模电知识点归纳2(完全版).docx
模电各章重点内容及总复习.
《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。
6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
其死区电压：S i管约0。
5V，G e管约为0。
1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。
其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。
三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。
是硅管。
b 、二极管反偏截止。
f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。
模电各章重点内容及总复习
模电各章重点内容及总复习《模电》第一章重点掌握内容:概念半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
半导体奇妙特性:热敏性、光敏性、掺杂性。
本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
P型半导体:在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子(称多子)而电子为少子。
N型半导体:在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
PN结形成:浓度差?多子扩散,空间电荷区(杂质离子) 内电场促使少子漂移阻止多子扩散?当多子扩散和少子漂移达到动态平衡，形成PN 结。
PN结=空间电荷区=耗尽层=内电场=电阻。
PN结特点:具有单向导电性:P接正、N接负时(称正偏)，PN结正向导通，P接负、N接正时(称反偏)，PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
二极管按材料分有硅管(S管)和锗管(G管)，按功能分有普通管，开关管、整流ie管、稳压管等。
二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
其死区电压:S管约0。
5V，G管约为0。
1ie1/19页V ，其死区电压:S管约0.5V，G管约为0.1 V 。
ie其导通压降:S管约0.7V，G管约为0.2 V 。
这两组数也是判定材料的依据。
ie10、稳压管是工作在反向击穿状态的:加正向电压时，相当正向导通的二极管。
(压降为0.7V，)加反向电压时截止，相当断开。
加反向电压并击穿(即满足U，U)时便稳压为U 。
ZZ11、二极管主要用途:整流、限幅等。
二、应用举例:(判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U 。
模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为，锗材料约为。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管，锗管。
*死区电压------硅管，锗管。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1〕图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的上下: 假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模电总结复习资料-模拟电子技术基础.doc
模电总结复习资料-模拟电子技术基础第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
2.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
3.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
4.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳u-时，uo=+Uom当u+2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。
3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。
4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。
放大器处于“自激振荡”状态。
二．反馈的形式和判断1.反馈的范围----本级或级间。
2.反馈的性质----交流、直流或交直流。
直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。
3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。
（输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。
具有稳定输出电流的作用。
（输出短路时反馈不消失）4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。
