二极管简介

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二极管简介

二极管简介
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二极管的应用面很广,都是利用它的单向导电性。 可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路 中作为开关元件。 二极管的应用举例1:二极管半波整流
ui
ui
RL
uo uo
t
t
14
二极管的应用举例2:
如图由RC构成微分电路,当输 u i 入电压ui为矩形波时,试画出 U 输出电压uo的波形。设uc(0) =0 0
0.10 3.95
0.72
1.54
2.36
3.18
4.05
IC N
RC
结论: 1)三电极电流关系 2) IC IB , IC IE 3) IC IB
IE = IB + IC C
基极电流的微小变化IB 能够引起较大的集电极电流 变化IC,这就是三极管的电 流放大作用。
B
IB RB
10
例1:
D + 3k
A
电路如图,求:UAB 取 B 点作参考点, 断开二极管,分析二 极管阳极和阴极的电 位。
6V 12V
UAB
– B
V阳 =-6 V V阴 =-12 V
V阳>V阴 二极管导通 若忽略管压降,二极管可看作短路,UAB =- 6V 否则, UAB低于-6V一个管压降,为-6.3V或-6.7V 在这里,二极管起钳位作用。
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EB 进入P 区的电子 少部分与基区的空 穴复合,形成电流 IBE ,多数扩散到集 电结。
1 发射区向基区扩散电子,形成发射极电流IE。
E区多子(自由电子)到B区
发射结正偏 扩散强 B区多子(空穴)到E区 穿过发射结的电 流主要是电子流 形成发射 极电流IE IE是由扩散运 动形成的
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二极管的应用电路原理图

二极管的应用电路原理图

二极管的应用电路原理图一、二极管简介二极管是一种最基本的电子元件,它具有具有单向导电性的特性。

根据材料的不同,二极管分为硅二极管和锗二极管。

其应用广泛,从小型电子设备到大型电力电子设备,都会使用到二极管。

二、二极管的基本原理二极管是由P型半导体和N型半导体组成的。

在P型半导体中,硅元素的空位较多,成为空穴(P为正电,代表正电荷缺失);而在N型半导体中,杂质的附加导致了额外的自由电子,形成负电荷。

当P型半导体和N型半导体连接在一起时,形成了PN结。

由于正电荷和负电荷之间存在电势差,形成了电场。

在电场的作用下,电子从N型半导体流向P型半导体,而空穴则从P型半导体流向N型半导体。

这个过程被称为二极管的正向偏置。

反过来,当二极管的正向电压减小或者反向电压增加时,电场减小,电子和空穴被阻隔,电流无法通过。

这个过程被称为二极管的反向偏置。

三、二极管的应用电路原理图下面将介绍一些常见的二极管应用电路原理图。

1. 整流电路整流电路是二极管最常见的应用之一。

它可以将交流电转换为直流电。

整流电路通常由一个或多个二极管和若干电阻组成。

二极管只允许电流在一个方向上通过,因此在交流电输入时,二极管将正向导通,只有一个方向的电流通过,实现了电流的整流效果。

2. 稳压电路稳压电路是通过利用二极管的特性来保持电路的稳定工作电压的电路。

在稳压电路中,二极管常与电阻、电容等元件配合使用。

常见的稳压电路有Zener稳压电路和电流源稳压电路。

3. 负电源电路负电源电路是通过二极管和电容元件组成的电路,用于提供负电压。

负电源电路常用于运算放大器、模拟电路等应用中。

4. 开关电路二极管也常被用作开关元件,在数字电子电路中应用广泛。

当二极管的正向偏置电压大于二极管的压降时,二极管处于导通状态,电流可以通过。

当正向偏置电压小于二极管的压降时,二极管处于截止状态,电流不能通过。

四、总结二极管是一种重要的电子元件,不仅有理论基础,也有广泛的应用。

二极管、三极管、晶闸管简介

二极管、三极管、晶闸管简介

5、 二极管作用: 整流:将交流电信号转换成直流电信号。 检波:用于高频信号的调解(信号转换)。 发光:用于装饰或各种信号指示。 变容:用于各种自动调谐电路。 光电:用于光的测量;当制成大面积的光电二极管,可当做一种能源,称为光电池。
整流(利用单向导电性)
把交流电变为直流电,称为整流。一个简单的二极管半波整流电路如图(a)所示。若二极管为理想二极管,当输入一 正弦波时,由图可知:正半周时,二极管导通(相当开关闭合),vo=vi;负半周时,二极管截止(相当开关打开), vo =0。其输入、输出波形见图(b)。整流电路是直流电源的一个组成部分。
vi

