Current Sense Circuit Collection 电流采样方法

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DCDC转换器中电流采样电路的设计

DC/DC转换器中电流采样电路的设计作者：裴杰，王江燕， Pei Jie， Wang Jiangyan作者单位：裴杰,Pei Jie(空军第一航空学院,军械工程系,河南,信阳,464000)，王江燕,WangJiangyan(空军第一航空学院,电子工程系,河南,信阳,464000)刊名：电子科技英文刊名：ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY年，卷(期)：2009，22(4)被引用次数：0次参考文献(6条)1.Behzad Razavi Design of Analog CMOS Integrated Circuits 20032.王水平.武芒.彭学愚开关电源及其展动态 1996(04)3.Phillip E.Allen Douglas.Holberg R CMOS Analog Circuit Design 20024.田锦明.王松林.来新泉AC/DC开关电源脉宽调制芯片的低功耗设计[期刊论文]-电子科技 2006(06)5.Paul R Gray.Paul J Hurst.Stephen H Lewis Analysis and Design of Analog Integrated Circuits 20006.Franco S Design with Operational Amplifiers and Analog Integrated Circuits 1998相似文献(1条)1.期刊论文黎晓贞.涂敏.Li Xiaozhen.Tu Min基于UC3842开关稳压电源的设计-电子技术2009,46(3)开关电源是一种效率很高的电源变换电路,通过对Boost型开关电源作详细的数学推导后得到准确数据.该系统包括整流滤波模块、DC-DC变换模块、过流保护及人机接口模块,以DC-DC变换器作系统的核心.采用UC3842作开关电源控制芯片,开关管采用耐高压,导通电阻很小的MOSFET管IRF640.输出滤波电路中用LC构成的型网络,同时输出采用单片机采样系统,可显示当前的电流和电压,且通过采样电流实现过流保护功能.本文链接：/Periodical_dzkj200904009.aspx授权使用：石家庄学院(sjzxy)，授权号：b69b8caa-0879-46a8-81b7-9e2501480359下载时间：2010年11月5日。

BP3126 系统设计程序1

D6 T2
R5 R3 C E1 D3
C3
Ns1
C6
C7
R9
1 2
Np
R4 R2 D4
Naux
2
DB1 F11 3来自D1R6D5 C8
C4 R1
1 2
C5 R7
V cc G ate
Q1 R 10
4
U1
Cs
D2
C E2
G nd
Fb
R s1
R s2
R 11
Current Sense Resistor 采样电阻电流采样电阻_Rcs= 采样电阻功耗_Prcs= Start-Up Resistor 启动电阻启动电阻_Rcs= 启动电阻功耗_Prcs= FB Sense Resistor FB反馈电阻系统延时时间_tdely= 分压系数_Ka= Snubber Circuit RCD吸收回路变压器漏感大小_Lleak= 吸收回路损耗_Psunbber= 10.00 0.45 500.00 4.00 4.14 0.01 0.65 0.06 Ω 由于MOSFET关断延时问题，实际阻值需跟据输出电流调试。
Walt MΩ Walt nS ≤4 uH
Walt 实际选用启动电阻_Rcs= 2.00
MΩ
由于耐压问题，实际选用2颗1MΩ _1206电阻串联。
补偿电阻_Rfbh= 补偿分压电阻_Rfbl=
0 0
KΩ KΩ KΩ nF
吸收回路电阻_Rsunbber= 吸收回路电容_Csunbber=
124 1.24
mm A/mm2 mm
次级绕组并绕股数辅助绕组漆包线外径辅助绕组并绕股数胶带等物质的总厚度绕制后总厚度 BP310X(5)原理图

电表常用英语专业

电表常用英语专业词汇II类防护绝缘包封仪表——insulating encased meter of protective class II I类防护绝缘包封仪表——insulating encased meter of protective class I P-分位…——P-fractile…p—分位管理延迟——p-fractile andyistrative delayP—分位后勤延迟——P—fractile logistic delayP—分位修理时间——p—fractile repair timeY-接线系统——Y-connected systemΔ-接线系统——Δ-connected system埃尔斯特——Elster艾创——Itron爱施朗——Echelon爱拓利——Actaris百分数误差——percentage error保护接地端——protective earth terminal备用冗余——standby redundancy变电站(所) ——substation/transformersubstation/transformer station变形，失真——distortion变压器——transformer标准表——reference meter标准传输规范——Standard Transfer Specification(STS)标准导轨式仪表——DIN rail meter表常数——meter constant表常数试验——Meter constant test表底——base表盖——meter cover表壳——meter case表位——stations波特率——baud rate波形——wave form波形捕捉——waveform capture补偿——compensation不工作时间——non—operating time不工作状态——non-operating state不可用时间——down time不可用状态；内因不能工作状态——down state；internal disabled state 不能工作时间——disabled time不能工作状态——disable state；outage不修理的产品——non-repaired item不影响功能的维修——function-permitting maintenance步进电机计度器——step motor register步进应力试验——step stress test部分故障——partial fault部分失效——partial failure采集器——acquisition unit采集器——data collector采集终端——electric energy acquisition terminal (EEAT)参比电流——reference current参比电压——reference voltage参比频率——reference frequency参比条件——reference conditions参比条件下的准确度试验——Accuracy at reference conditions参比温度——reference temperature测定试验——determination test测量单元——measuring unit测量器件/测量元件——measuring element测试报告——test report测试输出——test output插座——socket插座式（ANSI标准）电度表——socket type energy meter差错——error长沙（深圳）威胜——Wasion常数——constant超高压输电网——supertension transmission network超声波清洗机——ULTRASONIC Cleaning machine潮汐能发电站——tide energy power station程序－敏感故障——programme-sensitive fault持久故障——persistent fault持续时间——duration冲击电压试验——Impulse voltage test处因不能工作状态——external disabled state串口——COM port垂直工作位置——vertical working position次要故障——minor fault从属失效——secondary failure待命时间——stand-by time待命状态——standby state单费率——flat tariff单相IC卡式预付费电度表——single phase IC card prepaid meter单相电路中无功电能——reactive energy in a single-phase circuit单相电能表——singlesingle phasephase meter单相电能表平面调表检验装置——horizontal single phase watt hour meter test bench 单相电子式电度表——single phase electronic meter单相多费率电度表——single phase multi-tariff meter单相多功能电度表——single phase multi-function meter单相多功能电能表检验装置——single phase multifunction watt hour meter test bench单相分体式键盘式预付费电度表——single phase split-type keypad prepaid meter 单相感应式电度表——single phase inductive meter单相机械式电度表——single phase mechanical meter单相键盘式预付费电度表——single phase keypad prepaid meter单相两线电能表——single phase two wire meter单相三线电能表——single phase three wire meter单相有无功电度表——single phase active & reactive meter单相载波式电度表——single phase PLC meter单相载波式多功能电度表——single phase PLC multi-function meter单相载波式预付费电度表——single phase PLC prepaid meter德国标准——DIN Standard德国电气工程师协会——Verband Deutscher ElektrotechnikerVDE德国国家标准——Deutsches Institut für Normung e.VDIN等级指数——class index等级指数——class index低压配电网——low voltage distribution network底部连接式（IEC标准）电度表——bottom connected type energy meter地热能发电站——geothermal power station地线—— earth line电磁兼容性——Electromagnetic compatibility (EMC)电磁骚扰——electromagnetic disturbance电度表——energy meter,electricity meter,kilowatt-hour meter,power meter电度表/仪表型式——meter type电度表型号——meter type电感性负载——inductiveinductive load电抗——reactance电快速群脉冲抗扰度试验——Immunity to electrical fast transients/bursts电快速瞬变群脉冲抗扰度试验——electrical fast transients/burststransients/bursts 电力负荷——load电力负荷管理终端——power load management terminal电力系统——power system电力线载波——PLC （power line carrier)电流比较器——current comparator电流采样——current sampling电流互感器——CT电流回路——current circuit电流线路——current circuit电流源——current source电能——electric energy电能表退磁装置——watt hour meter demagnetization device电能测量仪表——electricity meter电容性负载——conductive load电网——power