模电基础例题精选
模拟电子技术基础第三章例题习题
rbe
若旁路电容同时使 Re/ ＝0、 Re ＝0，则电压放大倍数为
& = A u
Uo Ui
. .
=−
′ β ⋅ RL
rbe
=−
50 × (6 // 6) × 103 1.85 × 103
≈ −81
由此可见 Re 的存在使放大倍数下降很多。 放大电路的输入电阻为 Ri = Rb1 // Rb 2 //[ rbe + (1 + β ) Re ] = 60 // 20 //[1.85 + (1 + 50) × 0.3] ≈ 8 kΩ 若无 Re，放大电路的输入电阻 Ri = Rb1 // Rb 2 // rbe = 1.65 kΩ，故 Re 的存在提 高了放大电路的输入电阻。放大电路的输出电阻为
& & & 0.66 × 103 & = U o = Uo ⋅ Ui = A & ⋅ Ri = −120 × A ≈ −111.5 us u • 3 & • U Rs + Ri ( 0 . 05 + 0 . 66 ) × 10 i Us Us
若 Rs＝500 Ω，RL＝8.2 kΩ，则该放大器源电压增益为
IC =
U CC U CE 12 U CE − = − 3 3 Rc Rc
iC / mA
4 3 2 1 0
2 4 6 8
100 75
当 UCE＝0 时，IC＝4mA；当 IC＝0 时，UCE＝12V，在如例 3-1 图所示的输 出特性上作出这条直线。 再由直流通路得 U − U BE 12 − 0.7 I B = CC = ≈ 51μA Rb 220 × 103 故直流负载线与 IB＝51μA 相对应的输出特性 的交点即为静态工作点 Q，由图得 IC＝2mA， UCE＝6V。 （2） 当 UCE＝3V 时， 则由直流通路可得集电极 电流为 U − U CE 12 − 3 = I C = CC = 3 mA Rc 3 × 103 U CC − U BE I C 3 I = = = = 75 μA 于是，基极电流为 B Rb β 40 U − U BE 12 − 0.7 Rb = CC = = 150.1 kΩ 故 IB 75 × 10 − 6 可采用 150 kΩ 标称电阻。 （3）若使 IC＝1.5mA，则
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案
模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。
( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。
( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。
A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。
B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。
C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。
D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。
A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。
8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。
模拟电子电路基础试题及答案(大学期末考试题)
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度/反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（A/((1+AF) ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF ）BW，其中BW=（fH–fL ），（1+AF ）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于近似等于1 ），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载波信号）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KUxUy ），电路符号是（）。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟电子技术基础习题精品
A．等于0.7V
B．小于0.7V
C．大于0.7V
7. 二极管电路如图2-51所示，V，二极管均为理想元件，则 输出电压为（ A ）。
A．0V
B．3V
C．6V
D．9V
图2-51
8. 二极管电路如图2-52所示，二极管均为理想元件，则输 出电压为（ A ）。
A．-2V
B．0V
C．4V
D．10V
9. 稳压管电路如图2-53所示，稳压管VS1的稳压值为9V， VS2的稳压值为15V，输出电压等于（ B ）。
B．等于 2U 2 C．大于 2U 2
12. 图2-55所示三个整流电路(a)、(b)、(c)，变压器二次 电压，负载电压的波形如图(d)所示，符合该波形的电路 是（ C ）。
图2-55
三、判断题
1. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型 为P型半导体。 （ √ ）
2. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（× ）
四、分析计算题
解：
第三章 思考题与习题 一、 填空 1. 晶体管从结构上看可以分成___PNP____和___NPN___两种类型。 2. 晶体管工作时有___两种___载流子参与导电，因此晶体管又称为___
双极型___晶体管。 3. 晶体管具有放大作用的外部条件是____发射____结正向偏置，____集
（ C ）。
A．基本不变
B．增加
C．增加以上
4. 硅二极管的正向电压在0.3V的基础上增加，它的电流 （ C ）。
A．基本不变
B．的反向饱和电流将（ A ）。
A．增大
B．不变
C．减小
6. 当温度为时，二极管的导通电压为0.7V，若其他参数不 变，当温度升高到时时，二极管的导通电压将（ B ）。
模拟电子技术基础__经典例题
《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L5VR U U R R =⋅≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
《模电》经典题目-含答案
《模电》经典题目-含答案《模电》经典题目-含答案模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
b. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC 正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时，V o =V c1－V c ２＝０，设差模电压增益100vd=A &，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c===V A V ，则输出电压oV 为（）。
a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEOI 为（）。
CEO I I = b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I = d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++= 8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（）。
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二极管1•. 本征半导体热激发时的两种载流子分别是、。
2． •N型半导体多数载流子是 ,少数载流子是。
3.P型半导体多数载流子是 ,少数载流子是。
4.在常温下硅二极管的开启电压约为 V,导通后的正向压降为，5.在常温下锗二极管的开启电压约为V,导通后的正向压降为 ,6.当PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层;当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流,耗尽层 ;A．大于 B.小于 C. 等于D．变宽E．变窄Ｆ. 不变７．PN结的空间电荷区有哪些称谓？为何这样称谓？二极管有哪些特性?其中最重要的特性是。
１、在本征半导体中掺入三价元素后的半导体称为 B、P型半导体2、N型半导体中少数载流子为 B、空穴3、P型半导体是Ｃ、中性４、PN结加正向电压时,其正向电流是 A、多数载流子扩散形成的８、稳压二极管是利用PN结的 B、反向击穿特性9、PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压）Ｃ、其反向电流不变1.15 试判断图1.40中的二极管是否导通,还是截止,并求出两端电压u AOU0 =8vＤ的导通电压为０．7ｖ u０＝1V6.5电路如图P６.5（a）所示，其输入电压v i１和ｖｉ2的波形如图(b）所示,二极管导通电压V D＝0.7V。
试画出输出电压v O的波形，并标出幅值。
v i1/V解:u O 的波形如解图P1.２所示。
6．8二极管电路如图６.８所示，试判断各图中的二极管是导通还是截止，并求出ＡB 两端电压V ＡB ,设二极管是理想的。
解:图a ：将Ｄ断开,以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为-6 V,阴极电位为-1２ Ｖ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO ＝–6 Ｖ。
图b:对D 1有阳极电位为 0Ｖ，阴极电位为-1２ Ｖ,故Ｄ1导通,此后使D 2的阴极电位为 0Ｖ，而其阳极为－15 Ｖ，故D 2反偏截止，ＶＡO =0 V 。
图ｃ：对D 1有阳极电位为12 V,阴极电位为0 Ｖ，对D 2有阳极电位为12 V,阴极电位为 -6Ｖ．故Ｄ２更易导通,此后使ＶA =－6V;D 1反偏而截止,故V AO ＝-6Ｖ。
图P6.5vRD 1+V CC （5V ） D 2vt tv i2/V (a) (b)v o0.30.3图P6.8_V AB D _R 5k Ω D 2 6V1212VD 1+ + AA V AB 15V _D 2 12VD 1 + AV AB6VR 5k ΩR 5k Ω(a) (b) (c)晶体三极管及放大电路练习题一、填空题１、三极管的输出特性曲线可分为三个区域,即__＿___区、______区和__＿___区。
当三极管工作在__＿＿__区时,关系式ＩC=βIB才成立;当三极管工作在__＿___区时，IC＝0;当三极管工作在＿＿____区时，ＵＣE≈0。
２、NＰN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是___＿＿_,___＿__极电位最低。
3、晶体三极管有两个PN结,即____＿___和_＿_＿____,在放大电路中______＿_必须正偏，____＿___反偏。
4、晶体三极管反向饱和电流ICＢＯ随温度升高而＿_＿_＿__＿,穿透电流ＩCEO 随温度升高而_＿_＿＿___,β值随温度升高而___＿____。
5、硅三极管发射结的死区电压约为__＿_＿___Ｖ,锗三极管发射结的死区电压约为＿_＿_____V，晶体三极管处在正常放大状态时,硅三极管发射结的导通电压约为________V，锗三极管发射结的导通电压约为__＿＿____V。
6、输入电压为20ｍV,输出电压为2V,放大电路的电压增益为＿___＿___。
7、多级放大电路的级数愈多则上限频率fH越__＿__＿___。
８当半导体三极管的正向偏置, 反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即极电流能控制极电流。
9、(2-１,低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同,可将三极管放大电路分为，，三种。
１0、（2-1,低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
11、(２－１，中）三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压VC Ｅ一定时，与之间的关系。
１２、(２-１,低)为了使放大电路输出波形不失真，除需设置外,还需输入信号。
1３、(２－1,中)为了保证不失真放大,放大电路必须设置静态工作点。
对NPN 管组成的基本共射放大电路,如果静态工作点太低,将会产生失真,应调ＲB ，使其 ,则IB,这样可克服失真。
1４、(2－１,低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。
15、(2-１，低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。
16、（2-1，低）共射组态既有放大作用,又有放大作用。
17、（2－１,中)共基组态中，三极管的基极为公共端，极为输入端，极为输出端。
1８、(２-1,难)某三极管３个电极电位分别为VＥ＝１Ｖ,ＶB=1．7V,VC＝1.２V。
可判定该三极管是工作于区的型的三极管。
