单结晶体管的识别和检测
即单结晶体管迅速导通
9.2 台灯调光电路的安装和测试
一、单相半波可控整流电路
1、电路结构
2、工作原理
u2为正半周时，在控制角α期间，晶闸管关断；在导通角θ期 间，晶闸管导通。u2为负半周时，晶闸管关断。
控制角α越大，导通角θ就越小，输出的负载电压uL（直流 电平均值）就越小。
二、单相桥式可控整流电路
1、电路结构ຫໍສະໝຸດ 2、工作原理实训：台灯调光电路
9.3 触摸式风扇调速器的安装与测试
1、电路结构
该电路由电源电路、过电压保护电路、晶闸管触发电路、触摸输入 控制电路和触发灵敏度调节电路等部分组成。
电源电路：由VZ、VD1、R5、C1所组成 过电压保护电路：由耐压值为470V的压敏电阻器RV组成 晶闸管触发电路：主要由集成电路LS7232及其外围元件组成 触摸输入控制电路：由金属触摸片及R1、R2、SB、C5等组成 触发灵敏度调节电路：由R3组成
2、工作原理及电路仿真
三、 单结晶体管的认识和检测
1、单结晶闸管的结构
外形
单结晶体管是在一块高阻率的N型硅基片上用镀金陶瓷片制作成 两个接触电阻很小的极，作为第一基极b1和第二基极b2，在硅基片的 另一侧靠近b2处掺入P型杂质，从而形成PN结，并引出电极作为发射 极e。其等效电路是由第一基极b1和第二基极b2之间的电阻Rbb （Rbb=Rb1+Rb2）、发射极e与两基极之间的PN结（即二极管VD）所组 成
2、单结晶闸管的伏安特性
结论：
⒈单结晶体管的E极与B1极之间的电阻reb1随发射极电流IE 而变。当IE上升时reb1就会下降。单结晶体管的E极与B2极之间 的电阻reb2与发射极电流IE无关。
⒉单结晶体管的导通条件为：在E极与B1极之间应为正向 电压（即Ueb1＞0），且在B2极与B1极之间也应为正向电压 （即Ub2b1＞＞0）。 ⒊特性： 当Ueb1较低时，单结晶体管VT是截止的；但当Ueb1上升至某一 数值时，IE 会加大，而reb1迅速下降，即单结晶体管迅速导通，相 当于开关的闭合。因此，只要改变Ueb1的大小，就可控制单结晶体 管迅速导通或截止。
单结晶体管的识别
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3
单结晶体管的主要参数
• （1）基极间电阻Rbb 。发射极开路时，基极b1、b2之间的 电阻，一般为2～10KΩ，其数值随温度上升而增大。通常 Rbb具有纯电阻特性，阻值大小与温度有关。 （2）分压比η 。分压比是指Rb1上产生电压Ub1与两基极 电压Ubb的比值，公式为：η=Ub1/Ubb=Rb1/Rbb，它由管 子内部结构决定的常数，一般为0.3～0.9。 （3）eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压Vcb2 下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。 （4）反向电流Ieo 。b1开路，在额定反向电压Vcb2下， eb2间的反向电流。如果实际测得管子的反向电流太大，则 表明PN结的单向特性差，单结晶体管有漏电现象。 （5）发射极饱和压降Veo 。在最大发射极额定电流时， eb1间的压降。 （6）峰点电流Ip。 单结晶体管刚开始导通时，发射极电 压为峰点电压时的发射极电流。
• 应当说明的是，上述判别b1、b2的方法，不一定对所有的单 结晶体管都适用，有个别管子的e～b1间的正向电阻值较小。 即使b1、b2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲 的幅度（单结晶体管多在脉冲发生器中使用），当发现输出 的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的b1、b2对调过来就可 以了。
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单结晶体管的识别与检测
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1
• 单结晶体管的结构、外形及特点
• 单结晶体管（简称UJT）又称双基极二极管，是一种只有一 个PN结和两个电阻接触电极的三端半导体器件，单结晶体 管（简称UJT）又称基极二极管，它的基片为条状的高阻N
型硅片，两端分别用电阻接触引出两个基极b1和b2。
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单结晶体管的识别及检测