grid电网质量(分析) ——power quality (analysis)电压采样——voltage sampling电压等级——voltage rating电压跌落和短时中断试验——voltage dips and short interruptions; 电压互感器——current transformer PT电压回路——voltage circuit电压线路——voltage circuit电压源——voltage source电子式电度表——electronic meter static meterdigital meter电子式电能表——electronic meter电阻性负载——load独立失效——primary failure端子盖——terminal cover端子座——terminal block短距离无线网络——zigbee短时过电流试验——Short time overcurrent test断电——power outage断路器——circuit breaker对称三相负载——balanced three--phase load多费率电度表/仪表——multi-rate meter多费率电度表——multi-rate meter多费率仪表——multi-rate meter多功能电能表——multi--function meter多相电能表——polyphase meter额定电流*（In)——rated current （In)额定电流——rated current额定工作条件——rated operating condition额定最大脉冲频率——rated maximum impulse frequency发电厂——powerpower plant发电机——generator阀值——threshold法国标准协会——Association Francaise de Normalisation AFNOR反窃电——anti--tampering反向电能——export energy反向功率——reverse power防尘防水等级——IPIP rating妨碍功能的维修——function-preventing maintenance非对称电压试验——Voltage unbalance test非对称功率——asymmetric power非对称三相负载——Unbalanced three--phase load非关联失效——non-relevant failure非计划性维修——unscheduled maintenance非确定性故障——indeterminate fault非现场维修——off-site maintenance非易失贮存器——non-volatile memory非致命故障——non-critical fault非致命失效——non-critical failure费率——tariff / raterate费率内控——tariff under internal control费率外控——tariff under external control分时计量表——maltii--tariff meter风能发电站——wind power station峰值——peak服务——service辅助电源——auxiliary supply辅助线路——auxiliary circuit负荷曲线——Load profile负序阻抗——negtive--phase sequence impedance附加绝缘——supplementary insulation感应式电度表inductive watt-hour meter感应式电能表——inductioninduction meter感应式电能表——rev/kWhrev/kWh 或Wh/rev感应式仪表——induction meter钢锉——steel file高压配电网——high voltage distribution network高压输电网——high voltage transmission network工作——operation工作冗余——active redundancy工作时间——operating time工作指示器——operation indicator工作状态——operating state公共交换电话网络——Public Switched Telephone Network （PSTN)功率因数——Power factorfactor功能核查——function check-out供电局公用事业公司——utility估计的…——estimated…固有的…——intrinsic…；inherent…固有能力——capability固有误差——Intrinsic error故障——fault故障产品——faulty item故障定位——fault localization故障定位时间——fault localization time故障分析——fault analysis故障模式、影响与危害度分析——FMECA fault modes，effects and criticality analysis 故障模式——fault mode故障模式与影响分析——FMEA fault modes and effects analysis故障识别——fault recognition故障识别比——fault coverage故障树——fault tree故障树分析——FTA fault tree analysis故障修复——fault correction故障修复时间——fault correction time故障掩盖——fault masking故障裕度/容错——fault tolerance故障诊断——fault diagnosis故障诊断时间——fault diagnosis time关联失效——relevant failure观测数据——observed data管理延迟（对于修复性维修）——andyistrative delay光电通讯口——optical port光纤接入——Optical Access Network（OAN )规定的测量范围——specified measuring range规定的工作范围——specified operating range规定功能——required function规约，通信协议——protocol国际标准化组织标准——ISO Standard国际标准化组织协会—— International Standard OrganizationISO 国际电工委员会——International Electrotechnical CommissionIEC 过流——overcurrennt过压——overvoltage过载——overload杭州百富——Pax杭州海兴—— Hexing杭州炬华——Sunrise杭州西力——Xili杭州西子——Xizi耗损失效期——wear－out failure period河南（深圳）思达——Star河南金雀——Jinque核查时间——check－out time核电站——nuclear power plant恒定失效率期——constant failure rate period恒定失效密度期——constant failure intensity period红外通讯——infrared communication红外掌机——infrared handheld unit后勤延迟——logistic delay互感式仪表——transformer operated meter华立——Holley滑差窗口——slide window滑差时间——sliding window time环境温度——ambient temperature恢复——restoration；recovery恢复前时间——time to restoration；time to recovery火线—— live line机电式电能表——electromechanical meter机械式电度表mechanical watt-hour meter electro-mechanical meter基本的维修作业——elementary maintenance activity基本电流（直接式仪表：Ib）——basic current基本绝缘——basic insulation基本转矩——basic torque基本转速——basic speed基准数据——reference data畸变率——distortion ratio畸变因数——distortion factor极限工作范围——limit range of operation集中抄表系统automatic meter reading（AMR）集中器——concentrator计度器——register计划性维修——scheduled maintenance技术延迟——technical delay继电器——relay加密——encryption加强绝缘——reinforced insulation加速试验——accelerated test尖、峰、谷、平时段——sharp、peak、shoulder、off—peak time consumption 间隙——clearance间歇故障——intermittent fault监测——supervision；monitoring减弱功能的维修——function-degrading maintenance渐变失效；漂移失效——gradual failure；drift failure渐近可用度——A asymptotic availability渐近平均不可用度——U asymptotic mean unavailability渐近平均可用度——A asymptotic mean availability渐近下可用度——U asymptotic unavailability鉴定程序——qualification procedure江苏林洋——Linyang交流电压试验——AC voltage test阶梯费率——step tariff接地故障——earth fault接地故障抗扰度试验——Immunity to earth fault test接线端盖——terminal cover接线端子——basic insulation terminal接线端座——terminal block解密——decryption精度准确度——accuracy静电放电抗扰度试验——Immunity to electrostatic discharge test静电放电试验——electrostatic discharges静止式无功电度表——static var-hour meter静止式仪表——staticstatic meter静止式有功电度表——static watt-hour meter绝对误差——absolute error绝缘——insulation开表盖——meter cover open开端盖——terminal cover open可触及导电部件——accessible conductive part可靠性——reliability可靠性分配——reliability allocation；reliability apportionment可靠性改进——reliability improvement可靠性和维修性保证——reliability and maintainability assurance可靠性和维修性大纲——reliability and maintainability programme 可靠性和维修性管理——reliability and maintainability management 可靠性和维修性计划——reliability and maintainability plan可靠性和维修性监察——reliability and maintainability surveillance 可靠性和维修性控制——reliability and maintainability control可靠性和维修性审计——reliability and maintainability audit可靠性框图——reliability block diagram可靠性模型——reliability model可靠性预计——reliability prediction可靠性增长——reliability growth可设置——configurable可信性——dependability可用时间——up time可用性——availability可用状态——up state空载试验——No--load condition test兰吉尔——Landis & Gyr浪涌抗扰度试验——Immunity to surge test浪涌试验——surge test老化——aging老化房——Aging