１9、(2-1,难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V,②2.8 V，③5V,试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e, b,c);b．管型是(NPＮ，ＰＮP);c.材料是（硅，锗）。
20、(2－１,中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是，电流分配关系是。
２1、(2-1,低)温度升高对三极管各种参数的影响,最终将导致ＩＣ,静态工作点。
22、(2-1,低)一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而，发射结的导通压降VＢＥ则随温度的增加而。
23、(2-1,低)画放大器交流通路时, 和应作短路处理。
24、(2－2,低)在多级放大器里。
前级是后级的，后级是前级的。
25、(２-2,低)多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。
常用的耦合方式有: ， , 。
26、(2-2，中)在多级放大电路的耦合方式中,只能放大交流信号,不能放大直流信号的是放大电路，既能放大直流信号，又能放大交流信号的是放大电路, 放大电路各级静态工作点是互不影响的。
放大电路如图8所示，已知三极管的β=4０，V BEQ=０．7V。
(1)估算静态工作点IＣＱ、I BQ、ＶCEＱ。
（2）用流程图说明温度升高时,稳定静态工作点的过程。
2、(2-1,中)已知如下图所示电路中,三极管均为硅管（UBEQ=0.７Ｖ），且β=50，试估算静态值I B、ＩＣ、ＵCＥ。
三、放大电路如下图所示,已知：ＶCＣ=1２V,ＲS =10k，R B1=1２０k,ＲB2＝3９k,RＣ=3．9k,RＥ=2.1k，R L=３.9k,电流放大系数=50，电路中电容容量足够大，要求:1.求静态值IBQ ,ICQ和UCEQ（设UBＥQ０．６V)；2.画出放大电路的微变等效电路;３.求电压放大倍数Aｕ，源电压放大倍数Ａｕs,输入电阻Ｒi,输出电阻Rｏ。
４.去掉旁路电容C E,求电压放大倍数A u ，输入电阻Ｒi。
u sR B1C2+ R B2R S+V+R EC ER LVC1R C差分放大电路. . . . ．(3)选用差分放大电路的原因是克服零点漂移。
(4)差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的Ａ,共模信号是两个输入端信号的 C 。
ﻩＡ.差 B.和 C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的B 。
Ａ.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大集成运放通用型集成运放一般由几部分电路组成,每一部分常采用哪种基本电路？通常对每一部分性能的要求分别是什么?解:通用型集成运放由输入级、中间级、输出级和偏置电路等四个部分组成。
通常，输入级为差分放大电路,中间级为共射放大电路,输出级为互补电路,偏置电路为电流源电路。
对输入级的要求：输入电阻大,温漂小,放大倍数尽可能大。
对中间级的要求:放大倍数大，一切措施几乎都是为了增大放大倍数。
对输出级的要求：带负载能力强,最大不失真输出电压尽可能大。
对偏置电路的要求：提供的静态电流稳定。
7.3 运算电路如图Ｔ7.3所示,试分别求出各电路输出电压的大小。
(ａ) (ｂ）图Ｔ 7.３【解7.３】（a) V 8.16.01236O -=⨯-=u ；(ｂ)V 52.0)1241(O =⨯+=u ７．4写出图T ７.4所示各电路的名称，分别计算它们的电压放大倍数和输入电阻。
(a ） (ｂ) (c)图T 7.4【解7.４】(a) 反相比例运算电路,20120IO uf -=-==u u A ,0if ≈R ;(b ） 同相比例运算电路,211201IO uf =+==u u A ,∞≈if R ；(c)同相比例运算电路，也可认为是减法电路，I I I O uf 202120)1201()1201(u u u u u A =+=+==+,∞≈if R 。
７.5 运放应用电路如图Ｔ7.5所示，试分别求出各电路的输出电压。
-（ａ） (b)图T 7.5【解7.5】(a ） V 5.01.05O1-=⨯-=R R u ,V 5.255O1O1O2=-=⨯-=u u RR u ， V 3)5.0(5.2O1O2O =--=-=u u u ；（b) V 2O1-=u ,V 422O1O111O =-=⨯-=u u R R u 7．6 图Ｔ７.6所示的电路中，当V 1I =u 时,V 10O -=u ,试求电阻F R 的值。
图Ｔ 7.6【解7．6】I F O k Ω3u R u ⨯-=,k Ω301103k Ω3I O F =-⨯-=⨯-=u u R 7.４ 试求图P7.4所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。
(a)(ｂ)(ｃ） (d)图P ７.４【解7．4】(ａ) 解法1∵加减法运算电路P N R R =，即3F 21R //R //R R =，∴I3I2I1I3I2I13I32I21I1F O 522)205050100()(u u u u uu R u R u R u R u +--=+--=+--=; 解法2：图P7.4（ａ)加减法运算电路,也可利用叠加原理来解。
当电路只有同相输入端输入时,输出电压为I3I3I321F O15)50//501001()//1(u u u R R R u =+=+=当电路只有反相输入端输入时,输出电压为I2I1I2I12I21I1F 2O 22)5050(100)(u u u u R u R u R u --=+-=+-=利用叠加原理得I3I2I1O 522u u u u +--=(b) ∵P N R R =，即32F 1//R R //R R =，I1I3I2I1I3I21I13I32I2F O 1010)1010010100()(u u u uu u R u R u R u R u -+=-+=-+= (c) ∵减法电路P N R R =， )8()(25200)(I1I2I1I2I1I21F O u u u u u u R R u -=-=-=(d ） ∵加减法运算电路P N R R =，即43F 21//R R //R //R R =，I2I1I4I3I2I1I4I32I21I14I43I3F O 202040)10102005200()(u u u u uu u u R u R u R u R u R u --+=--+=--+=反馈电路二、已知交流负反馈有四种组态:Ａ.电压串联负反馈 B ．电压并联负反馈 C ．电流串联负反馈 D.电流并联负反馈 选择合适的答案填入下列空格内,只填入A 、Ｂ、C 或D 。