电子电路基础习题册参考题答案_第一章
《电子电路基础》综合练习题及解答
《电子电路基础》综合练习题及解答北京邮电大学高等函授教育通信技术、计算机技术专业专科（二年级）第一部分习题一.判断题（用√表示正确；用某表示不正确，并改正）（）1、通过半导体中的电流为电子电流与空穴电流之和。
（）2、在本征半导体中掺入少量的磷元素，可以形成N型半导体，它的多子是自由电子。
（）3、PN结内电场方向由P区指向N区，P区的电位要高于N区的电位。
（）4、PN结指的是P型半导体与N型半导体两者交界面处的势垒区。
在无外加电压作用下，其扩散电流和漂移电流两者方向相反、大小相等。
（）5、PN结正向偏置时其结电容以扩散电容为主；反向偏置时以势垒电容为主，它随反向偏压的增大其值减小。
（）6、半导体二极管具有单向导电特性，它的反向电流越小，表明管子的单向导电性越好。
（）7、耗尽型场效应管与增强型场效应管的主要区别，从导电特性来看，当VGS＝0时，ID≠0为增强型管，ID＝0为耗尽型管。
（）8、场效应管与晶体三极管一样，它们都是电流控制的电子器件。
（）9、场效应管与晶体三极管一样，它们只有一种载流子参与导电。
（）10、所谓三极管的等效电路是对计算管子的外部交流电流、电压而言的，对管子内部来说是不等效的。
（）11、一个放大器对信号源影响要小，带负载能力要强，这就要求该放大器的输入电阻和输出电阻都要大才好。
（）12、多级放大器与单级放大器相比，通频带变宽。
（）13、串联负反馈可以减小输入电阻，而并联负反馈可以提高输入电阻。
（）14、负反馈对放大器性能改善的程度主要取决于反馈系数F，与基本放大器的开环增益无关。
（）15、电压负反馈能够稳定输出电压但升高了输出阻抗。
（）16、当输入信号存在失真时，可以采用负反馈来改善波形。
（）17、单级共射放大器幅频波特图中，高频特性的斜率为－10dB/十倍频程；相频波特图中，高频相移最大为－90°，在0.1fh和10fh之间，相位变化的斜率为－90°/十倍频程。
电路基础第1章习题解答.docx
第一章 电路的基本概念和基本定律习题解答1-1 题 1-1 图所示电路，求各段电路的电压U ab 及各元件的功率，并说明元件是消耗功率还是对外提供功率2Ab 1Ab a-8Aba- a+6V+-8V-+-10V -(a)(b)(c)-2Aba-1Aa-2Aa+ -b-+ b--6V+-8V 16V (d)(e)(f)题 1-1 图解 根据功率计算公式及题给条件，得（ a ） U =6V, P =6×2= 12W消耗功率ab（ b ） U ab =-8V ， P =1×(-8)=-8W 提供功率（ c ） U ab =-10V, P =-(-8) (-10)=-80W提供功率（ d ） U =-8V, P =-(-2)(-8)=-16W提供功率ab（ e ） ab =-(-6)=6V,=-(-1)(-6)=-6W提供功率UP（ f ） U ab =-16V, P =(-2)16=-32W提供功率1-2 在题 1-2 图所示各元件中， 已知：元件 A 吸收 66W 功率，元件 B 发出 25W 功率； 元件 C 吸收负 68W 功率，求 i 、 u 和 i 。
ABCi A-5Ai CＡ--Ｂ++C-+u B-4V6V题 1-2 图解 根据题意，对元件A ，有A=6 A =66,i A==11APi对元件 B ，有B=-5 B =-25,B==5VP uu对元件 C ，有P C =-4 i C =-68, i C ==17A1-3 题 1-3 图所示电路中， 5 个元件代表电源或负载。
通过实验测量得知： I 1=-2A ，I 2=3A ， I 3=5A ， U =70V ，U =-45V ， U =30V ， U =-40V ， U =-15V 。
1 2 3 45（１）试指出各电流的实际方向和各电压的实际极性 （２）判断那些元件是电源；那些元件是负载（３）计算各元件的功率，验证功率平衡U 4U 5I 1+-４+-I3-+５+-I 2++++-+U1 １U 3３U2 ２----+ -题1-3 图解（ 1）图中虚线箭头为各支路电流的实际方向。
电子电路基础习题册参考答案-第一章
电子电路基础习题册参考答案-第一章(总24页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为 V，锗二极管的开启电压约为 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 V,锗二极管的正向压降约为V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。
电路分析基础练习题及答案第一章精选全文
可编辑修改精选全文完整版电路分析基础练习题及答案第1章 习题一、填空题1-1.通常，把单位时间内通过导体横截面的电荷量定义为 。
1-2.习惯上把 运动方向规定为电流的方向。
1-3.单位正电荷从a 点移动到b 点能量的得失量定义为这两点间的 。
1-4.电压和电流的参考方向一致，称为 方向。
1-5.电压和电流的参考方向相反，称为 方向。
1-6.电压和电流的负值，表明参考方向与实际方向 。
1-7.若P>0（正值），说明该元件 功率，该元件为 。
1-8.若P<0（负值），说明该元件 功率，该元件为 。
1-9. 定律体现了线性电路元件上电压、电流的约束关系，与电路的连接方式无关；定律则是反映了电路的整体规律，其中 定律体现了电路中任意结点上汇集的所有 的约束关系， 定律体现了电路中任意回路上所有 的约束关系，具有普遍性。
1-10.基尔霍夫电流定律（KCL ）说明在集总参数电路中，在任一时刻，流出（或流出）任一节点或封闭面的各支路电流的 。
1-11.基尔霍夫电压定律（KVL ）说明在集总参数电路中，在任一时刻，沿任一回路巡行一周，各元件的 代数和为零。
