2012年-模电总复习题
模拟电子技术综合复习
4.放大电路的输入电压 Ui=10mV，输出电压 UO=1V，该放大电路的电压放大倍数为 -100 ， 电压增益为 40 dB。
5.集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输
出端 相同 ，后者的极性与输出端 相反 。 6.理想运算放大电器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为
2. 在单相桥式整流电路中，若将 4 只二极管全部反接，试分析对输出有何影响？若将其中的 1 只二极管反接，对输出有何影响？
VT1 VT2
V1
VT4
V2
VT3
+
R uo
-
六、计算题
= 100，RS= 1 k，RB1= 62 k，RB2= 20 k, RC= 3 k，RE = 1.5 k，RL= 5.6 k，VCC = 15 V。 求：“Q”，Au，Ri，Ro。
（√ ）
10.乙类互补对称功率放大电路产生的失真是交越失真。
（ √）
四、判断三极管工作状态（每小题 4 分，共 12 分）
-5V
-1.7 V
3.3V 3.7V
6V 2V
-2V
3V
a.（截止
） b.（ 饱和 ）
3V
c.（ 截止
）
五、分析题（每小题 9 分，共 18 分）
1. 试分析图示电路中，级间交流反馈 是正反馈还是负反馈，是电压反馈还是电 流反馈，是串联反馈还是并联反馈？
（ ×）
2.二极管在工作电流大于最大整流电流 IF 时会损坏。 3.三极管基极为高于发射极电位，三极管一定处于放大状态。
（√ ） （ ×）
4.放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关，而与输入信号源内阻无关。（ × ）
模拟电子技术基础复习资料
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。
6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电⼦技术》复习题10套及答案《模拟电⼦技术》复习题⼀⼀、填空题1、在N 型半导体中，多数载流⼦是；在P 型半导体中，多数载流⼦是。
2、场效应管从结构上分为结型和两⼤类，它属于控制性器件。
3、为了使⾼阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接⼊（共射、共集、共基）组态放⼤电路。
4、在多级放⼤器中，中间某⼀级的电阻是上⼀级的负载。
5、集成运放应⽤电路如果⼯作在线性放⼤状态，⼀般要引⼊____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
⼆、选择题1、利⽤⼆极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加⼊（）后形成的杂质半导体。
A 空⽳B 三价元素硼C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所⽰，其类型为( )场效应管。
A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型D N 沟道耗尽型MOS 型E N 沟道结型F P 沟道结型图2－104、有⼀晶体管接在放⼤电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管⼦的三个管脚分别是（）。
+++----D1RL C1CeC1C2L15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc UccUcc C2Ugs+10-1-2idUbsusRsRR R 2R Uo1Uo2Uo4++1A1A2A4图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5+++++-----D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1Re2Rc RL C1CeC1C215V 8V 50K 2.5K B=50UoUi+5V Rf Re1Re2UccUccUcc C2Ugs+10-1-2idUbsusRsRRR2RUo1Uo2Uo4++1A1A2A4图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作⽤是（）。
(完整word版)模电复习资料(判断和填空有答案)
判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。
(对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性.(对)2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。
(错)3、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（错)三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。
（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区，放大区,截止区。
(错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。
（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。
（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。
（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高，β减少。
(错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区.（错)第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中,若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。