House老化故障；耗损故障——ageing fault；wearout fault老化失效；耗损失效——ageing failure；wearout failure老练——burn in累积不可用时间——accumulated down time累积时间——accumulated time累计测量值——cumulative measurement两相三线电能表——two phase three wire meter量度——measure零线——null line/neutral line零序阻抗——zero--phase sequence impedance轮显——normal scrolling display码分多址——Code Division Multiple Access (CDMA)忙碌状态——busy state美标GB国标——ANSI Standard美国国家标准协会——American National Standards InstituteANSI美国实验室标准——Underwriter Laboratories Inc.UL密码保护——password protection民用仪表——domestic meter模具——mould模块——module耐久性——durability耐久性试验——endurance test能源计量配套规范Companion Specification for Energy Metering(COSEM) 逆相序——reversed phase sequence逆相序试验——Reversed phase sequence test宁波三星Sanxing宁夏宁光——LGG欧盟安全认证——Communate EuroppeneCE欧盟计量器具指令——MID欧洲标准——EN Standard欧洲国际电工委员会标准——IEC Standard爬电距离——creepage distance旁路——bypass配电变压器——distribution transformer配电监测计量终端——transformer terminal unit (TTU)配电控制柜——distribution cabinet配电网络——distribution network配电线路——distribution transmission line平均不可用度——U(t1，t2)mean unavailability平均不可用时间——MDT mean down time平均的…——mean…平均管理延迟——MAD mean andyistrative delay平均后勤延迟——MLD mean logistic delay平均恢复前时间——MTTR mean time to restoration平均可用度——A(t1,t2)mean availability平均可用时间——MUT mean up time平均累积不可用时间——MADT mean accumulated down time平均失效间隔时间——MTBF mean time between failures平均失效间工作时间——MTBF mean operating time between failures平均失效率——λ(t1,t2)mean failure rate平均失效密度——Z(tl，t2) mean failure intensity平均失效前时间——MTTF mean time to failure平均实际修复性维修时间——mean active corrective maintenance time平均首次失效前时间——MTTFF mean time to first failure平均维修人时——mean maintenance man-hours平均温度系数——mean temperature coefficient平均修复率——μ(t1，t2)mean repair rate平均修理时间——MRT mean repair time奇次谐波和次谐波影响试验——Odd harmonics anda sub--harmonics test启动——starting启动试验——Starting condition test潜动——creeping潜在故障——latent fault欠压——under voltage嵌入软件——firmware窃电——tampering轻工业用仪表——light industialindustial meter确定性故障——determinate fault热电厂——heat and power plant热稳定性——thermal stability日本标准协会——Japanese Industial StandardJIS冗余——redundancy弱质故障——weakness fault弱质失效——weakness failure三合一监测计量终端——hyper transformer terminal unit (HTTU)三相GPRS多功能电度表——three phase GPRS multi-function meter三相IC卡式预付费电度表——three phase IC card prepaid meter三相等电位电能表检验装置——three phase equal potential watt hour meter test bench 三相电路中无功电能——reactive energy in a three-phase circuit三相电能表——three phase meter三相电能表检验装置——three phase watt hour meter test bench三相电子式电度表——three phase electronic meter三相多费率电度表——three phase multi-tariff meter三相多功能电度表——three phase multi-function meter三相分体式键盘式预付费电度表——three phase split-type keypad prepaid meter三相感应式电度表——three phase inductive meter三相机械式电度表——three phase mechanical meter三相键盘式预付费电度表——three phase keypad prepaid meter三相三线电能表——three phase three wire meter三相三线电网——three--phase three wire network三相四线电能表——three phase four wire meter三相四线电网——three--phase four wire network三相有无功电度表——three phase active & reactive meter三相载波式电度表——three phase PLC meter三相载波式多功能电度表——three phase PLC multi-function meter三相载波式预付费电度表——three phase PLC prepaid meter筛选试验——screening test商用仪表——commercial meter上电——power--on上海金陵——Jinling上位机软件——PC software上限——upper limit上行通道——upstream channel设备名称及测试术语单相电能表检验装置——single phase watt hour meter test bench 设备语言信息规范——Device Language Message specification(DLMS)设计故障——design fault设计评审——design review设计失效——design failure射频传导抗扰度试验——Immunity to conducted disturbances, induced by RF fields test 射频电磁场传导干扰试验——conducted disturbances, induced by RF fields射频电磁场试验——radiated RF electromagnetic fields;射频干扰试验——radio interference test射频模块——RF (radio frequency) module深圳长城——Kaifa深圳浩宁达——Haoningda深圳科陆——Clou深圳龙电——Longdian失误——mistake失效——failure失效安全——fail safe失效分析——failure analysis失效机理——failure mechanism失效间隔时间——time between failures失效间工作时间——operating time between failures失效率加速系数——failure rate acceleration factor失效密度加速系数——failure intensity acceleration factor失效前时间——time to failure失效原因——failure cause湿度——humidity时间加速系数——time acceleration factor时间区间——time interval时刻——instant of time实际的修复性维修时间——active corrective maintenance time实际的预防性维修时间——active preventive maintenance time实际维修时间——active maintenance time实时时钟——RTC （real--time clock)实验室试验——laboratory test矢量图——phasor diagram使用的…——operational…使用寿命——useful life事件——event事件记录——event log视在功率——apparent power试验数据——test data室内安装——indoor installation室内仪表——indoor meter室外安装——outdoor installation室外仪表——outdoor meter首次失效前时间——time to first failure受控维修——controlled maintenance售电系统——vending system输出装置——output devices输电网络——transmission network输电线路——transmission line数据报文——data message数据处理单元——data processing unit数据－敏感故障——data-sensitive fault双重绝缘——double insulation水电站——hydropower station瞬间电压跌落——sag瞬间电压升高——swell瞬时不可用度——U(t) instantaneous unavailability瞬时测量值——instantaneous measurement瞬时的…——instantaneous…瞬时可用度——A(t) instantaneous availability瞬时失效率——λ(t) instantaneous failure rate瞬时失效密度——Z(t) instantaneous failure intensity瞬时修复率——μ(t)instantaneous repair rate四象限测量——four--quadrant measurement太阳能发电站——solarsolar energyenergy powerpower station通用电气GE通用无线分组General Packet Radio Service（GPRS)突然失效——sudden failure退化失效——degradation failure外部工频交变磁场——power frequency magnetic fields of external origin 外部恒定磁场试验——continuous magnetic fields of external origin; 外磁场影响——external magnetic affection外推的…——extrapolated…外因不能工作时间——external disabled time；external loss time完全故障；功能阻碍故障——complete fault；function-preventing fault完全失效——complete failure维修保障性——maintenance support performance维修的实体——maintenance entity维修等级——level of maintenance维修度——maintainability维修方针——maintenance policy维修工作——maintenance