光刻
光 刻 (1)
Semiconductor Manufacturing Basic
光刻
● 光刻的原理／roadmap ● 分辨率增强技术
照明方法、掩膜
● 光刻胶
阻碍溶解型光刻胶、化学增幅型光刻胶
● 光刻胶处理
抗反射工艺
● 未来的光刻
浸入式光刻、EUV光刻、双掩膜工艺
81
● 在光罩遮光部形成相位移相器 （控制折射率、透过率）
106
LEVENSON相位位移光罩 的作用原理
光罩
光罩上的 振幅
180°相位移相器
晶圆上的 振幅
晶圆上的 光强度
普通光罩
Levenson相位位移光罩
107
相位位移光罩的分类
原理 二层构造
空间频率调制 Levenson 型
强调边界
辅助图形型
自我整合型
振幅 强度
102
关于σ
高NA→分辨率提高 高NA→窄间距的焦深提高 小NA→宽间距的焦深提高
大σ→分辨率、焦深提高
σ（空间耦合因子）：有效光源的大小
小← σ →大
垂直入射成分多
倾斜入射成分多
σ=0→完全耦合照明
103
104
18 《半导体制造》
Semiconductor Manufacturing Basic
强度
强度
大圆片
强度
大圆片
强度
掩膜版尺寸偏小时不会成像 （不产生干涉条纹）
101
分辨率、NA、σ(传统曝光)
光刻 (1)
曝光方式的变迁
接触式曝光
接近式式曝光
缩小投影式曝光
100
分辨率增强技术
斜入射（环形）照明 变形照明法 强度
透过掩膜版后，光的相位反转 相位移 强度
大圆片
强度
大圆片
２光束干涉，提高分辨率和焦深
Semiconductor Manufacturing Basic
光源的波长与分辨率的关系
等倍接近
缩小投影 (反射光学系)
光刻
分辨率的提高
分辨率
光刻 (1)
NA的增大
分辨率（nm）
尺寸或精度(nm)
缩小投影 (折射、反射 折射光学系)
波长（nm） RET (Resolution Enhancement Technology)： 分辨率增强技术
投影式曝光：在掩膜版遮光部产生漏光
96
步进式曝光(步进式＆重复式)的原理
步进＆重复式和步进＆扫描
步进＆重复式
×５(×４) 折射镜头
22 mm 静止曝光
类型 光刻胶
镜头
圆片
倍率 光学系 露光面 曝光
步进＆扫描式
×４ 折射镜头或反射光学系
26×33mm 光刻胶、圆片的扫描曝光
扫描：镜头小(低象差、低成本)、曝光面积大
逻辑 栅CD控制
孤立线
微细接触孔
存储器 单元缩小化
密集线
微细接触孔
93
光学光刻的进展
Design rule 接触式
掩膜版 接近式
g线 步进&扫描
掩膜版
大圆片 低缺陷
掩膜版 硅片
低缺陷
高分辨
接近式
掩膜版
硅片
i线 步进&扫描
掩膜版
高分辨
硅片
硅片
接触式曝光→接近式曝光→步进式、扫描式
95
94
曝光方式不同，对比度不同
光刻 (1)
掩膜版成本（相对值）
微细化导致掩膜版成本上升
运行 直接使用材料 工艺 设备
设计规则
123
CMP技术与光刻
CMP(Chemical Mechanical Polishing：化学机械抛光)
CMP技术弥补光刻焦深不足
有段差的基板
CMP处理后平坦化的基板
焦深不足 远紫外光
基板 光刻胶
焦深充足 远紫外光
97
98
17 《半导体制造》
Semiconductor Manufacturing Basic
对曝光设备的要求
照明 短波长 灵活的孔径 ● 环状 annular
● 4重（4层） 高输出 高均匀性
掩膜版
投影镜头 高(灵活性)NA
象差小
圆片载物台 高速 高精度（x,y,z轴）
99
常用照明方法
３光束干涉
（375nm厚）
138
化学放大型负性光刻胶
曝光后 烘烤
水性冲洗 显影
