磁场测试方法
磁场的测定(霍尔效应法)汇总
霍尔效应及其应用实验(FB510A 型霍尔效应组合实验仪)（亥姆霍兹线圈、螺线管线圈）实验讲义长春禹衡时代光电科技有限公司实验一 霍尔效应及其应用置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的，后被称为霍尔效应。
如今霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且利用该效应制成的霍尔器件已广泛用于非电量的电测量、自动控制和信息处理等方面。
在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更广泛的应用前景。
掌握这一富有实用性的实验，对日后的工作将有益处。
【实验目的】1．了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。
2．学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量试样的S H I ~V 和M H I ~V 曲线。
3．确定试样的导电类型。
【实验原理】1．霍尔效应：霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场H E 。
如图1所示的半导体试样，若在X 方向通以电流S I ，在Z 方向加磁场B ，则在Y 方向即试样A A '- 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。
电场的指向取决于试样的导电类型。
对图1（a ）所示的N 型试样，霍尔电场逆Y 方向，（b ）的P 型试样则沿Y 方向。
即有)(P 0)Y (E )(N 0)Y (E H H 型型⇒>⇒<显然，霍尔电场H E 是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力HE e •与洛仑兹力B v e ••相等，样品两侧电荷的积累就达到动态平衡，故有B v e E e H ••=• （1）其中H E 为霍尔电场，v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。
根据霍尔效应测磁场的几种方法归纳总结
根据霍尔效应测磁场的几种方法归纳总结霍尔效应是一种常用于测量磁场强度的物理现象。
通过研究霍尔效应，人们发展出了多种方法来测量磁场。
本文将对根据霍尔效应测磁场的几种方法进行归纳总结。
1. 霍尔元件法：霍尔元件是一种基于霍尔效应原理的传感器。
当电流通过霍尔元件时，磁场会引起霍尔电压的产生。
通过测量霍尔电压的大小，可以确定磁场的强度。
霍尔元件法是一种简单而常用的测磁场方法。
霍尔元件法：霍尔元件是一种基于霍尔效应原理的传感器。
当电流通过霍尔元件时，磁场会引起霍尔电压的产生。
通过测量霍尔电压的大小，可以确定磁场的强度。
霍尔元件法是一种简单而常用的测磁场方法。
2. 霍尔传感器法：与霍尔元件法相似，霍尔传感器也是基于霍尔效应原理的传感器。
不同之处在于，霍尔传感器一般具有更高的灵敏度和更广的工作范围。
它可以通过将霍尔传感器放置在需要测量的磁场中，并测量其输出电压来确定磁场的强度。
霍尔传感器法：与霍尔元件法相似，霍尔传感器也是基于霍尔效应原理的传感器。
不同之处在于，霍尔传感器一般具有更高的灵敏度和更广的工作范围。
它可以通过将霍尔传感器放置在需要测量的磁场中，并测量其输出电压来确定磁场的强度。
3. 霍尔探针法：霍尔探针是一种用于测量磁场强度的工具。
它通常由霍尔元件和测量电路组成。
通过将霍尔探针置于磁场中，并测量输出电压，可以得到磁场的强度值。
霍尔探针法在磁场测量和磁场分布研究中得到广泛应用。
霍尔探针法：霍尔探针是一种用于测量磁场强度的工具。
它通常由霍尔元件和测量电路组成。
通过将霍尔探针置于磁场中，并测量输出电压，可以得到磁场的强度值。
霍尔探针法在磁场测量和磁场分布研究中得到广泛应用。
4. 霍尔效应测试仪：霍尔效应测试仪是一种专门用于测量磁场强度的设备。
它通常具有较高的精度和稳定性。