action；maintenance task维修人时——MMH maintenance man-hours维修时间——maintenance time维修树——maintenance tree维修性——maintainability维修性分配——maintainability allocation；maintainability apportionment 维修性检验——maintainability verification维修性模型——maintainability model维修性验证——maintainability demonstration维修性预计——maintainability prediction维修约定级——indenture level(for maintenance)维修准则——maintenance philosophy维修作业线——maintenance echelon；line of maintenance未检出故障时间——undetected fault time温州长城——CNC温州晨泰——Risesun温州德力西——Delex温州登立——Dengli温州华仪——Huayi温州立新——Lixin温州人民——People Electric温州松夏——Songxia温州天正——T engen温州正泰——Chint纹波控制——ripple control稳态不可用度——steady-state unavailability稳态的…——steady state稳态可用度——steady－state availability无功表——varvar--hourhour meter无功电度表——var-hour meter无功电能（乏一小时）——reactive energy(var-hour)无功功率——reactive power无功功率的方向和符号——directions and sign of reactive power无需求时间——non-required time误操作故障——mishandling fault误操作失效——mishandling failure误差偏移量——error shift误差允许范围——tolerance误用故障——misuse fault误用失效——misuse failure系统性故障——systematic fault系统性失效；重复性失效——systematic failure；reproducible failure下电——power--off下限——low limit下行通道——downstream channel先进计量设施——advanced metering infrastructure（AMI)闲置时间——idle time；free time闲置状态；空闲状态——idle state；free state显示模式——display mode现场试验——field test现场数据——field data现场维修——on-site maintenance；in sits maintenance；field maintenance 线电流——line current线电压——line voltage线损表——lineline lossloss meter相电流——phase current相电压——phase voltage相对误差——relative error效能——effectiveness校表——calibration校表参数——calibration parameter谐波——harmonics谐波表——harmonic meter信号源——signal source型式——type型式检验——type test型式验证程序——type approval procedure修复比——repair coverage修复性维修——corrective maintenance修复性维修时间——corrective maintenance time修改——modification(of an item)修理的产品——repaired item修理时间——repair time需量表——demand meter需量周期——block interval需求时间——required time需要周期——demand interval验证试验——compliance test遥控维修——remote maintenance仪表插座——meter socket仪表常数——meter constant仪表底座——meter base仪表基架——meter frame仪表计度器（计数机构）——register of a meter(counting mechanism)仪表驱动元件——meter driving element仪表型式——meter type仪表制动元件——meter braking element仪表转子——meter rotor仪用互感器——instrument transformer应力分析——stress analysis应力模式——stress model英国标准——BS Standard英国国家标准—— Britain Standard (BS)影响功能的维修——function-affecting maintenance影响量——influence quantity影响量或影响因数——influence quantity or factor影响量试验——Effect of influence quantities test硬件保护——hardware protection由影响量引起的误差改变量——variation of error due to an influence quantity 有功电度表——watt-hour meter有功功率——Active power逾期维修——deferred maintenance预防性维修——preventive maintenance预防性维修时间——preventive maintenance time预付费电度表——prepayment watt-hour meter预付费电能表——prepayment meter预计——prediction预计的…——predicted…灾变失效——cataleptic failure早期失效期——early failure period帐单系统——billing system浙江万胜——Wellsun浙江永泰龙——Yongtailong真实的…——true…振动——vibration正常工作位置——normal working position正常工作位置——normal working position正向电能——import energyenergy正向功率——forward power正序阻抗——positive--phase sequence impedance直接式仪表——direct connected meter直流和偶次谐波影响试验——DC and even harmonics test制造故障——manufacturing fault制造失效——manufacturing failure致命故障——critical fault致命失效——critical failure致使状态——critical state智能电表——smart meter智能电网——smart grid智能集中控制器——centralized supervisory controller中继器——repeaters中压配电网——middle voltage distribution network重复性——Repeatability重要故障——major fault主站——master station贮存和运输条件——storage and transport conditions贮存器——memory状态转移图——state-transition diagram自动抄表管理系统——AMI (advanced metering infrastructure) system 自动抄表管理系统——AMM (automatic meter management) system 自动抄表系统——AMR (automatic meter reading) system自动维修——automatic maintenance自检——self--diagnostics自热影响试验——Self--heating test阻尼振荡波试验——damped oscillatory wave test最大电流*（Imax)——maximum current （Imax)最大容许误差——maximum permissible error最大容许误差偏移——maximum permissible error shift最大需量——MD (maximum demand)最大需量复零装置——maximum demand reset zero unit。

半导体微电子专业词汇中英文对照

半导体微电子专业词汇中英文对照Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Acoustic Surface Wave 声表面波Active region 有源区Active component 有源元Active device 有源器件Activation 激活Activation energy 激活能Active region 有源(放大）区A/D conversion 模拟—数字转换Adhesives 粘接剂Admittance 导纳Aging 老化Airborne 空载Allowed band 允带allowance 容限，公差Alloy-junction device合金结器件Aluminum(Aluminum）铝Aluminum – oxide 铝氧化物Aluminum Nitride 氮化铝Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度A M light 振幅调制光，调幅光amplitude limiter 限幅器Amorphous 无定形的，非晶体的Amplifier 功放放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器Angstrom 埃Anneal 退火Anisotropic 各向异性的Anode 阳极Antenna 天线Aperture 孔径Arsenide （As) 砷Array 阵列Atomic 原子的Atom Clock 原子钟Attenuation 衰减Audio 声频Auger 俄歇Automatic 自动的Automotive 汽车的Availability 实用性Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation雪崩激发Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向Backward bias 反向偏置Ball bond 球形键合Band 能带Band gap 能带间隙Bandwidth 带宽Bar 巴条发光条Barrier 势垒Barrier layer 势垒层Barrier width 势垒宽度Base 基极Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency基区输运系数Base—width modulation基区宽度调制Batch 批次Battery 电池Beam 束光束电子束Bench 工作台Bias 偏置Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor （BJT)双极晶体管Bit 位比特Blocking band 阻带Body — centered 体心立方Body—centred cubic structure 体立心结构Boltzmann 波尔兹曼Bond 键、键合Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃Bottom-up 由下而上的Boundary condition 边界条件Bound electron 束缚电子Bragg effect 布拉格效应Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿Break over 转折Brillouin 布里渊FBrillouin zone 布里渊区Buffer 缓冲器Built-in 内建的Build—in electric field 内建电场Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生Bulk recombination 体复合Burn-in 老化Burn out 烧毁Buried channel 埋沟Buried