固体材料表面与界面电子过程

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表面与界面-电子教案

表面与界面-电子教案

第四章表面与界面1.表面与界面的意义表面的质点由于受力不均衡而处于较高的能阶。

这就使物体表面呈现一系列特殊的性质。

高分散度物系比低分散度物系能量高得多,必然使物系由于分散度的变化而使两者在物理性能(如熔点、沸点、蒸气压、溶解度、吸附、润湿和烧结等)和化学性质(化学活性、催化、固相反应)方面有很大的差别。

随着材料科学的发展,固体表面的结构和性能日益受到科学界的重视。

随着近年来表面微区分析、超高真空技术以及低能电子衍射等研究手段的发展,使固体表面的组态、构型、能量和特性等方面的研究逐渐发展和深入,并逐渐形成一门独立学科——表面化学和表面物理。

表面与界面的结构、性质,在无机非金属固体材料领域中,起着非常重要的作用。

例如固相反应、烧结、晶体生长、玻璃的强化、陶瓷的显微结构、复合材料都与它密切相关。

2.固体的表面表面——一个相和它本身蒸汽(或真空)接触面~;界面——一个与另一个相(结构不同)接触的分界面~;固体表面力——固体表面质点排列的周期重复性中断质点的对称性破坏,表现出剩余的键力~。

2.1表面力场1.长程力:作用范围较范德华力大得多,两相分子间的分子引力,实质是范德华力。

2.范德华力:A-静电力(极性分子之间);B诱导力(极性与非极性分子);C色散力(非极性分子之间)2.2晶体表面结构2.2.1晶体表面的微观排列状态(维尔威结构学说)A.松弛过程:如图(图4-1)表面层负电子外侧不饱和,电子云将被拉向内侧正离子一方,极化变形,通过电子云极化变形来降低表面能过程~(瞬间完成改变表面层键性)B.重排过程:晶格必须稳定,作用力大,极化率小的正离子应处于稳定位置,正离子向内负离子排斥向外——重排。

C.离子键逐渐过渡为共价键,表面为一层负离子所屏蔽——表面双电层。

D.表面等负性:易吸附正离子E.双电层厚度由极化程度来决定,并影响表面能和硬度(极化变形大——表面能小——硬度小)2.2.2晶体表面的几何结构2.2.2.1洁净晶体的表面结构图4-2是一个具有面心立方结构的晶体的表面结构,详细描述了(100)、(110)、(111)三个低指数面上原子的分布。

《无机非金属材料科学基础》第6章 固体的表面与界面行为

《无机非金属材料科学基础》第6章 固体的表面与界面行为
平衡时,此膨胀功必然等于新增加的表面能8πrγdr, 即
由此我们可以得到一个重要的结论:肥皂池的半径越 小,泡膜两侧的压差越大。
上式是针对球形表面而言的压差计算式,对于 一般的曲面,即当表面并非球形时,压差的计算式 有所不同。一般地讲,描述一个曲面需要两个曲率 半径之值;对于球形,这两个曲率半径恰好相等。一 般曲面两个曲率的半径分别为R1和R2。我们可以得 到一般曲面的压差计算式:
1. 共价键晶体表面能
2. 离子晶体表面能
每一个晶体的自由焓都是由两部分组成,体积 自由焓和一个附加的过剩界面自由焓。为了计算 固体的表面自由焓,我们取真空中0K下一个晶体 的表面模型,并计算晶体中一个原子(离子)移到晶 体表面时自由焓的变化。在0K时,这个变化等于 一个原子在这两种状态下的内能之差。
目录
• 第一节 • 第二节 • 第三节 • 第四节 • 第五节
表面与界面物理化学基本知识 固体的表面(固-气) 固-液界面 浆体胶体化学原理 固-固界面
6.1 表面与界面物理化学基本知识
固体的界面可一般可分为表面、界面和相界面: 1)表面:表面是指固体与真空的界面。 2)界面:相邻两个结晶空间的交界面称为“界面”。 3)相界面:相邻相之间的交界面称为相界面。相界面有
界面间的吻合和结合强度。
表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生。微 裂纹同样会强烈地影响表面性质,对于脆性材料的强度 这种影响尤为重要。
脆性材料的理论强度约为实际强度的几百倍,正是 因为存在于固体表面的微裂纹起着应力倍增器的作用, 使位于裂缝尖端的实际应力远远大于所施加的应力。
葛里菲斯(Griffith)建立了著名的玻璃断裂理论, 并导出了材料实际断裂强度与微裂纹长度的关系
R 2E C

