半导体制造工艺基础
半导体制造工艺基础
刻蚀
Semiconductor Manufacturing Basic
刻蚀
刻蚀
1. 前言 2. 理解干法刻蚀所需的等离子体基础知识 3. 干法刻蚀原理和设备
·干法刻蚀机理/各向异性刻蚀机理 ·干法刻蚀设备 ·高密度等离子体的必要性和设备
4. LSI工艺用干法刻蚀的应用与挑战
·干法刻蚀要求的特性 ·各种材料的刻蚀和有关问题 ·干法刻蚀引起的损伤 ·相应的环境问题
◆热等离子体和低温等离子体(不平衡等离子体)
□热等离子体 所有电子、离子、中性粒子的温度都相同 □低温等离子体（不平衡等离子体）只有电子温度较高
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理解干法刻蚀所需的等离子体基础知识
干法刻蚀用的等离子体的特点
◆由低压气体放电产生 ◆低温等离子体（不平衡等离子体） ◆弱离化，等离子体密度低
与1日元硬币比较， 人就重得不能动了！
理解干法刻蚀所需的等离子体基础知识
等离子体的能量
电子温度1万度以上..
太阳表面才6000度
极其巨大的能量！！
269
270
46 《半导体制造》
Semiconductor Manufacturing Basic
刻蚀
理解干法刻蚀所需的等离子体基础知识
离子鞘(1)
离子鞘：在等离子体中插入一固体物后， 在其周围形成的空间电荷层
栅极氧化膜 100Å以下
气体流量大、用硬掩膜时反应产物的附着减少
293
294
50 《半导体制造》
Semiconductor Manufacturing Basic
刻蚀
LSI工艺用干法刻蚀的应用与挑战
铝合金刻蚀的挑战
光刻胶选择比低（约为2） →厚光刻胶膜给光刻带来很大负担
半导体制造工艺范文
半导体制造工艺范文1.晶圆制备：晶圆是制造半导体器件的基础。
可通过切割单晶硅棒或者熔融硅制备。
制备好的晶圆表面需要经过化学机械抛光，使其表面光滑。
2.掩膜制备：掩膜是指将特定模式转移到晶圆表面的层。
通过光刻技术，在掩膜层上照射紫外线光束，使其形成特定模式。
常用掩膜材料有光刻胶。
3.刻蚀：刻蚀是通过化学或物理的方式去除掩膜层以外的材料，形成所需的结构。
常用的刻蚀方法有湿刻蚀和干刻蚀。
湿刻蚀使用化学溶液去除非掩膜区域的材料，干刻蚀则使用离子轰击或者等离子体气体去除材料。
4.离子注入：离子注入是指向掺杂原子加速并注入到晶圆内部，改变其电学性质。
通过掩膜层上开口处的掺杂窗口进行注入，常用的离子有硼、磷等。
5.扩散：扩散是将注入到晶圆内的掺杂原子在高温下扩散扩展，形成特定的杂质浓度分布。
扩散可以使半导体材料的电学性能得到改善。
通常在氮气或者氢气气氛中进行。
6.金属沉积：金属沉积是将金属材料沉积在晶圆表面，用于电极、导线等器件的制作。
通过化学气相沉积或者物理气相沉积等方法进行。
7.封装：封装是将制造好的芯片装配到封装材料中，制作成可使用的半导体器件。
常用的封装方法有芯片焊接在载体上并用封装材料覆盖，然后进行焊接。
此外，半导体制造工艺还包括成品测试和质量控制等环节。
成品测试是指对制造好的半导体器件进行功能性、电学性能等方面的测试，以验证其质量和性能是否达到要求。
质量控制是指在制造过程中对各个步骤进行监控和调整，以确保最终的产品达到规定的质量标准。
总结而言，半导体制造工艺是一个复杂严谨的过程，需要精确的控制和高精度的设备支持。
只有通过严格的工艺流程和质量控制，才能制备出性能稳定可靠的半导体器件。
这些器件广泛应用于电子、通信、计算机等领域，对现代社会的发展具有重要作用。
半导体的生产工艺流程
半导体的生产工艺流程1.晶圆制备：晶圆制备是半导体生产的第一步，通常从硅片开始。
首先，取一块纯度高达99.9999%的单晶硅，然后经过脱氧、精炼、单晶生长和棒状晶圆切割等步骤，制备出硅片。
这些步骤的目的是获得高纯度、无杂质的单晶硅片。
