circuit and power switch (作为控制电路与功率开关间的接口) ⑴ 信号放大作用 ⑵ 使功率开关与控制电路电气隔离作用
⑶ 驱动信号整形作用
⑷ 过流过压预防和保护作用
Latching current (擎住电流）
for the same thyristor: IL≈(2~4) IH
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说明：③ 晶闸管基本概念 di/dt must be less than the rated value. If di/dt exceeds the rated value, the device may be damaged. Rate of rise of the voltage at turn-off---dv/dt If a thyristor is in a blocking state, a rapidly rising voltage applied across the device can cause high current flow through its internal junction capacitor. This current may be high enough to damage the device. Thus, the applied dv/dt must be less than the rated value.
电力电子技术复习总结(判断题答案)
电力电子技术复习一、选择题（每小题10分,共20分）1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。
A、180°，B、60°，c、360°，D、120°2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
`A，0度，B，60度，C，30度，D，120度，3、晶闸管触发电路中，若改变B的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
A、同步电压，B、控制电压，C、脉冲变压器变比。
4、可实现有源逆变的电路为A。
A、三相半波可控整流电路，B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路，D、单相半控桥整流电路。
5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理A。
A、30º-35º，B、10º-15º，C、0º-10º，D、0º。
6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCDA、三相半波可控整流电路。
B、三相半控整流桥电路。
C、单相全控桥接续流二极管电路。
D、单相半控桥整流电路。
7、在有源逆变电路中，逆变角的移相范围应选B为最好。
A、=90º∽180º，B、=35º∽90º，C、=0º∽90º，8、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压等于C。
A、U相换相时刻电压u U，B、V相换相时刻电压u V，C、等于u U+u V的一半即：9、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉冲间距相隔角度符合要求。
请选择B。
10、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C=0，改变C的大小，可使直流电动机负载电压U d=0，使触发角α=90º。
达到调定移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。
B、同步电压，B、控制电压，C、偏移调正电压。
电力电子复习回顾
电力电子复习回顾第二章电力电子器件一、电力电子器件概论1、 按器件的可控性分类，普A 全控型器件 BC 不控型器件D 电压型器件 2、 具有自关断能力的电力半导体器件称为 （A ） B.半控型器件D.触发型器件 ，哪个是全控型电） B 晶闸管 D 逆导晶闸管通晶闸管 （SCR ）属于（B ） 半控型器件A.全控型器件C.不控型器件F 面给出的四个电力半导体器件中 力半导体器件（CA 二极管 C 电力晶体管二、功率二极管1、 功率二极管的封装形式有 型， 3、 螺栓型和平板板型的散热效果好。
2、 ZP400表示 功率二极 管的额定电流为 400 A 。
3、 常用的功率二极管有三种类型：普诵二极管、快恢复 二极管、肖特基极管。
三、晶闸管（SCR）1、处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极承受正向电压，且门极承受正压时，才能使其开通。