diffusion region 隐埋扩散区Bus 总线Calibration 校准，检定，定标、刻度，分度Capacitance 电容Capture cross section 俘获截面Capture carrier 俘获载流子Carbon dioxide （CO2) 二氧化碳Carrier 载流子、载波Carry bit 进位位Cascade 级联Case 管壳Cathode 阴极Cavity 腔体Center 中心Ceramic 陶瓷（的)Channel 沟道Channel breakdown 沟道击穿Channel current 沟道电流Channel doping 沟道掺杂Channel shortening 沟道缩短Channel width 沟道宽度Characteristic impedance 特征阻抗Charge 电荷、充电Charge-compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemical etching 化学腐蚀法Chemically—Polish 化学抛光Chemically—Mechanically Polish （CMP）化学机械抛光Chemical vapor deposition (cvd)化学汽相淀积Chip 芯片Chip yield 芯片成品率Circuit 电路Clamped 箝位Clamping diode 箝位二极管Cleavage plane 解理面Clean 清洗Clock rate 时钟频率Clock generator 时钟发生器Clock flip—flop 时钟触发器Close—loop gain 闭环增益Coating 涂覆涂层Coefficient of thermal expansion 热膨胀系数Coherency 相干性Collector 集电极Collision 碰撞Compensated OP-AMP 补偿运放Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接Common—gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接Common—mode gain 共模增益Common-mode input 共模输入Common—mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比Communication 通信Compact 致密的Compatibility 兼容性Compensation 补偿Compensated impurities 补偿杂质Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路Complementary Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor(CMOS）互补金属氧化物半导体场效应晶体管Computer-aided design (CAD)/test（CAT)/manufacture（CAM）计算机辅助设计/ 测试/制造Component 元件Compound Semiconductor 化合物半导体Conductance 电导Conduction band （edge）导带(底)Conduction level/state 导带态Conductor 导体Conductivity 电导率Configuration 结构Conlomb 库仑Constants 物理常数Constant energy surface 等能面Constant-source diffusion恒定源扩散Contact 接触Continuous wave 连续波Continuity equation 连续性方程Contact hole 接触孔Contact potential 接触电势Controlled 受控的Converter 转换器Conveyer 传输器Cooling 冷却Copper interconnection system 铜互连系统Corrosion 腐蚀Coupling 耦合Covalent 共阶的Crossover 交叉Critical 临界的Cross—section 横断面Crucible坩埚Cryogenic cooling system 冷却系统Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格Cubic crystal system 立方晶系Current density 电流密度Curvature 曲率Current drift/drive/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样Curve 曲线Custom integrated circuit 定制集成电路Cut off 截止Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶Czochralski technique 切克劳斯基技术(Cz法直拉晶体J））Dangling bonds 悬挂键Dark current 暗电流Dead time 空载时间Decade 十进制Decibel （dB）分贝Decode 解码Deep acceptor level 深受主能级Deep donor level 深施主能级Deep energy level 深能级Deep impurity level 深度杂质能级Deep trap 深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 简并半导体Degeneracy 简并度Degradation 退化Degree Celsius（centigrade）/Kelvin 摄氏/开氏温度Delay 延迟Density 密度Density of states 态密度Depletion 耗尽Depletion approximation 耗尽近似Depletion contact 耗尽接触Depletion depth 耗尽深度Depletion effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层Depletion MOS 耗尽MOS Depletion region 耗尽区Deposited film 淀积薄膜Deposition process 淀积工艺Design rules 设计规则Detector 探测器Developer 显影剂Diamond 金刚石Die 芯片（复数dice）Diode 二极管Dielectric Constant 介电常数Dielectric isolation 介质隔离Difference-mode input 差模输入Differential amplifier 差分放大器Differential capacitance 微分电容Diffusion 扩散Diffusion coefficient 扩散系数Diffusion constant 扩散常数Diffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉Digital circuit 数字电路Dimension (1）尺寸(2)量钢（3）维，度Diode 二极管Dipole domain 偶极畴Dipole layer 偶极层Direct—coupling 直接耦合Direct—gap semiconductor 直接带隙半导体Direct transition 直接跃迁Directional antenna 定向天线Discharge 放电Discrete component 分立元件Disorder 无序的Display 显示器Dissipation 耗散Dissolution 溶解Distributed capacitance 分布电容Distributed model 分布模型Displacement 位移Dislocation 位错Domain 畴Donor 施主Donor exhaustion 施主耗尽Dopant 掺杂剂Doped semiconductor 掺杂半导体Doping concentration 掺杂浓度Dose 剂量Double—diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS Drift 漂移Drift field 漂移电场Drift mobility 迁移率Dry etching 干法腐蚀Dry/wet oxidation 干/湿法氧化Dose 剂量Dual—polarization 双偏振，双极化Duty cycle 工作周期Dual-in-line package （DIP) 双列直插式封装Dynamics 动态Dynamic characteristics 动态属性Dynamic impedance 动态阻抗Early effect 厄利效应Early failure 早期失效Effect 效应Effective mass 有效质量Electric Erase Programmable Read Only Memory（E2PROM) 电可擦除只读存储器Electrode 电极Electromigration 电迁移Electron affinity 电子亲和势Electron-beam 电子束Electroluminescence 电致发光Electron gas 电子气Electron trapping center 电子俘获中心Electron Volt (eV) 电子伏Electro—optical 光电的Electrostatic 静电的Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半导体Ellipse 椭圆Emitter 发射极Emitter—coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器Empty band 空带Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应Endurance test =life test 寿命测试Energy state 能态Energy momentum diagram 能量-动量（E—K)图Enhancement mode 增强型模式Enhancement MOS 增强性MOSEnteric (低)共溶的Environmental test 环境测试Epitaxial 外延的Epitaxial layer 外延层Epitaxial slice 外延片Epoxy 环氧的Equivalent circuit 等效电路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子Equipment 设备Erasable Programmable ROM （EPROM)可搽取(编程)存储器Erbium laser 掺铒激光器Error function complement 余误差函数Etch 刻蚀Etchant 刻蚀剂Etching mask 抗蚀剂掩模Excess carrier 过剩载流子Excitation energy 激发能Excited state 激发态Exciton 激子Exponential 指数的Extrapolation 外推法Extrinsic 非本征的Extrinsic semiconductor 杂质半导体Fabry—Perot amplifier 法布里-珀罗放大器Face — centered 面心立方Fall time 下降时间Fan-in 扇入Fan—out 扇出Fast recovery 快恢复Fast surface states 快表面态Feedback 反馈Fermi level 费米能级Femi potential 费米势Fiber optic 光纤Field effect transistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层Figure of merit 品质因数Filter 滤波器Filled band 满带Film 薄膜Fine pitch 细节距Flash memory 闪存存储器Flat band 平带Flat pack 扁平封装Flatness 平整度Flexible 柔性的Flicker noise 闪烁（变）噪声Flip-chip 倒装芯片Flip— flop toggle 触发器翻转Floating gate 浮栅Fluoride etch 氟化氢刻蚀Focal plane 焦平面Forbidden band 禁带Formulation 列式，表达Forward bias 