2.晶圆加工：晶圆加工是将硅片加工成具有特定电子器件的过程。
首先，通过化学机械抛光（CMP）去除硅片上的表面缺陷。
然后，利用光刻技术将特定图案投射到硅片上，并使用光刻胶保护未被刻蚀的区域。
接下来，使用等离子刻蚀技术去除未被保护的硅片区域。
这些步骤的目的是在硅片上形成特定的电子器件结构。
3.器件制造：器件制造是将晶圆上的电子器件形成完整的制造流程。
首先，通过高温扩散或离子注入方法向硅片中掺杂特定的杂质，以形成PN结。
然后，使用化学气相沉积技术在硅片表面沉积氧化层，形成绝缘层。
接下来，使用物理气相沉积技术沉积金属薄膜，形成电压、电流等电子元件。
这些步骤的目的是在硅片上形成具有特定功能的电子器件。
4.封装测试：封装测试是将器件封装成实际可使用的电子产品。
首先，将器件倒装到封装盒中，并连接到封装基板上。
然后，通过线缆或焊接技术将封装基板连接到主板或其他电路板上。
接下来，进行电极焊接、塑料封装封装，形成具有特定外形尺寸和保护功能的半导体芯片。
最后，对封装好的半导体芯片进行功能性测试和质量检查，以确保其性能和可靠性。
总结起来，半导体的生产工艺流程包括晶圆制备、晶圆加工、器件制造和封装测试几个主要步骤。
这些步骤的有机组合使得我们能够生产出高性能、高效能的半导体器件，广泛应用于电子产品和信息技术领域。
半导体七大核心工艺步骤
半导体七大核心工艺步骤
半导体技术是现代电子行业的关键领域之一，它在各种电子设
备中发挥着重要作用，从智能手机到计算机，再到太阳能电池和医
疗设备。
半导体制造是一个复杂的过程，包括许多关键的工艺步骤，下面我们来看看半导体制造的七大核心工艺步骤。
1. 晶圆生长，半导体芯片的制造过程始于晶圆生长。
晶圆是由
硅或其他半导体材料制成的圆形片，它是制造芯片的基础。
晶圆生
长是一个复杂的过程，通过在高温下将半导体材料结晶成晶圆。
2. 晶圆切割，晶圆切割是将大型晶圆切割成小尺寸的芯片的过程。
这些芯片将成为最终的半导体器件。
3. 清洗和清理，在制造过程中，晶圆和芯片需要经过多次清洗
和清理，以去除表面的杂质和污染物，确保最终产品的质量。
4. 掺杂，在这一步骤中，半导体芯片的表面会被注入少量的杂质，以改变其电学性质。
这个过程被称为掺杂，它使得半导体材料
能够导电。
5. 氧化，氧化是将半导体材料暴露在氧气环境中，形成氧化层，以改变其电学性质。
这个过程在芯片制造过程中非常重要。
6. 沉积，沉积是将一层薄膜材料沉积在晶圆表面的过程，用于
制造电路中的绝缘层、金属线路等。
7. 图案形成，最后一个关键步骤是图案形成，通过光刻技术将
电路图案转移到芯片表面，形成最终的电路结构。
这些七大核心工艺步骤构成了半导体制造的基础，它们需要高
度的精确度和复杂的设备来完成。
随着技术的不断发展，半导体制
造工艺也在不断进化，以满足不断增长的市场需求。
半导体制造工艺基础精讲(原书第4版)
半导体制造工艺基础精讲(原书第4版)半导体制造工艺是现代电子产业中的核心环节，涉及到从原材料到最终产品的一系列复杂流程。
本文将对《半导体制造工艺基础精讲（原书第4版）》进行介绍，旨在为读者提供一篇生动、全面、有指导意义的文章。
《半导体制造工艺基础精讲（原书第4版）》是一本经典教材，由半导体制造工艺领域的权威人士合著而成。
这本书首次出版于1998年，之后经过多次修订和更新，已经成为半导体制造领域的标准教材。
它被广泛应用于科研机构、高等院校等教学和科研活动中，深受读者的欢迎。
本书的内容涵盖了半导体制造工艺的方方面面，旨在帮助读者全面理解和掌握半导体制造的基本原理和技术。
作者通过清晰的语言、生动的案例和详细的图表，将复杂的概念和过程阐述得浅显易懂。
读者只需具备基本的电子学和物理学知识，便可轻松理解本书的内容。
本书首先介绍了半导体制造工艺的基本原理和流程。
它详细介绍了半导体材料的特性、晶体生长、衬底制备等关键步骤，为读者提供了一个全面了解半导体制造的基础知识框架。