2、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是（A ）A.干扰信号 B. C.触发电流信号D.3、 为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过A. 安全区 C.可靠触发区6、 使已导通的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流 I a 减小至维持电流 I H 以下7、 晶闸管断态不重复电压 小 &晶闸管额定通态平均电流的，条件要求环境温度为_ 触发电压信号-扰信号和触发信号（B ） B.不触发区可触发区D.4、 造成在不加门极触发控制信号即使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非 压上升率du/dt 太快， A.阳极电流上升太快C.阳极电压过高正常转折有二种 是（C ） B. D.是阳极的电阳极电流过大 电阻过大门极信号 4、 由门极控制导通的晶闸管导通后， A.失去作用 B.需维持原值 C.需降低D.需提高5、 当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（B ）A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定OU DSM 与转折电压 U BO 数值大 U BO 。
电力电子技术复习总结
电力电子技术复习题1第1章电力电子器件1、电力电子器件一般工作在开关状态。
2、在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。
3、电力电子器件组成得系统,一般由—控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压与电流得过冲,往往需添加保护电路。
4、按内部电子与空穴两种载流子参与导电得情况,电力电子器件可分为_单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。
5、电力二极管得工作特性可概括为承受正向电压导通，承受反相电压截止。
6、电力二极管得主要类型有—普通二极管_、_快恢复二极管 _ _肖特基二极管_。
7、肖特基二极管得开关损耗小于快恢复二极管得开关损耗。
8、晶闸管得基本工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。
9、对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL大于IH 。
10、晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为.UDSM大于_UbQ11、逆导晶闸管就是将二极管与晶闸管反并联(如何连接)在同一管芯上得功率集成器件。
12、GTO寻多元集成结构就是为了便于实现门极控制关断而设计得。
13、MOSFE得漏极伏安特性中得三个区域与 GTR共发射极接法时得输出特性中得三个区域有对应关系,其中前者得截止区对应后者得_截止区_、前者得饱与区对应后者得放大区、前者得非饱与区对应后者得饱与区。
14、电力MOSFE得通态电阻具有正温度系数。
15、IGBT得开启电压UGE(th)随温度升高而略有下降，开关速度小于电力 MOSFET16、按照驱动电路加在电力电子器件控制端与公共端之间得性质,可将电力电子器件分为电压驱动型与电流驱动型两类。
17、IGBT得通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负—温度系数，在 1/2或1/3额定电流以上区段具有 _正_ —温度系数。
18、在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)中,属于不可控器件得就是_电力二极管__,属于半控型器件得就是—晶闸管属于全控型器件得就是_ GTO、GTR、电力 MOSFET IGBT 属于单极型电力电子器件得有_电力MOSFET _属于双极型器件得有_电力二极管、晶闸管、 GTO、GTR_,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控得器件中,容量最大得就是_晶闸管_,工作频率最高得就是_电力MOSFET!于电压驱动得就是丄力MOSFET IGBT _,属于电流驱动得就是_晶闸管、GTO、GTR _ 第2章整流电路电阻负载得特点就是_电压与电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角a得最大移相范围就是_0-180［。
电力电子技术总结复习
通态损耗：导通时器件上有一定的通态压降
关断损耗：在器件关断的转换过程中产生的损耗
是器件功率损耗的主要成因
器件开关频率较高时，开关损耗会随之增大而可能成
为器件功率损耗的主要因素
电力电子器件的分类
按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为以 下三类：不可控、半控和全控
3.6 全控变流电路的有源逆变工作状态
自然换相与自然换相点
u2
ua
1 3
ub
uc
5 4 1 3 2
u
ua
ub
O
p
2
p
ud
2p
3p
t
2p
6
3p
t
ud
p 2p 3p t
O
t
自然换相点: 在不可控整流电路中，整流管将按电源电压 变化规律自然换相，自然换相的时刻称为自然换相点。 控制角 ：从自然换相点计起，到发出控制脉冲使晶闸管 导通为止的时间间隔，以电角度表示，称为控制角。
三相桥式全控整流电路
每60换相（器件得到触发脉冲）一次，顺序为 VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT6。 共阴极组VT1、VT3、VT5的换相依次差120，
