半导体工艺基础学习
半导体工艺基础
半导体工艺基础【半导体工艺基础】一、半导体工艺的历史1.1 早期探索其实啊，半导体工艺的历史可以追溯到很久以前。
在 19 世纪，科学家们就开始对一些特殊的材料进行研究，发现了一些材料具有独特的导电性能。
那时候，这还只是一个小小的萌芽。
1.2 重要突破到了 20 世纪中叶，半导体工艺迎来了重要的突破。
比如说，晶体管的发明，这就好比给电子世界打开了一扇全新的大门。
晶体管的出现让电子设备变得更小、更高效，说白了就是为现代电子技术的发展奠定了坚实的基础。
1.3 飞速发展从那以后，半导体工艺就进入了飞速发展的阶段。
集成电路的出现更是让整个行业发生了翻天覆地的变化。
原本需要很大空间才能实现的电路功能，现在可以集成在一个小小的芯片上。
这就好像原本一个大仓库才能装下的东西，现在只需要一个小抽屉就能搞定。
二、半导体的制作过程2.1 原材料准备制作半导体，首先得准备好原材料。
最常用的材料就是硅，这就像是做菜得先有食材一样。
硅需要被提炼到极高的纯度，才能满足半导体制作的要求。
2.2 晶圆制造有了高纯度的硅，接下来就是制造晶圆。
把硅融化成液体，然后通过特殊的方法拉成一个圆柱体，再切成薄片，这就是晶圆啦。
想象一下，这就像是把一大块面团擀成薄饼，然后切成一片片的。
2.3 光刻与蚀刻在晶圆上制作电路图案是个精细活。
光刻就像是用特殊的“光笔”在晶圆上画出电路图，而蚀刻呢，则是把不需要的部分“洗掉”，留下需要的电路。
这有点像我们在纸上刻剪纸，按照画好的线条把多余的部分去掉。
2.4 掺杂为了改变半导体的导电性能，还需要进行掺杂。
这就好比给半导体“加点料”，让它具备我们想要的特性。
比如说，加入磷可以让半导体更容易导电，加入硼则相反。
2.5 封装测试最后，做好的芯片要进行封装和测试。
封装就是给芯片穿上“保护衣”，让它能在各种环境下正常工作。
测试呢，就是检查芯片是不是能正常发挥作用，有没有“生病”。
三、半导体工艺的特点3.1 高精度半导体工艺的精度那可是相当高的。
半导体工艺基础知识
三、IC构装制程
• IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠 或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路
• 目的：是為了製造出所生產的電路的保 護層，避免電路受到機械性刮傷或是高 溫破壞。
半导体制造工艺分类
MOS型
双极型
PMOS型 NMOS型 CMOS型 饱和型
非饱和型
BiMOS TTL I2L ECL/CML
• A 铝栅工艺 • B 硅 栅工艺 • 其他分类 1 、（根据沟道） PMOS、NMOS、CMOS 2 、（根据负载元件）E/R、E/E、E/D
半导体制造工艺分类
• 三 Bi-CMOS工艺： A 以CMOS工艺为基础 P阱 N阱
B 以双极型工艺为基础
双极型集成电路和MOS集成电 路优缺点
双极型集成电路 中等速度、驱动能力强、模拟精度高、功耗比 较大 CMOS集成电路
矽晶圓材料（Wafer）
圓晶是制作矽半導體IC所用之矽晶片，狀似圓 形，故稱晶圓。材料是「矽」， IC （Integrated Circuit）厂用的矽晶片即 為矽晶體，因為整片的矽晶片是單一完整的晶 體，故又稱為單晶體。但在整體固態晶體內， 眾多小晶體的方向不相，則為复晶體（或多晶 體）。生成單晶體或多晶體与晶體生長時的溫 度，速率与雜質都有關系。
SiO2
P+ N-epi P+ N-epi P+
N+-BL
N+-BL
P-SUB
涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗 —去膜--清洗—P+扩散(B)
第三次光刻—P型基区扩散孔
决定NPN管的基区扩散位置范围 SiO2
P
P
P+
P+ N-epi P+
半导体光刻工艺技术基础
Litho Equipment Litho Chemistry
Pitch = L + S
LS
PR
SiON
FSG
SiN
光刻关键参数
CD 〔Critical Dimension〕: Line Width,Space Width or Hole Diameter of specified designed pattern to monitor photo process condition and resolution capability.