六甲氧烷基三聚酰胺 (Hexamethoxymethylmelamine) 作为交联剂
利用酸/加热的交联反应
丙烯 聚合物
含有脂环 基的压克 力聚合物
环烯烃 聚合物 (COP)
139
24 《半导体制造》
ArF光刻胶
ArF光刻胶 - 低吸收 @193nm - 聚合物：碳酸酯 - 耐干刻 - 高敏感度以避免透镜损坏 丙烯聚合物← 透射率 + 脂环基 ← 耐刻蚀 环烯烃聚合物 ← 透射率＋耐刻蚀
未曝光部分难于溶解的原因分析: 偶氮耦合
聚合高分子，导致溶解受到抑制
129
由G、I线向KrF光刻胶发展
G、I线光刻胶 溶解抑制型光刻胶
重氮基萘醌 PAC (感光化合物)
- 光活性 - 溶解性变化
可溶于碱 高吸收@248nm
线型酚醛树脂 基体聚合物
KrF光刻胶 化学放大型光刻胶
酸性发生剂
光酸发生
不溶于碱
环状照明的效果
光刻 (1)
相位位移光罩的效果
线＆空间 环状比越大→焦深越大
105
(1)普通光罩
(2)Levenson光罩 (3)辅助图形光罩 (4)中间色光罩 (5)透过型光罩
光振幅的叠加 反向光振幅的叠加 →降低对比度 →提高对比度
(a)光罩构造 (b)光振幅 (c)光强度(圆片上)
● 在光罩的开口部形成合适折射率的 薄膜图形（相位移相器） ● 光罩开口部（石英）的掘进 (依掘进量的大小相位发生反转）
140
Semiconductor Manufacturing Basic
聚合物构造和耐干刻蚀性的关系 大西模型
大西参数 刻蚀速率 ∝ ---N-T---
NC - NO
NT : 全部原子数 NC : 碳原子数 NO : 氧原子数
着眼于碳密度的关系
大西参数： 有效刻蚀的碳密度
衬底 不需要有机抗反膜涂层
83
使用2.38wt％(0.26N)水溶液
84
新型试剂保管系统：NOWPAK
曝光的原理
分辨率
短波长光源 短λ(波长)
焦深
低K1（分辨率提高技术）
变形照明 相位位移掩膜，光接近效果补正
光刻胶 涂胶工艺
85
15 《半导体制造》
镜头瞳孔滤光器 NA=SINθ 缩小投影镜头的孔径
86
113
1. 环形＋中间色光罩 → 孤立生产线、密集生产线
2. 中间色光罩 → 接触孔 3. Levenson PSM → (1)缩小栅长
(2)存储单元
114
光学临近效应修正 OPC (Optical Proximity Correction)
设计
掩膜版
硅片
光学临近效应修正
伴随图形的微细化，更容易受到临近图形 影响，光学图形变得不能再现掩膜版图 形，为此而采取的修正方法就是“光学临 近效应修正”。
列
感光材料 重氮基萘醌 （溶解抑制剂）
酸发生剂
125
正性胶的组成和 重氮基萘醌的光化学反应
(Indene carbon acid) 正性胶的组成
DNQ
ICA (Indene carbon acid)
126
正性光刻胶图形形成的原理
未曝光部分
曝光部分
线型酚醛 树脂
线型酚醛 树脂
线型酚醛 树脂
溶解抑制型正性光刻胶的反应
光刻胶 基板
CMP：减小波长、增大NA可减小λ/(NA)2值
124
曝光光源与光刻胶材料的关系
设计规则 0.30μm以上 0.30～0.13μm 0.13μm以下
曝光光源
UV（G,I线）
DUV（KrF, ArF 准分子激光)
EB, X线
光刻胶 反应形态
溶解抑制
化学放大
聚合物
聚乙烯基苯酚系 线型酚醛树脂、 线型酚醛树脂 列、聚(丙烯酸)系 聚乙烯基苯酚系列
131
化学放大型光刻胶的反应
未曝光部分
不溶于碱 248nm时透明性良好
曝光部分
溶于碱 248nm时透明性良好
曝光部分、未曝光部分极性差异形成图形→高反差
132
化学放大型光刻胶的特征
● 针对碱性水溶液的溶解性变化大 （极性变化大） → 提高分辨率
