Flash闪存
flash 闪存封装
MCP封装优点 MCP封装优点
实现高密度封装 采用垂直互联方式，引线长度短
• 信号的传输延时大大减小 • 寄生电容、电感也大为减小 • 这有利于高速传输、改善高频性能、减少 功耗 • 提高可靠性。
实例1 实例1
加拿大公司MOSAID Technologies与2012年4月6日 宣布，他们已经试产了全球第 一颗采用惊人十六die封装的 NAND闪存芯片，让他们和谐地 运行在了一个高性能通道内。 这颗闪存采用了MOSAID独家的HLNAND MCP技术，利 用两个HyperLink NAND接口将多达16颗业界标准的4GB NAND Flash die放到了一起，总容量达到了64GB。 该闪存的封装格式为100-ball BGA，长宽尺寸仅18×14 毫米。
2011年为 31亿GB
2012年 预计为57 亿GB
2016年会上 升到120亿GB？
NAND flash市场和应用 flash市场和应用
今年NAND行业——超级本电脑。NAND厂商一直在 极力宣传在超级本中使用固态硬盘。 由于超级本电脑重量轻、电池续航时间长和启动 速度快，因此对企业用户和消费者用户都有很大 的吸引力。这将推动NAND产品在PC领域的消费量 占其总消费量比例上升到15%以上。
记忆卡：COB、PIP、MCP
• U盘、SD卡等
NAND flash市场和应用 flash市场和应用
预计全球NAND闪存市场今年增长率将达8% 智能手机：2011年为31亿GB。预计2012年的智能手机销 量将达到6.26亿部，平均每部手机使用的NAND闪存容量 为9GB,总容量将达到57亿GB。2016年平均每部手机使用 的NAND闪存容量将增加到18.9GB
1896
1920
flash 存储原理
flash 存储原理Flash 存储是一种基于闪存技术的非易失性存储器。
它使用电子存储介质来存储数据，并且数据可以在无电源状态下保持不变。
Flash 存储由许多个存储单元组成，每个存储单元可以存储一个字节的数据。
Flash 存储采用了一种称为 NAND 的结构。
NAND Flash 存储单元是按矩阵形式排列的，每个存储单元由一个电荷存储单元和一个控制器组成。
控制器可以读取或写入存储单元中的数据。
Flash 存储的最基本单位是页 (Page)。
一个页通常包含多个字节的数据，通常是 512 字节、2KB 或 4KB。
要读取或写入这个页，控制器会从存储单元中读取或写入数据。
Flash 存储的写入操作稍微复杂一些。
写入时，控制器首先将整个块的数据读取到内部的缓冲区中。
然后，它会将要写入的数据添加到缓冲区中，并更新存储单元的状态。
最后，它会将整个块的数据再次写回到存储单元中。
Flash 存储的主要优点是非易失性和快速的读写速度。
Flash 存储可以在断电的情况下保持数据，这使得它非常适合用于移动设备和嵌入式系统。
此外，Flash 存储的读取速度非常快，可以迅速访问存储的数据。
然而，Flash 存储也有一些限制。
首先，Flash 存储的写入操作比读取操作更慢，而且每个存储单元只能写入有限次数。
这意味着频繁的写入操作可能会导致存储单元的寿命减少。
其次，Flash 存储的价格相对较高，比传统的硬盘驱动器更昂贵。
综上所述，Flash 存储是一种常用的非易失性存储器，适用于各种移动设备和嵌入式系统。
它的快速读写速度和保存数据的能力使其成为许多应用的理想选择。
然而，我们也需要注意Flash 存储的限制，特别是写入操作的速度和存储单元的寿命。
flash闪存工作原理
flash闪存工作原理
flash闪存是一种非易失性存储器件，通过在晶体管栅极和通道之间形成电子隧穿效应来存储数据。
具体来说，flash闪存是由许多电子存储单元组成的，每个存储单元由一对栅极和通道组成，在其中嵌入了一些氧化物。
当加上合适的电压时，电子可以穿越氧化物并在通道中存储，当然这个过程需要高电压、隧穿电子和较长的时间（毫秒数量级）。
反之，当电压减小，电子会重新回到栅极中，因此电子能否存储取决于电压大小。
因此，当我们需要读取闪存存储的数据时，需要施加较小的电压，然后从通道中读取电子来判断该存储单元是否存储了数据。
总的来说，闪存中的每个存储单元都可以被反复写入，这是由于数字形式的1和0都可以通过在栅极和通道之间施加不同大小的电压来实现存储。
这种工作原理使得闪存在很多应用场合都可以替代传统的硬盘和磁带存储。
浅析Flash闪存技术
浅析Flash闪存技术Flash闪存技术是一种高速、大容量、低功耗和可靠性高的非易失性存储器技术。
它是一种特殊的EPROM（可编程只读存储器）技术，在EPROM基础上加入了可编程的擦除和写入电路，使得其可以反复擦除和写入数据，实现大容量的数据存储和快速读取。
Flash技术主要分为两类：NOR Flash和NAND Flash。
NOR Flash适用于需要快速随机读取的应用，比如操作系统、程序代码等；而NAND Flash适用于大容量、高速顺序读取的应用，比如照片、音乐、视频等媒体文件。
下面将分别对NOR Flash和NAND Flash进行浅析。