IMD Film
Si Base
PR Developing 52s Puddle ,45s Rinse
IMD Film
Si Base
ADI inspection
Ion Plasma
+++++++
e-
e-
e-
e-
IMD
e-
Si Base
Etching
IMD Film
Si Base
Hard Bake 110 ºC 60 S
Overlay
光刻关键参数
光刻关键参数
Two Criterions: CD v.s. Overlay
1. 光刻胶的组分 2. 光刻胶的种类 3. 光刻胶特性概要
四、光刻胶
光刻胶的组分
光刻胶的组分
光刻胶的组分
光刻胶的组分
光刻胶的种类
光刻胶的种类
光刻胶的种类
光刻胶的种类
半导体工艺开发需要用到的知识
半导体工艺开发需要用到的知识半导体工艺开发是指将半导体材料制备成芯片或器件的过程。
这个过程涉及到许多领域的知识，如材料科学、物理学、化学、工程学等。
在半导体工艺开发中，需要掌握的知识十分广泛，包括半导体材料的性质和加工工艺、微电子器件的设计和制备、半导体设备的操作和维护等。
本文将从这几个方面介绍半导体工艺开发需要用到的知识。
一、半导体材料的性质和加工工艺半导体材料是半导体器件的基础，其性质和加工工艺对器件的性能和稳定性至关重要。
半导体材料的性质包括导电性能、光学性能、热学性能等。
在半导体工艺开发中，需要掌握的知识包括材料的选择、制备和性能测试等。
此外，还需要了解半导体材料的加工工艺，如晶体生长、薄膜沉积、离子注入等。
只有掌握了半导体材料的性质和加工工艺，才能够确保器件的质量和性能。
二、微电子器件的设计和制备微电子器件是半导体工艺开发的重要组成部分，它们是半导体材料的最终应用形式。
在半导体工艺开发中，需要掌握微电子器件的设计和制备技术。
这包括器件的结构设计、工艺流程设计、工艺参数的选择等。
在器件制备过程中还需要掌握一些特殊的加工工艺，如光刻、离子注入、蚀刻等。
只有掌握了微电子器件的设计和制备技术，才能够实现半导体器件的高性能和高可靠性。
三、半导体设备的操作和维护半导体设备是半导体工艺开发中至关重要的工具，只有掌握了设备的操作和维护技术，才能够保证制备出高质量的半导体器件。
在半导体工艺开发中，需要掌握各种半导体设备的操作原理和操作技术，如离子注入设备、薄膜沉积设备、蚀刻设备等。
此外，还需要了解设备的维护技术，如定期保养、故障排除等。
只有掌握了半导体设备的操作和维护技术，才能够确保设备的正常运行，从而保证半导体器件的制备质量。
总之，半导体工艺开发需要用到的知识非常广泛，涉及到材料科学、物理学、化学、工程学等多个领域。
只有掌握了这些知识，才能够成功地进行半导体工艺开发，制备出高品质的半导体器件。
希望本文对您有所帮助。
半导体制造工艺基础
掺杂与离子注入设备
扩散炉
通过高温扩散作用将杂质引入晶圆中 。
离子注入机
通过离子束注入将杂质引入晶圆中。
热处理与退火设备
快速热处理设备
对晶圆进行快速加热和冷却，以实现 特定工艺效果。
退火炉
对晶圆进行缓慢加热和冷却，以消除 制造过程中产生的内应力。
04
半导体制造中的质量控制
缺陷控制
01
表面缺陷
表面缺陷包括颗粒、划痕、凹坑等，这些缺陷会影响半导体的性能和可
掺杂是将杂质元素引入晶圆中 ，以改变其导电性能的过程。 离子注入则是将离子化的杂质 元素注入晶圆中。
掺杂和离子注入的浓度、深度 等参数对最终产品的性能有着 重要影响，需要精确控制。
掺杂和离子注入过程中需要使 用高精度的设备和高纯度的试 剂，对环境温度、湿度、清洁 度等要求极高。
热处理与退火
1
热处理与退火是半导体制造过程中必不可少的环 节，其目的是调整材料的物理和化学性质，提高 其稳定性和可靠性。
常见半导体材料
总结词
硅和锗是最常用的半导体材料，此外还有三五族元素如磷、砷、锑等。
详细描述
