TFT工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称2
tft生产加工工艺
光刻对位不准可能是由于光刻机故障、基板平整度差、对位标记不清等原因造成的。为解决这一问题，需要定期 检查和维护光刻机，确保基板平整度良好，同时清晰标定对位标记。
刻蚀过度或不足
总结词
刻蚀过度或不足会导致TFT器件结构破坏或不完全形成，影响性能和稳定性。
详细描述
刻蚀过度或不足可能是由于刻蚀设备故障、工艺参数设置不当、刻蚀材料选择不当等原因造成的。为 解决这一问题，需要定期检查和维护刻蚀设备，确保工艺参数设置正确，同时选用合适部分， 主要用于导电和电极材料的制备。
在制备金属膜材时，需要选择适当的 金属盐溶液或靶材，并通过物理或化 学气相沉积等方法在玻璃基板上形成 金属膜。
常用的金属膜材包括铝、铜、铬等， 它们具有高导电性和良好的机械性能。
有机膜材
有机膜材在TFT中主要用于制作 功能层和绝缘层，如聚酰亚胺 （PI）、聚对二甲苯（Parylene）
TFT的应用领域
1 2
液晶电视
TFT能够提供高清晰度和高对比度的图像，广泛 应用于液晶电视领域。
笔记本电脑、平板电脑和手机
由于TFT具有轻薄、高可靠性和高响应速度的特 点，这些设备都广泛采用TFT作为显示器件。
3
车载显示和工业控制
TFT具有高耐久性和稳定性，适用于车载显示和 工业控制领域。
02
TFT生产流程
涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜等步 骤，确保光刻效果和图形质量。
光刻方法
接触式光刻、接近式光刻和非接触式 光刻等，根据不同工艺要求选择合适 的光刻方式。
刻蚀
刻蚀目的
将基板表面未被光刻胶保护的薄 膜材料去除，形成电路和器件的
实际结构。
刻蚀方法
干法刻蚀和湿法刻蚀等，根据不 同工艺要求选择合适的刻蚀方法。
TFT常用中英文标准名称
Q/S上海天马微电子有限公司企业标准Q/S0001-2007 TFT工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称版号： 1.0 总页数： 23 制定部门：制造部生效日期： 2007年4月28日拟制：方永学 2007-4-3 审核：向传义 2007-4-3 标准化：吴乃亮 2007-4-25 会签：颜建军朱希玲 2007-4-20蔡明宏 2007-4-24 凌志华 2007-4-3 批准：安德浩 2007-4-24 2007-04发布 2007-04实施上海天马微电子有限公司发布工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称Q/S0001-2007 第2页共23页工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称Q/S0001-2007 第7页共23页工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称Q/S0001-2007 第11页共23页工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称Q/S0001-2007 第13页共23页工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称Q/S0001-2007 第19页共23页工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称。
英汉互译
定位角
3
Cutting depth
切割深度
17
Steering belt
转向传送带
4
Cutting Pressure
切割压力
18
Sampling
抽检
5
Cutting Accuracy
切割精度
19
Straight angle
measuring instrument
直角度
55
Weighing System
称重系统
24
Eddy Current Separator
涡流分选机
56
Dust Removal Equipment
除尘设备
25
Laser Particle Size Analyzer
激光粒度仪
57
Butterfly valve
蝶阀
26
Conveyor
带式输送机
58
air hammer
玻璃液面计
28
feeder tank
投料池
63
Cooling Fans
冷却风机
29
Work Department
工作部
64
Environmental fan
环境风机
30
throat
胸墙
65
Fuel
燃料
31
Bottom vent material mouth
池底泄料口
66
Cooling Water System
研磨轮
24
Glass thickness
玻璃厚度
11
rotate speed
tft CF常用中英文培训
预烘 光刻胶涂布
PR Vacuum Dry ITO层（氧化铟锡 （VCD） Indium-Tin Oxide） Exposure
光刻胶低压干燥 曝光