正向偏置Forward blocking /conducting 正向阻断/导通Free electron 自由电子Frequency deviation noise 频率漂移噪声Frequency response 频率响应Function 函数Gain 增益Gallium—Arsenide(GaAs) 砷化镓Gallium Nitride 氮化镓Gate 门、栅、控制极Gate oxide 栅氧化层Gate width 栅宽Gauss（ian）高斯Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation-recombination 产生-复合Geometries 几何尺寸Germanium(Ge) 锗Gold 金Graded 缓变的Graded (gradual) channel 缓变沟道Graded junction 缓变结Grain 晶粒Gradient 梯度Graphene 石墨烯Grating 光栅Green laser 绿光激光器Ground 接地Grown junction 生长结Guard ring 保护环Guide wave 导波波导Gunn — effect 狄氏效应Gyroscope 陀螺仪Hardened device 辐射加固器件Harmonics 谐波Heat diffusion 热扩散Heat sink 散热器、热沉Heavy/light hole band 重/轻空穴带Hell — effect 霍尔效应Hertz 赫兹Heterojunction 异质结Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体High field property 高场特性High—performance MOS（H—MOS)高性能MOS器件High power 大功率Hole 空穴Homojunction 同质结Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器Hot carrier 热载流子Hybrid integration 混合集成Illumination （1)照明（2）照明学Image - force 镜象力Impact ionization 碰撞电离Impedance 阻抗Imperfect structure 不完整结构Implantation dose 注入剂量Implanted ion 注入离子Impurity 杂质Impurity scattering 杂志散射Inch 英寸Incremental resistance 电阻增量(微分电阻）In—contact mask 接触式掩模Index of refraction 折射率Indium 铟Indium tin oxide （ITO）铟锡氧化物Inductance 电感Induced channel 感应沟道Infrared 红外的Injection 注入Input power 输入功率Insertion loss 插入损耗Insulator 绝缘体Insulated Gate FET(IGFET) 绝缘栅FET Integrated injection logic 集成注入逻辑Integration 集成、积分Integrated Circuit 集成电路Interconnection 互连Interconnection time delay 互连延时Interdigitated structure 交互式结构Interface 界面Interference 干涉International system of unions 国际单位制Internally scattering 谷间散射Interpolation 内插法Intrinsic 本征的Intrinsic semiconductor 本征半导体Inverse operation 反向工作Inversion 反型Inverter 倒相器Ion 离子Ion beam 离子束Ion etching 离子刻蚀Ion implantation 离子注入Ionization 电离Ionization energy 电离能Irradiation 辐照Isolation land 隔离岛Isotropic 各向同性Junction FET(JFET) 结型场效应管Junction isolation 结隔离Junction spacing 结间距Junction side—wall 结侧壁Laser 激光器Laser diode 激光二极管Latch up 闭锁Lateral 横向的Lattice 晶格Layout 版图Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变Lead 铅Leakage current （泄）漏电流Life time 寿命linearity 线性度Linked bond 共价键Liquid Nitrogen 液氮Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术Lithography 光刻Light Emitting Diode(LED) 发光二极管Linearity 线性化Liquid 液体Lock in 锁定Longitudinal 纵向的Long life 长寿命Lumped model 集总模型Magnetic 磁的Majority carrier 多数载流子Mask 掩膜板，光刻板Mask level 掩模序号Mask set 掩模组Mass — action law 质量守恒定律Master-slave D flip-flop 主从D 触发器Matching 匹配Material 材料Maxwell 麦克斯韦Mean free path 平均自由程Mean time before failure （MTBF）平均工作时间Mechanical 机械的Membrane （1）薄腊，膜片（2）隔膜Megeto — resistance 磁阻Mesa 台面MESFET-Metal Semiconductor 金属半导体FET Metalorganic Chemical Vapor Deposition MOCVD 金属氧化物化学汽相淀积Metallization 金属化Metal oxide semiconductor (MOS）金属氧化物半导体MeV 兆电子伏Microelectronic technique 微电子技术Microelectronics 微电子学Microelectromechanical System (MEMS）微电子机械系统Microwave 微波Millimeterwave 毫米波Minority carrier 少数载流子Misfit 失配Mismatching 失配Mobility 迁移率Module 模块Modulate 调制Molecular crystal 分子晶体Monolithic IC 单片MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管Mount 安装Multiplication 倍增Modulator 调制Multi—chip IC 多芯片ICMulti—chip module(MCM) 多芯片模块Multilayer 多层Multiplication coefficient 倍增因子Multiplexer 复用器Multiplier 倍增器Naked chip 未封装的芯片（裸片) Nanometer 纳米Nanotechnology 纳米技术Negative feedback 负反馈Negative resistance 负阻Negative—temperature-coefficient负温度系数Nesting 套刻Noise figure 噪声系数Nonequilibrium 非平衡Nonvolatile 非挥发(易失）性Normally off/on 常闭/开Nuclear 核Numerical analysis 数值分析Occupied band 满带Offset 偏移、失调On standby 待命状态Ohmic contact 欧姆接触Open circuit 开路Operating point 工作点Operating bias 工作偏置Operational amplifier （OPAMP）运算放大器Optical photon 光子Optical quenching 光猝灭Optical transition 光跃迁Optical—coupled isolator 光耦合隔离器Organic semiconductor 有机半导体Orientation 晶向、定向Oscillator 振荡器Outline 外形Out—of—contact mask 非接触式掩模Output characteristic 输出特性Output power 输出功率Output voltage swing 输出电压摆幅Overcompensation 过补偿Over-current protection 过流保护Over shoot 过冲Over—voltage protection 过压保护Overlap 交迭Overload 过载Oscillator 振荡器Oxide 氧化物Oxidation 氧化Oxide passivation 氧化层钝化Package 封装Pad 压焊点Parameter 参数Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillation 寄生振荡Pass band 通带Passivation 钝化Passive component 无源元件Passive device 无源器件Passive surface 钝化界面Parasitic transistor 寄生晶体管Pattern 图形Payload 有效载荷Peak-point voltage 峰点电压Peak voltage 峰值电压Permanent—storage circuit 永久存储电路Period 周期Permeable — base 可渗透基区Phase—lock loop 锁相环Phase drift 相移Phonon spectra 声子谱Photo conduction 光电导Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池Photoelectric effect 光电效应Photonic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工艺Photoluminescence 光致发光Photo resist （光敏）抗腐蚀剂Photo mask 光掩模Piezoelectric effect 压电效应Pin 管脚Pinch off 夹断Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）Planar process 平面工艺Planar transistor 平面晶体管Plasma 等离子体Plane 平面的Plasma 等离子体Plate 板电路板P-N junction pn结Poisson equation 泊松方程Point contact 点接触Polarity 极性Polycrystal 多晶Polymer semiconductor 聚合物半导体Poly—silicon 多晶硅Positive 正的Potential （电)势Potential barrier 势垒Potential well 势阱Power electronic devices电力电子器件Power dissipation 功耗Power transistor 功率晶体管Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面Print-circuit board(PCB）印制电路板Probability 几率Probe 探针Procedure 工艺Process 工艺Projector 投影仪Propagation delay 传输延时Proton 质子Proximity effect 邻近效应Pseudopotential method 赝势法Pump 泵浦Punch through 穿通Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制Punchthrough 穿通Push—pull stage 推挽级Q Q值Quality factor 品质因子Quantization 量子化Quantum 量子Quantum efficiency 量子效应Quantum mechanics 量子力学Quasi – Fermi－level 准费米能级Quartz 石英Radar 