● 利用酸致催化反应 → 提高敏感度
光酸产生剂 Photoacid Generators
设计与套刻图形差异的原因 ● 光学影响（low k1） ● 胶(光反应试剂的扩散、显影时图形的变动) ● 干法刻蚀
115
20 《半导体制造》
116
Semiconductor Manufacturing Basic
栅CD控制OPC的效果(1D)
曝光：KrF步进式 光刻胶：ARC上化学放大型 正性光刻胶
1-乙氧乙烷基
三甲硅烷基 （低活性化能量：易于酸脱离）
135
接近1/2波长的KrF光刻图形
光刻 (1)
KrF光刻的180nm图形
线条和间距
孤立线条
孤立间距（沟槽）
膜厚：300nm
136
KrF光刻的160nm接触孔图形
0.15μm线条和间距
0.125μm 线条和间距
光刻技术
光刻机总体结构
照明系统 掩模台系统 环境控制系统 掩模传输系统 投影物镜系 统
自动对准系 统
调平调焦测 量系统 框架减振系 统
硅片传输系 统
工件台系统
整机控制系统
整机软件系统
图为CPU内部SEM图像
图为硅芯片集成电路放大图像
图为在硅片上进行的光刻图样
图为Intel 45nm高K金属栅晶体 管结构
SU-8交联示意图
正胶与负胶性能对比
正胶 缺点 （DQN） 特征 优点 优点 分辨率高、对比度好 粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本 近紫外，365、405、435nm的波长曝 光可采用 良好的粘附能力、抗蚀能力、感光能 力以及较好的热稳定性。可得到垂直 侧壁外形和高深宽比的厚膜图形 显影时发生溶胀现象，分辨率差 对电子束、近紫外线及350-400nm紫 外线敏感
投影式印刷：在投影式印刷中，
用镜头和反光镜使得像聚焦到硅平 面上，其硅片和掩模版分得很开。
三种方法的比较
接触曝光：光的衍射效应较小，因而分辨率高；但易损
坏掩模图形，同时由于尘埃和基片表面不平等，常常存 在不同程度的曝光缝隙而影响成品率。
接近式曝光：延长了掩模版的使用寿命，但光的衍射效
应更为严重，因而分辨率只能达到2—4um 左右。
坚膜也是一个热处
理步骤。 除去显影时胶膜 吸收的显影液和水分， 改善粘附性，增强胶 膜抗腐蚀能力。 时间和温度要适 当。 时间短，抗蚀性 差，容易掉胶；时间 过长，容易开裂。
刻蚀就是将涂胶前所
沉积的薄膜中没有被 光刻胶覆盖和保护的 那部分去除掉，达到 将光刻胶上的图形转 移到其下层材料上的 目的。
等离子体去胶，氧气在强电场作用下电离产生的活性氧， 使光刻胶氧化而成为可挥发的CO2、H2O 及其他气体而被 带走。
光刻的四条技术路线
光刻的四条技术路线
1. 接触式光刻（Contact Lithography）：此技术路线将掩模直接与光刻胶接触，通过紫外光照射来传导图案。
接触式光刻具有高分辨率和高精度的特点，但会产生掩模和光刻胶之间的化学反应。
2. 脱接触式光刻（Proximity Lithography）：在脱接触式光刻中，光刻胶和掩模之间仅存在微小的距离，而不接触彼此。
当紫外光照射时，通过距离短暂拉近并拉开来传递图案。
脱接触式光刻比接触式光刻更容易控制化学反应，但相对于接触式光刻的分辨率和精度较低。
3. 投影式光刻（Projection Lithography）：这是最常用的光刻技术路线之一。
先通过光学方式将掩模上的图案投射到光刻胶的表面上。
投影式光刻的特点是具有高分辨率和高通量，但需要复杂的光学系统。
4. 电子束光刻（Electron Beam Lithography，EBL）：电子束光刻是一种高分辨率光刻技术，利用聚焦的电子束直接写入图案。