湖南省技工学校理论教学教案教师：以后，I E 继续增大，V E 略有上升，但变化不大，此时单结晶体管进入饱状态，图中对应于谷点V 以右的特性，称为饱和区。
当发射极电压减小到V E <V V 时，单结晶体管由导通恢复到截止状态。
综上所述，峰点电压V P 是单结晶体管由截止转向导通的临界点。
BB A A D P V V V V V η=≈+= （7-2-2）所以，V P 由分压比η和电源电压决定V BB 。
谷点电压V V 是单结晶体管由导通转向截止的临界点。
一般V V = 2～5V （V BB = 20V ）。
国产单结晶体管的型号有BT31、BT32、BT33等。
BT 表示半导体特种管，3表示三个电极，第四个数字表示耗散功率分别为100、200、300mW 。
单结晶体管的检测图7-2－3为单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号。
好的单结晶体管PN 结正向电阻R EB1、R EB2均较小，且R EB1稍大于R EB2，PN 结的反向电阻R B1E 、R B2E 均应很大，根据所测阻值，即可判断出各管脚及管子的质量优劣。
用万用电表R ×10Ω档分别测量EB 1、EB 2间正、反向电阻，记入表7－2-1表7-2－1R EB1(Ω)R EB2(Ω)R B1E (K Ω)R B2E (K Ω)结 论任务二 单结晶体管振荡电路制作与调试图7-2-5单结晶体管振荡电路2、仪器仪表双踪示波器一台 MF47万用表 1只3、制作调试步骤（1）将元器件按要求整形，插入通用电路板的相应位置,并连接好导线。
（2）闭合开关，接通电源。
分别用示波器观察电容C两端电压vc 及电路输出电压vo。
在图7-2-6相应坐标中作出vc、vo波形。
（3）调节电路中电位器阻值，观察两波形变化，可以看出，改变电位器阻值将改变输出脉冲的__________(相位、频率、幅值)。
图7-2-6 vc、vo波形图[布置作业]完成实验报告[课后预习]调光台灯电路的制作与调试。
模电教案 晶闸管、单结晶体管的识别与检测
（一体化）教学设计首页教案序号：NO.25【组织教学】1、检查班级学生出勤情况，查看教具是否完备，安定课堂秩序，集中学生注意力,准备上课。
2、展示教学目标，板书教学目标、重难点。
【技能训练】一、目的和要求1、学会晶闸管的识别与检测质量的方法。
2．学会单结晶体管的识别与检测质量的方法二、实训器材1、万用表2、常用晶闸管、单结晶体管若干三、操作步骤1、晶闸管的识别和检测质量的方法（1）单向晶闸管1）电极识别1.外形直观识别常见晶闸管的电极如书图所示。
对于螺栓型和平板型可以直接识别。
2. 万用表检测用万用表R×1挡测量三个引脚之间的正反向电阻，其中有一次电阻值较小，此时黑表笔连接的是控制极，红表笔连接的是阴极，余下的是阳极。
2）质量判断用万用表R×1挡，将红表笔接阴极，黑表笔接阳极，电阻值应为无穷大，然后在两表笔保持连接状态下，黑表笔同时碰触一下控制极后立即断开，电阻变得较小，且维持不变，表示被测管的触发维持特性基本正常。
（2）双向晶闸管1）电极识别1. 第二电极T2的识别一般双向晶闸管的第一电极T1靠近控制极G，而距离第二电极较远，因此T1-G之间的正、反向电阻都很小，可以用万用表R×1挡测量三个引脚之间的正、反向电阻，其中有两次阻值较小，则被测得两级是第一电极T1和控制极G，余者是第二电极T22. 第一电极T1与控制极G的区别确定第二电极T2后，假设余下的两个电极分别是第一电极T1和控制极G，用万用表R×1挡，把黑表笔接假设的第一电极T1，红表笔接的第二电极T2，电阻应为无穷大，接着用红表笔使第二电极T2与控制极G短路，电阻变得较小，再将红表笔与G脱离后，若电阻不变，说明假设成立。
可以区分第一电极和控制极G.2) 质量判断用万用表R×1挡，将红表笔接第一电极T1，黑表笔接第二电极T2，电阻应为无穷大，然后在两表笔保持连接状态下，黑表笔同时碰触一下控制极G后立即断开，电阻应变为较小，且维持不变。
六、怎样检测单结晶体管_快速学认电子元器件（双色版）_[共3页]
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103快速学认电子元器件（双色版）
2．延时电路
单结晶体管可以用作延时电路。
图4-70所示为延时接通开关电路，电源开关SA接通后，继电器K并不立即吸合，这时电源经RP 和R1向C充电，直到C上所充电压达到峰点电压U P时，单结晶体管V导通，K才吸合。
触点K-1和K-2使K保持吸合状态。
调节RP可改变延时时间。
图4-70 延时电路
3．触发电路
单结晶体管还可以用作晶闸管触发电路。