雷达Radiation conductivity 辐射电导率Radiation damage 辐射损伤Radiation flux density 辐射通量密度Radiation hardening 辐射加固Radiation protection 辐射保护Radiative — recombination 辐照复合Radio 无线电射电射频Radio-frequency RF 射频Raman 拉曼Random 随机Range 测距Radio 比率系数Ray 射线Reactive sputtering source 反应溅射源Real time 实时Receiver 接收机Recombination 复合Recovery diode 恢复二极管Record 记录Recovery time 恢复时间Rectifier 整流器（管）Rectifying contact 整流接触Red light 红光Reference 基准点基准参考点Refractive index 折射率Register 寄存器Regulate 控制调整Relative 相对的Relaxation 驰豫Relaxation lifetime 驰豫时间Relay 中继Reliability 可靠性Remote 远程Repeatability 可重复性Reproduction 重复制造Residual current 剩余电流Resonance 谐振Resin 树脂Resistance 电阻Resistor 电阻器Resistivity 电阻率Regulator 稳压管（器) Resolution 分辨率Response time 响应时间Return signal 回波信号Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置Ribbon 光纤带Ridge waveguide 脊形波导Ring laser 环形激光器Rotary wave 旋转波Run 运行Sampling circuit 取样电路Sapphire 蓝宝石(Al2O3）Satellite valley 卫星谷Saturated current range 电流饱和区Scan 扫描Scaled down 按比例缩小Schematic layout 示意图，简图Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基势垒Schottky contact 肖特基接触Screen 筛选Scribing grid 划片格Secondary flat 次平面Seed crystal 籽晶Segregation 分凝Selectivity 选择性Self aligned 自对准的Self diffusion 自扩散Semiconductor 半导体Semiconductor laser半导体激光器Semiconductor—controlled rectifier 半导体可控硅Sensitivity 灵敏度Sensor 传感器Serial 串行/串联Series inductance 串联电感Settle time 建立时间Sheet resistance 薄层电阻Shield 屏蔽Shifter 移相器Short circuit 短路Shot noise 散粒噪声Shunt 分流Sidewall capacitance 边墙电容Signal 信号Silica glass 石英玻璃Silicon 硅Silicon carbide 碳化硅Silicon dioxide (SiO2）二氧化硅Silicon Nitride（Si3N4) 氮化硅Silicon On Insulator 绝缘体上硅Silver whiskers 银须Simple cubic 简立方Simulation 模拟Single crystal 单晶Sink 热沉Sinter 烧结Skin effect 趋肤效应Slot 槽隙Slow wave 慢波Smooth 光滑的Subthreshold 亚阈值的Solar battery/cell 太阳能电池Solid circuit 固体电路Solid Solubility 固溶度Solution 溶液Sonband 子带Source 源极Source follower 源随器Space charge 空间电荷Space Craft 宇宙飞行器Spacing 间距Specific heat（PT) 比热Spectral 光谱Spectrum 光谱（复数)Speed-power product 速度功耗乘积Spherical 球面的Spin 自旋Split 分裂Spontaneous emission 自发发射Spot 斑点Spray 喷涂Spreading resistance 扩展电阻Sputter 溅射Square root 平方根Stability 稳定性Stacking fault 层错Standard 标准的Standing wave 驻波State-of-the-art 最新技术Static characteristic 静态特性Statistical analysis 统计分析Steady state 稳态Step motor 步进式电动机Stimulated emission 受激发射Stimulated recombination 受激复合Stopband 阻带Storage time 存储时间Stress 应力Stripline 带状线Subband 次能带Sublimation 升华Submillimeter 亚毫米波Substrate 衬底Substitutional 替位式的Superconductor 超导（电）体Superlattice 超晶格Supply 电源Surface mound表面安装Surge capacity 浪涌能力Switching time 开关时间Switch 开关Synchronizer 同步器，同步装置Synthetic-aperture 合成孔径System 系统Technical 技术的,工艺的Telecommunication 远距通信,电信Telescope 望远镜Terahertz 太赫兹Terminal 终端Template 模板Temperature 温度Tensor 张量Test 测试试验Thermal activation 热激发Thermal conductivity 热导率Thermal equilibrium 热平衡Thermal Oxidation 热氧化Thermal resistance 热阻Thermal sink 热沉Thermal velocity 热运动Thick— film technique 厚膜技术Thin- film hybrid IC 薄膜混合集成电路Thin-Film Transistor（TFT) 薄膜晶体Three dimension 三维Threshold 阈值Through Silicon Via 硅通孔Thyistor 晶闸管Time resolution 时间分辨率Tolerance 公差T/R module 发射/接收模块Transconductance 跨导Transfer characteristic 转移特性Transfer electron 转移电子Transfer function 传输函数Transient 瞬态的Transistor aging（stress) 晶体管老化Transit time 渡越时间Transition 跃迁Transition—metal silica 过度金属硅化物Transition probability 跃迁几率Transition region 过渡区Transmissivity 透射率Transmitter 发射机Transceiver 收发机Transport 输运Transverse 横向的Trap 陷阱Trapping 俘获Trapped charge 陷阱电荷Travelling wave 行波Trigger 触发Trim 调配调整Triple diffusion 三重扩散Tolerance 容差Tube 管子电子管Tuner 调节器Tunnel(ing) 隧道（穿）Tunnel current 隧道电流Turn - off time 关断时间Ultraviolet 紫外的Ultrabright 超亮的Ultrasonic 超声的Underfilling 下填充Undoped 无掺杂Unijunction 单结的Unipolar 单极的Unit cell 原(元)胞Unity— gain frequency 单位增益频率Unilateral-switch 单向开关Vacancy 空位Vacuum 真空Valence（value) band 价带Value band edge 价带顶Valence bond 价键Vapour phase 汽相Varactor 变容管Variable 可变的Vector 矢量Vertical 垂直的Vibration 振动Visible light 可见光Voltage 电压Volt 伏特Wafer 晶片Watt 瓦Wave guide 波导Wavelength 波长Wave-particle duality 波粒二相性Wear-out 烧毁Wetting 浸润Wideband 宽禁带Wire 引线Wire routing 布线Work function 功函数Worst-case device 最坏情况器件X-ray X射线Yield 成品率Zinc 锌。

高精度低功耗电流采样电路设计

第４１卷第５期２０１８年１０月电子器件ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓＶｏｌ４１㊀Ｎｏ５Ｏｃｔ.２０１８项目来源:国家自然科学基金项目(６１６０３１６１)ꎻ江西省科技厅自然科学基金项目(２０１５１ＢＡＢ２０７０４９)ꎻ江西省教育厅科学技术研究项目(ＧＪＪ１５１５０５ꎬＧＪＪ１５１５０４)收稿日期:２０１７－０９－０４㊀㊀修改日期:２０１７－１０－２０ＡＨｉｇｈ￣ＡｃｃｕｒａｃｙＬｏｗＰｏｗｅｒＣｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎＣｕｒｒｅｎｔＳｅｎｓｉｎｇＣｉｒｃｕｉｔ∗ＣＨＥＮＹａｎ１∗ꎬＳＨＥＮＦａｎｇ１ꎬＹＡＮＧＦａｎ２(１.ＳｃｈｏｏｌｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＮａｎｃｈａｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＮａｎｃｈａｎｇ３３００２９ꎬＣｈｉｎａꎻ２.ＳｃｈｏｏｌｏｆＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎａｎｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓꎬＪｉａｎｇｘｉＮａｎｃｈａｎｇＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙꎬＮａｎｃｈａｎｇ３３００１３ꎬＣｈｉｎａ)Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｔｏａｃｈｉｅｖｅｌｏｗｐｏｗｅｒｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎａｎｄｈｉｇｈｐｒｅｃｉｓｉｏｎｃｕｒｒｅｎｔｓｅｎｓｉｎｇꎬａｓｙｍｍｅｔｒｉｃａｌｒｅｓｉｓｔｏｒｓｅｎｓｉｎｇｓｔｒｕｃｔｕｒｅｂａｓｅｄｏｎａｍｐｌｉｆｉｅｒｉｓｐｒｏｐｏｓｅｄ.Ｗｉｔｈｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｐｒｏｐｏｓｅｄꎬａｈｉｇｈｌｉｎｅａｒｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐｂｅｔｗｅｅｎｓｅｎｓｉｎｇｃｕｒｒｅｎｔａｎｄｓｅｎｓｉｎｇｖｏｌｔａｇｅｃａｎｂｅｇｕａｒａｎｔｅｅｄꎬａｎｄｉｔｉｓａｂｌｅｔｏｒｅｌｉａｂｌｙｄｅｔｅｃｔｔｉｎｙｓｉｇｎａｌｓ.ＴｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｉｎｃｌｕｄｅｓｆｉｖｅｃｕｒｒｅｎｔａｎｄｖｏｌｔａｇｅｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎｓｔａｇｅｓꎬａｎｄｔｈｅｉｎｎｅｒｍａｔｃｈｉｎｇｒｅｓｉｓｔｏｒｎｅｔｉｓｄｅｓｉｇｎｅｄｂａｓｅｄｏｎＨｓｐｉｃｅｓｉｍｕ￣ｌａｔｉｏｎꎬｓｏａｓｔｏｒｅｄｕｃｅｔｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅｓｃａｕｓｅｄｂｙｉｎｐｕｔｍｉｓｍａｔｃｈａｓｗｅｌｌａｓｂｒｏａｄｅｎｔｈｅｃｏｍｍｏｎｍｏｄｅｉｎｐｕｔｒａｎｇｅ.