电子电路基础习题册参考答案-第一章
《电子电路基础》综合练习题及解答
《电子电路基础》综合练习题及解答北京邮电大学高等函授教育通信技术、计算机技术专业专科（二年级）第一部分习题一.判断题（用√表示正确；用某表示不正确，并改正）（）1、通过半导体中的电流为电子电流与空穴电流之和。
（）2、在本征半导体中掺入少量的磷元素，可以形成N型半导体，它的多子是自由电子。
（）3、PN结内电场方向由P区指向N区，P区的电位要高于N区的电位。
（）4、PN结指的是P型半导体与N型半导体两者交界面处的势垒区。
在无外加电压作用下，其扩散电流和漂移电流两者方向相反、大小相等。
（）5、PN结正向偏置时其结电容以扩散电容为主；反向偏置时以势垒电容为主，它随反向偏压的增大其值减小。
（）6、半导体二极管具有单向导电特性，它的反向电流越小，表明管子的单向导电性越好。
（）7、耗尽型场效应管与增强型场效应管的主要区别，从导电特性来看，当VGS＝0时，ID≠0为增强型管，ID＝0为耗尽型管。
（）8、场效应管与晶体三极管一样，它们都是电流控制的电子器件。
（）9、场效应管与晶体三极管一样，它们只有一种载流子参与导电。
（）10、所谓三极管的等效电路是对计算管子的外部交流电流、电压而言的，对管子内部来说是不等效的。
（）11、一个放大器对信号源影响要小，带负载能力要强，这就要求该放大器的输入电阻和输出电阻都要大才好。
（）12、多级放大器与单级放大器相比，通频带变宽。
（）13、串联负反馈可以减小输入电阻，而并联负反馈可以提高输入电阻。
（）14、负反馈对放大器性能改善的程度主要取决于反馈系数F，与基本放大器的开环增益无关。
（）15、电压负反馈能够稳定输出电压但升高了输出阻抗。
（）16、当输入信号存在失真时，可以采用负反馈来改善波形。
（）17、单级共射放大器幅频波特图中，高频特性的斜率为－10dB/十倍频程；相频波特图中，高频相移最大为－90°，在0.1fh和10fh之间，相位变化的斜率为－90°/十倍频程。
电子电工第一章习题答案
第一章 电路的基本概念1-1 图中五个元件代表电源或负载。
电压和电流的参考方向如图所示。
通过测量得知： I1= - 4A ，I2=6A ，I3=10A ，U1=140V ，U2= - 90V ，U3=60V ，U4= - 80V ，U5=30V ，试标出各电流的实际方向和各电压的实际极性，并指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？解：按参考方向的关联与否列功率公式并带入实际值P 1=U 1I 1=140×（－4）=－560（W ）<0 为电源；P 2=U 2I 2=（－90）×6=－540（W <0 为电源 P 3=U 3I 3=60×10=600（W ）>0 为负载；P 4=U 4I 1=（－80）×（—4）=320（W ）>0 为负载； P 5=U 5I 2=30×6=180（W ）>0 为负载。
P 1+P 2=P 3＋P 4＋P 5即：电源发出功率等于负载吸收功率，功率平衡1-2 一电器的额定功率P N =1W ，额定电压U N=100V ，今要接到200V 的直流电源上，问应选下列电阻中的哪一个与之串联，才能使该电器在额定电压下工作：①电阻值5k Ω，额定功率2W ；②电阻值10k Ω，额定功率0.5W ；③电阻值20k Ω，额定功率0.25W ；④电阻值10k Ω，额定功率2W 。
解：求出该电器在额定电压下的工作电流：I N =01.01001==N N U P （A ） 在此工作电流下200V 的直流电源提供的功率为：P=200×0.01=2（W ）。
该电器的额定功率为1W ，故在电路中必须串联一个功率为1W 的电阻才能使该电器在额定电压下工作。
该电阻的阻值为：R=Ω=-=-=K I U U I U N N R R 1001.0100200，且额定功率要大于1W 根据上述条件只有④电阻值10k Ω，额定功率2W 。
《电子电路基础》习题解答第1章
第一章习题解答题1.1 电路如题图1.1所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出ＡＯ两端的电压ＵＡＯ。
设二极管是理想的。
解：分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。
正偏时硅管的导通压降为0.6～0.8V 。
锗管的导通压降为0.2～0.3V 。
理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。
分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”，即：先假设二极管所在支路断开，然后计算二极管的阳极（P 端）与阴极（N 端）的电位差。