硅和锗元素具有稳定的化学性质和高纯度，是制造集成电路、太阳能电池等的重 要材料。三五族元素具有特殊的电子结构，常用于制造光电器件和半导体激光器 等。
半导体材料的制备与纯化
总结词
制备方法包括气相沉积、液相外延、固相反应等，纯化方法 包括区域熔炼、离子束溅射等。
2
热处理与退火过程中需要精确控制温度、时间等 参数，以避免材料发生变形、开裂等问题。
3
热处理与退火过程中需要使用高精度的设备和高 纯度的试剂，对环境温度、湿度、清洁度等要求 极高。
03
半导体制造工艺基础
半导体制造工艺基础半导体制造工艺基础是指通过多种特定工艺来将半导体原料（如硅、锗等）加工成有用的半导体元件及系统的一系列工序。
它主要包括显微工艺、刻蚀工艺、沉积工艺、蝕刻工艺、掩膜工艺、热处理等等。
这些工艺在半导体制造中都起着重要作用，是半导体制造技术实现的基础。
一、显微工艺显微工艺是一种常用的半导体制造工艺，它使用一个高度准确的扫描电子显微镜（SEM）来检测半导体元件尺寸和形状，并通过多种方法来精确控制它们。
该工艺可以检测半导体器件的尺寸（例如线宽和线高）和表面的粗糙度，从而可以避免半导体器件的缺陷，保证其可靠性。
二、刻蚀工艺刻蚀工艺是半导体制造中最常用的工艺之一，也是半导体器件制造的核心工艺，它通过刻蚀技术将半导体原料（如硅、锗等）加工成有用的半导体元件及系统。
刻蚀工艺的关键步骤是通过特殊的腐蚀剂（如H2SO4、HNO3等）和特殊的刻蚀装置（如电子束刻蚀机）来刻蚀半导体表面上的特定结构，从而实现半导体元件的制造。
三、沉积工艺沉积工艺是半导体制造中的一种重要工艺，它主要用于在半导体器件表面上沉积一层稀薄的金属或其它材料，以实现对半导体器件的保护、封装和连接。
沉积工艺中，常用的技术有气体沉积（CVD）、电子束沉积（EB-PVD）、化学气相沉积（ALD）等等。
四、蝕刻工艺蝕刻工艺是半导体制造中常用的一种工艺，它主要用于将半导体器件的表面剥离出一层稀薄的金属或其它材料，以实现对半导体器件的连接和装配。
该工艺的关键步骤是通过使用特殊的腐蚀剂（如HCl、H2SO4等）来蝕刻半导体表面上的特定结构，从而实现半导体元件的制造。
五、掩膜工艺掩膜工艺是半导体制造中常用的一种工艺，它主要用于将半导体器件的表面覆盖一层稀薄的金属或其它材料，以实现对半导体器件的保护、封装和连接。
掩膜工艺的关键步骤是通过使用特殊的掩膜技术（如光刻技术）来覆盖半导体表面上的特定结构，从而实现半导体元件的制造。
六、热处理热处理是半导体制造中常用的一种工艺，它主要用于将半导体器件经过特定温度和时间的处理，以改变其物理和化学特性，从而提高半导体器件的性能和可靠性。
半导体工艺基本知识
半导体工艺基本知识半导体工艺啊，就像是一场微观世界里的奇妙魔术。
咱们先从硅片说起吧。
硅片就好比是盖房子的地基，整个半导体世界都建立在它之上。
硅呢，是一种很神奇的材料，在沙子里就能找到它的身影。
你说神不神？把沙子变成能做半导体的硅片，这得经过多少道工序啊。
就像把一块普通的石头打磨成一颗璀璨的宝石一样不容易。
这硅片得做得平平整整、干干净净的，哪怕一点点小杂质或者小凸起，那对后面的工艺来说，就像在一碗好汤里掉进了一粒老鼠屎一样，坏了整锅汤。
掺杂工艺也很有趣。
这就像是给硅片这个大集体里安排不同职责的成员。
往硅片里掺入一些特殊的元素，就像在一群人中安排几个特别的角色一样。
这些被掺进去的元素会改变硅片的电学性质，让它能实现各种各样的功能。
比如说，本来硅片可能比较老实，不太导电，但是一掺杂之后，就像给它注入了活力，变得能很好地导电了。
这感觉就像是给一个内向的人注入了自信，突然就变得活跃起来了。
蚀刻工艺又是什么样的呢？它有点像雕刻家拿着刻刀在作品上精雕细琢。
把不需要的部分去掉，留下我们想要的电路结构。
这个过程得小心翼翼的，要是不小心多刻掉了一点，那就像厨师做菜的时候盐放多了一样，整个味道就不对了。