VT1 VT3 VT5 d1 T n ia a b c R ud id
共阳极组VT4、VT6、VT2换相也依次差120。
同一相的上下两个桥臂，即VT1与VT4，VT3与VT6， VT5与VT2，换相相差180。
电子保护电路
过电流保护措施及配置位置 图1-37
快速熔断器、直流快速断路器和过电流继电器。 同时采用几种过电流保护措施，提高可靠性和合理性。 电子电路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分 区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后实 现保护，过电流继电器整定在过载时动作。
电力电子复习资料
电⼒电⼦复习资料1、电导调制效应——当PN结上流过的正向电流较⼤时，注⼊并积累在低掺杂N区的少⼦空⽳浓度将很⼤。
为了维持半导体的中性条件，其多⼦浓度（即电⼦浓度）也相应⼤幅度增加，使得其电阻率明显下降，也就是电导率⼤⼤增加。
电导调制效应使得PN结在正向电流较⼤时压降仍然很低，约0.7—1V左右。
即流过⼆极管的电流增⼤时，其内阻由于电导调制效应，反⽽减⼩，从⽽维持端电压基本不变。
当PN 结外加反向电压时外加电场与PN结⾃建电场⽅向相同，使少⼦的漂移运动⼤于多⼦的扩散运动，形成漂移电流，但由于少⼦的浓度很低，故反向电流很⼩，⼀般只为微安数量级。
故反向偏置时，PN结呈现⾼阻态，⼏乎⽆电流流过，称为截⽌状态。
2、普通⼆极管，⼜称整流⼆极管（Rectifier Diode）如：IN4007 IN5408（1）多⽤于开关频率不⾼（1kHz以下）的整流电路中（2）其反向恢复时间较长，⼀般在以上，这在开关频率不⾼时并不重要。
（3）正向电流定额和反向电压定额可以达到很⾼，分别可达数千安和数千伏以上。
快恢复⼆极管（Fast Recovery Diode——FRD）（1）恢复过程很短特别是反向恢复过程很短（以下）的⼆极管，也简称快速⼆极管。
如：FR107 MUR840（2）⼯艺上多采⽤了掺⾦措施（3）有的采⽤PN结型结构（4）有的采⽤改进的PiN结构采⽤外延型PiN结构的的快恢复外延⼆极管，其反向恢复时间更短（可低于50ns），正向压降也很低（0.9V左右），但其反向耐压多在1200V以下。
如HF A25TB60从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。
前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚⾄达到20~30ns。
肖特基⼆极管a.肖特基⼆极管的弱点（1）当反向耐压提⾼时其正向压降也会⾼得不能满⾜要求，因此多⽤于200V以下（2）反向漏电流较⼤且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽略，⽽且必须更严格地限制其⼯作温度b.肖特基⼆极管的优点（1）反向恢复时间很短（10~40ns）（2）正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲（3）在反向耐压较低的情况下其正向压降也很⼩，明显低于快恢复⼆极管（4）其开关损耗和正向导通损耗都⽐快速⼆极管还要⼩，效率⾼如：IPS59SB20 40V/0.5A IPS74SB23 40V/1APBYL1025 25V/10A 1N5819 40V/1A3、P15晶闸管的特性是：在低发射极电流下α很⼩，当发射极电流建⽴起来之后，α迅速增⼤。
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电力电子复习回顾第二章电力电子器件一、电力电子器件概论1、按器件的可控性分类，普通晶闸管属于（ B ）A 全控型器件B 半控型器件C 不控型器件D 电压型器件2、具有自关断能力的电力半导体器件称为( A )A.全控型器件B.半控型器件C.不控型器件D.触发型器件3、下面给出的四个电力半导体器件中，哪个是全控型电力半导体器件( C )A 二极管B 晶闸管C 电力晶体管D 逆导晶闸管二、功率二极管1、功率二极管的封装形式有螺栓型和平板型，平板型的散热效果好。
2、ZP400表示功率二级管的额定电流为400 A。
3、常用的功率二极管有三种类型：普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
三、晶闸管（SCR）1、处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极承受正向电压，且_门极承受正压时，才能使其开通。
2、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( A )。
A.干扰信号B.触发电压信号C.触发电流信号D.干扰信号和触发信号3、为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过( B )A. 安全区B. 不触发区C. 可靠触发区D. 可触发区4、造成在不加门极触发控制信号即使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素，一是阳极的电压上升率du/dt太快，二是( C )A.阳极电流上升太快B.阳极电流过大C.阳极电压过高D.电阻过大4、由门极控制导通的晶闸管导通后，门极信号( A )。