《表面与界面》PPT课件

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〔3〕重构外表 重构是指外表原子层在水平方向上的周期性不
同于体内,但垂直方向的层间距那么与体内一样。
as
a
d0 d0
图4-8 重构外表示意图
3、吸附外表 吸附外表有时也称界面。它是在清洁外表
上有来自体内扩散到外表的杂质和来自外表周 围空间吸附在外表上的质点所构成的外表。
根据原子在基底上的吸附位置,一般可分 为四种吸附情况,即顶吸附、桥吸附、填充吸 附和中心吸附等。
表面能减少
图4—10 离子晶体外表的电子云变形 和离子重排
〔2〕 从晶格点阵稳 定性考虑作用力较大, 极化率小的正离子应 处于稳定的晶格位置 而易极化的负离子受 诱导极化偶极子排斥 而推向外侧,从而形 成外表双电层。重排 结果使晶体外表能量
0.286nm
0.02nm
在NaCl晶体中,阳离子从〔100〕 面缩进去, 在外表层中形成一个 0.02nm厚度的双电层
化学性质:化学活性、催化、固相反响 等 〔反响能力增强、存在固体的外表 二、固体外表的特征 三、固体外表构造 四、固体的外表能 定义: 外表:一个相和它本身蒸汽或真空接触的分界面。 界面:一相与另一相(构造不同)接触的分界面。
液—气界面
固—气界面
液—液界面
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概述:
晶体和玻璃体:假定任一个原 子或离子都处在三维无限连续的 空间中,周围对它作用完全一样。
(5) 固体外表无论怎么光滑,从原子尺寸衡量,

第7章 固体表面与界面

第7章 固体表面与界面
W=-ΔG=(LV +SV)-SL 粘附功愈大则表示固-液界面结合愈牢,也即附着润湿愈强。 (一般γSV、γLV均是固定的,可改变γSL) γSL↓(选择固液组成接近)→W↑→坯、釉完全粘附、适应、结 15 合牢固。
2、铺展润湿
SV= SL+LV cos)
LVcos= SV-SL=F cos=(SV- SL)/LV
面能大小来估计。对于离子晶体,表面主要取决于晶格能和极化
作用(表面能与晶格能成正比)。主要形成化学吸附。
2
2、分子引力(范德华力)
一般是指固体表面与被吸附质点(如气体分子)之间相互作用
力。它是固体表面产生物理吸附和气体凝聚的原因。分子间引力 主要来源于三种不同效应。
1) 定向力:相邻两个极化电矩因极性不同而相互作用的力。主
c.凸面上的饱和蒸气压>平面>凹面(P凸>Po> P凹)。
12
讨 论:
1 Ln (球面), P0 RT r
P
2M
Ln
P P0

M
RT

1 r1

1 r2
)( 非球面)
r↓→凸面上蒸气压升高P凸↑; r↓→凹面上蒸气压下降P凹↓
这种蒸气压差,在高温下足以引起微细粉体表面质点由凸面
SL很大,不润湿。
16
3、浸渍润湿(液体表面没有变化)
浸渍润湿指固体浸入液体中的过程。 例:生 坯的浸釉。把固体浸在液体之中,固-气界面 为固-液界面所代替,γSV→γSL: ΔG=γSL-γSV 当γSV >γSL,润湿自发进行。

液体
三种润湿共同点:液体将气体从固体表 面挤开,由固-液界面→固-气(或液气) 界面,铺展是润湿的最高标准,能铺展 则必能附着和浸渍。

41表面与界面

41表面与界面
度的阶梯构成,使真实面积比理论面积大。 (3) 周围环境条件影响:固体和液体的表面能与温度、气
压、第二相的性质等条件有关。如温度上升,表面能下降。
1、离子晶体的表面结构
在固体表面力的作用下,离子晶体表面 结构发生怎样的变化?受哪些因素影响?
NaCl 晶 体
图3-1 离子晶体表面的电子云变形和离子重排
说明:
1. 离子晶体MX在表面 力作用下,处于表面层 的负离子X在外侧不饱 和,负离子极化率大, 通过电子云拉向内侧正 离子一方的极化变形来 降低表面能。这一过程 称为松弛,它是瞬间完 成的,接着发生离子重 排。
Uis:第i个原子(离子)在晶体表面上和最邻近原子(离子) 的作用能;
nib:第i个原子(离子)在晶体内部时,最邻近原子(离子) 的数目(配位数);
nis:第i个原子(离子)在晶体内部时,最邻近原子(离子) 的数目(配位数);
0
LsU 0 N
(1
nis ) nib
r0 为0K时的表面能; LS 为1m2表面上的原子数; nis、nib分别表示第i个原子在晶体表面和晶体体内最 邻近的原子数;
色散力:位于凹谷深处的质点,其色散力最 大,凹谷面上和平面上次之,位于峰顶处则最小;
静电力:位于孤立峰顶处应最大,而凹谷深 处最小。
表面粗糙度:
(1) 使表面力场变得不均匀,其活性及其它表 面性质也随之发生变化。
(2) 直接影响固体表面积,内、外表面积比值 以及相关的属性。
(3) 与两种材料间的封接和结合界面间的啮合 和结合强度有关。
固体中表面力分为哪几类?
▲▲
表面力的分类:
(1) 化学力(长程力):本质上是静电力
(2) 范得华力(分子引力)