1. NOR FlashNOR Flash是一种支持快速随机读取的闪存技术。
它可以通过地址总线和数据总线完成与CPU的数据交互。
NOR Flash内部以页为单位进行数据操作，每页大小一般为512字节至4KB，且页面之间可以随意读取。
此外，NOR Flash还具有快速的随机存取能力，可以读写单个字节，而且不需要进行擦除操作，因此更适用于存储启动代码、系统代码等需要快速读取的程序。
但是，NOR Flash的缺点也是显而易见的，其擦除和写入速度十分缓慢，而且成本较高，因此在大容量存储上一般不适用。
2. NAND FlashNAND Flash是一种适用于大容量存储的闪存技术。
它可以通过数据总线来与CPU进行数据交互，但不支持随机读写，只能顺序读写。
NAND Flash内部以块为单位进行数据操作，每个块的大小通常为128KB至4MB，且块与块之间不能随意读写，必须要进行擦除操作。
由于NAND Flash在读取块数据时，需要先进行擦除操作，因此其读写速度较慢。
然而，NAND Flash具有比NOR Flash更高的存储密度和更低的成本，因此被广泛应用于各种媒体存储中。
NAND Flash还有一些特殊的应用，比如笔记本电脑的SSD（solid state disk）硬盘、手机的内置存储等等。
FLASH闪存
闪存的英文名称是"Flash Memory"，一般简称为"Flash"，它属于内存器件的一种。
不过闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异：目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存；闪存则是一种不挥发性（ Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
NAND 闪存的存储单元则采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， NAND 的存储块大小为 8 到 32KB ），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过 512MB 容量的 NAND 产品相当普遍， NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
NAND 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 I/O 端口只有 8 个，比 NOR 要少多了。
这区区 8 个 I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 NOR 闪存的并行传输模式慢得多。
再加上 NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较 NOR 闪存要差。
NAND 闪存被广泛用于移动存储、数码相机、 MP3 播放器、掌上电脑等新兴数字设备中。
由于受到数码设备强劲发展的带动， NAND 闪存一直呈现指数级的超高速增长.NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
SRAM、DRAM、Flash、DDR有什么区别
SRAM、DRAM、Flash、DDR有什么区别SRAMSRAM的全称是Static Rnadom Access Memory，翻译过来即静态随机存储器。
这⾥的静态是指这种存储器只需要保持通电，⾥⾯的数据就可以永远保持。
但是当断点之后，⾥⾯的数据仍然会丢失。
由于SRAM的成本很⾼，所以像诸如CPU的⾼速缓存，才会采⽤SRAM。
DRAMDRAM全称是Dynamic Random Access Memory，翻译过来即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。
DRAM 只能将数据保持很短的时间。
为了保持数据，DRAM使⽤电容存储，所以必须隔⼀段时间刷新(refresh)⼀次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。
FlashFlash内存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，⼜名闪存，是⼀种长寿命的⾮易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位⽽是以固定的区块为单位，区块⼤⼩⼀般为256KB到20MB。
闪存是电⼦可擦除只读存储器(EEPROM)的变种，EEPROM与闪存不同的是，EEPROM能在字节⽔平上进⾏删除和重写⽽闪存是按区块擦写，这样闪存就⽐EEPROM的更新速度快，所以被称为Flash erase EEPROM，或简称为Flash Memory。