芯片的性能也就受到影响了。
薄膜沉积工艺呢，就像是给硅片穿上一层一层的衣服。
这些衣服可有讲究了，不同的薄膜有着不同的功能。
有的是为了绝缘，就像冬天穿的棉衣，把寒冷隔开；有的是为了传导电流，就像电线外面的那层皮，起着保护和传导的作用。
每一层薄膜都得均匀地覆盖在硅片上，如果有薄有厚，那就像衣服穿得歪歪扭扭的，既不美观也不实用。
在半导体工艺的世界里，清洁度是至关重要的。
这就好比咱们住的房子，如果到处都是灰尘垃圾，肯定住着不舒服。
在半导体制造车间里，一点点灰尘都可能毁掉一个芯片。
所以那里的环境得保持得超级干净，工作人员都得穿着特殊的工作服，就像一群白色的小精灵在微观世界里忙碌着。
半导体工艺涉及到的设备也很复杂昂贵。
那些设备就像是一个个巨大的怪兽，静静地蹲在那里，等着人们去操作它们。
半导体器件工艺基础知识
半导体器件⼯艺基础知识半导体基础知识和半导体器件⼯艺第⼀章半导体基础知识 通常物质根据其导电性能不同可分成三类。
第⼀类为导体，它可以很好的传导电流，如：⾦属类，铜、银、铝、⾦等；电解液类：NaCl⽔溶液，⾎液，普通⽔等以及其它⼀些物体。
第⼆类为绝缘体，电流不能通过，如橡胶、玻璃、陶瓷、⽊板等。
第三类为半导体，其导电能⼒介于导体和绝缘体之间，如四族元素Ge锗、Si硅等，三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等，⼆、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。
物体的导电能⼒可以⽤电阻率来表⽰。
电阻率定义为长1厘⽶、截⾯积为1平⽅厘⽶的物质的电阻值，单位为欧姆*厘⽶。
电阻率越⼩说明该物质的导电性能越好。
通常导体的电阻率在10-4欧姆*厘⽶以下，绝缘体的电阻率在109欧姆*厘⽶以上。
半导体的性质既不象⼀般的导体，也不同于普通的绝缘体，同时也不仅仅由于它的导电能⼒介于导体和绝缘体之间，⽽是由于半导体具有以下的特殊性质：(1) 温度的变化能显著的改变半导体的导电能⼒。
当温度升⾼时，电阻率会降低。
⽐如Si在200℃时电阻率⽐室温时的电阻率低⼏千倍。
可以利⽤半导体的这个特性制成⾃动控制⽤的热敏组件（如热敏电阻等），但是由于半导体的这⼀特性，容易引起热不稳定性，在制作半导体器件时需要考虑器件⾃⾝产⽣的热量，需要考虑器件使⽤环境的温度等，考虑如何散热，否则将导致器件失效、报废。
(2) 半导体在受到外界光照的作⽤是导电能⼒⼤⼤提⾼。
如硫化镉受到光照后导电能⼒可提⾼⼏⼗到⼏百倍，利⽤这⼀特点，可制成光敏三极管、光敏电阻等。
(3) 在纯净的半导体中加⼊微量（千万分之⼀）的其它元素（这个过程我们称为掺杂），可使他的导电能⼒提⾼百万倍。
这是半导体的最初的特征。
例如在原⼦密度为5*1022/cm3的硅中掺进⼤约5X1015/cm3磷原⼦，⽐例为10-7（即千万分之⼀），硅的导电能⼒提⾼了⼏⼗万倍。
物质是由原⼦构成的，⽽原⼦是由原⼦核和围绕它运动的电⼦组成的。
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晶体管的噪声
噪声系数
采用信号噪声比（即信号功率与噪声功率之比， 简称信噪比）来衡量噪声的大小。常用晶体管的输入 信号噪声比同输出信号噪声比的比值来标志晶体管的 噪声特性，这个比值就叫噪声系数。
晶体管的噪声
（1）热噪声 杂乱无章的热运动叠加在载流子的有规则的运动之上，就会引
② 发射区与集电区电阻率足够低，外加电压全部降落在势垒区， 势垒区外无电场。
③ 发射结和集电结空间电荷区宽度远小于少子扩散长度，且不存 在载流子的产生与复合。
④ 各区杂质均匀分布，不考虑表面的影响，且载流子仅做一维传 输。
⑤ 小注入，即注入的非平衡少子浓度远小于多子浓度。 ⑥ 发射结和集电结为理想突变结，且面积相等。