材料表面和界面的表征简介

材料表面和界面的表征简介

Raman效应产生于入射光旳电场与介质表面上振动旳感生 偶极子旳相互作用,造成分子旳旋转或振动模式旳 跃 迁变化。
Raman光谱仪器
石墨旳Raman光谱图
Raman光谱旳特点
(1) Raman光谱研究分子构造时与红外光 谱互补
(2) Raman光谱研究旳构造必需要有构造 在转动或者振动过程中旳极化率变化
SPM扫描探针显微镜
AFM线性剖面图
AFM立体显示图
Average roughness Ra
特点 (1)针尖与样品之间旳排斥作用力;来反应
样品旳形貌 (2)辨别率可达: 0.1 nm (3) 能够在真空、大气、溶液条件下进行表面
分析,图象旳质量与针尖非常亲密有关 (4) 样品形貌起伏不能太大
三种观察原子旳措施比较
红外光谱研究旳构造必需要有有构造在转动 或者振动过程中偶极矩差别
(3)能够测定物质旳晶体构造和晶相判断, 但只能是研究光能到达旳表面区域
(4)样品能够是固态、液体或者气体
2.4 XPS光电子谱
1. 光电发射定律
原子由核和绕核运动旳电子所构成,电子具有拟定旳能量并在一定 轨道上运动(EB(i), )。当能量为hv旳光激发原子或者分子时,只要 hv >EB(i),,便可激发出i轨道上电子,并取得一定动能Ek,留下一种离子: M + hv = M+* + e-1
5. Bruggle 方程
2dhklsinhkl=n
A
hkl
m N
B
hkl
= n = mB+ BN = 2dhklsinhkl
2.3 拉曼光谱(Raman spectra)
• 光经过样品时产生散射
hv

第四章材料的表面与界面

第四章材料的表面与界面

6、表面力场 固体表面上的吸引作用,是固体的表 面力场和被吸引质点的力场相互作用所产 生的,这种相互作用力称为固体表面力。 依性质不同,表面力可分为: 1)化学力 2)分子引力
二、固体表面的特征 1. 固体表面的不均匀性,表现在: (1) 绝大多数晶体是各向异性,因而同一晶体可以有许多性能不 同的表面。
• 由于分散度的变化,可使细 粉石英表面能增加了106倍,
这些能量可以使650kg的水升
高1°C。 • 粉碎石英的机械能转化为表 面能贮存在石英粉内。
概述
• 高分散度物系比低分散度物系能量高得多,必然使物系由于 分散度的变化而使两者在物理性质(如熔点、沸点、蒸气压、 溶解度、吸附、润湿和烧结等)和化学性质(化学活性、催化、 固相反应)方面有很大的差别。 • 界面是晶体中的面缺陷,具有高的能量,在化学介质中不稳 定,产生晶界腐蚀,影响材料的化学性能。 • 界面也影响材料的物理性能,如材料组织中晶粒增大,界面 减少,提高导磁率,降低矫顽力,
理想表面结构示意图
2、清洁表面
清洁表面是指不存在任何吸附、催化反 应、杂质扩散等物理化学效应的表面。这
种清洁表面的化学组成与体内相同,但周
期结构可以不同于体内。根据表面原子的
排列,清洁表面又可分为台阶表面、弛豫
表面、重构表面等。
(1)台阶表面
台阶表面不是一个平面,它是由有规则的或 不规则的台阶的表面所组成
说明:
NaCl 晶 体
1. 离子晶体MX在表面 力作用下,处于表面层 的负离子X在外侧不饱 和,负离子极化率大,
通过电子云拉向内侧正
离子一方的极化变形来 降低表面能。这一过程
图3-1 离子晶体表面的电子云变形和离子重排
称为松弛,它是瞬间完