（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。
（错)三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。
(对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1，而接近于1。
（错）射极输出器不具有电压放大作用.（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。
（错）直流放大器只能放大直流信号。
（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。
（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄.（错）。
多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和.（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。
(错)第四章在三种功率放大电路中,效率最高是的甲类功放。
(对)第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级,偏置电路这几个部分组成。
模电复习题及部分答案
复习题一、填空：1.为使BJT发射区发射电子，集电区收集电子，具备的条件是（发射极正偏，集电极反偏）。
2.N型半导体是在纯硅或锗中加入（磷（+5））元素物质后形成的杂质半导体。
3.差分放大电路对（差模）信号有放大作用，对（共模）信号起到抑制作用。
4在电容滤波和电感滤波中，（电感）滤波适用于大电流负载，（电容）滤波的直流输出电压高。
5．集成运放主要包括输入级、(中间放大极)、(输出极)和 (偏置)电路。
其中输入级一般采用(差模)电路。
6.为稳定放大器的静态工作点，应在放大电路中引入（直流负）反馈，为稳定放大器的输出电压应引入（电压负）反馈。
7．与甲类功放电路相比，乙类互补对称功率放大电路的优点是（管耗小，效率高），其最高效率可达到（78.5%），但容易产生（交越）失真。
8．集成运算放大器是一种采用（直接）耦合方式的多级放大电路，它的输入级常采用差分电路形式，其作用主要是为了克服（共模干扰）。
9．若放大器输入信号电压为1mV,输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为（10）。
10．产生1Hz～1MHz范围内的低频信号一般采用（RC）振荡器，而产生1MHz以上的高频信号一般采用（LC）振荡器。
11．半导体二极管具有（体积小，重量轻，使用寿命长，输入功率小，功率转换效率高等单向导电）作用，稳压二极管用作稳压元件时工作在（反向击穿）状态。
12．晶体三极管是一种（电流）控制型器件，当工作在饱和区时应使其发射结（正偏）集电结（正偏），而场效应管是一种(电压) 控制型器件。
13．集成电路运算放大器是一种高电压增益、高输入电阻、（低）输出电阻的（直接）耦合方式的多级放大电路。
14．差分放大电路有四种输入－输出方式，其差模电压增益大小与输（出）有关而与输（入）方式无关。
15．在放大电路中引入（直流负）反馈可以稳定放大电路的静态工作点，。
16．三种组态的放大电路中（共发射极组态、共基极组态、共集电极组态）输入电阻最小的是（共集电极放大）电路。
2012模电综合复习题(只有部分答案)
2012《模拟电子技术》复习题1、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，如题图1示，试判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）？答：题图1所示的各个三极管的工作状态，图（a ）为损坏， 图（b ）为放大， 图（c ）为放大， 图（d ）为截止， 图（e ）为损坏，图（f ）为饱和（或B 、C 极间击穿）。
2、 放大电路如题 图2所示，对于射极电阻e R 的变化是否会影响电压放大倍数v A 和输入电阻i R 的问题，有三种不同看法，指出哪一种是正确的？甲：当e R 增大时，负反馈增强，因此↓v A 、↑i R 。
（ ） 乙：当e R 增大时，静态电流C I 减小，因此↓v A 、↑i R 。
（ ）丙：因电容e C ，对交流有旁路作用，所以e R 的变化对交流量不会有丝毫影响，因此，当e R 增大时，v A 和i R 均无变化。
题图 1题图2解：本题意在我们要搞清e R ，在分压式电流负反馈偏置电路中的作用，从表面看，e R 被e C 交流旁路了，对交流量无影响（即不产生交流负反馈），所以e R 的变化不影响u A 和i R ，这是本题容易使我们产生错觉的地方。
但我们还必须进一步考虑，尽管e R 不产生交流负反馈，但它对放大器的静态工作点的影响是很大的，既然影响到CQ I ，就影响到be r 进而影响u A 和i R 。
甲的说法是错误的，原因：因e C 的旁路作用，所以e R 不产生交流负反馈，所以甲的观点前提就是错的。
乙的说法是正确的。
原因：;)(↓↑→↓→↑→u be EQ CQ e A r I I R↑∴=↑i be b i be R r R R r ,//,丙的说法是错误的，原因：正如解题分析中所说，尽管e R 不产生交流负反馈，但e R 增大使EQEQ ，II 减小的减小必然引起u A 减小和i R 的增加。
3、一个如图3（a ）所示的共发射极放大电路中的晶体管具有如题图（b ）的输出特性，静态工作点Q 和直流负载线已在图上标出（不包含加粗线）。
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一、判断选择题（1）(×)P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（2）(√)半导体中的空穴带正电。
（3）(×)负反馈越深，电路的性能越稳定。
（4）(√)零点漂移就是静态工作点的漂移。