A.失去作用B.需维持原值C.需降低D.需提高5、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( B )A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定6、使已导通的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至___维持电流___以下。
7、晶闸管断态不重复电压U DSM 与转折电压U BO 数值大小上应为，U DSM ___>____U BO 。
8、晶闸管额定通态平均电流I VEAR 是在规定条件下定义的，条件要求环境温度为__40°___。
9、晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（ B ）。
A.维持电流 B.擎住电流 C.浪涌电流D.额定电流10、决定触发脉冲最小宽度一个重要因素是( B )。
A. 维持电流I H B. 擎住电流I L C. 浪涌电流I TSm D. 额定电流11、对于同一个晶闸管，其维持电流I H ___<____擎住电流I L 。
12、KP100-12表示额定电流 100 A ，额定电压 1200 V 的普通型晶闸管。
13、晶闸管电流的波形系数定义为( A ) A.)(AV T Tm fI I K =B.TmAV T fI I K )(==I T （AV ）·I Tm=I T （AV ）-I Tm14、在I T(AV)定义条件下的波形系数k f 为( B ) A. π B.2πC.23π π四、门极可关断晶闸管1、门极可关断晶闸管是一种____4______层半导体结构的三端器件。
2、要关断GTO ，则需( B )A 在门极加正脉冲信号B 在门极加负脉冲信号C 加强迫关断电路D 加正弦波信号 3、GTO 的电流关断增益βoff =( D )。
A.||m in G ATO I IB.||GT ATO I IC.||GD ATO I ID.||:GM TO A I I五、功率晶体管1、功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( B ) A.一次击穿 B.二次击穿 C.临界饱和 D.反向截止2、功率晶体管的二次击穿现象表现为( A ) A.从高电压小电流向低电压大电流跃变 B.从低电压大电流向高电压小电流跃变 C.从高电压大电流向低电压小电流跃变 D.从低电压小电流向高电压大电流跃变3、功率晶体管的安全工作区范围由几条曲线限定( A ) 条 条 条4、功率晶体管驱动电路中的抗饱和电路，用来减少晶体管的( A ) A. 存储时间 B. du/dt C. di/dt D. 基极电流5、对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的( C )A.导通B.寿命C.关断D.饱和（六）电力MOSFET 管1、电力MOSFET 导通时工作在 可调电阻 区。
（七）IGBT1、双极型功率晶体管和MOSFET 的复合器件是（ B ）。
2、IGBT 是( B )A.电流驱动型元件B.电压驱动型元件C.半控型元件D.不控型元件（八）器件共性1、触发电路中的触发信号应具有（ D ）A.足够大的触发功率B.足够小的触发功率C.尽可能缓的前沿D.尽可能窄的宽度2、常用的抑制过电压的方法有两种，一是用阻容元件吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
二是用__非线性___元件限制过电压的幅值。
3、快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是( D )A.功率晶体管 C.功率MOSFET D.晶闸管4、可以用过电流继电器作为过电流保护的电力电子器件是( D )A.功率晶体管GTRC.功率MOSFETD.晶闸管5、在功率晶体管的主电路中，为了有效地抑制dtdi和dtdu，则应设置( D )A.触发电路B.控制电路C.开关电路D.缓冲保护电路6、对功率晶体管设置_ 缓冲保护电路，可防止过电压和减小功率晶体管两端的du/dt。
7、功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用快恢复___ 型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
8、晶闸管串联时，为达到静态均压，可在晶闸管两端并联相同的（A）。
A．电阻B．电容C．电感D．阻容元件9、当晶闸管串联时，为实现动态均压，可在各个晶闸管两端并联( D )A. RB. LC. CD. RC第三章整流电路（一）单相半波全控整流电路1、单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始导通到关断之间的角度称为____导通角______。
2、在晶闸管单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始承受正向电压算起，到触发脉冲到来时刻为止，这段时间的电角度称为___触发角__。