若该电位差大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管处于反偏而截止。
如果电路中存在两个以上的二极管，由于每个二极管的开路时的电位差不等，以正向电压较大者优先导通，其二端电压为二极管导通压降，然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。
一般情况下，对于电路中有多个二极管的工作状态判断为：对于阴极（N 端）连在一起的电路，只有阳极（P 端）电位最高的处于导通状态；对于阳极（P 端）连在一起的二极管，只有阴极（N 端）电位最低的可能导通。
图（a ）中，当假设二极管的VD 开路时，其阳极（P 端）电位P U 为-6V ，阴极（N 端）电位N U 为-12V 。
VD 处于正偏而导通，实际压降为二极管的导通压降。
理想情况为零，相当于短路。
所以V U AO 6-=；图（b ）中，断开VD 时，阳极电位V U P 15-=，阴极的电位V U N 12-=， ∵ N PUU < ∴ VD 处于反偏而截止∴ VU AO 12-=； 图（c ），断开VD1,VD2时∵ V U P 01= V U N 121-= 11N P U U > V U P 152-= V U N 122-= 22N P U U<∴ VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止V U AO 0=；或，∵ VD1，VD2的阴极连在一起∴ 阳极电位高的VD1就先导通，则A 点的电位V U AO 0=，而 A N P U UV U =<-=2215∴ VD2处于反偏而截止 图（d ），断开VD1、VD2，∵ V U P 121-= V U N 01= 11N P U U < V U P 122-= VU N 62-= 22N P U U <；∴ VD1、VD2均处于反偏而截止。
电路分析基础练习题及答案第一章精选全文
可编辑修改精选全文完整版电路分析基础练习题及答案第1章 习题一、填空题1-1.通常，把单位时间内通过导体横截面的电荷量定义为 。
1-2.习惯上把 运动方向规定为电流的方向。
1-3.单位正电荷从a 点移动到b 点能量的得失量定义为这两点间的 。
1-4.电压和电流的参考方向一致，称为 方向。
1-5.电压和电流的参考方向相反，称为 方向。
1-6.电压和电流的负值，表明参考方向与实际方向 。
1-7.若P>0（正值），说明该元件 功率，该元件为 。
1-8.若P<0（负值），说明该元件 功率，该元件为 。
1-9. 定律体现了线性电路元件上电压、电流的约束关系，与电路的连接方式无关；定律则是反映了电路的整体规律，其中 定律体现了电路中任意结点上汇集的所有 的约束关系， 定律体现了电路中任意回路上所有 的约束关系，具有普遍性。
1-10.基尔霍夫电流定律（KCL ）说明在集总参数电路中，在任一时刻，流出（或流出）任一节点或封闭面的各支路电流的 。
1-11.基尔霍夫电压定律（KVL ）说明在集总参数电路中，在任一时刻，沿任一回路巡行一周，各元件的 代数和为零。
二、选择题1-1．当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时，该电流A 、一定为正值B 、一定为负值C 、不能肯定是正值或负值1-2．已知空间有a 、b 两点，电压U ab =10V ，a 点电位为V a =4V ，则b 点电位V b 为A 、6VB 、－6VC 、14V1-3．当电阻R 上的u 、i 参考方向为非关联时，欧姆定律的表达式应为A 、Ri u =B 、Ri u -=C 、 i R u =1-4．一电阻R 上u 、i 参考方向不一致，令u =－10V ，消耗功率为0.5W ，则电阻R 为A 、200ΩB 、－200ΩC 、±200Ω1-5．两个电阻串联，R 1：R 2=1：2，总电压为60V ，则U 1的大小为A 、10VB 、20VC 、30V1-6．已知接成Y 形的三个电阻都是30Ω，则等效Δ形的三个电阻阻值为A 、全是10ΩB 、两个30Ω一个90ΩC 、全是90Ω1-7．电阻是 元件，电感是 的元件，电容是 的元件。
电子电路基础习题册参考答案-第一章
第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为 V，锗二极管的开启电压约为 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 V,锗二极管的正向压降约为V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为，流过V2的电流为 ,输出电压U0为 +5V。
15、光电二极管的功能是将光脉冲信号转换为电信号，发光二极管的功能是将电信号转换为光信号。