（5）(√)放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
（6）(√)镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
（7）(√)引入直流负反馈可以稳定静态工作点。
（8）(×)凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。
(9) ( ×)实现运算电路不一定非引入负反馈。
（10）(×)只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。
二、选择题1. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的(A) 。
（A）大（B）小（C）相等2．稳压二极管稳压时，工作在( C)，发光二极管发光时，工作在( A)。
A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区3. 稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C）它的稳压值U z才有导通电流，否则处于（ F ）状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止4. 当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C B u B , u B B u E。
（A）>（B）<（C）=（D）≤5. 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B），此时应该（ E ）偏置电阻。
A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小6.共集电极放大电路的负反馈组态是（A）。
A、压串负B、流串负C、压并负7. 用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（ D ）型。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）8．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（A）。
A．NPN 型硅管B．NPN 型锗管C．PNP 型硅管D．PNP 型锗管9. 对功率放大器的要求主要是（B）、（C）、（E）。
A、U0高B、P0大C、功率放大D、R i大E、波形不失真10. 分析运放的两个依据是（A）、（ B ）。
A、U-≈U+B、I-≈I+≈0C、U0=U iD、A u=111. 集成运放的互补输出级采用( B)。
（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法12. 差分放大电路R E上的直流电流I EQ近似等于单管集电极电流I CQ（B）倍。
A、1B、2C、313. 为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。
A、电压B、电流C、串联14．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D）。
A．P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管15．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C）。
A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大16.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B），此时应该（E）偏置电阻。
A．饱和失真 B．截止失真 C．交越失真 D．增大 E．减小17．差分放大电路是为了（C）而设置的。
A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移18．已知复合管V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（A）。
A．1500 B.80 C.50 D.3019. 两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为B。
（A）β（B）β 2 （C）2β（D）1+βOu I u o20．若三级放大电路中A u 1 = A u 2 = ，A u 3 =，则其总电压增益为( 80 )dB ，折合为( 10 4 )倍。
21. RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成 ，即RC 串并联选频网络和（ D ）。
A ．基本共射放大电路B ．基本共集放大电路C ．反相比例运算电路D ．同相比例运算电路22.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。
A ．积分运算电路 B ．微分运算电路 C ．过零比较器 D ．滞回比较器23. 在桥式（文氏桥）RC 正弦波振荡电路中， C 。
（A ）φA =-1800，φF =+1800 （B ）φA =+1800，φF =+1800 （C ）φA =00，φF =00 24. 在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输入电阻最大的电路是 B ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 C 。
（A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 25．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
A ．不用输出变压器B ．不用输出端大电容C ．效率高D ．无交越失真 26. 为了增大输出电阻，应在放大电路中引入（A ）；为了展宽频带，应在放大电路中引入（D ）。