Gate 栅电极层
Title expose Develop
打标曝光 显影
S/D 源/漏电极
PR hard bake AOI
坚膜 显影后自动光学检测
Mic/Mac
Bill of Material
材料清单
SOP
Standard Operation Procedure 标准作业指导书
专业术语 6s CF
Seiri， Seiton，Seiso， Seiketsu，Shitsuke,Safety
Color filter
整理，整顿，清扫， 清洁，素质,安全
彩色滤光片
LCD
Liquid Crystal Display 液晶显示器
LCM
Liquid Crystal Module 液晶显示模组
类别 专业术语
英文缩写 NG SPEC TFT WIP
英文全称
中文全称
Not Good 不合格
Specification 规格
Thin Film Transistor
Work In Process
Outgoing Quality 出货品质控制 Control Research & Design 研发
阶段缩写 ES
Engineering Sample 大样验证阶段
MP
Mass Production 量产
WS
Working Sample 小样验证阶段
类别
英文缩写 英文全称
中文全称文ຫໍສະໝຸດ 名称 BOM宏微观检查ITO层（氧化铟锡） Inspection
精品TFT工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称2
Pre bake
预烘
PR Coating
光刻胶涂布
PR vacuum dry
光刻胶低压干燥
PR soft bake
前烘
Expose
曝光
Develop
显影
PR hard bake
坚膜
ADI
显影后自动光学检查
Micro/Macro Inspection
宏微观检查
ITO film etch
ITO膜湿刻
彩膜投料
CF Initial Clean
彩膜预备清洗
CF AOI
彩膜自动光学检查
CF Sort
彩膜分级
PI
配向膜
Cleanbefore PI
配向膜涂布前清洗
PI Print
配向膜涂布
Pre-cure
预固化
PI Inspection
配向膜检查
PI Thickness
Measurement
配向膜厚度测量
副单体
Port
端口
OIC(Operator Interface Client)
操作者界面
EDB
工程数据库
FGMS
成品管理系统
Dispatcher
派货
Create
建立
Start
下线
Scrap
报废
Un scrap
取消保废
Complete
完成
Ship
出货
Un ship
取消出货
Receive
收料
Track In
Mic/Mac Inspection
宏微观检查
Active film Dry etch & Ashing
tft 制程工艺
tft 制程工艺标题：理解与探索：TFT制程工艺详解一、引言TFT（Thin Film Transistor）即薄膜晶体管，是液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）显示技术中的关键组件。
TFT制程工艺是制造这些显示器的核心技术，涉及到多个复杂的步骤和精密的工艺流程。
本文将深入探讨TFT制程工艺，帮助读者理解这一高科技领域的奥秘。
二、TFT的基本结构TFT主要由栅极绝缘层、活性层和源/漏极组成。
栅极绝缘层通常由二氧化硅构成，活性层主要使用硅或新型材料如氧化物半导体，源/漏极则由金属材料制成。
这些层通过精细的制程工艺沉积在玻璃基板上，形成一个个微小的晶体管。
三、TFT制程工艺流程1. 基板清洗：首先，玻璃基板需要经过严格的清洗，以去除任何可能影响后续步骤的杂质。
2. 靶材沉积：然后，通过物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）等方法，在基板上沉积各种材料，形成所需的薄膜层。
3. 光刻：接着，利用光刻技术，将设计好的电路图案转移到薄膜层上。
这个过程需要精确控制，以确保每个晶体管的位置和尺寸准确无误。
4. 蚀刻：光刻后，通过蚀刻工艺，将不需要的部分薄膜去除，留下预定的电路图案。
5. 金属化：在源/漏极位置沉积金属，形成导电路径。
6. 终止和测试：最后，进行封装和测试，确保每个TFT的功能正常。
四、TFT制程工艺的挑战与发展趋势TFT制程工艺面临着精度要求高、环境污染控制严格、成本控制等挑战。
随着科技的进步，新的材料和工艺，如低温多晶硅（LTPS）和铟镓锌氧化物（IGZO）等，正在推动TFT技术向更高分辨率、更低功耗、更小尺寸的方向发展。
五、结论TFT制程工艺是现代显示技术的基础，其复杂性和精确度体现了人类科技的精妙之处。
随着科技的不断进步，我们期待看到更多创新的TFT工艺和技术，为我们的生活带来更优质的显示体验。
TFT行业术语最全分析
中文说明 标准 （指作业标准或品质指标）
Yield
良品率
Quality
品质，质量