电子束光刻具有非常高的分辨率，但速度较慢，适用于制造高级芯片和小批量生产。
这些光刻技术路线在微电子器件制造中起着重要的作用，根据不同的需求和应用领域选择合适的技术路线。
光刻的概念
光刻的概念
光刻是一种用于精密制造微电子芯片的关键工艺。
它是将光源通过掩膜形成的图案，映射在光刻胶层上的过程。
光刻是半导体工艺中最重要的步骤之一，常用于制造芯片、平板显示器和其他微加工领域。
光刻的过程主要包括光源、掩膜、光刻机和光刻胶四个部分。
首先，光源产生高能紫外光，并通过光学系统聚焦到掩膜上。
掩膜是一张玻璃板上刻有芯片设计图案的薄膜，它将设计图案投影到光刻胶层上。
当紫外光通过掩膜时，它会被掩膜上的图案部分阻挡，只有透过空白区域的光能够通过。
这样，光刻胶层上的光敏物质会发生化学反应，使得光刻胶在暴露部分变得溶解性，而未暴露的部分保持不变。
下一步是将光刻胶进行显影，即将光刻胶层中溶解的部分去除，只保留需要的图案。
然后，在光刻胶层的图案上进行材料的蚀刻或沉积，从而形成芯片所需的结构。
最后，去除剩余的光刻胶，留下清晰的图案，完成光刻。
光刻技术的精度和分辨率决定了芯片的制造质量。
目前，随着微电子技术的不断发展，光刻技术也得到了不断的改进。
例如，通过使用更高分辨率的掩膜和更强的光源，可以实现更小的芯片特征尺寸，提高芯片的集成度和性能。
总而言之，光刻是微电子制造中至关重要的工艺，它通过将光源的图案映射到光刻胶层上，实现微芯片的精确加工。
它在信息技术、通信、医疗设备等领域都发挥着重要的作用，并为我们带来了丰富的科技创新与发展。
光刻的工作原理
光刻的工作原理光刻技术是一种用于制造集成电路的重要工艺，其工作原理是利用光的作用将图案投射到硅片上，形成微小的电路结构。
本文将从光刻的原理、设备和应用等方面进行详细介绍。
一、光刻的原理光刻技术是利用光的干涉、衍射和透射等特性实现的。
首先，需要将待制作的电路图案转化为光学遮罩，通常使用光刻胶涂覆在硅片上，然后通过光刻机将光学遮罩上的图案投射到光刻胶上。
光刻胶在光的照射下会发生化学反应，形成光刻胶图案。
接下来，通过将光刻胶暴露在特定的化学溶液中，去除未曝光的光刻胶，得到所需的光刻胶图案。
最后，通过将硅片进行化学腐蚀或沉积等工艺步骤，形成微小的电路结构。
二、光刻的设备光刻机是光刻技术中最关键的设备之一。
光刻机主要由光源、光学系统、对准系统和运动控制系统等部分组成。
光源是产生紫外光的装置，通常使用汞灯或氙灯等。
光学系统由透镜、反射镜和光刻胶图案的投射系统等组成，用于将光学遮罩上的图案投射到光刻胶上。
对准系统是用于确保光刻胶图案和硅片之间的对准精度，通常采用显微镜和自动对准算法等。
运动控制系统是用于控制硅片在光刻机中的移动和旋转等。
三、光刻的应用光刻技术在集成电路制造中有着广泛的应用。
首先，光刻技术是制造集成电路中最关键的工艺之一，可以实现微米甚至纳米级别的电路结构。
其次，光刻技术还可以制作光学元件，如光纤、激光器等。
此外，光刻技术还被应用于平面显示器、传感器、光学存储器等领域。
四、光刻技术的发展趋势随着集成电路制造工艺的不断发展，光刻技术也在不断进步和改进。
首先，光刻机的分辨率越来越高，可以实现更小尺寸的电路结构。
其次，光刻胶的性能也在不断提高，可以实现更高的对比度和较低的残留污染。
此外，光刻技术还在朝着多层光刻、次波长光刻和非接触式光刻等方向发展。
光刻技术是一种利用光的特性制造微小电路结构的重要工艺。
光刻技术的原理是利用光的干涉、衍射和透射等特性实现的，通过光刻机将光学遮罩上的图案投射到光刻胶上，最终形成所需的电路结构。
第四章光刻技术
二,光刻版(掩膜版)
基版材料:玻璃,石英. 要求:在曝光波长下的透光度高,热膨胀系数 与掩膜材料匹配,表面平坦且精细抛光.