D

0
t
vi
RL
vo
vo


0
t
(a)
(b)
稳压
稳压二极管的特点就是反向通电尚未击穿前,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接 入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压 将基本保持不变。 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示
1、正常二极管
二极管、三极管、晶闸管简介
晶体二极管(Diode)
1、二极管的构成 核心是PN结, P性材料和N性材料结合, 有2个出线 端,即二极管有正、负两个极
应用电路




正极
positive
PN
负极
negative


(a)
正极
负极
(b)
2、二极管的电路符号: D VD 3、 基本特性:单向导电性
4、分类: 根据材质分为:1)硅二极管(导通电压:0.5~0.7V) 2) 锗二极管(导通电压:0.2~0.3V) 根据用途分:整流二极管、检波二极管、稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管等

常用高压二极管简介及型号

常用高压二极管简介及型号

二极管知识简介一、二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。

当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。

当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。

二、二极管的类型二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。

根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。

按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN结”。

由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。

面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。

平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。

三、二极管的导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。

在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。

下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。

1.正向特性在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。

必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。

二极管特性及参数

二极管特性及参数

二极管特性及参数一、二极管的特性:二极管是一种最简单的半导体器件,它具有单向导电性。

二极管由P 型半导体和N型半导体组成,P型半导体区域被称为P区,N型半导体区域被称为N区,P区和N区之间形成的结被称为PN结。

在PN结两侧形成的电场称为势垒,势垒会阻碍电流的流动,只有当正向电压施加在二极管上时,电流才能流过。

二极管的工作特性如下:1.正向工作特性:当二极管的正端连接到正电压源,负端连接到负电压源时,二极管处于正向偏置状态。

此时,PN结的势垒被削弱,电流可以流动。

二极管的正向电压(Vf)越大,通过二极管的电流(If)越大。

正向工作特性遵循指数规律,即电流与电压之间存在指数关系。

2.反向工作特性:当二极管的正端连接到负电压源,负端连接到正电压源时,二极管处于反向偏置状态。

此时,PN结的势垒会增加,电流几乎不能流动。

只有当反向电压(Vr)超过二极管的反向击穿电压时,才会发生逆向击穿,电流急剧增加。

二、二极管的参数:1.极限值参数:-峰值反向电压(VRM):反向电压的最大值,一般用来表示二极管的耐压能力。

-峰值反向电流(IFM):反向电流的最大值,一般用来表示二极管的耐流能力。

-正向电压降(VF):正向工作时,PN结两侧产生的电压降。

-正向电流(IF):通过二极管的最大电流。

2.定常态参数:- 正向阻抗(Forward resistance):在正向工作状态下,二极管的阻抗大小。

正向阻抗与正向电流大小有关,一般用欧姆表示。

- 反向电流(Reverse current):在反向工作状态下,二极管的电流大小。

- 反向传导电导(Reverse conductance):在反向工作状态下,PN结的反向传导电导值,与反向电流大小有关。

3.动态参数:- 正向导通压降(Forward voltage drop):当二极管处于正向工作状态时,二极管两端的电压降。

- 动态电电渡特性(Forward dynamic electrical characteristics):反映在零偏电流条件下,PN结在正向电压下的电流特性关系。

各种二极管的简介机及其应用

各种二极管的简介机及其应用

整流二极管应用电路
• 下图是一种最简单的整流电路。它由电源变压器B 、整流二极管D 和 负载电阻Rfz ,组成。变压器把市电电压(多为220伏)变换为所需 要的交变电压e2,D 再把交流电变换为脉动直流电,(半波整流电 路)。
半波整流效果图
全波整流电路
• 全波整流电路,可以看作是由两个半波整流电路组合成的
晶体开关二极管 2CK13
开关二极管2ck81c 最高反向工作电压40V 反向击穿电压60V
其他开关二极管
其他开关二极管
发光二极管
• LED发光二极管简称LED,采用砷化镓、镓铝砷、和磷化镓等材料制 成,其内部结构为一个PN结,具有单向导电性。 • 分类:可分为普通单色发光二极管、高亮度发光二极管、超高亮度发 光 、变色发光二极管、闪烁发光二极管、电压控制型发光二极管、红 外发光二极管和负阻发光二极管等。 • 应用:照明,指示灯等。 • LED发光二极管的压降一般为1.5~2.0 V,其工作电流一般取10~20 mA为宜
二极管
二极管的一般特性
• 正向特性:特性曲线的第 一象限部分,曲线呈指数 曲线形状,非线性。正向 电压很低时正向电流几乎 为 0,这一区间称为 , “死区 ”,对应的电压范 围称为死区电压或阈值电 压,锗管的死区电压大约 为 0.1V ,硅管的死区电 压约为 0.5V; • 反向特性:反向电流很小, 但当反向电压过高时, PN 结发生击穿,反向电 流急剧增大。
不同直径的发光二极管
光敏二极管 CL-5M3B 5mm
肖特基二极管
• 应用场合:SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用 作高频整流,在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段) 用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD • 与普通二极管的区别:SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形 成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导 体结原理制作的。