（A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈二、填空题1．二极管最主要的特性是（ 单向导电性） 。
2．稳压管通常工作在(反向击穿)状态。
3. 双极型三极管是（电流） 控制器件，当其工作在放大区时发射极需要加（正向）偏置电压，集电极需要加（反向）偏置电压；场效应管是 （电压）控制器件。
4. 某放大电路负载开路时，U O =6V ，接上3KΩ负载后，U O =4V ，说明该放大电路的输出电阻R 0=（1.5KΩ）。
5. 正弦波振荡器的振荡条件是（ 1≥F A 和πϕϕn B A 2=+）。
6. 在放大电路中，为了稳定静态工作点，应引入（直流）负反馈，为了稳定放大倍数，应引入（交流）负反馈。
7. 通用型集成运放通常采用（直接）耦合方式。
8．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用（ 低通 ）滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用( 高通 )滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用( 带阻 ) 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用( 带通 )滤波器。
9. 互补输出级中的BJT 通常采用（共集）接法，其目的主要是为了提高（负载能力）。
10．差分放大电路，若两个输入信号u I1和u I2完全一样，则输出电压u O =（ 0 ）；若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id =（20）μV ；共模输入电压u Ic =（90 ）μV 。
11．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ = ( 0 )、静态时的电源功耗P DC ( 0 )。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到( 78.5% )，但这种功放有( 交越 )失真。
12．分析运放的两个依据是（虚短）和（虚断）。
13 . 为了避免50Hz 电网电压的干扰信号进入放大器，应选用（带阻）滤波电路。
14. 如3.1图所示电路中二极管D为理想二极管，请判断它是否导通：（截止），并且u0=（-6V）。
15. 在一个放大电路中，三极管三个管脚①、②、③的电位分别为6.2V、6 V、3 V，将管子所用材料为（Ge ）、类型为（PNP），管脚依次为（e、b、c）。
3.1图16 . 如3.3图所示各电路均引入了深度交流负反馈，电路（a）引入了（电压串联负反馈），电压放大倍数为（1+R2/R1）；电路（b）引入了交流（电压并联负反馈），电压放大倍数为（-R2/R1）；3.3图 3.4图17. 在3.4图所示电路中，要求其输入电阻为20 kΩ，比例系数为-15，则R=（20 kΩ）、R F=（300 kΩ）和R =（18.75 kΩ）的阻值。
18. 在OCL乙类功放中，若其最大输出功率为1W，则电路中功放管（单管）的集电极最大功耗约为（0.2W）。
19. 在运算电路中，运算放大器工作在（线性）区；在滞回比较器中，运算放大器工作在（非线性）区。
三、分析计算题1. 二极管电路如3.1图所示，考虑二极管的正向压降为0.7V，求输出电压U o 。
若两个电源极性反接呢？解答：D1 D2均可导通，U o=0.7V。
若两个电源极性反接，则D2先导通，U o=14.3V。
2．测得处于放大状态的三极管三个管脚的直流电位如3.2图所示，试说明三极管为（ b ）管，（ d ）类型。
a. 硅管；b. 锗管；c. NPN；d. PNP；3.如3.3题图所示W117的低压电源电路，已知R1＝240Ω，R2＝3kΩ；W117 输入端和输出端电压允许范围为 3～40V，输出端和调整端之间的电压U R为 1.25V。
试求解：（1）输出电压的调节范围；（2）输入电压允许的范围；解答：（1）输出电压的调节范围 （4分）（2）输入电压取值范围 （4分） 3.3 题图4 .在3.4题图所示电路中，已知晶体管静态时U BEQ =0.7V ，电流放大系数为β=80，r be =1.2 k Ω，R B =500 k Ω，R C =R L =5 k Ω，U CC =12V 。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）估算信号源内阻为R S =1.2k Ω时，Sus U U A 0=的数值。
3.4 题图解答：I b = 22.6цA ；I c =1.8mA ；u ce = 3V ； A u = -167；R i =1.2k Ω；R o = 5 k Ω；信号源内阻为R S =1.2k Ω时，Sus U U A 0== - 83.5 5. 下面 3.5图中β=30，r be =1kΩ, R b =300kΩ, R c=R L =5kΩ, R e =2kΩ,U BE =0.7V ,U cc=24V 。
计算电路的静态工作点；画出该电路的微变等效电路；计算A u 、R i 、R o解答：(1)AR R U V I eb BEQCC BQ μβ64)1(≈++-=mA I I BQ CQ 9.1==βV R R I V U e c CQ CC CEQ 7.10)(=+-≈ (2)(3)2.1)1()//(-=++-=ebe L c uR r R R A ββΩ=++=K R r R R e be b i 52])1(//[β Ω==K R R c o 56. 放大电路如下3.6题图所示，已知：V CC =12V ，R S = 10k Ω，R B1=120k Ω，R B2=39k Ω，R C =3.9k Ω，R E=2.1k Ω，R L = 3.9k Ω，电流放大系数β=，电路中电容容量足够大，要求：1．求静态值I BQ ，I CQ 和U CEQ (设U BEQ =0.6V )；2．画出放大电路的微变等效电路；3．求电压放大倍数A u ，源电压放大倍数A u s ，输入电阻R i ，输出电阻R o 。
4．去掉旁路电容C E ，求电压放大倍数A u ，输入电阻R i 。