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电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
电子电路基础_课后习题答案
第一章 思考题与习题1.1. 半导体材料都有哪些特性？为什么电子有源器件都是由半导体材料制成的？1.2. 为什么二极管具有单向导电特性？如何用万用表判断二极管的好坏？ 1.3. 为什么不能将两个二极管背靠背地连接起来构成一个三极管？ 1.4. 二极管的交、直流等效电阻有何区别？它们与通常电阻有什么不同？ 1.5. 三极管的放大原理是什么？三极管为什么存在不同的工作状态？ 1.6. 如图P1-1(a)所示的三极管电路，它与图P1-1(b)所示的二极管有何异同？1.7.稳压二极管为何能够稳定电压？1.8.三极管的交、直流放大倍数有何区别？共射和共基电流放大倍数的关系是什么？1.9.三极管的输入特性和输出特性各是什么？1.10. 如图P1-2所示，设I S ＝10－11A ，U T ＝26mV ，试计算u i =0，0.3V ，0.5V ，0.7V 时电流I 的值，以及u i =0.7V 时二极管的直流和交流等效电阻。
解：由I= I S *(exp(U i / U T )-1) 当U i =0时，I=0；当U i =0.3V 时，I=1.026×10－6A ； 当U i =0.5V 时，I=2.248×10－3A ； 当U i =0.7V 时，I=4.927A ； 直流等效电阻R= U i /I = 0.7V/4.927A = 0.142 Ω∵exp(U i / U T )>>1∴交流等效电阻R d = 26/I = 26/4927 = 5.277×10－3 Ω(a)(b)图P1-1图P1-2＋ －u i Di1.11. 电路如图P1-3所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，U T ＝26mV ，电源U ＝3.3V ，电阻R ＝1k Ω，电容C 对交流信号可视为短路；输入电压u i 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：U ＝3.3V>>100mV ，I ＝（U －U D ）/R ＝ (3.3－0. 7)/1k = 2.6 mA 交流等效电阻：R d = 26/I = 10 Ω 交流电流有效值：Id = Ui/Rd = 1 mA1.12. 图P1-4(a)是由二极管D 1、D 2组成的电路，二极管的导通电压U D ＝0.3V 、反向击穿电压足够大，设电路的输入电压u 1和u 1如图P1-4(b)所示，试画出输出u o 的波形。
电子电路基础第一章答案
习题答案1-2 一个1000W 的电炉，接在220V 电源使用时，流过的电流有多大？ 解： A 545.4A 1150V 220W 1000====U P I1-5 标有10k Ω（称为标称值）、1/4W （额定功率）的金属膜电阻，若使用在直流电路中，试问其工作电流和电压不能超过多大数值？解：V 50V 2100W 4110000mA 5A 200110000W 41Max Max ==⨯Ω====Ω==RP U R P I1-6 求题图1-1(a )、(b )电路得U ab 。
解：设图（a ）中两电阻交点为c ，ac 支路导通，则V 226V 6=Ω⨯Ω=ca U 又由于cb 支路不导通，所以V 4=cbU 则2V V 2V 4=-=-=ca cb ab U U U设图（b ）中两电阻交点为c ，ac 支路导通，则V 13V 3=Ω⨯Ω=ca Ua5Ωb(b ) a 4 b (a )题图1-1 习题1-6电路图又由于cb 支路无回路，不导通，所以V 8=cbU 则7V V 1V 8=-=-=ca cb ab U U U1-7 电路如题图1-2所示，求（1）列出电路得基尔霍夫电压定律方程；（2）求出电流；（3）求U ab 及U cd 。
解：（1）设电流为I ，参考方向为逆时针，则02282212=+++++++-I I I I I I（2）0104=+-I即 A 4.0=I（3）V 101252122=+-=--+-=I I I I U ab0V 10-1010==-=ab cd U U1-16 电压如题图1-7(a )所示，施加于电容C 如题图1-7(b )所示，试求i (t )，并绘出波形图。
2Ω2Ω1Ω 题图1-2 习题1-7电路图解：⎪⎩⎪⎨⎧≤≤+-<≤=42,22120,21)(t t t t t u⎪⎩⎪⎨⎧≤≤-=-<≤===42,A 12120,A 121)()(t C t C dt t du C t i图形如下：-1)A (i(a ) 题图1-7 习题1-16图1-17 题图1-8所示电路中，已知u C (t )=te -t ，求i (t )及u L (t )。