在此基础上，本书进一步介绍了半导体工艺的各个环节，包括清洗、掩膜制备、光刻、腐蚀、离子注入、扩散、氧化等。
每个环节都以实际案例为基础，通过详细的步骤和参数说明，帮助读者理解和掌握相应的工艺技术。
此外，本书还对半导体工艺中的一些常见问题和挑战进行了介绍。
例如，光刻技术中的分辨率限制、腐蚀过程中的选择性和均匀性控制、离子注入中的能量和剂量控制等。
这些问题在实际生产中经常遇到，对于提高产品质量和产能至关重要。
通过对这些问题的深入讨论，读者可以学习到解决问题的方法和技巧，为实际工作提供指导。
总的来说，这本《半导体制造工艺基础精讲（原书第4版）》是一本内容生动、全面、有指导意义的教材。
无论是初学者还是专业人士，都可以从中获取到对半导体制造工艺的深入理解和实践经验。
它不仅是一本理论教材，更是一本实用手册，帮助读者解决实际工作中的问题。
相信通过阅读和学习，读者将能够在半导体制造领域取得更大的突破和发展。
半导体制造工艺基础
半导体制造工艺基础半导体制造工艺是半导体领域中非常重要的一门技术，它涵盖了从单晶硅片的生长到器件加工的全过程。
在半导体制造的过程中，我们需要通过一系列的工艺来将简单的材料转化为高性能和高可靠性的芯片。
首先，在半导体制造的第一步中，我们需要生长单晶硅片。
单晶硅是半导体芯片的基础材料，其具有高度的纯净度和良好的晶体结构。
传统的方法是通过Czochralski方法，在熔融的硅中插入引线，缓慢地旋转晶体生长炉，使熔液中的硅原子以晶体的形式沉积在引线上。
这样便得到了大尺寸、高纯度的单晶硅。
接下来，我们需要将单晶硅片切割成适合制作芯片的大小。
边缘修饰是其中的一个重要步骤，因为芯片的边缘需要保持清晰和平整，以便后续工艺能够进行。
然后，我们需要对单晶硅片进行表面处理。
这主要包括去除表面氧化层和掺杂。
表面氧化层的去除可以通过化学机械抛光（CMP）或酸性清洗来实现。
而掺杂则是为了改变硅片的导电性能，常用的方法是离子注入或扩散。
接着，我们需要在硅片上沉积一层硅氧化物或者多层金属膜作为绝缘层或导线。
沉积的方法有热氧化、化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）等。
根据不同的用途，还可以进行选择性沉积和局部沉积。
最后，我们需要对硅片进行模式形成和刻蚀，即将芯片上的线路和器件图形化。
这个过程通常使用光刻技术，通过暴光和显影的方法来形成光刻胶图案并传递到硅片上。
然后，通过湿法或干法腐蚀的方法，将不需要的材料去除，得到最终的芯片结构。
当然，这只是半导体制造工艺的基础步骤，实际的制造过程还涉及到很多其他的细节和技术，如清洗、检测和封装等。
而且，随着技术的不断发展和进步，半导体制造工艺也在不断地演化与改善，以满足新一代芯片的需求。
在半导体制造工艺的进一步发展中，有一些关键的技术和工艺流程逐渐成为了行业的标准。
以下是一些主要的工艺步骤和相关技术的介绍：1. 晶片清洗：在制造过程的各个阶段，晶片会与空气和设备表面接触，因此会附着一些杂质和污染物。
半导体制造工艺基础
半导体制造工艺基础半导体制造工艺基础是指通过多种特定工艺来将半导体原料（如硅、锗等）加工成有用的半导体元件及系统的一系列工序。
它主要包括显微工艺、刻蚀工艺、沉积工艺、蝕刻工艺、掩膜工艺、热处理等等。
这些工艺在半导体制造中都起着重要作用，是半导体制造技术实现的基础。
一、显微工艺显微工艺是一种常用的半导体制造工艺，它使用一个高度准确的扫描电子显微镜（SEM）来检测半导体元件尺寸和形状，并通过多种方法来精确控制它们。
该工艺可以检测半导体器件的尺寸（例如线宽和线高）和表面的粗糙度，从而可以避免半导体器件的缺陷，保证其可靠性。
二、刻蚀工艺刻蚀工艺是半导体制造中最常用的工艺之一，也是半导体器件制造的核心工艺，它通过刻蚀技术将半导体原料（如硅、锗等）加工成有用的半导体元件及系统。