固体表面与界面行为

固体表面与界面行为
第2晶界构型车小节不讲
2、晶界构型 晶界形状也由表面张力相互关系决定 多晶体结构,多晶体晶界形状 (1)固-固-固相 晶界交汇处均为固相,此时
多晶体面中,每一个晶界相交角度均为120°所有晶体断面的有 规律六角形状,晶界以120°相等,能量D趋于最稳定系统的总 界面能最小,且晶应当是平直的。
(2)固-固-气相 (3)固-固-液相
由此式得,曲面附加压力引饱和蒸气压变化曲面半径越小引起 蒸汽变化与愈大。
6-6 润湿分相分布
1、润湿 表面与界面之间形成液-固-气,固-固-液,固-固-气三种体
系,其中转为重要的是液-固-气系统 润湿:液体与固体接触,使固体表面能下降的现象。 润滑角θ :液体表面张力γLV与固—液界面张力γSL之间夹角。 γSV,γSL,γLV,分别为液-固-气、固-液,固-气之界面张力
晶界应力与热彭胀系数Δ α 温度变化原底d成正比,如热膨胀为各向同性即Δα =0,τ =0。 如产生应力则晶粒越大,应力愈大强度越差,搞热冲击性也差。
6-6弯曲表面
1、弯曲表面附加压力 表面张力的存在造成弯曲表面上产生附加压力
如右图一根毛细管向其中吹气在管端形成一半径为气泡压力 增大,气泡体积增大相应表面积增加,阻碍其体积增加的阻力 为由于扩大表面积所需总表面能为克服此表面张力环境做功为
γAγB :A、B两界面的表面能 γAB :AB之间的表面能
粘附功:剥开单位粘附面积所需作功,粘附功W大则VAB小,
两者结合粘附牢固 相似表面易于粘附,一般金属排登陆艇它们之间的吸附层且
具足够的塑性变形可出现率固粘附即为冷焊。
4、实际表面结构 硅酸盐表面由于吸附都带有硅酸基团,吸附水而成水膜。
6-5 晶界
T↑表面能V0↓介质不同,表面能数值不同
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电位差 电场力 漂移运动
漂移电流
漂移电流大小与电场强度成正比
14
3.1 PN结
1. pn 结定义:
把一块p型半导体和 一块n 型半导体结合 在一起,由于P 、N 区载流子浓度不等, N 区电子浓度向P区 扩散,P 区空穴向N 区扩散,结果在交界 面处积累电荷形成电 偶极层,将该结构称 为p-n 结
20
PN结加反向电压
U
流过PN结的电流称为
反向饱和电流 (即IS), PN结呈现为大电阻。
该状态称为 PN结反向
截止状态。
U
PN反向运用
21
3) p-n 结电容特性
一个p-n 结在低频电压下,能很好地起整流作用,但是当电 压频率增高时,其整流特性变坏 p-n 结电容包括势垒电容 和扩散电容两部分。
扩散运动:载流子受扩散力的作用所作的 运动称为扩散运动。
扩散电流:载流子扩散运动所形成的电流 称为扩散电流。
浓度差 扩散力 扩散运动
扩散电流
扩散电流大小与载流子浓度梯度成正比
13
载流子运动方式及其电流
? 漂移运动和漂移电流
漂移运动:载流子在电场力作用下所作的 运动称为漂移运动。 漂移电流:载流子漂移运动所形成的电流 称为漂移电流。
热激发
电子 空穴对
呈电中性
N型半导体中的多数载流子(多子)
为电子。空穴为少数载流子(少子)
10
杂质半导体
? P型半导体
结构图
11
杂质半导体
载流子
受主杂质原子电离 空穴 负离子对
热激发
空穴 电子对
呈电中性
P型半导体中的多数载流子(多子)
为空穴。电子为少数载流子(少子)
12
载流子运动方式及其电流
? 扩散运动及扩散电流
18
PN结基本特性
VD:势垒电压 VD = 0.6~0.8V 或
0.2~0.3V
VD阻止多子继 续扩散,同时有 利少子定向漂移
PN结平衡VDຫໍສະໝຸດ 192)单向导电性
PN结加正向电压 流过PN结的电流随外 加电压U的增加而迅 速上升, PN结呈现为 小电阻。 该状态称为 PN结正向 导通状态。
U U
U
PN正向应用
电子电势能-qV(x)
n ? p区不断升高
p区的能带? 上移,
n区能带? 下移,直至费米能 级处处相等时,p-n结达到平
衡状态。 16
2 PN结基本特性
1) 空间电荷
电离受主与
少量电子的
负电荷严格
平衡空穴电