二、选择题1-1．当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时，该电流A 、一定为正值B 、一定为负值C 、不能肯定是正值或负值1-2．已知空间有a 、b 两点，电压U ab =10V ，a 点电位为V a =4V ，则b 点电位V b 为A 、6VB 、－6VC 、14V1-3．当电阻R 上的u 、i 参考方向为非关联时，欧姆定律的表达式应为A 、Ri u =B 、Ri u -=C 、 i R u =1-4．一电阻R 上u 、i 参考方向不一致，令u =－10V ，消耗功率为0.5W ，则电阻R 为A 、200ΩB 、－200ΩC 、±200Ω1-5．两个电阻串联，R 1：R 2=1：2，总电压为60V ，则U 1的大小为A 、10VB 、20VC 、30V1-6．已知接成Y 形的三个电阻都是30Ω，则等效Δ形的三个电阻阻值为A 、全是10ΩB 、两个30Ω一个90ΩC 、全是90Ω1-7．电阻是 元件，电感是 的元件，电容是 的元件。
电子电路基础习题册参考答案-第一章
第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为 V，锗二极管的开启电压约为 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 V,锗二极管的正向压降约为V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为，流过V2的电流为 ,输出电压U0为 +5V。
15、光电二极管的功能是将光脉冲信号转换为电信号，发光二极管的功能是将电信号转换为光信号。
电工基础习题册及参考答案
第一章电路基础知识§1-1电流和电压一、填空题1、_________流通的路径称为电路，通常电路是由___________、_________、________和____________组成。
2、习惯上规定______电荷移动的方向为电流的方向，因此，电流的方向实际上与电子移动的方向________。
3、金属导体中自由电子的定向移动方向与电流方向____________。
4、电流分为_________和_______两大类，凡_____________________________的电流称为_______________，简称_________；凡_________________________________的电流称为________________，简称__________。
5、若3min通过导体横截面的电荷量是1.8C，则导体中的电流是____________A。
6、测量电流时，应将电流表____________接在电路中，使被测电流从电流表的_______接线柱流进，从______接线柱流出。
7、电压是衡量___________做功能力的物理量；电动势表示电源_________________________________________________能力。
8、电路中某点与______________的电压即为该点的电位，若电路中a、b两点的电位分别为U a、U b，则a、b两点间的电压U ab=_________________；U ba=_______________。
9、参考点的电位为________，高于参考点的电位取________值，低于参考点电位取______值。
10、电动势的方向规定为在电源内部由________极指向_______极。
11、测量电压时，应将电压表和被测电路______联，使电压表接线柱的正负和被测两点的电位_______。
12、如图所示，电压表的a应接电阻的______端，b应接电阻的_______端。
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电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
电子电路基础_课后习题答案
第一章 思考题与习题1.1. 半导体材料都有哪些特性？为什么电子有源器件都是由半导体材料制成的？1.2. 为什么二极管具有单向导电特性？如何用万用表判断二极管的好坏？ 1.3. 为什么不能将两个二极管背靠背地连接起来构成一个三极管？ 1.4. 二极管的交、直流等效电阻有何区别？它们与通常电阻有什么不同？ 1.5. 三极管的放大原理是什么？三极管为什么存在不同的工作状态？ 1.6. 如图P1-1(a)所示的三极管电路，它与图P1-1(b)所示的二极管有何异同？1.7.稳压二极管为何能够稳定电压？1.8.三极管的交、直流放大倍数有何区别？共射和共基电流放大倍数的关系是什么？1.9.三极管的输入特性和输出特性各是什么？1.10. 如图P1-2所示，设I S ＝10－11A ，U T ＝26mV ，试计算u i =0，0.3V ，0.5V ，0.7V 时电流I 的值，以及u i =0.7V 时二极管的直流和交流等效电阻。
解：由I= I S *(exp(U i / U T )-1) 当U i =0时，I=0；当U i =0.3V 时，I=1.026×10－6A ； 当U i =0.5V 时，I=2.248×10－3A ； 当U i =0.7V 时，I=4.927A ； 直流等效电阻R= U i /I = 0.7V/4.927A = 0.142 Ω∵exp(U i / U T )>>1∴交流等效电阻R d = 26/I = 26/4927 = 5.277×10－3 Ω(a)(b)图P1-1图P1-2＋ －u i Di1.11. 电路如图P1-3所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，U T ＝26mV ，电源U ＝3.3V ，电阻R ＝1k Ω，电容C 对交流信号可视为短路；输入电压u i 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：U ＝3.3V>>100mV ，I ＝（U －U D ）/R ＝ (3.3－0. 7)/1k = 2.6 mA 交流等效电阻：R d = 26/I = 10 Ω 交流电流有效值：Id = Ui/Rd = 1 mA1.12. 图P1-4(a)是由二极管D 1、D 2组成的电路，二极管的导通电压U D ＝0.3V 、反向击穿电压足够大，设电路的输入电压u 1和u 1如图P1-4(b)所示，试画出输出u o 的波形。