起电流的起伏，成为噪声。 （2）散粒噪声
半导体中载流子的产生、复合过程有涨有落，参加导电的载流
于数目将在其平均值 附近起伏，这种由载流子数目起伏而引起的噪
声（。3）1 噪声 f
在半导体中还存在着一种影响很大的噪声，叫做噪声，这种噪
声同频率有关，频率越低，噪声越大。
晶体管的功率特性
基区大注入效应 （1）大注入基区电大调制效应和自建电场 （2）大注入基区少子分布
晶体管的直流电流放大系数
① 提高发射区掺杂浓度，增大正向注入电流； ② 减小基区宽度，减少复合电流； ③ 提高基区杂质分布梯度，以提高电场因子； ④ 提高基区载流子寿命和迁移率，以增大载流子的扩散长
度。
晶体管基区宽变效应
晶体管的直流电流放大系数
习题1 在材料种类相同、掺杂浓度分布相 同、基区宽度相同的条件下、PNP晶体管 和NPN晶体管相比，哪种晶体管的发射结 注入效率较大？哪种晶体管的基区输运系 数较大？
双极型晶体管
平衡晶体管的能带和载流子的分布
双极型晶体管
非平衡晶体管的能带和载流子的分布
双极型晶体管
晶体管载流子的传输
双极型晶体管
晶体管载流子的传输 ⑴ 发射结正向偏置—发射电子 ⑵ 载流子在基区的传输与复合 ⑶ 集射结反向偏置—收集电子
IE IC IB
晶体管的直流电流放大系数
晶体管的直流电流放大系数
6. 某 厂 在 试 制 某 种 晶 体 管 时 ， 发 现 输 出 特 性 曲 线 “ 过 度 倾 斜”，如图所示。你能否用制造过程不当，使基区过薄来解 释此种现象？
晶体管的直流电流放大系数
7.某厂在试制某种晶体管时，发现输出特性曲线如图所示。 你能否用集电极有较大的串联电阻（如欧姆接触电阻之类） 来解释此种现象？如何改进工艺条件来避免此种现象？
2
Wc X mc
外延层厚度
d X jc X mc
3. 已 知 某 硅 NPN 均 匀 基 区 晶 体 管 的 基 区 宽
度 WB 2.5m ，基区掺杂浓度NB ，集电区 1017cm3
掺杂浓度 ，试求当 、 时 NC 1016cm3
VCB 0V VCE 10V
晶体管的功率特性
集电结最大耗散功率
集电结最大耗散功率是晶体管参数的变化不超过 规定值时的最大集电结耗散功率。
晶体管的功率特性
集电结最大耗散功率相关因素
在晶体管的散热情况和环境温度一定时，消耗的 功率越大，管芯的结温就越高。由于管芯结温不能超 过晶体管的最高结温，因此晶体管的耗散功率也不允 许任意大。显然与最高结温对应的耗散功率就是晶体 管的最大允许耗散功率，即
晶体管电流放大系数和电流放大能力
（2）共射极直流电流放大系数
共发射极电路是用 IB 去控制 IC 以实现电流放大的。
0
IC IB
晶体管的直流电流放大系数
晶体管电流放大系数和电流放大能力
（3） 0与 0 的关系
0
0 10
晶体管的直流电流放大系数
晶体管电流放大系数和电流放大能力
PCM K (TjM Ta )
晶体管的最高结温是指晶体管能正常地、长期可 靠工作的最高PN结温度。
晶体管的功率特性
晶体管热阻
晶体管工作时，集电结产生的热量要散发到 周围空间中去，会遇到一种阻力，把这种阻力叫 “热阻”。晶体管的热阻是表征晶体管工作时所产 生的热量向外散发的能力，它表示晶体管散热能力 的大小。
晶体管的功率特性
基区扩展效应
晶体管的功率特性
基区扩展效应
晶体管的功率特性
基区扩展效应
晶体管的功率特性
基区纵向扩展效应
晶体管的功率特性
基区横向扩展效应
晶体管的功率特性
基区扩展效应对电特性的影响
1 eWb Wb2 0 b Lpe 2L2nb
fT
0 f
1
2 b
晶体管的功率特性
为了表征两个阶段电子损失的比例大小，再定义两个参量：
发射效率：
0
In(X2) IE
1
1
eWb
b Lpe
基区输运系数：
0*
In(X3) In(X2)
IC In(X2)
1
1 2
Wb 2 Lnb 2