刻蚀工艺的关键步骤是通过特殊的腐蚀剂（如H2SO4、HNO3等）和特殊的刻蚀装置（如电子束刻蚀机）来刻蚀半导体表面上的特定结构，从而实现半导体元件的制造。
三、沉积工艺沉积工艺是半导体制造中的一种重要工艺，它主要用于在半导体器件表面上沉积一层稀薄的金属或其它材料，以实现对半导体器件的保护、封装和连接。
沉积工艺中，常用的技术有气体沉积（CVD）、电子束沉积（EB-PVD）、化学气相沉积（ALD）等等。
四、蝕刻工艺蝕刻工艺是半导体制造中常用的一种工艺，它主要用于将半导体器件的表面剥离出一层稀薄的金属或其它材料，以实现对半导体器件的连接和装配。
该工艺的关键步骤是通过使用特殊的腐蚀剂（如HCl、H2SO4等）来蝕刻半导体表面上的特定结构，从而实现半导体元件的制造。
五、掩膜工艺掩膜工艺是半导体制造中常用的一种工艺，它主要用于将半导体器件的表面覆盖一层稀薄的金属或其它材料，以实现对半导体器件的保护、封装和连接。
掩膜工艺的关键步骤是通过使用特殊的掩膜技术（如光刻技术）来覆盖半导体表面上的特定结构，从而实现半导体元件的制造。
六、热处理热处理是半导体制造中常用的一种工艺，它主要用于将半导体器件经过特定温度和时间的处理，以改变其物理和化学特性，从而提高半导体器件的性能和可靠性。
半导体器件的制造工艺和性能
半导体器件的制造工艺和性能半导体器件是现代电子技术的基础，它常常被用于计算机芯片、手机芯片、光电器件和集成电路等领域。
制造出高质量可靠的半导体器件对于提高电子产品的性能至关重要。
本文将介绍半导体器件的制造工艺和性能。
1. 半导体器件制造工艺1.1 晶圆制备晶圆是半导体器件的基板，它通常由硅材料制成。
晶圆的制作需要借助成熟的硅片技术。
硅片可以通过多种方法生长，例如气相生长法、液相生长法和熔融生长法。
晶圆的表面要经过抛光和清洗等过程，以去除表面污染物和缺陷。
1.2 晶圆上的工艺流程在晶圆上，半导体器件的制造通常需要多达几十甚至数百道工序，这些工序要依次进行。
其中，最关键的工艺有以下几种：1.2.1 硅片清洗在制造过程中，硅片表面会附着有大量的有机和无机物。
这些物质会引入杂质，导致器件性能下降。
因此，在制备晶圆之前，必须用油污清洗剂、碱洗液等去除污染物。
1.2.2 光刻工艺光刻是半导体器件制造过程中最基本和关键的工艺之一。
通过将硅片涂覆上感光胶并使用光刻胶模板，可以将芯片图形投影到感光胶上。
该方法需要高精度光刻机和光刻胶模板。
1.2.3 金属沉积金属沉积是指将金属材料沉积到器件表面。
对于半导体器件而言，铝是最常用的材料。
沉积过程需要使用物理气相沉积和化学气相沉积等方法。
1.2.4 氮化硅工艺氮化硅是一种高硬度、高耐腐蚀的材料，通常用于半导体器件的保护层、隔离层，以及用于改善电学性能和热学性能。
氮化硅沉积过程涉及到物理气相沉积、化学气相沉积和物理沉积等方法。
2. 半导体器件性能半导体器件的性能对于电子产品的功能和可靠性有着重要的影响。
以下是主要性能参数的介绍：2.1 导电性能导电性能是半导体器件最重要的性能参数之一。
为了提高导电性能，通常会通过提高掺杂浓度或缩小掺杂区域等方法加强材料的导电性能。
2.2 活性面积活性面积是指半导体器件中可用于导电的表面积。
通常，电流必须通过良好的活性面积流过才能保证器件的正常工作。
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产量高
能实现急冷急热
不容易受到硅片自重 便于控制加工环境
应力的影响
缺点
容易受到硅片自重应 力的影响
有大气混入 容易导致硅片面内热 分布不均
室温不明确 设备贵 加工能力低 热应力大
40
圆片所受的应力
划线
硅片
硅片自重产生应力 （立式炉）
硅片支撑
加热、冷却产生应力
却 冷 热 加
受到应力
自重集中于一点，产生应力， 高温时容易产生缺陷
49
ALD (原子层沉积)
薄膜、高介电膜的形成技术
原料气体 惰性气体 氧化气体 惰性气体