Rs越大反馈效果越好。
反馈信号反馈到输入端）串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。
Rs越小反馈效果越好。
反馈信号反馈到非输入端）5.反馈极性-----瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。
（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用+表示，降低用－表示）。
模拟电子技术知识点总结
模拟电子技术知识点总结篇一：模拟电子技术基础知识汇总模拟电子技术第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*n型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.Pn结*Pn结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*Pn结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8.Pn结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳?微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在Pn结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1.类型---分为nPn和PnP两种。
模电笔记知识点总结
模电笔记知识点总结一、模拟信号处理1. 模拟信号与数字信号模拟信号是指信号的数值是连续变化的，可以用连续的数学函数表示。
数字信号是指信号的数值是离散的，需要经过模数转换才能表示成数值输出。
模拟信号处理的目的是将模拟信号转换为数字信号，或者将数字信号转换为模拟信号。
2. 采样与保持采样是指将连续的模拟信号按照一定的时间间隔进行取样，得到一系列的离散数值。
保持是指在采样之后，保持所获得的信号值，直到下一次采样。
3. 模拟信号重构模拟信号重构是指将数字信号重新转换为模拟信号。
通常通过数字到模拟转换器（DAC）来实现。
4. 模拟信号滤波模拟信号滤波是指对模拟信号进行频率特性的调整，滤除不需要的频率成分，以及放大需要的频率成分。
常见的滤波器包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。
5. 模拟信号调制模拟信号调制是指将模拟信号转换为相应的调制信号，以便在传输和处理中更容易应用。
常见的模拟信号调制方式包括调幅调制（AM）、调频调制（FM）和调相调制（PM）。
二、放大器设计1. 放大器的基本原理放大器是一种电路，它可以放大输入信号的幅度，并输出相应的放大信号。
放大器的核心原理是利用晶体管或运算放大器等电子器件的非线性特性，实现信号的增益。
放大器的设计目标通常包括增益、带宽、输入/输出阻抗、噪声等方面的考虑。
2. 放大器的分类放大器可以根据其工作方式、频率响应等特性进行分类。
比较常见的放大器包括运算放大器、差分放大器、共模抑制放大器、功率放大器等。
3. 放大器的频率特性放大器的频率特性是指放大器对不同频率信号的响应。
常见的频率特性包括通频带、截止频率、增益带宽积等。
4. 放大器的非线性失真非线性失真是指放大器输出信号与输入信号之间存在非线性关系，导致输出信号不完全等于输入信号。
常见的非线性失真包括谐波失真、交调失真等。
5. 放大器的稳定性放大器的稳定性是指当放大器输出端负载发生变化时，放大器是否能够保持稳定的工作状态。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
模电知识点识点总结
模电知识点识点总结一、电路分析电路分析是模拟电子技术中的基础知识点，它涉及到电路的基本元件、电路定律、戴维南定理、诺顿定理、等效电路、交流电路分析等内容。
在电路分析中，学生需要掌握电路元件的特性和参数，熟练掌握欧姆定律、基尔霍夫电压定律、基尔霍夫电流定律等基本定律，能够准确分析电路中的电压、电流和功率等参数。
二、放大电路放大电路是模拟电子技术中的重要内容之一，它是指通过放大器将输入信号放大的过程。
学生需要掌握放大器的基本分类、放大器的基本参数、放大器的频率特性等知识，理解放大器的工作原理，能够设计各种类型的放大电路。
三、模拟信号处理模拟信号处理是模拟电子技术中的核心内容之一，它涉及到模拟信号的获取、处理、传输和存储等过程。
学生需要掌握模拟信号的采样定理、量化处理、模拟信号滤波等知识，能够设计模拟信号处理系统，提高模拟信号处理的质量和效率。
四、模拟滤波器设计滤波器是模拟电子技术中的重要内容之一，它是指用于对信号进行滤波处理的电路。
学生需要掌握滤波器的分类、滤波器的性能指标、滤波器的设计方法等知识，能够设计各种类型的模拟滤波器，提高信号的质量和准确性。
五、集成电路设计集成电路设计是模拟电子技术中的核心内容之一，它涉及到集成电路的设计原理、工艺流程、器件制造等一系列内容。
学生需要掌握集成电路的基本结构、工作原理、设计方法等知识，能够设计各种类型的集成电路，提高集成电路的性能和可靠性。
总之，模拟电子技术是电子工程中非常重要的一门课程，它涉及到电路分析、放大电路、模拟信号处理、模拟滤波器设计、集成电路设计等方面的知识。
学生在学习模拟电子技术的过程中，需要注重理论与实践相结合，通过实验和项目设计来提高自己的技能水平，从而更好地应用模拟电子技术知识解决实际问题。