图4-71所示为调光台灯电路，在交流电的每半周内，晶闸管VS由单结晶体管V输出的窄脉冲触发导通，调节RP便改变了V输出窄脉冲的时间，即改变了VS 的导通角，从而改变了流过照明灯泡EL的电流，实现了调光的目的。
六、怎样检测单结晶体管
单结晶体管可以用万用表进行检测。
1．检测两基极间电阻
万用表置于“R×1k”挡，两表笔（不分正、负）接单结晶体管除发射极E以外的两个引脚，如图4-72所示，读数应为3～10kΩ。
2．检测PN结
（1）检测PN结正向电阻时（以N型基极管为例，下同），黑表笔（表内电池正极）接发射极E，红表笔分别接两个基极，如图4-73。
单结晶体管的识别与检测
湖南省技工学校理论教学教案教师姓名：注：教案首页，教案用纸由学校另行准备湖南省劳动厅编制益阳高级技工学校益阳高级技工学校益阳高级技工学校以后，I E 继续增大，V E 略有上升，但变化不大，此时单结晶体管进入饱状态，图中对应于谷点V 以右的特性，称为饱和区。
当发射极电压减小到V E <V V 时，单结晶体管由导通恢复到截止状态。
综上所述，峰点电压V P 是单结晶体管由截止转向导通的临界点。
BB A A D P V V V V V η=≈+= （7-2-2）所以，V P 由分压比η和电源电压决定V BB 。
谷点电压V V 是单结晶体管由导通转向截止的临界点。
一般V V = 2～5V （V BB = 20V ）。
国产单结晶体管的型号有BT31、BT32、BT33等。
BT 表示半导体特种管，3表示三个电极，第四个数字表示耗散功率分别为100、200、300mW 。
单结晶体管的检测图7-2－3为单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号。
好的单结晶体管PN 结正向电阻R EB1、R EB2均较小，且R EB1稍大于R EB2，PN 结的反向电阻R B1E 、R B2E 均应很大，根据所测阻值，即可判断出各管脚及管子的质量优劣。
用万用电表R ×10Ω档分别测量EB 1、EB 2间正、反向电阻，记入表7－2-1表7-2－1R EB1(Ω)R EB2(Ω)R B1E (K Ω)R B2E (K Ω)结 论任务二 单结晶体管振荡电路制作与调试益阳高级技工学校图7-2-5单结晶体管振荡电路2、仪器仪表双踪示波器一台 MF47万用表 1只3、制作调试步骤（1）将元器件按要求整形，插入通用电路板的相应位置,并连接好导线。
（2）闭合开关，接通电源。
分别用示波器观察电容C两端电压vc及电路输出电压vo。
在图7-2-6相应坐标中作出vc、vo波形。
（3）调节电路中电位器阻值，观察两波形变化，可以看出，改变电位器阻值将改变输出脉冲的__________(相位、频率、幅值)。
晶体管的识别与检测
1、检测小功率晶体二极管A、判别正、负电极(a)、观察外壳上的的符号标记。
通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。
(b)、观察外壳上的色点。
在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。
一般标有色点的一端即为正极。
还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。
(c)、以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。
B、检测最高工作频率FM。
晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。
另外，也可以用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1k的多为高频管。
C、检测最高反向击穿电压VRM。
对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。
需要指出的是，最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。
一般情况下，二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。
2、检测玻封硅高速开关二极管检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。
不同的是，这种管子的正向电阻较大。
用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5k～10k，反向电阻值为无穷大。
3、检测快恢复、超快恢复二极管用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。