表面上吸附原料 气体
生 由惰性气体替换 成 不要的原料气体 单
层 原料原子的氧化 膜
由惰性气体替换 氧化气体
可以利用重叠的方式来控制原子层, 从而成膜
可以实现不同膜的重叠
50
扩散
扩散就是由于浓度梯度的驱动,形成的原子移动
产生水分,加大氧化速度
Na ： 导致MOS结构的特性不稳定 （不好影响）
以此形式向Si-SiO2界面移动
利用催化作用加快氧化反应
33
可动离子的影响(MOS结构特性的不稳定性)
等同于加在MOS结构上
氧化膜
存在于氧化膜里的电荷 设存在于氧化膜中的电荷为Qion,那么
就算氧化膜中的总电荷不 变,仅仅是分布变化,离子 也会发生变化
洗净 CMP
刻蚀 干刻 湿刻 去胶机
离子注入
掩膜版20张
光刻
涂胶 显影 溅射 SEM
光刻胶
5
6
《半导体制造》
第二章
扩散 注入
Semiconductor Manufacturing Basic
扩散 注入
半导体是什么？
电阻
良导体(金属） 柔软、不透明、重
半导体 拥有与导体不同的 奇妙特性 绝缘体 硬、脆、透明、轻
NH4OH的浓度淡化 (0.15:1:5)
从前的RCA清洗 SPM→(HF)→APM→HPM→HF
由于把HF放到最后,会产生重金属二次污染、尘埃、水渍等问题， 因此人们更倾向于不把HF放到最后。
关于新式组合清洗的效果及其产出效率，人们还在研究当中。
45
介质膜的可靠性评价
固定电压DDB
通过改变测试电压和 测试温度，来调查电 加速和温度加速，从 而预测实际使用寿命
栅绝缘膜
26
氧化
物质在氧气(或含氧气体)和热的 环境下形成氧化物的过程
Deal－Grove模型
扩散
D: 扩散系数 k：反应速度常数 Ci：氧化膜－硅界面的氧化剂浓度 Xo：氧化膜厚
氧化膜单位体积含有 的氧化剂分子数 Xo2＋AXo＝B(t＋τ) （Linear-Parabolic方程式）
27
28
Linear-Parabolic方程式计算结果与实验结果的比较
初期破坏区域
真性破坏 (磨耗区域)
46
介质膜厚度(nm)
介质膜膜厚趋势图
近年介质膜的趋势
栅介质膜
电容介质膜 沟道氧化膜
设计规则(μm)
ε
C= --- S d
C:电容 ε:介电常数 d:膜厚 S:面积
要在小面积上得到大电容面积 → 减小d,或者加大ε
为了有效控制漏电,需要加厚d → 使用介电常数大的材料
等同于加在MOS结构上 电容 偏移量为Vion
加到氧化膜上的电导致电 荷分布发生变化的话,电 压-电容特性会沿着电压 轴变化,这是MOSFET特性 不稳定的原因
电压
34
BT处理
在电场中移动的离子叫可动离子,Na、K等碱性离子就属于这一类 BT（Bias-Temperature）处理 人们将可动离子用做检测手段
第一章
半导体器件制造
Semiconductor Manufacturing Basic
半导体器件制造
流程图 (1) 流程图 (2) 圆片工艺 (1) 圆片工艺 (2)
1
半导体器件制造
半导体器件的制造
设计 制版 圆片工艺 封装与测试 出货
2
流程图 (1)
分离
多层布线
井
栅
源漏
圆片工艺 (1)
洗净
分离氧化膜 形成图形 光刻胶
氧化 栅氧化膜
刻蚀
多晶硅膜形成 多晶硅膜
剥离
流程图 (2)
CMOS逻辑器件流程图例
前工序 后工序
分离 n型井 p型井 栅 n型源漏（1） p型源漏（1） n型源漏（2） p型源漏（2）
接触孔 布线1 通孔1 布线2 通孔2 布线3 钝化
3
4
圆片工艺 (2)
成膜 氧化，扩散 减压CVD 溅射 等离子CVD
A:电极面积 F:不良率
44
入炉前酸洗
药液 H2SO4/H2O2(SPM) HF/H2O
NH4OH/H2O2/H2O(APM)
HCl/H2O2/H2O(HPM)
混合比 清洗对象
4:1
有机物
1:100 自然氧化膜, 金属杂质
1:1:5 尘埃,有机物
1:1:6 金属杂质