由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被⽤来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本输⼊输出程序)、PDA(个⼈数字助理)、数码相机中保存资料等。
另⼀⽅⾯，闪存不像RAM(随机存取存储器)⼀样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。
NOR Flash与NAND FlashNOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的⾮易失闪存技术。
Intel于1988年⾸先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)⼀统天下的局⾯。
Flash存储器-读写原理及次数
Flash存储器-读写原理及次数 FLASH存储器⼜称闪存，是⼀种长寿命的⾮易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，由于其断电时仍能保存数据，FLASH存储器通常被⽤来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输⼊输出程序）、PDA（个⼈数字助理）、数码相机中保存资料等。
本⽂将探讨FLASH存储器的读写原理及次数。
⼀、FLASH存储器的读写原理 FLASH存储器的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。
但是第⼀层栅介质很薄，作为隧道氧化层。
写⼊⽅法与EEPROM相同，在第⼆级浮空栅加以正电压，使电⼦进⼊第⼀级浮空栅。
读出⽅法与EPROM相同。
擦除⽅法是在源极加正电压利⽤第⼀级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注⼊⾄浮空栅的负电荷吸引到源极。
由于利⽤源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在⼀起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，⽽是全⽚或分块擦除。
到后来，随着半导体技术的改进，FLASH存储器也实现了单晶体管（1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加⼊了浮动栅和选择栅，在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电⼦的浮动棚。
浮动栅包裹着⼀层硅氧化膜绝缘体。
它的上⾯是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。
数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电⼦。
有电⼦为0，⽆电⼦为1。
FLASH存储器就如同其名字⼀样，写⼊前删除数据进⾏初始化。
具体说就是从所有浮动栅中导出电⼦。
即将有所数据归“1”。
写⼊时只有数据为0时才进⾏写⼊，数据为1时则什么也不做。
写⼊0时，向栅电极和漏极施加⾼电压，增加在源极和漏极之间传导的电⼦能量。
这样⼀来，电⼦就会突破氧化膜绝缘体，进⼊浮动栅。
读取数据时，向栅电极施加⼀定的电压，电流⼤为1，电流⼩则定为0。
浮动栅没有电⼦的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于⼤量电⼦的移动，就会产⽣电流。
⽽在浮动栅有电⼦的状态（数据为0）下，沟道中传导的电⼦就会减少。
flash名词解释
flash名词解释
Flash是一个英文名词，有多个不同的含义和用法：
1. 闪光：Flash可以指代一种瞬时而强烈的亮光或闪光灯的功能。
例如，相机上的闪光灯可以提供额外的光线来拍摄在低光条件下的照片。
2. 一瞬间：Flash还可以表示一个非常短暂的时间段或瞬间，通常指某事物的突然出现或消失。
例如，“他在一瞬间跑得飞快。
”
3. 快闪：Flash也可以指称一种突发且短暂的社交活动，叫做“闪存事件”（Flash mob）或“快闪”，通常在公共场合集结大量人群，并同时执行一项特定的行动或表演。
这种活动通常通过社交媒体等渠道组织和推广。
4. 闪回：在电影、电视剧或小说中，Flash可以指代一个突然插入的回忆场景，常用于展示主角的过去经历或解释故事发展。
5. Adobe Flash：Flash还可以指代Adobe公司开发的一种多媒体技术和软件平台，用于创建富媒体内容和互动应用程序。
然而，请注意，自从2020年12月31日起，Adobe已停止支持和分发Flash Player，因此Flash技术已逐渐被其他替代方案取代。
需要根据具体上下文来确定“Flash”所指的具体含义。
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UltraNAND