即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为4.5k左右，反向电阻为无穷大；再用R×1挡复测一次，一般正向电阻为几欧，反向电阻仍为无穷大。
4、检测双向触发二极管A、将万用表置于R×1k挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。
若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。
将万用表置于相应的直流电压挡。
测试电压由兆欧表提供。
测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。
省技工学校变频调速单结晶体管的识别与检测理论教学教案
一、教案基本信息1. 教案名称：省技工学校变频调速单结晶体管的识别与检测理论教学教案2. 学科领域：电气工程及自动化3. 课时安排：共5课时，每课时45分钟4. 教学目标：(1) 让学生了解单结晶体管的基本结构和工作原理。
(2) 使学生掌握单结晶体管的识别方法。
(3) 培养学生运用万用表等工具检测单结晶体管的能力。
二、教学内容与步骤1. 导入新课教师简要介绍单结晶体管在变频调速中的应用，激发学生的学习兴趣。
2. 讲解单结晶体管的基本结构教师通过多媒体课件展示单结晶体管的结构图，讲解各部分的作用。
3. 分析单结晶体管的工作原理教师讲解单结晶体管的工作原理，引导学生理解其工作过程。
4. 学习单结晶体管的识别方法教师介绍单结晶体管的参数和标识方法，引导学生学会识别。
5. 实践操作：用万用表检测单结晶体管教师演示如何用万用表检测单结晶体管，学生分组进行实践操作。
6. 总结与评价教师对学生的实践操作进行点评，总结本节课的重点内容。
三、教学方法与手段1. 采用问题驱动的教学方法，引导学生主动探究。
2. 利用多媒体课件辅助教学，提高学生的学习兴趣。
3. 结合实际操作，培养学生的动手能力。
4. 分组讨论，促进学生之间的交流与合作。
四、教学评价1. 课堂问答：检查学生对单结晶体管基本知识的掌握。
2. 实践操作：评价学生在实际操作中运用单结晶体管识别与检测的能力。
3. 课后作业：布置相关题目，巩固所学知识。
五、课后作业1. 绘制单结晶体管的结构图。
2. 总结单结晶体管的识别方法。
六、教学资源准备1. 教案课件：制作详细的教学课件，包括单结晶体管的结构图、工作原理图等。
2. 实物模型：准备一些单结晶体管的实物模型，用于学生观察和识别。
3. 万用表：为学生提供足够的万用表，用于实践操作。
4. 测试电路：准备一些测试电路，用于演示和引导学生进行实践操作。
七、教学注意事项1. 在讲解单结晶体管的基本结构时，要注意用简洁明了的语言，确保学生能够理解。
场效应管、晶闸管和单结晶体管的识别与检测
6.2 晶闸管的识别与检测 晶闸管又叫可控硅，是一种大功率半导体器 件，具有体积小、重量轻、容量大、效率高、 控制灵敏等优点。晶闸管具有硅整流器件的 特性，能在高电压、大电流条件下工作，工 作过程可以控制，被广泛应用在可控整流、 交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等 电子电路中。
6.2.1 晶闸管的分类
6.1.4场效应管使用注意事项 1.使用场效应管之前，必须首先搞清楚场效应管 的类型及它的电极，必要时应通过仪表进行测试。 结型场效应管的S、D极可互换，MOS场效应管的 S、D极一般也可互换，但有些产品S极与衬底连 在一起，这时S极与D极不能互换。 2.在线路设计中，应根据电路的需要选择场效应 管的类型及参数，使用时不允许超过场效应管的 耗散功率、最大漏源电流和电压的极限值。 3.各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的 偏置接入电路中，要注意场效应管偏置的极性。 4.在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避 免靠近发热元件；为了防止管子振动，安装时要 将管子紧固；管脚引线在弯曲时，应当大于管子 根部尺寸５mm以上处进行，以防止弯断管脚而引 起漏气。
（2）单向晶闸管触发能力的判断
1 .对1A～10A的晶闸管，可用万用表的R×1档，红表笔接A极，黑表笔 接K极，表针不动；然后使红表笔周与A极相接的情况下，同时与控制极 G接触。此时可从万用表的指针上看到晶闸管的A-K之间的电阻值明显变 小，指针停在几欧到十几欧处，晶闸管因触发处于导通状态。给G极一 个触发电压后离开，仍保持红表笔接A极，黑表笔接K极，若晶闸管处于 导通状态不变，则表明晶闸管是好的；否则，晶闸管可能是损坏的。