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第一章常用半导体器件1 ．什么是杂质半导体？有哪2 种杂质半导体？2 ．什么是 N 型杂质半导体？在N 型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为P型半导体？3 ．什么是 P 型杂质半导体？在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为N型半导体？4 ．什么是 PN 结？ PN 结具有什么样的导电性能？5 ．二极管的结构？画出二极管的电路符号，二极管具有什么样的导电性能？6 ．理想二极管的特点？7 ．什么是稳压管？电路符号？正向导通，反向截止，反向击穿分别具有什么样的特点？稳定电压 Uz 指的是什么？稳定电流Iz 和最大稳定电流分别指的什么？8 ．二极管的主要应用电路有那些？掌握二极管的开关电路，限幅电路和整流电路的分析。
（1 ）二极管的开关电路， D 为理想二极管，求U AO（2 ）二极管的限幅电路D 为理想二极管时的输出波形 D 为恒压降模型时的输出波形（3 ）二极管的单相半波整流电路，求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）（4 ）二极管单相桥式全波整流电路，求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）如果图中四个二极管全部反过来接，求负载上输出电压的平均值？（5）二极管的单相全波整流电容滤波电路，定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）（6）二极管的单相全波整流电容滤波电路，定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）9 ．什么是晶体管？它的结构和电路符号？（见教材P29 页），晶体管是一种电流控制器件，用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么？工作在电流放大状态下的电流控制方程是什么？10 ．晶体管有哪三种工作状态？如果已知β=50 ，I CS=3mA，U CES=0.3V则以下晶体管分别工作在什么状态？I C为多大？2.3v12v6v2.7v-2v2.7vI B=30μ A I=30μA第二章基本放大电路1 ．利用晶体管的电流放大作用，可以组成哪三种基本放大电路？如何判断放大电路的接法（即组态）？2 ．第二章主要分析了以下四种交流基本放大电路（1 ）固定偏置共发射极基本放大电路（2）射极（或叫分压）偏置共射放大电路（3 ）共集电极基本放大电路（4）分压偏置共基极基本放大电路3．对以上的四个放大电路在加入交流小信号进行放大之前，必须先调节电路的静态工作点（即直流工作点 Q 点），计算出静态的 I B， I C， U CE，方法如下方法 1 ：先画直流通路（电容开路，输入为0 ），再判断基极是一个电阻的固定偏置还是基极是两个电阻的分压偏置，不同的偏置电路求解的方法不同。
直流负载线方法 2 ：用图解法求Q 点以上面的第一个图：固定偏置共射放大电路为例会画直流负载线U CE=Vcc-IcRc会画交流负载线；1过 Q 点，斜率为R C // R L4 ．通过输出特性曲线会求β= ？5．会画直流负载线 6 ．会画交流负载线7．会求最大不失真的输出电压的幅值或有效值8 ．当输入信号ui 逐渐增大时，首先出现底部失真还是顶部失真？应如何调节基极电阻R B的大小获得尽量大的不失真输出电压？9．会画交流通路，会画微变等效电路（即小信号交流等效电路）10 ．会求（ 1 ）电压放大倍数Au=uo/ui（2）源电压放大倍数Aus=uo/us（ 3 ）输入电阻Ri（4）输出电阻Ro11 ．H 参数等效电路法不能用来求静态工作点Q 点，它主要用来求解Q 点附近的交流参数，电压放大倍数虽然是输出信号与输入信号之间的变化量之比，但是在Q 点附近求出的，与 r be有关，，所以与Q点有关第三章多级放大电路1．多级放大电路的耦合方式有几种？2．掌握多级放大电路的静态分析和动态分析（1 ）晶体管和晶体管的多级放大电路（2 ）差动放大和晶体管的多级放大电路3．什么是零漂现象？如何克服？4．什么是长尾式差动放大电路？什么是恒流源式差动放大电路？5．掌握差动放大电路的静态分析1)I C1、I C2、V C1、V C2 ,或U CE1,U CE 2实用标准文档6．掌握差动放大电路的动态分析u od 1 ）求差模电压放大倍数A uduiduoc2 ）共模电压放大倍数A uc3 ）差模输入电阻Rid,4 ）输出电阻Ro5 ）共模抑制比K CMR uic7．几种典型的差动放大电路的分析计算（1 ）双入双出长尾式（2）双入单出（T1 管输出）长尾式v ccR C R Cu o2R L u ou i1R b R b u i2T1T2R e-v EE （3 ）双入单出（T2 管输出）长尾式（4）单入双出长尾式v ccR C R Cu o2R e实用标准文档（5 ）单入单出（T1 管输出）长尾式（6）双入双出恒流源式差放（7 ）双入单出（T2 单出）恒流源式差放和共射的多级放大（见教材P179 页）实用标准文档u iβ均为 200+12VR c222KR e40.5KRT4T1T2T3R C410K u oR e310KVz=3.7V-6V7 ．