二,光刻版(掩膜版)
掩膜版的质量要求 若每块掩膜版上图形成品率=90%,则 6块光刻版,其管芯图形成品率=(90%)6=53% 10块光刻版,其管芯图形成品率=(90%)10=35% 15块光刻版,其管芯图形成品率=(90%)15=21% 最后的管芯成品率当然比其图形成品率还要低 ①图形尺寸准确,符合设计要求; ②整套掩膜版中的各块版应能依次套准,套准误差应尽可能小; ③图形黑白区域之间的反差要高; ④图形边缘要光滑陡直,过渡区小; ⑤图形及整个版面上无针孔,小岛,划痕等缺陷; ⑥固耐用,不易变形.
三,光刻机(曝光方式)
④1:1扫描投影光刻机(美国Canon公司)
三,光刻机(曝光方式)
⑤分步重复投影光刻机--Stepper DSW:direct-step-on-wafer ⅰ)原理: 采用折射式光学系统和4X~5X的缩小透镜. 曝光场:一次曝光只有硅片的一部分,可以大大 提高NA(0.7),并避免了许多与高NA有关的聚 焦深度问题,加大了大直径硅片生产可行性. 采用了分步对准聚焦技术.
一,光刻胶
4.感光机理 ①负胶
聚乙烯醇肉桂酸脂-103B,KPR
一,光刻胶
双叠氮系(环化橡胶)-302胶,KTFR
一,光刻胶
②正胶 邻-叠氮萘醌系-701胶,AZ-1350胶
二,光刻版(掩膜版)
掩膜版在集成电路制造中占据非常重要的地位,因为 它包含着欲制造的集成电路特定层的图形信息,决定 了组成集成电路芯片每一层的横向结构与尺寸. 所用掩膜版的数量决定了制造工艺流程中所需的最少 光刻次数. 制作掩膜版首先必须有版图.所谓版图就是根据电路 ,器件参数所需要的几何形状与尺寸,依据生产集成 电路的工艺所确定的设计规则,利用计算机辅助设计 (CAD)通过人机交互的方式设计出的生产上所要求 的掩膜图案.
光刻的应用领域
光刻的应用领域
1. 半导体芯片制造：光刻技术是制造集成电路（IC）的关键步骤之一。
通过将芯片设计投影到硅片上，利用光刻技术进行图形转移，形成微米级的电路结构和器件。
2. 平面显示器制造：光刻技术用于制造液晶显示器（LCD）、有机发光二极管显示器（OLED）等平面显示器。
通过光刻技术，在基板上制造导线、电极、像素点等微细结构。
3. 光子学：光刻技术被广泛应用于制造光学器件和光纤通信设备。
通过光刻技术制造微光学结构，如分光器、光栅、微透镜等。
4. 生物芯片制造：光刻技术可用于制造生物芯片和实验室微芯片。
通过光刻技术制造微细通道、微阀门等微流控结构，实现对微小液滴和生物分子的控制和分析。
5. 微机电系统（MEMS）制造：光刻技术在MEMS制造中起到关键作用。
通过光刻技术制造微米级的机械结构、传感器和执行器，实现微小机械和电子的集成。
6. 光刻制造设备：光刻技术的应用也推动了光刻设备的发展。
光刻机是一种关键的制造设备，能够将光刻胶的图形转移到硅片或其他基板上，并具备高分辨率、高精度和高速度等特性。
LED芯片制造之光刻简介
02
光刻技术简介
光刻技术原理
01
光刻技术原理是将设计好的图案 通过光刻机投影到光敏材料上， 利用光的能量将图案转移到光敏 材料上，形成电路图样。
02
光刻技术利用光的干涉和衍射原 理，通过精确控制曝光时间和角 度，实现高精度、高分辨率的图 案转移。
光刻技术的应用领域
光刻技术广泛应用于集成电路、微电 子器件、平板显示等领域，是制造 LED芯片、集成电路、微电子器件等 的关键技术之一。