通过将样品放置在霍尔效应测试仪中，仪器可以直接测量并显示磁场的强度值。
霍尔效应测试仪一般用于科研、工业生产等领域。
霍尔效应测试仪：霍尔效应测试仪是一种专门用于测量磁场强度的设备。
磁场和磁场强度的测量分析
磁场和磁场强度的测量分析引言磁场是我们日常生活中经常遇到的一个物理概念。
从指南针的指向到电动车的电机工作，磁场无处不在。
然而，磁场的测量和分析并不是一个简单的任务。
在本文中，我们将探讨磁场和磁场强度的测量方法以及其分析过程。
第一部分：磁场的测量方法1. 使用磁力计测量最常见的磁场测量方法是使用磁力计。
磁力计是一种能够测量磁场强度的仪器。
它可以通过感应磁场产生的力来计算磁场的大小。
磁力计通常由一个可移动的磁针和一个刻度盘构成。
将磁力计放置在所需测量的位置上，通过磁力计刻度盘上的指针读取磁场强度。
2. 基于霍尔效应的测量另一种常用的测量方法是基于霍尔效应的测量。
霍尔效应是指当电流通过一块材料时，由于磁场的存在，该材料的两侧形成一个垂直于电流和磁场方向的电压差。
这种电压差可以用来测量磁场强度。
将霍尔元件置于所需测量的位置上，通过测量电压差来计算磁场的大小。
第二部分：磁场强度的分析1. 磁场强度的方向磁场强度除了具有大小之外，还有方向性。
磁场强度的方向指的是磁场力作用的方向。
根据磁力线的规律，磁场力作用的方向是由南极指向北极。
因此，测量和分析磁场强度时，我们需要考虑磁场的方向性。
2. 磁场强度的影响因素磁场强度受多种因素影响。
首先是磁体的大小和形状。
磁体的大小和形状决定了磁场强度的大小和分布。
其次是磁体的材质。
不同材质的磁体对磁场的产生和保持能力不同，从而影响磁场强度。
此外，磁体之间的距离也会影响磁场强度。
磁体之间的距离越近，磁场强度越大。
3. 磁场强度的应用磁场强度的测量和分析在许多领域有广泛的应用。
在物理研究中，磁场强度的测量可以用于磁场理论的验证和实验数据的收集。
在工程领域，磁场强度的测量可以用于电动机和发电机的设计和测试。
在医学领域，磁场强度的测量可以用于核磁共振成像和磁导航手术等技术。
结论磁场和磁场强度的测量和分析是一项重要的科学研究工作。
通过使用磁力计和基于霍尔效应的测量方法，我们可以准确地测量磁场强度。
电磁感应法测交变磁场_课件
电磁感应法测交变磁场在工业、国防、科研中都需要对磁场进行测量，测量磁场的方法有不少，如冲击电流计法、霍耳效应法、核磁共振法、天平法、电磁感应法等等，本实验介绍电磁感应法测磁场的方法，它具有测量原理简单，测量方法简便及测试灵敏度较高等优点。
一、实验目的1．了解用电磁感应法测交变磁场的原理和一般方法，掌握201FB 型交变磁场实验仪及测试仪的使用方法。
2．测量载流圆形线圈和亥姆霍兹线圈的轴向上的磁场分布。
3．了解载流圆形线圈（或亥姆霍兹线圈）的径向磁场分布情况。
4．研究探测线圈平面的法线与载流圆形线圈（或亥姆霍兹线圈）的轴线成不同夹角时所产生的感应电动势的值的变化规律。
二、实验仪器FB201－Ⅰ型交变磁场实验仪，信号频率可调范围30~200Hz ，信号输出电流，单个圆线圈可 900mA ≥ ，两个圆线圈串联400mA ≥。
亥姆霍兹线圈每个400匝，允许最大电流1A 。
三、实验原理1．载流圆线圈与亥姆霍兹线圈的磁场：（1）载流圆线圈中心轴线上的磁场分布:一半径为R ，通以电流I 的圆线圈，轴线上磁场的公式为 ：2/322200)(2X R R I N B +⋅⋅⋅=μ （1）式中0N 为圆线圈的匝数，X 为轴上某一点到圆心O '的距离，70410/,H m μπ-=⨯磁场的分布图如图1所示。
本实验取匝400N 0=，A 400.0I =，m 107.0R =，圆心O '处0X =，可算得磁感应强度为：T 10940.0B 3-⨯= , T 10328.1B 2B 3m -⨯==（2）亥姆霍兹线圈中心轴线上的磁场分布:两个相同圆线圈彼此平行且共轴，通以同方向电流I ，理论计算证明：线圈间距a 等于线圈半径R 时，两线圈合磁场在轴上（两线圈圆心连线）附近较大范围内是均匀的，这对线圈称为亥姆霍兹线圈，如图2所示。