3、单相半波可控整流纯电阻负载电路，控制角 =___0°__时，负载电流的平均值最大。
4、单相半波可控整流电路中，控制角α的最大移相范围是_180°_________。
5、大电感负载，接有续流二极管的单相半波可控变流电路设控制角为α，则续流二极管的导通角为( D )π+απ-αC、π-α D.π+α（二）单相全控桥1、单相全控桥式带电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（ D ）A 90 °B 120 °C 150 °D 180 °2、带电阻性负载的单相全控桥，晶闸管所承受的最大正向电压为( A ) A22U 2 B 22U 2 C 2U 2 D 2U 23、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( B )A. 22U 2B.2U 2 C.22 U 2 D. 6U 24、当控制角α、交流电源电压和负载相同时，单相全控桥式整流电路的功率因素是单相半波整流电路的功率因素的( A ) A.2倍 B. 2倍 C. 1倍 D.21倍5、能在两象限运行的电路为( A )（电压为纵坐标，电流为横坐标） A. 单相全控桥式电路B. 单相半控桥式电路C. 带续流管的单相全控桥式电路D. 带续流管的单相半控桥式电路6、单相全控桥能在Ⅰ、____三_____象限中工作。
（电压为纵坐标，电流为横坐标）7、单相桥式可控整流电路中，脉冲间隔τ= π ，晶闸管最大导通角=max θ 180° ， 晶闸管承受的最大电压Tm U。
8、单相桥式全控整流电路反电动势负载为使电路可靠工作，控制角α必须 大于 停止导电角δ。
9、.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于停止导电角δ时，晶闸管的导通角θ=( C ) A.π-α B.π+α C.π-δ-α D.π+δ-α10、在单相全控桥整流电路带反电势负载时，若交流电源有效值为U 2，反电势为E 时，停止导电角δ=_ E _____。
（三）三相半波1、三相半波可控整流电路中使用_____3__个晶闸管。
2、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A.交流相电压的过零点B. 是相邻相电压正半周的交点R 、S 、T 处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°3、三相半波可控整流电阻性负载电路的控制角α为何值时，输出电流波形会出现零点。
（注意是出现一个零点，而不是一段为零的区域）（ B ） °° °°4、电阻性负载三相半波可控整流电路，相电压的有效值为U 2，当控制角α=0°时，整流输出电压平均值等于（ D ） A.1.41U 2、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位互差（ C ） °°° D6、三相半波可控整流电路，在电阻性负载时，当控制角α≤30°，每个晶闸管的导通角θ>150°_。
此电路的移相范围为__30°__。
7、三相半波可控整流电路带电阻性负载工作时，在控制角α>30°时，负载电流出现_断续现象______。
晶闸管所承受的最大反向电压为 U 2_。
8、在电感性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大正向电压为 U 2_______。
9、在大电感性负载三相半波可控整流电路中，输出电流基本是_平直的_____。
（四）三相全控桥1、三相全控桥的共阳极组各器件的导通顺序依次为V 12,V 14,V 16，其中V 12对应于____AC______相。
2、三相桥式不控整流电路交流侧三相相电压正半周波的三个自然换相点互相间隔（ A ） A 60 °B 90 °C 120 °D 180 °3、三相全控桥式整流电路中，共阴极组的三个晶闸管的触发脉冲相位互差( C ) A 60°B 90°C 120°D 150°4、三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120°为间隔，依次在___正___半周触发共阴极组的各晶闸管。
5、三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差（ D ）度。
6、三相桥式不控整流电路中，二极管在自然换相点按1、2、3、4、5、6、l 的顺序每隔多少度换相一次( B )A 45°B 60°C 90°D 120°7、在三相桥式不控整流电路中，整流输出电压的平均值为( A )A.22U 34.2U 63≈π或 B.22U 17.1U 263≈π或C.22U 56.1U 62≈π或 D.22U 78.0U 6≈π或 8、已知三相桥式不控整流电路交流侧线电压u AB 的表达式为u AB=)6t sin(U 62π+ω，则u CA 的表达式为（ A ） A.)65t sin(U 6u 2CA π+ω=B.)65t sin(U 3u 2CAπ+ω=C.)32t sin(U 6u 2CAπ-ω=D.)65t sin(U 6u 2CAπ-ω=9、电阻性负载三相全控桥式整流电路，在一个输入电源周期内，整流输出电压有_6___个波头。