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电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1 晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。
2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。
3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。
N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。
4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。
一般硅二极管的开启电压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。
5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。
6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。
8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。
9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。
10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。
11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。
12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。
14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为 0.25mA ，流过V2的电流为 0.25mA ,输出电压U0为+5V。
15、光电二极管的功能是将光脉冲信号转换为电信号，发光二极管的功能是将电信号转换为光信号。
16、用数字式万用表测量二极管，应将功能开关置于二极管挡，将黑表笔插入 com插孔，接二极管的负极；红表笔插入 V,Ω插孔，接二极管的正极，其显示的读数为二极管的正向压降。
一、判断题1、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
（√）2、P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
（×）3、晶体二极管有一个PN结，所以有单向导电性。
（√）4、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。
（√）5、硅稳压管的动态电阻小，则稳压管的稳压性能愈好。
（√）6、将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其交界处形成PN结。
（√）7、稳压二极管按材料分有硅管和锗管。
（×）8、用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值是相同的。
（×）9、二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN结就会击穿。
（）10、二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。
（×）11、用500型万用表测试发光二极管，应选R×10K挡。
（√）三、选择题1、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A ）。
A．增大 B .减小 C. 不变2、测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把万用表欧姆档拨到（ A ）。
A .R×100或R×1K B. R ×1 C. R×10K3、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（ B ）。
A. P型半导体B. 本征半导体 C、 N型半导体4、稳压管的稳压性能是利用（ B ）实现的。
A．PN结的单向导电性 B .PN结的反向击穿特性C．PN结的正向导通特性5、电路如图1-1-4所示，已知两个稳压管的UZ1=7V，UZ2=5V 它们的正向压降均为0.7V，则输出电压U0为（ C ）A. 12VB. 5.7VC. 7.7VD.7V6、在图1-1-5所示的电路中，流过二极管的电流I1、I2分别是（ D ）。
A.I1=8mA , I2=0B. I1=2mAC. I1=0, I2=6mAD. I1=0, I2=8mA7、二极管的正向电阻（B ）反向电阻。
A.大于B. 小于C.等于D.不确定8、电路如图1-1-6所示，V为理想二极管，则二极管的状态为（A ）。
A.导通B.截止C.击穿9、上题中，A、B两端的电压为（ C ）。
A.3VB. -3VC.6VD.-6V10、某二极管反向击穿电压为140V，则它的最高反向工作电压为（ C ）。
A. 280VB. 140VC. 70VD. 40V11、二极管电路如图1-1-7所示，（1）处于导通状态的二极管是（ A ）。