这种均匀磁场在科学实验中应用十分广泛，例如，显像管中的行、场偏转线圈就是根据实际情况经过适当变形的亥姆霍兹线圈。
工频磁场抗扰度测试方法
工频磁场抗扰度测试方法一、引言工频磁场是指频率为50Hz的交流电磁场，广泛存在于工业生产和日常生活中。
由于一些电气设备和系统对磁场敏感，会对其正常工作产生干扰，因此需要进行工频磁场抗扰度测试，以评估设备的性能和稳定性。
二、测试目的工频磁场抗扰度测试的主要目的是验证电气设备在工频磁场环境下的正常工作能力，评估其对磁场的抗干扰能力，并根据测试结果提出改进设备设计或采取其他措施的建议。
三、测试方法1. 环境准备a. 测试场地：选择无明显电磁干扰的室内场地，尽量避免金属结构和设备。
b. 电源供应：确保测试场地的供电稳定，并符合国家标准。
2. 测试设备a. 磁场发生器：使用频率为50Hz的磁场发生器，能够产生符合标准要求的磁场强度。
b. 测试设备：选择待测试的电气设备，并确保其工作正常。
3. 测试步骤a. 前期准备：检查测试设备是否正常工作，对其进行必要的校准和调试。
b. 测试方案制定：根据测试标准和设备特性，确定测试方案，包括测试场地布置、测试参数设置等。
c. 测试样品安装：将待测试的电气设备安装在测试场地中，并连接好相应的电源和信号线。
d. 磁场发生器设置：按照测试方案要求，设置磁场发生器的参数，包括磁场频率、强度等。
e. 磁场辐射测试：打开磁场发生器，开始进行磁场辐射测试。
通过测量和记录设备在不同磁场强度下的工作状态和指标，评估其抗干扰能力。
f. 结果分析与评估：根据测试结果，对设备的抗扰度进行分析和评估，确定是否符合相关标准和要求。
g. 结论和建议：根据测试结果，给出测试样品的结论和改进建议，包括设备设计优化、屏蔽措施等。
四、测试要求和标准工频磁场抗扰度测试需要参考相关的国家标准和行业规范，如国家标准GB/T 17626.8《电磁兼容性试验与测量技术工频磁场抗扰度试验》等。
根据不同的设备类型和应用场景，还可以参考行业协会发布的技术规范和标准。
五、测试注意事项1. 安全措施：测试过程中需确保人员的安全，特别是在高磁场强度下，应采取相应的防护措施。
实验41、用霍耳效应法测量磁场
实验41、用霍耳效应法测量磁场置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，这称之为霍尔效应。
霍尔效应主要用于测定半导体材料电学参数、非电量电测自动控制等方面。
通过这个实验可以重点学习如下内容：1）测量磁场的霍尔效应法。
2）对称测量法。
3）霍尔效应仪的连接和调节。
【实验目的】1）了解产生霍尔效应的物理过程。
2）学会应用霍尔效应测量磁场的原理和方法。
【实验仪器】霍尔效应实验仪【实验原理】霍尔效应是1879年霍尔在研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的。
如图所示,一块长为,宽为，厚为的矩形半导体薄片（N型，载流子是电子，带负电），沿Y方向加上一恒定工作电流，沿X方向加上恒定磁场，就有洛仑兹力。
（1）式中：为运动电荷的电量；为电荷运动的速度，沿Z负方向。
在洛仑兹力的作用下，样品中的电子偏离原流动方向而向样品下方运动，并聚积在样品下方。
随着电子向下偏移，在样品上方会多出带正电的电荷（空穴）。
这样，在样品中形成了一个上正下负的霍尔电场，根据，在、面间便有霍尔电压。
当建立起来后，它又会给运动的电荷施加一个与洛仑兹力方向相反的电场力，其大小为。
随着电子在面继续积累，的电场力也逐渐增大，当两力大小相等（即）时，霍尔电场对电子的作用力与洛仑兹力相互抵消，电子的积累达到动态平衡，、间便形成一个稳定的霍尔电场，则有：（2）(3）设N型半导体的载流子浓度为，流过半导体样品的电流密度为（4）则（5）式中, 为半导体薄片的宽度；为半导体薄片的厚度，为载流子的电量。
将（5）式代入（3）式，并令，可得（6）式中称为霍尔系数，它是反应霍尔效应强弱的重要参量。
在实际应用中（6）式常写成（7）式中称为霍尔元件的灵敏度，单位mV/（mA·T）或mV/（mA·kGS）；为霍尔元件的工作电流（单位mA）；为垂直于半导体薄片的磁感应强度（单位T或kGS）。