AMD 与 Fujistu 共同推出的 UltraNAND 技术，称之为先进的 NAND 闪速存储器技术。它与 NAND 标准兼容：拥有比 NAND 技 术更高等级的可靠性；可用来存储代码，从而首次在代码存储的 应用中体现出 NAND 技术的成本优势；它没有失效块，因此不用 系统级的查错和校正功能，能更有效地利用存储器容量。
三、Flash Memory 供应商
20nm
三星4月26日宣布正式量产20奈米制程NAND Flash芯片，为 32Gb容量MLC(Multi-Level Cell)规格产品，未来应用面包括SD闪 存和嵌入式解决方案，主要针对智能型手机和高阶手机，预计将 于2010年下半进入量产。 三星指出，相较于目前30奈米制程世代，20奈米制程新技术产出 可大幅增加50%，且在写入速度方面，以8GB容量以上SD卡为例 ，20奈米制程NAND Flash芯片比30奈米制程芯片速度快上30%， 并可用在高等级Class 10记忆卡上，最高容量可达64GB水平。
3，AND 技术
AND 技术是 Hitachi 公司的专利技术。 Hitachi 和 Mitsubishi 共 同支持 AND 技术的 Flash Memory 。 AND 技术与 NAND 一样 采用 “ 大多数完好的存储器 ” 概念，目前，在数据和文档存储领域 中是另一种占重要地位的闪速存储技术。
DINOR
DINOR(Divided bit-line NOR) 技术是 Mitsubishi 与 Hitachi 公司 发展的专利技术，从一定程度上改善了 NOR 技术在写性能上的 不足。 DINOR 技术 Flash Memory 和 NOR 技术一样具有快速随 机读取的功能，按字节随机编程的速度略低于 NOR ，而块擦除速 度快于 NOR 。这是因为 NOR 技术 Flash Memory 编程时，存储 单元内部电荷向晶体管阵列的浮栅极移动，电荷聚集，从而使电 位从 1 变为 0 ；擦除时，将浮栅极上聚集的电荷移开，使电位从 0 变为 1 。而 DINOR 技术 Flash Memory 在编程和擦除操作时电 荷移动方向与前者相反。 DINOR 技术 Flash Memory 在执行擦 除操作时无须对页进行预编程，且编程操作所需电压低于擦除操 作所需电压，这与 NOR 技术相反。
一、闪速存储器的特点
闪速存储器（ Flash Memory ）是一类非易失性存储器 NVM （ Non-Volatile Memory ）即使在供电电源关闭后仍能保持片内信 息；而诸如 DRAM 、 SRAM 这类易失性存储器，当供电电源关闭 时片内信息随即丢失。 Flash Memory 集其它类非易失性存储器的特点：与 EPROM 相 比较，闪速存储器具有明显的优势 —— 在系统电可擦除和可重 复编程，而不需要特殊的高电压（某些第一代闪速存储器也要求 高电压来完成擦除或编程操作）；与 EEPROM 相比较，闪速存储 器具有成本低、密度大的特点。
谢谢
TCL集团股份有限公司
NOR 技术Flash Memory 具有以下特点
（ 1 ） 程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地 址总线，能快速随机读取，允许系统直接从 Flash 中读取代码执 行，而无需先将代码下载至 RAM 中再执行； （ 2 ） 可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以块为单 位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对 块或整片进行预编程和擦除操作。
二、 闪速存储器的技术分类
NOR技术
NAND技术
AND技术
EEPROM派生
NOR
DINOR
NAND
UltraNAND
Small Sector Flash
DataFlash
1，NOR 技术
NOR 技术（亦称为 Linear 技术）闪速存储器是最早出现的Flash Memory ，目前仍是多数供应商支持的技术架构。它源于传统的 EPROM 器件，与其它Flash Memory 技术相比，具有可靠性高、 随机读取速度快的优势，在擦除和编程操作较少而直接执行代码 的场合，尤其是纯代码存储的应用中广泛使用，如 PC 的 BIOS 固件、移动电话、硬盘驱动器的控制存储器等。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
2，NAND 技术
Samsung 、TOSHIBA 和 Fujistu 支持NAND 技术Flash Memory 。 这种结构的闪速存储器适合于纯数据存储和文件存储，主要作为 SmartMedia 卡、 CompactFlash 卡、 PCMCIA ATA 卡、固态盘的 存储介质，并正成为闪速磁盘技术的核心。
四、公司用到的FLASH
基本上是使用NAND技术的FLASH，也有NOR技术的FLASH。 1，13-EN25Q3-2AB EN25Q32A 32 Megabit Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector 厂家：Eon Silicon Solution.Inc.