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电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
15、光电二极管的功能是将光脉冲信号转换为电信号，发光二极管的功能是将电信号转换为光信号。
16、用数字式万用表测量二极管，应将功能开关置于二极管挡，将黑表笔插入com插孔，接二极管的负极；红表笔插入V,Ω插孔，接二极管的正极，其显示的读数为二极管的正向压降。
一、判断题1、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
（√）2、P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
（×）3、晶体二极管有一个PN结，所以有单向导电性。
（√）4、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。
（√）5、硅稳压管的动态电阻小，则稳压管的稳压性能愈好。
（√）6、将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其交界处形成PN结。
（√）7、稳压二极管按材料分有硅管和锗管。
（×）8、用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值是相同的。
（×）9、二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN结就会击穿。
（）10、二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。
（×）11、用500型万用表测试发光二极管，应选R×10K挡。
（√）三、选择题1、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A ）。
A．增大 B .减小 C. 不变2、测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把万用表欧姆档拨到（A ）。
A .R×100或R×1K B. R ×1 C. R×10K3、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（B ）。
A. P型半导体B. 本征半导体C、N型半导体4、稳压管的稳压性能是利用（B ）实现的。
A．PN结的单向导电性 B .PN结的反向击穿特性C．PN结的正向导通特性5、电路如图1-1-4所示，已知两个稳压管的UZ1=7V，UZ2=5V 它们的正向压降均为0.7V，则输出电压U0为（C ）A. 12VB. 5.7VC. 7.7VD.7V6、在图1-1-5所示的电路中，流过二极管的电流I1、I2分别是（D ）。
A.I1=8mA , I2=0B. I1=2mAC. I1=0, I2=6mAD. I1=0, I2=8mA7、二极管的正向电阻（B ）反向电阻。
A.大于B. 小于C.等于D.不确定8、电路如图1-1-6所示，V为理想二极管，则二极管的状态为（A ）。
A.导通B.截止C.击穿9、上题中，A、B两端的电压为（C ）。
A.3VB. -3VC.6VD.-6V10、某二极管反向击穿电压为140V，则它的最高反向工作电压为（C ）。
A. 280VB. 140VC. 70VD. 40V11、二极管电路如图1-1-7所示，（1）处于导通状态的二极管是（A ）。
A．只有V1导通B．只有V2导通C．V1、V2均导通D．V1、V2均不导通（2）考虑二极管正向压降为0.7V时，输出电压U0为（B ）。
A．-14.3V B．-0.7V C．-12V D．-15V12、P型半导体中多数载流子是（D ），N型半导体中多数载流子是（C ）。
A．正离子B．负离子C．自由电子 D.空穴13、用万用表R×10和R×1K挡分别测量二极管的正向电阻，测量结果是（C ）。
A．相同B．R×10挡的测试值较小C．R×1K挡的测试值较小14、用万用表不同欧姆档测量二极管的正向电阻值时，测得的阻值不相同，其原因是（c ）。
A．二极管的质量差B．万用表不同欧姆档有不同的内阻C．二极管有非线性的伏安特性二、简答题1、什么是本征半导体？N型半导体？PN结？答：本征半导体即纯净的单晶半导体，其内部存在数量相等的两种载流子，一种是负电的自由电子，另一种是带正电空穴。
N型半导体又称电子型半导体其内部自由电子数多于空穴数量，P型半导体又称空穴型半导体其内部空穴多数载流子自由电子少数载流子。
PN结是采用掺杂工艺便硅和锗晶体的一边形成P型区，一边形成N型半导体。