6.3.3 单结晶体管的主要参数 （1）基极间电阻Rbb 。发射极开路时，基极b1、b2之间的 电阻，一般为2～10K ，其数值随温度上升而增大。通常 Rbb具有纯电阻特性，阻值大小与温度有关。 （2）分压比η 。分压比是指Rb1上产生电压Ub1与两基极 电压Ubb的比值，公式为：η=Ub1/Ubb=Rb1/Rbb，它由管 子内部结构决定的常数，一般为0.3～0.9。 （3）eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压Vcb2 3 eb1 Vcb1 b2 Vcb2 下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。 （4）反向电流Ieo 。b1开路，在额定反向电压Vcb2下， eb2间的反向电流。如果实际测得管子的反向电流太大，则 表明PN结的单向特性差，单结晶体管有漏电现象。 （5）发射极饱和压降Veo 。在最大发射极额定电流时， eb1间的压降。 （6）峰点电流Ip。 单结晶体管刚开始导通时，发射极电 压为峰点电压时的发射极电流。
晶体管的检测经验
晶体管的检测经验1．从晶体管的型号命名上识别其材料与极性国产晶体管型号命名的其次部分用英文字母A"D表示晶体管的材料和极性。
其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料NPN型管，“C”代表硅材料PNP 型管，“D”代表硅材料NPN型管。
***产晶体管型号命名的第三部分用字母A"D来表示晶体管的材料和类型（不代表极性）。
其中，“A”、“B”为PNP型管，“C”、“D”为NPN型管。
通常，“A”、“C”为高频管，“B”、“D”为低频管。
欧洲产晶体管型号命名的第一部分用字母“A”和“B”表示晶体管的材料（不表示NPN或PNP型极性）。
其中，“A”表示锗材料，“B”表示硅材料。
2．从封装形状上识别晶体管的引脚在用法权晶体管之前，首先要识别晶体管各引脚的极性。
不同种类、不同型号、不同功能的晶体管，其引脚罗列位置也不同。
通过阅读上述“晶体管的封装形状”中的内容，可以迅速识别也常用晶体管各引脚的极性。
3．用判别晶体管的极性与材料对于型号标记不清或虽有型号但无法识别其引脚的晶体管，可以通过万用表测试来推断出该晶体管的极性、引脚及材料。
对于普通小功率晶体管，可以用万用表R×100Ω档或R×1k档，用两表笔测量晶体管随意两个引脚间的正、反向值。
在测量中会发觉：当黑表笔（或红表笔）接晶体管的某一引脚时，用红表笔（或黑表笔）去分离接触另外两个引脚，万用表上指示均为低阻值。
此时，所测晶体管与黑表笔（或红表笔）衔接的引脚便是基极B，而别外两个引脚为集电极C和放射极E。
若基极接的是红表笔，则该管为PNP管；若基极接的是黑表笔，则该管国 NPN管。
也可以先假定晶体管的任一个引脚为基极，与红表笔或黑表笔接触，再用另一表笔去分离接触另外两个引脚，若测出两个均较小的电阻值时，则固定不动的表笔所接的引脚便是基极B，而另外两个引脚为放射极E和集电极C。
找到基极B后，再比较基极B与另外两个引脚之间正向电阻值的大小。
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理论教学教案
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单结晶体管的识别与检测
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实验
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目
的
了解单结晶体管及触发电路的工作原理。
教
学
重
点
单结晶体管的识别与检测。
教
学
难
点
单结晶体管及触发电路的工作原理。
主要
教学
方法
演示，示范，讲授。
教
具
挂
图
BT33、电阻、电容、万用表、电烙铁等。
将改变输出脉冲的__________(相位、频率、幅值)。
图7-2-6vc、vo波形图
[布置作业]
完成实验报告
[课后预习]
调光台灯电路的制作与调试
V点的电压和电流分别称为谷点电压VV和谷点电流IV。过了谷点以后，IE继续增大，VE略有上升，但变化不大，此时单结晶体管进入饱状态，图中对应于谷点V以右的特性，称为饱和区。当发射极电压减小到VE<VV时，单结晶体管由导通恢复到截止状态。
综上所述，峰点电压VP是单结晶体管由截止转向导通的临界点。
（7-2-2）
一、单结晶体管