CIM (Computer Integration Manufacturing) 电脑整合制造系统（指以电脑系统整合制造流程）
FA (Factory Automation)
工厂自动化
Entry
入口
Exit
出口
Precaution
Glove
英文专有名词
Hairnet
Hood
Mask
Clean shoes (dust-free shoes，boots)
Vacuum cleaner
Dryer
Clean Wiper
手套 网帽 头罩 口罩 无尘鞋 真空吸尘器 烘干机 无尘布
中文说明
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Contents
1 2
3 44 5 6 7 8
风扇过滤单元
中文说明
主机
输入/输出
作业区和作业区之间
作业区之内
红外线
【电脑】检索，截取(资料)
AGV的传送手臂
重新设定，重启
传输
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Contents
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日常用语 一般专有名词 洁净间 工厂自动化
生产作业系统及工艺
产品评价用语 QA用语 不良用语
Page 19
生产作业系统及工艺专有名词
以一定的目的捆绑为一个单位的状态制造工艺上考虑作业时间及库存等情况后决定最佳的
Lot
Lot Size，并使用
Recipe
程式，制程参数
Stock out
将Cassette 取出
Page 20
TFT工艺设备
TFT工艺设备TFT（薄膜晶体管）工艺设备是用于制造薄膜晶体管的关键设备。
薄膜晶体管广泛应用于平面显示器（LCD）、有机发光二极管（OLED）等领域，其制造过程涉及到多个工序，需要高精度和高装配的设备来完成。
1. TFT 工艺TFT工艺是一种用于制造显示器的工艺流程。
它主要包括以下几个主要步骤：1.1 清洗和准备在制造TFT之前，首先需要清洗和准备基板，通常使用的基板是玻璃或聚酯膜。
清洗的目的是去除杂质和污垢，以确保后续处理步骤的质量。
1.2 涂布和暴光在准备好的基板上，涂布光刻胶，涂布机的作用是将均匀的光刻胶层涂布在基板上。
涂布完成后，基板经过暴光机的曝光过程，将图案暴露在光刻胶上。
1.3 蚀刻和清洗曝光后，利用蚀刻机将未暴露的光刻胶蚀刻掉。
经过蚀刻后，再次进行清洗步骤，以去除蚀刻液和光刻胶残留物。
1.4 沉积和刻蚀在蚀刻后，需要进行沉积和刻蚀步骤。
沉积用于形成薄膜晶体管的关键结构，刻蚀用于去除多余的材料。
1.5 导线和连接在完成薄膜晶体管的形成后，需要进行导线和连接的制造。
这些导线和连接器将不同部分的薄膜晶体管连接起来，以形成完整的电路。
1.6 封装和测试最后一步是封装和测试。
封装将薄膜晶体管放置在适当的基板上，并进行密封。
测试是确保薄膜晶体管的正确性和可靠性。
2. TFT 工艺设备为了实现TFT工艺的各个步骤，需要使用特定的工艺设备。
以下是几个常见的TFT工艺设备：2.1 涂布机涂布机用于将光刻胶均匀地涂布在基板上。
涂布机使用旋转式涂布头和端子来实现均匀的涂布。
涂布机具有高精度和稳定性，可确保涂布的质量。
2.2 暴光机暴光机用于将图案暴露在光刻胶上。
它使用特定的光源和投影系统，将图案投射到光刻胶上。
暴光机需要高精度的光刻系统，以确保图案的清晰和准确。
2.3 蚀刻机蚀刻机用于将未暴露的光刻胶去除。
它使用特定的蚀刻液和蚀刻过程来实现这一步骤。
蚀刻机需要高精度的控制系统，以确保蚀刻的准确性和一致性。
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DevelopLeabharlann 显影PR hard bake
坚膜
ADI
显影后自动光学检查
MIC/MAC Inspection
宏微观检查
CD after develop
显影后关键尺寸检查
Hard bake by oven
烘炉坚膜
S/D Mo Wet etch
源电极/漏电极湿刻
n+ a-Si Dry etch
n+高掺杂膜干刻
彩膜投料
CF Initial Clean
彩膜预备清洗
CF AOI
彩膜自动光学检查
CF Sort
彩膜分级
PI
配向膜
Cleanbefore PI
配向膜涂布前清洗
PI Print
配向膜涂布
Pre-cure
预固化
PI Inspection
配向膜检查
PI Thickness
Measurement
配向膜厚度测量
涂胶前清洗
Pre bake
预烘
PR Coating
光刻胶涂布
PR vacuum dry
光刻胶低压干燥
PR soft bake
前烘
Expose
曝光
Develop
显影
PR hard bake
坚膜
ADI
显影后自动光学检查
Micro/Macro Inspection
宏微观检查
ITO film etch
ITO膜湿刻
栅电极成膜
RS meter
电阻测量
Macro Inspection
宏观检查
Clean before PR
涂胶前清洗
Pre bake
预烘
PR Coating
光刻胶涂布