二极管三极管

二极管三极管

二极管三极管二极管三极管是电子学中常用的基本元件,这两种元件具有许多共同的特性,广泛应用于各种电子系统,如家用电器、计算机、汽车和消费电子等领域。

本文将简要介绍这两种元件的工作原理和应用。

二极管是一种由两个接口(正、负)组成的半导体元件,它只能在正和负两个方向上放电,不能双向放电。

当在正电极施加正电压时,二极管放出电流,被叫做开启或正向电流,通常称作“封开”电流。

另外,当施加的电压为负时,二极管会禁止通过电流,被称为关闭或反向电流。

二极管的两极电压越低,其电阻就越大,反之亦然,由此它可以改变电流的宽度,从而起到调节电阻的作用。

三极管是一种由三个接口(正、负、基极)组成的半导体元件,它可以同时使正负两个电极有电流通过也可以用基极(中间极)对正负电极进行控制。

三极管分为NPN型和PNP型,它们主要功能是放大电压,承担电流放大和信号转换的功能。

另外,三极管也可用于控制或监测外部电路电压,以及在某些特殊的应用上可以做成逻辑门,如双路电路(OR、AND等)。

二极管三极管可广泛应用于各种领域,其普及程度很高。

二极管主要用作电流流转开关,因其具有低成本、高可靠性、简易控制等优点,在家庭电器、汽车电子系统、电池充电器、供电调节器、矩阵开关系统、流量传感器、漏电检测器、视频放大器等电子系统中使用十分普遍。

三极管的应用比二极管更加广泛,在电子系统中担当起放大信号、节流、电路控制等重要作用。

其应用于计算机的存储器,中国的第一台大型计算机曾是使用三极管技术。

三极管也广泛应用于测量、控制和电源系统,通用用于增大驱动信号,促使电机、放大器或直流电压调节器等大功率电子设备更加有效。

以上是二极管三极管的工作原理和应用简介。

可以看出,二极管三极管是电子元件中重要的基本元件,它们因具有简单、可靠、低成本等特点,而被应用于电子系统的各个领域,成为电子技术中不可或缺的重要元素。

in5825二极管参数

in5825二极管参数

in5825二极管参数摘要:1.二极管简介2.二极管的参数及其意义3.IN5825二极管的特性4.IN5825二极管的应用领域5.如何选择合适的IN5825二极管正文:一、二极管简介二极管(Diode)是一种半导体器件,具有单向导通的特性。

它主要由P 型半导体、N型半导体以及连接两者的PN结构组成。

当正向电压加在二极管上时,P型半导体侧为正,N型半导体侧为负,电流可以通过;而当反向电压加在二极管上时,电流几乎不会通过。

二、二极管的参数及其意义1.正向电压(V Forward):正向电压是指使得二极管开始导通的最低电压。

2.反向电压(V Reverse):反向电压是指二极管能承受的最高电压,超过此电压可能导致二极管损坏。

3.正向电流(I Forward):正向电流是指二极管在正向电压下的电流值。

4.反向电流(I Reverse):反向电流是指二极管在反向电压下的电流值,通常很小。

5.动态电阻(R D):动态电阻是指二极管在正向电压下,电流变化与电压变化之间的比率。

6.漏电流(I Leakage):漏电流是指二极管在无电压条件下,由于内部固有特性而产生的电流。

三、IN5825二极管的特性IN5825是一款常用的硅材料二极管,具有以下特性:1.正向电压范围:0.2V-1.7V2.反向电压范围:50V-100V3.正向电流:最大200mA4.动态电阻:小于0.1Ω5.漏电流:小于10nA四、IN5825二极管的应用领域IN5825二极管广泛应用于以下领域:1.电源电路:作为整流器、稳压器等电源设备的组成部分。