晶体管的直流电流放大系数
缓变基区晶体管电流放大系数
发射效率：
0
1
1
eWb
晶体管的功率特性
晶体管的二次击穿
当集电极反向偏压增大 到某一值时，集电极电流急 剧增加，出现击穿现象，这 个首先出现的击穿现象称为 一次击穿。当集电极反向偏 压进一步增大，增大到某一 临界值时，晶体管上的压降 突然降低，而电流继续增长， 这个现象称为二次击穿。
晶体管的功率特性
晶体管的二次击穿
晶体管的功率特性
晶体管的直流电流放大系数
8.某厂在试制某种晶体管时，发现输出特性曲线如图所示。 你能否用集电结在表面处有很大的漏电流来解释此种现象？
晶体管的频率特性
晶体管的频率特性
晶体管的频率特性曲线和极限频率参数
晶体管的频率特性曲线和极限频率参数
提高特征频率的途径
1、减小基区宽度，并采用扩散基区。 2、尽量减小发射极面积。 3、基区扩散的薄层电阻大些，即基区杂质浓度
发射极电流集边效应
晶体管的功率特性
发射极电流集边效应
晶体管的功率特性
发射极电流集边效应
晶体管的功率特性
发射极电流集边效应
jB (x) jB (0) (e 1) jB (0)
x
Seff
jB (x)
(e 1) jB (0) Seff
x
jB (0)
dIB (x)
jB (x)ldx
RT
TjM Ta PCM
晶体管的功率特性
晶体管热阻
晶体管的功率特性
降低晶体管热阻
降低内热阻：通过适当减薄硅片和铝片厚度，增大 集电结面积或周界长度来减小内热阻。
降低外热阻：可以通过减小接触热阻，增大散热面 积来实现。
减少接触热阻的措施： ① 尽量使管座与散热器的接触面平整、光滑、清
洁且不氧化。 ② 在接触界面处涂覆硅脂。 ③ 在安装晶体管时，接触面应尽量压紧。
二次击穿机理—电流集中二次击穿
在晶体管内部出现电流局部集中，形成过热点， 导致该处发生局部热击穿的结果。
晶体管的功率特性
镇流电阻
晶体管的功率特性
二次击穿机理—雪崩注入二次击穿
电流放大系数如何变化并计算厄尔利电压。
晶体管的直流电流放大系数
4.某厂在试制晶体管时，由于不注意清洁卫生，在高温扩散 时引入了金、镍等杂质，结果得到如图所示的晶体管输出特 性曲线。你能否说明这个输出特性曲线与标准输出特性曲线 的差别在哪里，原因是什么？
晶体管的直流电流放大系数
5.某厂在试制NPN平面管时，发现所得到的输出特性曲线为 “靠背椅”式，如图所示。你能否用基区表面形成反省层 （即所谓“沟道” ）来解释这种输出特性曲线？
晶体管的直流伏安特性曲线（共射极）
两种组态输出特性曲线比较
(1) 电流放大系数的差别 (2) UCE 增大对电流放大系数的影响 (3) UCE 减小对输出电流的影响
晶体管的穿通电压 （基区穿通）
晶体管的穿通电压 （外延层穿通）
外延层穿通所决定的击穿电压
BUCBO
UB
Wc X mc
（4）晶体管具有放大能力所满足的条件（以NPN管为例）
① 发射区高掺杂，能发射大量电子； ② 基区低掺杂且基区宽度窄，减少电子的复合损失； ③ 发射结正向偏置，发射电子； ④ 集射结反向偏置，收集电子。
晶体管的直流电流放大系数
均匀基区晶体管电流放大系数
晶体管的直流电流放大系数
均匀基区晶体管电流放大系数
b Lpe
0
1
1
eWb
bWe
基区输运系数：
0*
1
1
Wb 2 Lnb 2
晶体管的直流电流放大系数
1.在N型硅片上经硼扩散后，得到集电结结深 x jc 2.1，m 有源基区方块电阻RSB 800 / sq ，再经 磷扩散后，得发射结结深 x je 1.3m ，发射区 方块电阻 RSE 10 / sq 。设基区少子寿命 B 10 7 s ，基区少子扩散系数扩散系数 DB 15cm2s1，基区 自建场因子 8 ，试求该晶体管的电流放大系
1/
2
Seff
e
6
2
1/
2
RSb
kT / q (10 )
jE
(0)
1/
2
Seff
6e e2
1/