最新研究
离子清洗(O3-H2O)
添加离子 添加界面活性物
半导体工艺基础
Semiconductor Manufacturing Basic
1958年，世界第一块集成电路在TI诞生。而今的集成电路的强大功能已今非昔 比, 45nm、32nm制造工艺的复杂性已让很多公司望而却步。
今天，《半导体制造》杂志与您一起温习半导体制造的基础知识，为中国半导 体技术的进步而添砖加瓦。
扩散 注入
干氧和湿氧
干氧: 干燥氧气中的氧化 生成薄氧化膜时利用
湿氧: 水蒸汽中的氧化
利用氢和氧反应生成 的水蒸汽来达到氧化 目的
干燥氧气中氧化速度 快,生成厚膜时常用 此法
氧化厚度(um)
干氧和湿氧的氧化速度比较
氧化时间(hr)
31
LOCOS氧化和Trench分离
LOCOS的形成方法 硅氮化膜 Pad氧化膜
栅电极的 控制领域
漏电压的 影响范围
漏电压的影响强， 栅下是耗尽状态范围
栅电极不能 控制衬底电 压的情况
这种现象称 为短沟效应
给栅加压就会,空泛层扩大, 能形成反转
极小的栅电压就会形成电流
25
三维结构的晶体管
俯视图 漏耗尽层
栅
源/漏
源/漏
通道深度
从两侧控 制栅电极
栅长
高度决定了通道深度，高度越高,电 流越大同时,不增加晶体管的面积
无规则运动
无规则运动
真性半导体：完全不含 外因性半导体：含Ⅲ族或 杂质原子的半导体 Ⅴ族杂质元素的半导体
低温 原子的振动
电子无规则运动
结果,载流子的移动度 变小,电阻上升
共价电子逸出晶体的同时产生 了电子－空穴对，既载流子。
本征半导体的电子密度n等于空 穴密度p
n=p=ni (ni:本征载流子密度)
43
介质膜的可靠性评价 (TZDB)
mode(<1MV/cm): 表面尘埃等导致的针孔缺陷 mode(1～8MV/cm): 依赖于基板的结晶性 mode(>8MV/cm): 真性破坏（良品）
热氧化介质膜的破坏耐压直方图典型举例 [山部纪久夫：第22届半导体专业讲习会草稿集(1984)]
氧化膜缺陷密度(ρ )
7
半导体的主要特性
半导体
电 阻
金属
低
(a) 电阻的温度相关性
光
半导体
电 阻
金属
杂质浓度
(b) 电阻的杂质浓度相关性 电流
(c) 受光后电阻减小 (光电效应)
起电
(d) 接触磁体就会产生电压 (霍尔效应)
8
载流子与空穴
载流子是晶体中荷载电流(或传导电流)的粒子。 带负电荷的电子（电子） 带正电荷的空穴
氧化膜的形成方法
氧化法
高温氧化
Linear-Parabolic方程式计算结果 与实验结果的比较
薄氧化膜的情形 厚氧化膜的情形
低温氧化 高压氧化 低压氧化 阳极氧化
29
《半导体制造》
干氧
湿氧
分压氧化
等离子氧化 高压水蒸气
干氧气氧化 HCl氧化 蒸汽氧化 高热氧化
Radical氧化
30
Semiconductor Manufacturing Basic
当前部分介质膜的介电常数
介电常数
硅氧化膜
4
硅氮化膜
7
氧化钽
25
硅氧化铪
25
47
48
《半导体制造》
Semiconductor Manufacturing Basic
扩散 注入
新型介质膜的生成技术
放电电极 等离子氧化
低压氧化
等离子放电 圆片
表面原子团反应 圆片
优点 ● 形状依赖性变小
(平内、STI角、硅多晶、溅射台下部电极等处都实现均匀氧化) ● 实现SiN的氧化(形成氮氧化膜) ● 介质膜特性得到改善(界面顺序,介质破坏寿命)
11
《半导体制造》
掺杂P，就多出 一个电子，即 传导电子，此 时的P称为施主 杂质。
掺杂B，就缺少 一个电子，可 以等同于产生 一个空穴，此 时的B称为受主 杂质。
12
Semiconductor Manufacturing Basic
扩散 注入
载流子的产生
跳跃
可移动的领域 矮墙
高墙
阶梯
自己的房间
电压超过一定值， 才有电流产生
n+p 二极管电流电压特性
19
MOS晶体管的工作
扩散 注入