由 EEPROM 派生的闪速存储器特点
这类器件具有 EEPROM 与 NOR 技术 Flash Memory 二者 折衷的性能特点： （ 1 ） 读写的灵活性逊于 EEPROM ，不能直接改写数据。在 编程之前需要先进行页擦除，但与 NOR 技术 Flash Memory 的块结构相比其页尺寸小，具有快速随机读取和快 编程、快擦除的特点。 （ 2 ） 与 EEPROM 比较，具有明显的成本优势。 （ 3 ） 存储密度比 EEPROM 大，但比 NOR 技术 Flash Memory 小
NAND技术的FLASH
2，13-MX25L8-00B MX25L8006E 8M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH 厂家：Macronix International Co.，Ltd.
NOR Flash
3，13-S29GL1-28B S29GL-P MirrorBit® Flash Family S29GL-P MirrorBit® Flash Family Cover Sheet S29GL01GP, S29GL512P, S29GL56P, S29GL128P 1 Gigabit, 512 Megabit, 256 Megabit and 128 Megabit 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology 厂家：Spansion
4，由 EEPROM 派生的闪速存储器
EEPROM 具有很高的灵活性，可以单字节读写（不需要擦除，可 直接改写数据），但存储密度小，单位成本高。部分制造商生产出 另一类以 EEPROM 做闪速存储阵列的 Flash Memory ，如 ATMEL 、 SST 的小扇区结构闪速存储器（ Small Sector Flash Memory ）和 ATMEL 的海量存储器（ Data-Flash Memory ）。
一、闪速存储器的特点
闪速存储器（ Flash Memory ）是一类非易失性存储器 NVM （ Non-Volatile Memory ）即使在供电电源关闭后仍能保持片内信 息；而诸如 DRAM 、 SRAM 这类易失性存储器，当供电电源关闭 时片内信息随即丢失。 Flash Memory 集其它类非易失性存储器的特点：与 EPROM 相 比较，闪速存储器具有明显的优势 —— 在系统电可擦除和可重 复编程，而不需要特殊的高电压（某些第一代闪速存储器也要求 高电压来完成擦除或编程操作）；与 EEPROM 相比较，闪速存储 器具有成本低、密度大的特点。
NAND 技术 Flash Memory 具有以下特点
（ 1 ） 以页为单位进行读和编程操作， 1 页为 256 或 512B （字节 ）；以块为单位进行擦除操作， 1 块为 4K 、 8K 或 16KB 。具有快 编程和快擦除的功能，其块擦除时间是 2ms ；而 NOR 技术的块 擦除时间达到几百 ms 。 （ 2 ） 数据、地址采用同一总线，实现串行读取。随机读取速度慢 且不能按字节随机编程。 （ 3 ） 尺寸小，引脚少，是位成本 (bit cost) 最低的固态存储器。 （ 4 ） 芯片包含有失效块，其数目最大可达到 3~35 块（取决于存 储器密度）。失效块不会影响有效块的性能，但设计者需要将失效 块在地址映射表中屏蔽起来。
Flash Memory 2010.4.29
一、闪速存储器的特点
闪速存储器（ Flash Memory ）是一类非易失性存储器 NVM （ Non-Volatile Memory ）即使在供电电源关闭后仍 能保持片内信息；而诸如 DRAM 、 SRAM 这类易失性存 储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失。 Flash Memory 集其它类非易失性存储器的特点：与 EPROM 相比较，闪速存储器具有明显的优势 —— 在系 统电可擦除和可重复编程，而不需要特殊的高电压（某些 第一代闪速存储器也要求高电压来完成擦除或编程操作）； 与 EEPROM 相比较，闪速存储器具有成本低、密度大的