会填以下表格注意：只要判断输出方式，与信号的输入方式无关下图的负载根据要求接入电路中实用标准文档连接方式双入双出双入单出单入双出单入单出AudAucRidRoKCMR第四章集成运算放大电路1．集成运放的电路符号，两个输入端的名称2．集成运放的两种工作状态：线性和非线性（即饱和）3．集成运放什么条件下工作在线性状态？4．集成运放什么条件下工作在非线性（即饱和）状态？5 ．会判断镜像电流源和比例电流源，了解I c1的表达式第五章放大电路的频响1．什么是放大电路的频率响应？幅频特性指的是什么？相幅频特性指的又是什么？2．引起频响低频时放大倍数下降的主要原因是什么？实用标准文档引起频响高低频时放大倍数下降的主要原因是什么？3 ．已知波特图，会求相关的参数20 lg A us / dB50403020101010210 31041056107108109f/Hz10φf/Hz 90135180225270f L，f H，f bw，中频区的电压增益（ dB），中频区的电压放大倍数，中频区 U O与U S的相位差f L所对应的电压增益（ dB）和f L所对应的电压放大倍数f L时U O与U S的相位差f H所对应的电压增益（ dB）和f H所对应的电压放大倍数f H时U O与U S的相位差文案大全会写出完整的频率特性表达式4 ．已知完整的频率特性表达式，会画出波特图全频段放大倍数表达式Au sU oU sAu sm( jf)f L(1 jf)(1 j f ) f L f HAusm(1 f L )(1 j f )j f f H会做教材上的习题5.2 （ P254 页） , 5.5 ： (必须化为标准的频率表达式 P255页 )5 。
什么是频率失真 ?第六章负反馈放大电路判断以下电路1.判断反馈类型，只考虑级间的交流反馈( 即反馈组态)? 是电流反馈还是电压反馈?是串联反馈还是并联反馈? 是正反馈还是负反馈 ?判断以下电路教材 P318图 P6.4的 (d) (g) P319图 P6.5的 (d)(b)(f)2.估算深度负反馈条件下u ou i(1)闭环电压放大倍数Aumf( 即中频区的负反馈下的Auf)=(2)输入电阻 Rif(3)输出电阻 RofX o3.估算深度负反馈条件下的闭环放大倍数Af= Xi4．负反馈放大电路闭环放大倍数的一般表达式5．什么是反馈深度？什么是环路放大倍数？6，什么是深度负反馈？深度负反馈条件下电路有些什么特点？7．什么是自激振荡？自激振荡的平衡条件是什么？如何消除？8．负反馈对放大电路有哪些方面的影响？第七章信号的运算和处理1．运放工作在线性状态的条件是什么？2．工作在线性状态下的运放具有哪两个非常重要的特点？3．写出下列电路的名称？并求出输出于输入之间的表达式4 ．滤波器的作用是什么？5 ．什么是无源滤波器？什么是有源滤波器？6．滤波器电路根据工作频带可分为哪五种？画出它们理想的幅频特性曲线7．写出下列电路的名称？通带的电压放大倍数和截止频率？8 ．理想情况下，有源LPF ； HPF ； BPF ； BEF 当（ 1 ） f 为∞；（ 2 ） f 为 0两种情况下的电压放大倍数分别为多大？9．有源滤波器的阶数越高，滤波效果是否就越好？第八章波形的发生和信号的转换1．在模拟电子电路中，常常需要哪些波形的信号作为测试信号和控制信号？2．正弦波振荡电路是否需要外加信号？3．根据选频网络的不同，正弦波振荡电路可分为哪两类？一般用来产生什么频率的信号？4．正弦波振荡电路最主要的两个组成部分是什么？它们的作用分别为什么？5．正弦波振荡电路的平衡条件是什么？幅值平衡条件是什么？相位平衡条件是什么？6．正弦波振荡电路起振的幅值条件是什么？7．利用瞬时极性法会判断正弦波振荡电路是否满足相位平衡条件而有可能产生正弦波振荡？8． RC 串并联正弦波振荡电路（文氏电桥）1）电路结构2）利用瞬时极性法会判断正弦波振荡电路是否满足相位平衡条件3）起振条件起振时 Rf 与 R1 应满足什么关系？4）稳幅条件稳幅时 Rf 与 R1 应满足什么关系？110或 f f 0RC2πRC 5）产生的正弦波的振荡频率为多大？6）优缺点（RC 正弦波振荡电路一般用于产生频率低于1 MHz的正弦波）9．变压器反馈式 LC 振荡电路：要求如下1）电路结构2）利用瞬时极性法会判断正弦波振荡电路是否满足相位平衡条件3）优缺点图 1VccVccN1N2N2N1CN3耦耦合电容合耦耦合电容电合容电容图2图310．电感三点式（也叫电感容反馈式）正弦波振荡电路1）电路结构2）利用瞬时极性法会判断正弦波振荡电路是否满足相位平衡条件3）产生的正弦波的振荡频率为多大？4）优缺点11．电容三点式（也叫电容反馈式）正弦波振荡电路1）电路结构2）利用瞬时极性法会判断正弦波振荡电路是否满足相位平衡条件3）产生的正弦波的振荡频率为多大？4）优缺点12 ．教材 P419图8.1.24例 8.1.2电路图为满足相位平衡条件，请标出变压器原边和副边的同名端13 ．教材 P419图8.1.25例 8.1.3 电路图电路有错，请改正14．石英晶体谐振器1）石英晶体谐振器的符号2）石英晶体的等效电路及其频率特性3）石英晶体有哪两个谐振频率？4）串联型石英晶体振荡电路5）并联型石英晶体振荡电路15．电压比较器1）集成运放工作在非线性区的电路特点集成运放工作在开环状态或正反馈状态2）电流特点“虚断” ：i P i N 0 3）输出电压只有两种可能的情况，分别为±U omu P u N ,则u OUomu P u N ,则u OUomu P u N ,则u O发生跳变，从一个电平跳变到另一个电平。