A．只有V1导通 B．只有V2导通 C．V1、V2均导通 D．V1、V2均不导通（2）考虑二极管正向压降为0.7V时，输出电压U0为（ B ）。
A．-14.3V B．-0.7V C．-12V D．-15V12、P型半导体中多数载流子是（ D ），N型半导体中多数载流子是（ C ）。
A．正离子 B．负离子 C．自由电子 D.空穴13、用万用表R×10和R×1K挡分别测量二极管的正向电阻，测量结果是（ C ）。
A．相同 B．R×10挡的测试值较小 C．R×1K挡的测试值较小14、用万用表不同欧姆档测量二极管的正向电阻值时，测得的阻值不相同，其原因是（ c ）。
A．二极管的质量差 B．万用表不同欧姆档有不同的内阻C．二极管有非线性的伏安特性二、简答题1、什么是本征半导体？N型半导体？PN结？答：本征半导体即纯净的单晶半导体，其内部存在数量相等的两种载流子，一种是负电的自由电子，另一种是带正电空穴。
N型半导体又称电子型半导体其内部自由电子数多于空穴数量，P型半导体又称空穴型半导体其内部空穴多数载流子自由电子少数载流子。
PN结是采用掺杂工艺便硅和锗晶体的一边形成P型区，一边形成N型半导体。
五．分析、计算、作图题1、判断图1-1-8中，理想二极管导通还是截止，若导通，则流过二极管的电流是多少？解：图a) V导通，I=5mA图b) V截止,I=0图c) V导通，I=10mA2、在图1-1-9所示电路中，二极管为理想二极管，ui=10sin ωtV, 试画出输出电压波形。
3、在图1-1-10 所示电路中，二极管为硅管，求A点电位和流过二极管的电流。
4、在图1-1-11所示电路中，二极管是导通还是截止，输出电压U0是多少？图1-1-11解：a)V导通，U0=11.3Vb)V导通，I0=15-12/3=2mAU R=1×3=3V U O=U R-15=-12Vc)V导通， U O=0.7V§1-2 晶体三极管一、填空题1、三极管有两个 PN 结，分别为发射结、集电结，三个电极分别为发射极、基极和基极，三极管按内部结构不同可分为 NPN 和 PNP 型。
2、晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是发射结正偏和集电结反偏，电流分配关系是 I E=I C+I B。
3、在模拟电子电路中，晶体管通常被用作电流控制元件，工作在输出特性曲线上的放大区；在数字电子电路中，晶体三极管通常被用作开关元件，工作在输出特性曲线上区或饱和区或截止区。
4、在一块正常放大电路板上，测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.2V、-14V，则该管为 PNP 型锗材料三极管，1脚是发射极，2脚是基极，3脚是集电极。
5、NPN型三极管，挡U BE＞0.5V，U BE＞U CE时，工作在饱和状态；当U BE＞0.5V，U BE＜U CE时，工作在放大状态；当U BE＜0时，工作在截止状态。
6、当温度升高时，三极管的电流放大系数β将升高，穿透电流I CEO将增加，发射结电压U BE将增大。
7、衡量晶体三极管放大能力的参数是共射电流放大系数，三极管的主要极限参数有集电极最大允许电流、集-发反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。
8、因为晶体三极管的穿透电流随温度的升高增大，而锗管的穿透电流比硅管大，所以硅三极管的热稳定性好。
9、三极管的输出特性可分为三个区域，即截止区和放大区，当三极管工作在饱和区时，I C=βI B才成立；当三极管工作在包河区时UCE= U CES；当三极管工作在截止区时，I C= O(I CEO) 。
10、I CEO称为三极管的穿透电流，它反映三极管的温度稳定性，I CEO是I CBO的 1+β倍，先选用管子时，希望I CEO尽量小。
11、测量晶体三极管3AX31的电流，当I B=20uA时，I C=2mA；当I B=60uA时，I C=5.4mA，则该管的β为 85 ，I CEO= 0.3mA ,I CBO=3.5uA 。
12、设三极管的P CM=150mW, I CM=100 mA, U(BR)CEO=30V,若U CE=10V,I C允许的最大值为15mA ；若U CE=1V, I C允许的最大值为 100mA ；若I C=3A,U CE 允许的最大值为 30v 。
13、复合管是由两个以上的三极管按一定方式连接而成，用复合管提高输出级的电流放大倍数。
14、有二只三极管构成的复合管的类型，取决于输入管三极管的类型，其电流放大系数β= β1×β2 。
二、判断题1、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以发射极和集电极可以相互调换使用。
（×）2、晶体三极管的放大作用具体体现在△I C=β△I B。
（√）3、晶体三极管具有能量放大作用。
（×）4、硅三极管的I CBO值要比锗三极管的小。
（√）5、如果集电极电流IC大于集电极最大允许电流ICM时，晶体三极管肯定损坏。
（√）6、晶体二极管和晶体三极管都是非线性器件。
（√）7、3CG21管工作在饱和状态时，一定是UBE＜UCE。
（×）8、某晶体三极管的I B=10uA时，I C=0.44mA;I B=20u时，I C=0.89mA,则它的电流放大系数β=45。
（√）9、因为三极管有两个PN结，二极管有一个PN结，所以用两个二极管可以连接成一个三极管。
（×）10、判断图1-2-1所示各三极管的工作状态（NPN型为硅管，PNP 型为锗管）。
11、复合管的共发射极电流放大倍数β等于两管的β1、β2之和。
（×）12、晶体三极管的主要性能是具有电压和电流放大作用。
（√）三、选择题1、三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于（A ）A.放大状态B.饱和状态C.截止状态2、三极管在饱和状态时，它的IC将（C ）。