电中性
空间电荷
电离施主与少 量空穴的正电 荷严格平衡电 子电荷
电中性
带负电荷的电离受主 带正电荷电离施主 负电荷区 正电荷区
的电容效应,称为 p-n 结的扩散电容。 p-n 结的势垒
电容和扩散电容都随外加电压而变化,是可变电容。
无数电子形成一个系统以后,电子运动特性(范围) → 能带
3
能带理论简介
4
在k空间中,电子能量En(k)函数关系
K空间:又称波矢空间,描述微观粒子运动状态的空 间,K空间中的一个点对应着一个确定的状态
K空间是以倒格子为基础的倒格空间
5
E~k, 能带结构(能量色散关系)
价带顶
导带底
导带
价带
Si立方晶系 晶体的能带结构(半导体,间接能隙)
17
空间电荷区的特点:
E
a)内建电场 在内建电场作用下,载流子作漂移运动。 电子和空穴的漂移运动方向与它们各自的扩散运动方 向相反。内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作 用。 b)在无外加电压的情况下,载流子的扩散和漂移最终 将达到动态平衡, c)电子的扩散电流和漂移电流的大小相等、方向相反 而互相抵消。 d )对于空穴,情况完全相似。 e)没有电流流过p-n 结。或者说流过p-n 结的净电流为零
第二章
固体材料表面与界面电子 过程
3.1 半导体与半导体界面特性 -PN结 3.2 金属与半导体的接触特性 3.3 表面势、表面态、表面电导 3.4 MIS 结构 3.5 PN结与功能器件 3.6 晶界势垒及其电荷区
电子的特点
?电子运动状态:能量、运动的范围 电子运动的特点:微质点、高速度运动
??
在外加正向偏压增加时,将有一部分电子和空穴“存入” 势垒区。反之,当正向偏压减小时,势垒区的电场增强, 势垒区宽度增加,空间电荷数量增多,这就是有一部分电 子和空穴从势垒区中“取出”。
p-n 结上外加电压的变化,引起了电子和空穴在势垒区的 “存入”和“取出”作用,导致势垒区的空间电荷数量随 外加电压而变化,这和一个电容器的充放电作用相似。这 种p-n 结的电容效应称为势垒电容
6
半导体的基础知识
半导体;N-type P-type半导体;导带;价带;禁带 本征半导体
杂质半导体 载流子运动方式及形成电流
7
1.1 本征半导体
? 纯净的、不含杂质 的半导体
8
杂质半导体
?杂质半导体分:N型半导体和P型半导体两类 ?N型半导体
结构图
9
杂质半导体
载流子
施主杂质原子电离 电子 正离子对
不可能确定某电子在某空间位置 →用
在空
间出现的概率 (电子云及密度 )
能量不连续 →能级
??
?决定电子运动状态是主要取决于对电子的作用势
(原子核、电子间 )
?具体电子运动状态是通过薛定鄂方程求出电子的波
函数及其对应的本征能量。
2
原子能级分裂成能级示意图
当原子与原子结合成固体时,原子之间存在相互 作用,电子存在共有作用;
23
扩散电容 正向偏压
电子从n 区
注入P区,
增加了P区
的电子积累, h+
h+
增加了浓度
梯度
e-
e-
空穴从P区注入n 区,增加了n区的 空穴积累,增加了 浓度梯度
积累的非平衡 空穴也增加,与 它保持电中性 的电子也相应 增加
非平衡电子 和与它保持 电中性的空 穴也要增加
由于扩散区的电荷数量随外加电压的变化所产生
带负电荷的电离受主 带正电荷电离施主
15
EFn和EFp分别表示n型和p型半导 体的费米能级
平衡p-n 结的能带图
能带图特点:
1) 电子从费米能级高的n 区流向费米能级低的p区,空 穴则从p区流向n区,因而EFn 下移,而EFp移,直至EFn=EFp 时为止。这时p-n结中有统一
的费米级能Ef
2)空间电荷区内电势V(x) V(x):n? p降低
部分电子和空穴 “存入”势垒区
电子和空穴中和
势垒区宽度变窄, 空间电荷数量减少
22
当p-n 结加正向偏压时,势垒区的电场随正向偏压的增 加而减弱势垒区宽度变窄,空间电荷数量减少,因为空 间电荷是由不能移动的杂质离子组成的,所以空间电荷 的减少是由于n 区的电子和p 区的空穴过来中和了势垒区 中一部分电离施主和电离受主;
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