合小批量、高精度制造。
速度
电子束曝光技术的制造速度相对 较慢，而光刻技术具有较高的生
产效率。
光刻技术与离子束曝光技术的比较
分辨率
离子束曝光技术具有更 高的分辨率，因为它使 用离子束而非光学波束 进行曝光。
适用范围
离子束曝光技术适用于 制造高精度、高附加值 的微纳器件，而光刻技 术在LED芯片制造等领 域应用广泛。
05
02
表面处理技术
对外延片表面进行处理，可以提高表面质量， 减少缺陷和杂质，提高LED芯片的发光效率。
04
刻蚀与剥离技术
刻蚀和剥离技术是制造LED芯片的重 要环节，需要精确控制刻蚀深度和剥 离方向。
06
切割与研磨技术
将LED芯片从衬底上切割下来并进行研磨和抛 光处理，可以提高芯片表面的平整度和光洁度。
镀透明电极层
在LED外延片的表面上镀 一层透明导电膜，作为电 极的接触层。
LED芯片制造流程
刻蚀与剥离
镀膜与蒸镀
切割与研磨
将LED外延片进行刻蚀 和剥离，形成器件结构。
在LED芯片表面镀上金 属膜和介质膜，并进行 金属和透明电极的蒸镀。
将LED芯片从衬底上切 割下来，并进行研磨和
MEMS工艺-光刻技术
控制尺寸和形状
通过调整光刻参数，如波长、曝光时 间和焦距等，可以精确控制微结构的 尺寸和形状，以满足MEMS器件的性 能要求。
光刻技术能够将设计好的微结构高精 度地复制到光敏材料上，确保批量生 产的稳定性和一致性。
光刻技术在mems工艺中的优势
01
02
03
高精度
光刻技术能够实现高精度 的微结构复制，有利于提 高MEMS器件的性能和稳 定性。
重要性
光刻技术是微电子制造中的关键环节，其精度和效率直接决定了集成电路或 MEMS器件的性能和成本。随着MEMS器件尺寸的不断减小，光刻技术的重要 性越来越突出。
02
mems工艺简介
mems工艺的定义和特点
定义
MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）工艺是一种制造微小机械和电子系 统的技术，其尺寸通常在微米或纳米级别。
电子束光刻技术
电子束光刻技术具有极高的空间分辨 率和制程能力，能够制造出高精度的 微结构，但制程效率相对较低。
mems工艺中的光刻技术发展趋势
极紫外光刻技术
极紫外光刻技术具有更高的分辨率和制程能力，是下一代 光刻技术的发展方向之一，将为MEMS工艺带来更大的 发展空间。
纳米压印光刻技术
纳米压印光刻技术是一种新型的光刻技术，具有较高的制 程效率和较低的成本，是未来MEMS工艺中制造高精度 微结构的重要手段之一。
02
03
光刻技术的不断进步将推动 MEMS工艺的发展，实现更高精 度、更高性能的MEMS器件制造。
随着人工智能、物联网等新兴领 域的发展，MEMS器件的应用需 求将不断增长，光刻技术将发挥 更加重要的作用。
光刻技术的未来发展将更加注重 环保和可持续发展，推动绿色制 造的进程。
(10)光刻技术剖析
使用光刻胶的目的： 将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中； 在后续工艺中，保护下面的材料；
随着尺寸的越来越小，需要注意和改进的几个点： 更好的图形清晰度、黏附性、均匀性、增加工艺容度。
30
10.2 光刻胶
1、组成