2.信号传输:用于放大、开关、调制等信号处理电路。

3.保护电路:用于防止电压过高、电流过大等异常情况。

4.光通信:用于光纤通信系统的光源驱动和光检测器等电路。

五、如何选择合适的IN5825二极管1.根据应用领域和电路要求,选择合适的正向电压和反向电压参数。

2.确定所需的正向电流和动态电阻值。

3.考虑漏电流和环境温度对二极管性能的影响。

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目录
二极管简单介绍
A、一般整流二极管
B、高速整流二极管:
①FRD(Fast Recovery Diode:高速恢复二极管)
②HED(High Efficiency Diode:高速高效整流二极管)
③SBD(Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管)
C、定压二极管(齐纳二极管)
二极管的基本特性
利用PN接合的少数载子的注入和扩散现象,只能一个方向(正向)上流通电流。

如果在PN接合二极管的N型半导体加上负压、在P型半导体加上正电压,就可使电流流通。

我们将该电流的流动方向叫做正向。

如果外加正、负压与上述反方向的电压,则几乎不会流通电流。

我们将该方向叫做反向。

如果提高PN接合二极管的反向电压,则电流在某个电压值会急剧增加。

我们将该电流叫做击穿电流。

此时的电压值对电流而言基本上为定值。

二极管的特性曲线和图形记号、结构
下图表示二极管的特性曲线和图形记号、结构图。

A一般整流二极管
二极管在一般的应用上,有利用电流只在一个方向上流通的功能的交流电压主的整流电路。

典型的2µs 恢复时间
B1)高速恢复二极管(FRD:Fast Recovery Diode)
高速恢复二极管在结构上和一般整流二极管基本相同,但它是一种有白金、金等掺杂物质扩散在Si结晶中,增加了电子和空穴的再结合中心,关闭后少数载子会立刻被消灭的二极管。

因此可以提高二极管的反向恢复特性(反向恢复时间:trr),实现高速动作。

开关时间120 to 500 ns
2)高效二极管(HED:High Efficiency Diode)
高效二极管比上述FRD速度更快,损失更低(正向电压较低),因此它使用外延晶圆,在利用导电调制效果(参考PIN二极管)来降低正向电阻的同时,通过追加重金属扩散,能在不损坏正向特性的情况下,提高反向恢复特性。

HED用于比FRD更为高速的开关电路。

开关时间35—100纳秒
PN接合之间夹着本征半导体(I型),外加正向电压的话,P型半导体和N型半导体会向本征半导体注入很多空穴、以及相同密度度的电子,从而降低比电阻。

这种现象叫“导电调制效果”。

PIN二极管正向流通直流电流的话,在导电调制效果下会显示出较低的电阻值,但外加反向直流电压的话,I层的空乏层会扩大,结果会显示出非常小的电容值。

利用这种特性,可作为高频带的开关与共振电路的频段开关和减衰器。

3)肖特基势垒二极管(SBD:Schottky Barrier Diode)
真空能量等级和传导带等级的能量的差(称为电子亲和力)是利用金属和半导体的不同,根据和PN接合不同的原理,通过改变外加电压的方向来控制电流开合的。

它和利用少数载子扩散电流的PN接合不同,主要是利用多数载子的漂移电流,因此可以实现高速开关。

肖特基势垒二极管和PN接合二极管相比反向电流较大,因此在高压下使用时容易发生热故障,使用时要非常小心。

开关时间10 ns 左右
C稳压二极管(齐纳二极管)
这是利用了PN接合的反向特性的二极管。

用于基准电压源和浪涌电压的吸收。

结构、动作
如果将PN接合二极管的反向电压逐渐提升的话,PN接合部的电场会升高,某个电压点会产生较大的电流。

齐纳二极管(也叫稳压二极管)正是积极利用了这种电压电流特性。

这种电流开始急剧流动的现象就是由齐纳击穿,或者雪崩击穿引起的。

齐纳击穿是由隧道效应引起的,由于强大的电场将束缚电子拉离了接合,成为自由电子,并形成了电流,因此该电压会保持负的温度系数。

而所谓雪崩击穿,是空乏层的电场中被加速的电子、或者空穴的高能量赋予了束缚电子以能量,而成为自由电子的现象,这种新的电子也被加速,并让其他束缚电子成为自由电子的现象重复的结果,就是形成了较大的电流,该电压会保持正的温度系数。

大约6V以下主要是齐纳击穿,而6V以上则主要是由雪崩击穿引起的。

因此,大约在5V时温度系数为零。

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