五．分析、计算、作图题1、判断图1-1-8中，理想二极管导通还是截止，若导通，则流过二极管的电流是多少？解：图a) V导通，I=5mA图b) V截止,I=0图c) V导通，I=10mA2、在图1-1-9所示电路中，二极管为理想二极管，ui=10sinωtV,试画出输出电压波形。
3、在图1-1-10 所示电路中，二极管为硅管，求A点电位和流过二极管的电流。
4、在图1-1-11所示电路中，二极管是导通还是截止，输出电压U0是多少？图1-1-11解：a)V导通，U0=11.3Vb)V导通，I0=15-12/3=2mAU R=1×3=3V U O=U R-15=-12Vc)V导通，U O=0.7V§1-2 晶体三极管一、填空题1、三极管有两个PN 结，分别为发射结、集电结，三个电极分别为发射极、基极和基极，三极管按内部结构不同可分为NPN 和PNP 型。
2、晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是发射结正偏和集电结反偏，电流分配关系是I E=I C+I B。
3、在模拟电子电路中，晶体管通常被用作电流控制元件，工作在输出特性曲线上的放大区；在数字电子电路中，晶体三极管通常被用作开关元件，工作在输出特性曲线上区或饱和区或截止区。
4、在一块正常放大电路板上，测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.2V、-14V，则该管为PNP 型锗材料三极管，1脚是发射极，2脚是基极，3脚是集电极。
5、NPN型三极管，挡U BE＞0.5V，U BE＞U CE时，工作在饱和状态；当U BE＞0.5V，U BE＜U CE时，工作在放大状态；当U BE＜0时，工作在截止状态。
6、当温度升高时，三极管的电流放大系数β将升高，穿透电流I CEO将增加，发射结电压U BE将增大。
7、衡量晶体三极管放大能力的参数是共射电流放大系数，三极管的主要极限参数有集电极最大允许电流、集-发反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。
8、因为晶体三极管的穿透电流随温度的升高增大，而锗管的穿透电流比硅管大，所以硅三极管的热稳定性好。
9、三极管的输出特性可分为三个区域，即截止区和放大区，当三极管工作在饱和区时，I C=βI B才成立；当三极管工作在包河区时UCE= U CES；当三极管工作在截止区时，I C= O(I CEO) 。
10、I CEO称为三极管的穿透电流，它反映三极管的温度稳定性，I CEO是I CBO的1+β倍，先选用管子时，希望I CEO尽量小。
11、测量晶体三极管3AX31的电流，当I B=20uA时，I C=2mA；当I B=60uA时，I C=5.4mA，则该管的β为85 ，I CEO= 0.3mA ,I CBO= 3.5uA 。
12、设三极管的P CM=150mW, I CM=100 mA, U(BR)CEO=30V,若U CE=10V,I C允许的最大值为15mA ；若U CE=1V, I C允许的最大值为100mA ；若I C=3A,U CE允许的最大值为30v 。
13、复合管是由两个以上的三极管按一定方式连接而成，用复合管提高输出级的电流放大倍数。
14、有二只三极管构成的复合管的类型，取决于输入管三极管的类型，其电流放大系数β= β1×β2 。
二、判断题1、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以发射极和集电极可以相互调换使用。
（×）2、晶体三极管的放大作用具体体现在△I C=β△I B。
（√）3、晶体三极管具有能量放大作用。
（×）4、硅三极管的I CBO值要比锗三极管的小。
（√）5、如果集电极电流IC大于集电极最大允许电流ICM时，晶体三极管肯定损坏。
（√）6、晶体二极管和晶体三极管都是非线性器件。
（√）7、3CG21管工作在饱和状态时，一定是UBE＜UCE。
（×）8、某晶体三极管的I B=10uA时，I C=0.44mA;I B=20u时，I C=0.89mA,则它的电流放大系数β=45。
（√）9、因为三极管有两个PN结，二极管有一个PN结，所以用两个二极管可以连接成一个三极管。
（×）10、判断图1-2-1所示各三极管的工作状态（NPN型为硅管，PNP 型为锗管）。
11、复合管的共发射极电流放大倍数β等于两管的β1、β2之和。
（×）12、晶体三极管的主要性能是具有电压和电流放大作用。
（√）三、选择题1、三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于（A ）A.放大状态B.饱和状态C.截止状态2、三极管在饱和状态时，它的IC将（C ）。
A.随I B的增加而增加B.随I B的增加而减小C.与I B无关3、三极管的特性曲线是指它的（C ）。