聚合物材料：聚合物在广德照射下不发生化学反应，其 主要作用是保证光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性；使胶 具有一定的粘度，能均匀涂覆；
40
3 正、负胶比较
正胶，显影容易，图形边缘齐，无溶涨现象，光刻的 分辨率高，去胶也较容易。
负胶显影后保留区的胶膜是交联高分子，在显影时， 吸收显影液而溶涨，另外，交联反应是局部的，边界 不齐，所以图形分辨率下降。光刻后硬化的胶膜也较 难去除。但负胶比正胶相抗蚀性强。
41
正胶和负胶进行图形转移示意图
②透射率：在360nm以上的波长范围内，透射率在 90%以上。
③化学稳定性：掩模版在使用和储存过程中，很难绝 对避免与酸、碱、水和其它气氛接触。它们对玻璃都有不同 程度的溶解力。
④选择方法：表面光泽，无突起点、凹陷、划痕和气 泡，版面平整。厚度适中、均匀。对于接触式曝光，为能承 受接触复印压力，厚度应在3mm以上。
45
通过移相层后光波与正常光波产生的相位差可用 下式表达：
Q2d(n1)
式中 d——移相器厚度； n——移相器介质的折射率； λ——光波波长。
46
附加材料造成 光学路迳差异， 达到反相
47
10.3.1 移相掩模技术
移相掩模的主要类型有： 交替式PSM 衰减型PSM 边缘增强型PSM 无铬PSM 混合PSM
18
10.1.3 铬版的制备技术
空白铬版制作工艺流程
19
1、玻璃基板的选择与制备
光刻的基本原理
光刻的基本原理1. 光刻技术概述光刻（photolithography）是一种在微电子制造工艺中广泛应用的技术，用于将电路图案转移至硅片上。
它是一种光影刻蚀技术，通过使用特殊的光刻胶和掩膜来实现。
2. 光刻的基本步骤光刻的基本步骤包括掩膜制备、光刻胶涂布、曝光、显影和刻蚀等步骤。
2.1 掩膜制备掩膜是光刻中的一种重要工具，它由透明光刻胶和不透明掩膜板组成。
掩膜板的图案决定了最终在硅片上形成的电路。
2.2 光刻胶涂布在光刻过程中，需要将光刻胶均匀涂布在硅片上。
涂布需要控制好厚度，并保持均匀性。
2.3 曝光曝光是将掩膜上的图案转移到光刻胶层的过程。
曝光时，光源会将光刻胶层中的敏化剂激活，使其变得可显影。
2.4 显影显影是将曝光后的光刻胶层中未被曝光的部分去除，从而显现出所需图案的过程。
显影液会溶解未暴露于光的区域，使其变为可刻蚀的区域。
2.5 刻蚀刻蚀是将显影后的光刻胶层外的材料去除的过程。
通过刻蚀，可以形成所需的电路图案。
3. 光刻的基本原理光刻的基本原理可以分为光学透射原理和化学反应原理两个方面。
3.1 光学透射原理光学透射原理是光刻的基础，也是光刻胶和掩膜的关键。
光刻胶对于不同波长的光有不同的吸收特性，而掩膜上的图案会通过光刻胶的吸收和透射来形成图案。
当掩膜上的图案被光照射时，光刻胶中的敏化剂会被激活，从而改变光刻胶的溶解性质。
3.2 化学反应原理化学反应原理是光刻胶显影和刻蚀的基础。
在显影过程中，显影液与光刻胶表面的未暴露区域发生化学反应，使其溶解。
而在刻蚀过程中，刻蚀液与未被光刻胶保护的硅片表面或者下一层材料发生化学反应，使其被去除。
4. 光刻的影响因素光刻的效果受到多个因素的影响，主要包括曝光能量、曝光时间、光刻胶厚度、显影液浓度等因素。
4.1 曝光能量和曝光时间曝光能量和曝光时间决定了光刻胶的显影深度，对图案的清晰度和精度有重要影响。
4.2 光刻胶厚度光刻胶厚度会影响曝光和显影的效果，太厚会导致曝光不足，太薄则可能导致显影不均匀。