PR vacuum dry(VCD)
光刻胶低压干燥
PR soft bake
前烘
Expose
曝光
Titler Expose/Edge Expose
成膜前清洗
S/D Mo film depo
源/漏电极成膜
RS meter
电阻测量
MACRO Inspection
宏观检查
Clean before PR
涂胶前清洗
Pre bake
预烘
PR Coating
光刻胶涂布
PR vacuum dry
光刻胶低压干燥
PR soft bake
前烘
Expose
曝光
Edge expose
宏观检查
ThicknessMeasurement
厚度测量
Clean before PR
涂胶前清洗
Pre bake
预烘
PR Coating
光刻胶涂布
PR vacuum dry
光刻胶低压干燥
PR soft bake
前烘
Expose
曝光
Develop
显影
PR hard bake
坚膜
ADI
显影后自动光学检查
Main-cure
固化
PI rework
配向膜返工
ODF
CF&TFT Matching
CF&TFT匹配
Rubbing
配向摩擦
Rubbing Inspection
摩擦检查
Loader & Un loader
上料机/下料机
Buffer
缓冲器
CST Buffer
工装栏缓冲器
Rotation/Cooling Unit
一．TFT工艺流程中英文标准名称
Array Process Flow
阵列段工艺流程
Input
投料
Unpacking
拆包装
Initial clean
预备清洗
Particle count
尘埃粒子测试
Gate
栅电极层
Clean before depo
成膜前清洗
Gate （Mo/Al alloy ) Film depo
PR strip
光刻胶剥离
AEI
刻蚀后自动光学检查
Micro/Macro Inspection
宏微观检查
ITO
ITO层
Clean before PR
成膜前清洗
a-ITO film depo
ITO成膜
RS meter
电阻测试
Anneal
煺火
Macro Inspection
宏观检查
Clean before PR
PR strip
光刻胶剥离
AEI
刻蚀后自动光学检查
Micro/Macro Inspection
宏微观检查
Final E/T
最终电测
Anneal
煺火
Array test
阵列测试
Array repair
阵列修补
TEG test
TEG测试
Sort
分级
Cell Process flow
制盒段工艺流程
CF Input
打标/边缘曝光
Develop
显影
PR hard bake
坚膜
ADI
显影后自动光学检查
Mic/Mac Inspection
宏微观检查
CD after develop
显影后关键尺寸检查
Total pitch
长寸测量
Gate Wet etch
栅电极湿刻
Contact angle
接触角测量
PR strip
光刻胶剥离
光刻胶涂布
PR vacuum dry
光刻胶低压干燥
PR soft bake
前烘
Expose
曝光
Edge expose
边缘曝光
Develop
显影
PR hard bake
坚膜
ADI
显影后自动光学检查
Micro/Macro Inspection
宏微观检查
SinXDry etch & ASHING
氮化硅干刻与灰化
Passivation
保护层
Clean before depo
成膜前清洗
Pass'n film depo
保护膜成膜
AOI
自动光学检查
MACRO Inspection
宏观检查
Thickness Measurement
厚度测量
Clean before PR
涂胶前清洗
Pre bake
预烘
PR Coating
Mic/Mac Inspection
宏微观检查
Active film Dry etch & Ashing
Active膜干刻与灰化
Thickness Measurement
厚度测量
PR strip
光刻胶剥离
AEI
刻蚀后自动光学检查
Mic/Macro Inspection
宏微观检查
S/D
源/漏电极层
Clean before depo
CD after etch
刻蚀后关键尺寸测量
AEI
刻蚀后自动光学检查
Micro/Macro Inspection
宏微观检查
Laser Repair
激光修补
Active层
Clean before depo
成膜前清洗
Active film depo
Active成膜
AOI
自动光学检查
Macro Inspection
旋转/冷却单元
Turn Align Unit
旋转/对位单元
Turn Over Unit
PR strip
光刻胶剥离
Thickness Measurement
厚度测量
CD after etch
刻蚀后关键尺寸测量
AEI
刻蚀后自动光学检查
Micro/Macro Inspection
宏微观检查
Clean before O/S test
短路/开路测试前清洗
Open/Short Test
短路/开路测试