若已测定，实验中测出样品的工作电流和霍尔电压，利用（7）式便可测得磁感应强度，即（8）半导体材料有N型（电子型）和P型（空穴型）两种，前者载流子为电子，带负电；后者载流子为空穴，带正电。
试验四十五用电磁感应法测磁场分布
实验四十五 用电磁感应法测磁场分布在工业、国防、科研中都需要对磁场进行测量，测量磁场的方法不少，如冲击电流计法、霍耳效应法、核磁共振法、天平法、电磁感应法等等。
本实验介绍电磁感应法测磁场的方法，它具有测量原理简单、测量方法简便及测试灵敏度较高等优点。
一 实 验 目 的（1）了解用电磁感应法测交变磁场的原理和一般方法，掌握FB-201型交变磁场实验仪及测试仪的使用方法。
（2）测量载流圆形线圈和亥姆霍兹线圈的轴向上的磁场分布。
（3）了解载流圆形线圈（或亥姆霍兹线圈）的径向磁场分布情况。
（4）研究探测线圈平面的法线与载流圆形线圈（或亥姆霍兹线圈）的轴线成不同夹角时所产生的感应电动势的值的变化规律。
二 实 验 原 理1. 载流圆线圈与亥姆霍兹线圈的磁场 （1）载流圆线圈磁场一半径Ｒ，通以电流I 的圆线圈，轴线上磁场分布的公式为： 2/322200)(2X R IR N B +=μ （1）式中N 0为圆线圈的匝数，为轴上某一点到圆心X O ′的距离。
,H/m 10470−×=πμ它的分布图如图1所示。
图1 载流圆线圈磁场分布图2 亥姆霍兹线圈的磁场分布本实验取:圆心处, m 100.0 ,A 400.0 ,4000===R I N 匝 'O 0=X ，图 3探测线圈在磁场可算得圆心O'处磁感应强度为： (T)1001.13−×=B （2）亥姆霍兹线圈(图23-2)两个相同圆线圈彼此平行且共轴，通以同方向电流I ，理论计算证明：线圈间距等于线圈半径时，两线圈合磁场在轴上（两线圈圆心连线）附近较大范围内是均匀的，这样的一对线圈称为亥姆霍兹线圈。
这种均匀磁场在科学实验中应用十分广泛，例如，显像管中的行、场偏转线圈就是根据实际情况经过适当变形的亥姆霍兹线圈。
a R2. 用电磁感应法测磁场的原理 设均匀交变磁场为（由通交变电流的线圈产生）:t B B m sin ω= 磁场中一探测线圈的磁通量为: Φ=NSB m cosθsinωt ，式中：Ｎ为探测线圈的匝数，S 为该线圈的截面积，θ为B v与线圈法线夹角，如图23-3所示。
大学物理实验电磁感应法测交变磁场
cos
U m （ mV ）
max 2U m （ mV ）
2．测量圆电流线圈轴线上磁场的分布 电路及参数同内容 1，以圆电流线圈中心为坐标原点，每隔 10.0mm 测一个
U max 值，数据计入表 2，在同一坐标纸上画出磁场分布的实验曲线与理论曲线。并
作出曲线图。 表 2 圆电流线圈轴线上磁场分布的数据记录 轴向距离 x (10 m)
2
0.0
1.0
2.0Βιβλιοθήκη 3.0...10.0
U max （ mV ）
B m 0.103U max 10 3 (T)
B
0 N 0 I R 2
2( R 2 x 2 )3/2
(T )
测量过程中注意保持励磁电流值不变，并保证探测线圈法线方向与圆电流线圈 轴线的夹角为 0 。从理论上可知，如果转动探测线圈，当 0 和 180 时应 该得到两个相同的 U max 值，但实际测量时，这两个值往往不相等，这时就应该分 别测出这两个值，然后取其平均值作为对应点的磁场强度。 3．测量圆电流线圈沿径向的磁场分布 固定探测线圈法线方向与圆电流轴线的夹角为 0 ，转动探测线圈径向移动手 轮，每移动 10.0mm 测量一个数据，按正、负方测到边缘为止，记录数据，记入表 3，并作出磁场分布曲线图。 表 3 测量圆电流线圈沿径向的磁场分布 径向距离 x
以免连接错误，导致短路。 六、预习题 1.单线圈轴线上磁场的分布规律如何？亥姆霍兹线圈是怎样组成的？它的磁 场分布特点又怎样？ 2． U max 和 max 物理意义是什么？它们有什么关系？ 七、思考题 1. 探测线圈放入磁场后，不同方向上毫伏表指示值不同，哪个方向最大？如 何测准 U max 值？ 2．分析圆电流磁场分布的理论值与实验值的误差的产生原因？