它的外形与普通三极管相似，具有三个电极，但不是三极管，而是具有三个电极的二极管，管内只有一个PN结，所以称之为单结晶体管。三个电极中，一个是发射极，两个是基极，所以也称为双基极二极管。
1.结构与符号
其结构如图7-2-1(a)所示。它有三个电极，但在结构上只有一个PN结。有发射极E，第一基极B1和第二基极B2，其符号见图7-2-1(b)。
图7-2-4单结晶体管振荡电路
当合上开关S接通电源后，将通过电阻R向电容C充电(设C上的起始电压为零)，电容两端电压vC按τ=RC的指数曲线逐渐增加。当vC升高至单结晶体管的峰点电压VP时，单结晶体管由截止变为导通，电容向电阻R1放电，由于单结晶体管的负阻特性,且R1又是一个50~100Ω的小电阻，电容C的放电时间常数很小，放电速度很快，于是在R1上输出一个尖脉冲电压vG。在电容的放电过程中，vE急剧下降，当vE≤VV(谷点电压)时，单结晶体管便跳变到截止区，输出电压vG降到零，即完成一次振荡。
教学
环节
时间
பைடு நூலகம்分配
1、组织教学时间
2
3、讲授新课时间
70
2、复习导入时间
8
4、归纳小结时间
5
5、作业布置时间
5
教
学
后
记
实验二单结晶管振荡电路的制作与调试
任务一单结晶体管的识别与检测
欲使晶闸管导通，它的控制极上必须加上触发电压vG，产生触发电压vG的电路称为触发电路。触发电路种类繁多，各具特色。本节主要介绍用单结晶体管组成的触发电路。
所以，VP由分压比η和电源电压决定VBB。
谷点电压VV是单结晶体管由导通转向截止的临界点。一般VV= 2～5V（VBB= 20V）。
国产单结晶体管的型号有BT31、BT32、BT33等。BT表示半导体特种管，3表示三个电极，第四个数字表示耗散功率分别为100、200、300mW。
单结晶体管的检测
图7-2－3为单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号。好的单结晶体管PN结正向电阻REB1、REB2均较小，且REB1稍大于REB2，PN结的反向电阻RB1E、RB2E均应很大，根据所测阻值，即可判断出各管脚及管子的质量优劣。
(a)结构示意图(b)符号(c)结构等效电路
图7-2-1单结晶体管
单结晶体管的伏安特性是指它的发射极电压VE与流入发射极电流IE之间的关系。图7-2-1(a)是测量伏安特性的实验电路，在B2、Bl间加上固定电源EB，获得正向电压VBB并将可调直流电源EE通过限流电阻RE接在E和Bl之间。
（a）测试电路(b)伏安特性
用万用电表R×10Ω档分别测量EB1、EB2间正、反向电阻，记入表7－2-1
表7-2－1
REB1(Ω)
REB2(Ω)
RB1E(KΩ)
RB2E(KΩ)
结论
任务二单结晶体管振荡电路制作与调试
利用单结晶体管的负阻特性和RC电路的充放电特性，可组成单结晶体管振荡电路，其基本电路如图7-2-4所示。
(a)电路图(b)波形图
放电一结束，电容又开始重新充电并重复上述过程，结果在C上形成锯齿波电压，而在R1上得到一个周期性的尖脉冲输出电压vG，如图7-2-4(b)所示。
调节R（或变换C）以改变充电的速度，从而调节图7-2-4(b)中的t1时刻，如果把vG接到晶闸管的控制极上，就可以改变控制角α的大小。
1、电路如图7-2-5所示
图7-2-5单结晶体管振荡电路
2、仪器仪表
双踪示波器一台MF47万用表1只
3、制作调试步骤
（1）将元器件按要求整形，插入通用电路板的相应位置,并连接好导线。
（2）闭合开关，接通电源。分别用示波器观察电容C两端电压vc及电路输出电压vo。在图7-2-6相应坐标中作出vc、vo波形。
（3）调节电路中电位器阻值，观察两波形变化，可以看出，改变电位器阻值
2.伏安特性
单结晶体管的等效电路如图7-2-1(c)所示，两基极间的电阻为RBB=RB1+RB2，用D表示PN结。RBB的阻值范围为2～15KΩ之间。如果在Bl、B2两个基极间加上电压VBB，则A与Bl之间即RB1两端得到的电压为
(7-2-1)
式中η称为分压比，它与管子的结构有关，一般在0.3～0.8之间，η是单结晶体管的主要参数之一。
图7-2-2单结晶体管伏安特性
当外加电压VE<ηVBB+VD时(VD为PN结正向压降)，PN结承受反向电压而截止，故发射极回路只有微安级的反向电流，单结晶体管子处于截止区，如图7-2-2(b)的aP段所示。
在VE=ηVBB+VD时，对应于图7-2-2(b)中的P点，该点的电压和电流分别称为峰点电压VP和峰点电流IP。由于PN结承受了正向电压而导通，此后RB1急剧减小，VE随之下降，IE迅速增大，单结晶体管呈现负阻特性，负阻区如图7-2-2(b)中的PV段所示。