Ｔｈｅｐｒｏｐｏｓｅｄｃｕｒｒｅｎｔｓｅｎｓｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔｉｓｉｍｐｌｅｍｅｎｔｅｄｗｉｔｈ０.３５μｍＢＣＤｐｒｏｃｅｓｓｗｉｔｈｔｈｅｂｌｏｃｋａｒｅａｄｏｗｎｔｏ０.１２ｍｍ２.Ｔｈｅｓｕｐｐｌｙｃｕｒｒｅｎｔｉｓｄｅｃｒｅａｓｅｄｔｏ１μＡｗｉｔｈｔｈｅｓｅｎｓｉｎｇｖｏｌｔａｇｅｄｅｔｅｃｔｉｏｎｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎｉｓ５ｍＶꎬｗｈｉｌｅａｆａｓｔｔｒａｎｓｉｅｎｔｒｅｓｐｏｎｓｅｃａｎｓｔｉｌｌｂｅｇｕａｒａｎｔｅｅｄ.Ｋｅｙｗｏｒｄｓ:ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｃｉｒｃｕｉｔꎻｃｕｒｒｅｎｔｓｅｎｓｉｎｇꎻＨｓｐｉｃｅꎻｈｉｇｈｐｒｅｃｉｓｉｏｎꎻｌｏｗｐｏｗｅｒｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎＥＥＡＣＣ:１１９０㊀㊀㊀㊀ｄｏｉ:１０.３９６９/ｊ.ｉｓｓｎ.１００５－９４９０.２０１８.０５.０２６高精度低功耗电流采样电路设计∗陈㊀艳１∗ꎬ沈㊀放１ꎬ杨㊀凡２(１.南昌大学科学技术学院ꎬ南昌３３００２９ꎻ２.江西科技师范大学通信与电子学院ꎬ南昌３３００１３)摘㊀要:为了实现低功耗高精度电流检测ꎬ设计了一种基于运算放大器的具有对称结构的电阻采样结构ꎬ该结构不仅实现采样电压和采样电流的高线性度ꎬ而且能实现对微弱采样信号的可靠检测ꎮ设计的电路架构中包含５个电流－电压转换阶段ꎬ基于Ｈｓｐｉｃｅ仿真ꎬ设计电路内部匹配电阻网络ꎬ以减小输入失调电压对采样的影响ꎬ拓展共模输入范围ꎮ该采样电路架构通过某０.３５μｍＢＣＤ工艺实现ꎬ版图面积仅为０.１２ｍｍ２ꎬ实测结果证明其工作电流小于１μＡꎬ采样电压检测精度高达５ｍＶꎬ且具有高速响应能力ꎮ关键词:微电子电路ꎻ电流采样ꎻＨｓｐｉｃｅꎻ高精度ꎻ低功耗中图分类号:ＴＮ４３２㊀㊀㊀㊀文献标识码:Ａ㊀㊀㊀㊀文章编号:１００５－９４９０(２０１８)０５－１２１１－０５㊀㊀电流采样电路在电源管理类芯片及系统中不可或缺[１－４]ꎬ在各种开关变换器㊁电子产品适配器㊁功率放大器以及二次电源中均有广泛的应用ꎮ然而ꎬ在如存储器㊁传感器等对功耗㊁精度㊁速度有严格要求的场合ꎬ传统检测方式的效果差强人意ꎬ难以满足日益严苛的应用需求ꎮ如文献[５]中提到的在功率开关管旁并联采样管ꎬ基于比例采样的思路检测电流ꎮ该检测方式虽简单易行ꎬ然而由于采样管和功率管的漏源级电压并不相同ꎬ因此沟道长度调制效应明显ꎬ同时由于采样管和功率管的个数比较大ꎬ所以难以在版图上实现良好匹配且后续电路仍需电流－电压转换电路ꎮ因此ꎬ这种采样方式的检测精度较低且功耗较大ꎮ文献[６－７]中提到的基于电阻采样的检测方式克服了采样精度较低的问题ꎬ然而由于采用常规比较器进行电压判别ꎬ因而难以实现低功耗应用ꎮ本文立足于对现有检测机制的原理和不足的分析ꎬ提出一种具有超低待机功耗同时具有高采样精度的新型电流检测架构ꎬ如图１所示ꎮ图１给出了本文所述及电流检测电路架构ꎬ图１中ＲＳＥＮＳＥ为采样电阻ꎬ串接在供电电源ＶＤＤ和待测负载之间ꎮ其中的供电电源ＶＤＤ的取值可以为１.６Ｖ~２８Ｖ之间的任意值ꎬ因此具有较大的共模输电㊀子㊀器㊀件第４１卷图１㊀电流采样架构图入范围ꎮ按照图１中所示的电流方向ꎬＲＳ＋和ＲＳ－分别为采样电阻ＲＳＥＮＳＥ的正相端和负相端ꎬ因此电阻ＲＳＥＮＳＥ上的电压可表示为ＶＲＳ＋－ＶＲＳ－ꎮ图１中ＰＭ１管的源极接在运放ＡＭＰ的负向输入端ꎬ漏极串联电阻ＲＯＵＴ到地ꎬ运放的输出接至Ｐ０管的栅极ꎬ由此构成反馈结构ꎬ从而保证运放在正常工作时的两个输入端电压相等ꎮ设流经电阻Ｒ１和Ｒ２的电流分别为Ｉ１和Ｉ２ꎬ则运放的两个输入端电压为Ｖ－＝ＶＲＳ＋－Ｒ１Ｉ１Ｖ＋＝ＶＲＳ－－Ｒ２Ｉ２{(１)式中:Ｉ１＝Ｉ２＋ΔＩ(２)为保证端接阻抗匹配ꎬ此处电阻Ｒ１和Ｒ２的阻值相等ꎬ设流经采样电阻ＲＳＥＮＳＥ上的电流为ＩＳＥＮＳＥꎬ则有ＲＳＥＮＳＥＩＳＥＮＳＥ＝Ｒ１ ΔＩ(３)因此ꎬ经由ＭＯＳ管Ｐ０分流的电流大小为ΔＩꎬ因此图１中Ｍ点的电压值为ＶＭ＝ΔＩＲＯＵＴ(４)由式(４)可知ꎬＶＭ的电压值与待检测电流大小呈线性关系ꎬ因此后续电路通过控制ＶＭ的值即可对电流进行精确调节ꎮ１㊀电路设计１.１㊀实际线路图设计图２所示为本文提出的电流采样实际线路图ꎮ图２中ꎬＶＣＣ为运放供电电压ꎬＩＢＩＡＳ为偏置电流ꎬＭ１和Ｍ２为高压场效应管ꎬＮ１ꎬＮ２ꎬＭ１ꎬＭ２构成的共源共栅电流镜结构提供运放主体部分的偏置ꎮＰ５和Ｒ１０为电流限制结构ꎬ防止电流过大引起的输出电压图２㊀电流采样实际线路图过高而损害后级电路ꎮＰ３ꎬＰ４ꎬＮ３ꎬＮ４构成差分运放ꎬ输入为ＶＣ和ＶＤꎮ输出ＶＥ直接驱动反馈管Ｍ０的栅极ꎮ整个反馈环路的信号变化如图３所示ꎮ图３㊀反馈环路信号流图由于通过反馈控制ꎬ正常工作状态下Ａ点和Ｂ点的电压被稳定在相同的电位ꎬ因此Ｒ１支路和Ｒ２支路的差异电流部分将通过Ｍ０支路流向ＧＮＤꎮ根据上述分析ꎬ设置ＶＳＥＮＳＥ为稳态时端口ＲＳ＋和端口ＲＳ－的电压差ꎬ由于ＶＡ＝ＶＢꎬ可以得出ＶＳＥＮＳＥ和采样电路增益Ｇａｉｎ可以表示如下ＶＳＥＮＳＥ＝ＩＳˑＲ１ＶＯＵＴ＝ＩＳˑＲＯＵＴ{⇒Ｇａｉｎ＝ＶＯＵＴＶＳＥＮＳＥ＝ＲＯＵＴＲ１(７)式中:ＲＯＵＴ的值设置为固定值ꎬ采样电路的增益可以按照需求通过设置Ｒ１及Ｒ２的阻值实现灵活配置ꎮ实际设计中ꎬ增益设置为１００倍ꎬ其中Ｒ１和Ｒ２的阻值为４ΩꎬＲＯＵＴ设置为４００Ωꎮ补偿电容ＣＣ为１ｐＦꎮ场效应管Ｐ１ꎬＰ２ꎬＰ３ꎬＰ４ꎬＰ５的宽长比分别为４００μｍ/２μｍꎬ４００μｍ/２μｍꎬ２００μｍ/２μｍꎬ２００μｍ/２μｍꎬ２５μｍ/０.７μｍꎮＮ１ꎬＮ２ꎬＮ３ꎬＮ４的宽长比分别为５μｍ/５μｍꎬ１００μｍ/５μｍꎬ８０μｍ/１０μｍꎬ８０μｍ/１０μｍꎮ２１２１第５期陈㊀艳ꎬ沈㊀放等:高精度低功耗电流采样电路设计㊀㊀Ｍ０的宽长比为２５μｍ/２.４μｍꎬＭ１ꎬＭ２ꎬＭ３的宽长比均为２０μｍ/１.２μｍꎮ１.２㊀低功耗分析和设计图４给出了采样电路的稳态大信号等效电路图ꎮ图４㊀采样电路稳态大信号等效电路㊀㊀从电流－电压相互转换的角度ꎬ图４所示的稳态大信号等效电路可分为五级ꎮ第１级的作用在于将端口ＲＳ＋和ＲＳ－的电压分别转换为ＶＣ和ＶＤ(ＶңＶ)ꎬ其中的Ｉ５和Ｉ６不仅作为共模反馈路径来稳定Ａ点和Ｂ点的电压ꎬ同时提供第２级运放差动对的偏置电流ꎮ第１级中的电流ＩＰ同样为共模反馈电流ꎬ用于稳定场效应管Ｐ１和Ｐ２的静态工作点ꎮ第２级的电压电流转换(ＶңＩ)中ꎬＶＣ和ＶＤ经过运放对管形成对应的信号电流ꎬ并作用于第３级电流－电压转换(ＩңＶ)中的电流镜推挽结构ꎬ最终作为误差电压ＶＥ输出ꎮ电压ＶＥ随后作用于第４级的调整管栅极形成误差电流ＩＳꎬ误差电流ＩＳ经过电流电压(ＩңＶ)转换ꎬ在电阻ＲＯＵＴ上形成最终的检测输出电压ＶＯＵＴꎮ通过上述流程分析可以看出ꎬ第１级的静态电流决定了采样电路整体的电流消耗ꎮ典型情况下ꎬＶＣ和ＶＤ的电压差值在１０ｍＶ以内ꎬ因此可以认为场效应管Ｐ１和Ｐ２的栅源电压和漏源电压近似相等ꎬ在此基础上可以得出电流Ｉ３和Ｉ４的表达式为Ｉ３ʈＩ４＝ＫᶄＷ２Ｌ(ＶＧＳ－ＶＴ)２(１＋λＶＤＳ)(８)式(８)中ꎬＶＴ为热电压常数ꎬ由式(８)可得ＶＤＳ＝｜ＩＤ｜２ＫᶄＷＬæèçöø÷(１＋λＶＤＳ)(９)式(９)中ꎬＩＤ为场效应管Ｐ１和Ｐ２的漏极电流ꎬ将式(８)代入式(９)中得ＶＤＳ＝[ＫᶄＷ/(２Ｌ)](ＶＧＳ－ＶＴ)２(１＋λＶＤＳ)(２ＫᶄＷ/Ｌ)(１＋λＶＤＳ)＝ＶＧＳ－ＶＴ２(１０)由图４中Ｐ１管和Ｐ２管的连接关系可知ꎬ二者的ＶＤＳ近似等于ＶＧＳꎬ根据式(１１)可得Ｐ１和Ｐ２管的ＶＤＳ近似等于ＶＴꎮ根据工作于饱和区的增强型场效应管漏极电流公式可知ꎬ电流ＩＤ的值较小ꎮ因此ꎬ图４中电流源提供的偏置电流Ｉ０可以设置为１μＡ以内ꎬ实现极低的工作电流ꎮ１.３㊀稳定性分析和设计图５给出了本文所提出的采样电路的等效小信号电路ꎮ图５㊀等效小信号电路图５中ꎬｖｉｎ是采样电路两个输入端口电压的电压差ꎬｖ１是电压ＶＥ的小信号波动量ꎮｇｍ１和ｇｍ２分别是采样电路第１级和第２级的等效跨导ꎬｇｍ１的值主要由差分对管Ｐ３和Ｐ４的跨导决定ꎬｇｍ２的值主要由Ｍ０的跨导决定ꎮＣ和Ｒ分别是采样电路第１级３１２１电㊀子㊀器㊀件第４１卷的输出电容和输出阻抗ꎬＣ２和Ｒ２分别为采样电路第２级的输出电容和输出阻抗ꎮ由于图４中的Ｒ１和Ｒ１０的值远小于Ｍ０的等效电阻ꎬ因此Ｒ１和Ｒ２可近似表示为Ｒ１ʈｒｄｓ＿Ｎ３㊀㊀㊀(１１)Ｒ２ʈＲＯＵＴʊｒｄｓ＿Ｍ０(１２)图５是典型的两级运放的等效小信号电路ꎬ电路中有两个极点ｆｐ１和ｆｐ２ꎬ二者的表达式为ｆＰ１＝１Ｒ１Ｃ１(１３)ｆＰ２＝１Ｒ２Ｃ２(１４)由于两个极点将会对采样环路产生１８０ʎ的相移ꎬ为了提升采样结构的稳定性ꎬ必须在采样架构中补偿一个零点以提升相位裕度ꎮ通过频率补偿ꎬ采样架构的环路频率特性得到极大改善ꎬ电路稳定性良好ꎮ图６给出了补偿后的环路波特图ꎮ图６㊀补偿后环路频率响应曲线从图６可以看出ꎬ补偿后环路的增益为５８.３ｄＢꎬ相位裕度为７０ʎꎬ采样电路的稳定性得到有效保证且响应速度更快[８－１１]ꎮ２㊀仿真及实测分析设计采样电路的电流检测增益为１００倍ꎬ为了验证本文所述电流检测电路的响应能力和检测精度ꎬ图７给出了电流采样电路的Ｈｓｐｉｃｅ瞬态仿真结果ꎮ图７(ａ)中ꎬ检测电路的两个输入端口压差低至５ｍＶ时ꎬ采样电路的输出电压为５００ｍＶꎬ可知放大倍数为１００倍ꎮ从图７(ｂ)的大信号采样仿真结果可以得出同样结论ꎬ即采样增益稳定ꎮ同时从图(７)中可看出ꎬ待检测电流的突变时间为５ｎｓꎬ然而从仿真结果看ꎬ采样电路的输出电压能及时反映电流变化且并未发生振荡现象ꎬ可见采样电路具有较好的稳定性以及快速响应能力ꎮ图７㊀电流采样电路瞬态仿真结果图(８)给出了采样电路的实测仿真结果ꎬ观察测试波形可知ꎬ实测结果与仿真结果一致ꎮ图８㊀电流采样电路实测结果图９为电流检测电路的静态工作电流仿真曲线ꎬ扫描温度范围为－４０ʎ~１２５ʎꎮ从图９可知ꎬ采样电路的静态工作电流小于１μＡꎬ实现了低功耗设计ꎮ４１２１第５期陈㊀艳ꎬ沈㊀放等:高精度低功耗电流采样电路设计㊀㊀图１０给出了集成了本文所提出的高精度低功耗采样电路的一款ＤＣ￣ＤＣ显微照片ꎬ该芯片采用某０.３５μｍＢＣＤ工艺实现ꎬ整个芯片面积为３.６８ｍｍ２(１９８０μｍˑ１图９㊀采样电路静态工作电流图１０㊀电流采样电路显微照片３㊀结论本文提出了一种高精度低功耗电流采样电路ꎬ该检测电路架构采用在电流通路上串联检测电阻的方式将电流转化为电压ꎬ保证了采样电压信号与待检测电流具有高度的线性关系ꎮ在此基础上设计了高分辨率信号检测电路ꎬ通过采用对称架构实现线路的良好匹配ꎬ并通过大信号分析得到电路的直流偏置条件ꎬ小信号分析对环路进行频率补偿ꎬ使得电路具有良好的稳定性和较高的反应速度ꎮ最终ꎬ确保该检测电路在满足高精度电流检测的同时实现了低功耗设计ꎮ经过实测验证ꎬ该检测电路可以检测低至５ｍＶ的采样电压ꎬ工作电流小于１μＡꎬ展现出了良好的工程应用前景ꎮ参考文献:[１]㊀ＭｉａｄＮａｓｒꎬＳｈａｈａｂＰｏｓｈｔｋｏｕｈｉꎬＮｉｋｏｌａｙＲａｄｉｍｏｖꎬｅｔａｌ.ＦａｓｔＡｖｅｒａｇｅＣｕｒｒｅｎｔＭｏｄｅＣｏｎｔｒｏｌｏｆＤｕａｌ￣Ａｃｔｉｖｅ￣ＢｒｉｄｇｅＤＣ￣ＤＣＣｏｎｖｅｒｔｅｒＵｓｉｎｇＣｙｃｌｅ￣ｂｙ￣ＣｙｃｌｅＳｅｎｓｉｎｇａｎｄＳｅｌｆ￣ＣａｌｉｂｒａｔｅｄＤｉｇｉｔａｌＦｅｅｄｆｏｒｗａｒｄ[Ｃ]//ＣＡꎬＵＳＡ:ＡｐｐｌｉｅｄＰｏｗｅｒＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅａｎｄＥｘｐｏｓｉｔｉｏｎ(ＡＰＥＣ)ꎬ１８ｔｈꎬ２０１７.[２]ＳａｌｅｈＨｅｉｄａｒｙＳｈａｌｍａｎｙꎬＤｉｅｔｅｒＤｒａｘｅｌｍａｙｒꎬＫｏｆｉＡＡＭａｋｉｎｗａ.Ａʃ３６￣ＡＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｕｒｒｅｎｔ￣ＳｅｎｓｉｎｇＳｙｓｔｅｍｗｉｔｈａ０.３％ＧａｉｎＥｒｒｏｒａｎｄａ４００￣μＡＯｆｆｓｅｔｆｒｏｍ－５５ħｔｏ＋８５ħ[Ｊ].ＩＥＥＥＪｏｕｒｎａｌｏｆＳｏｌｉｄ￣ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓꎬ２０１７ꎬ４(５２):１０３４－１０４３.[３]ＰｅｔｅｒＲｅｎｚꎬＰｈｉｌｉｐｐＬａｍｐｒｅｃｈｔꎬＤａｎｉｅｌＴｅｕｆｅｌꎬｅｔａｌ.Ａ４０ＶＣｕｒｒｅｎｔＳｅｎｓｉｎｇＣｉｒｃｕｉｔｗｉｔｈＦａｓｔｏｎ/ｏｆｆＴｒａｎｓｉｔｉｏｎｆｏｒＨｉｇｈ￣ＶｏｌｔａｇｅＰｏｗｅｒＭａｎａｇｅｍｅｎｔ[Ｃ]//ＭＡꎬＵＳＡ:２０１６ＩＥＥＥ５９ｔｈＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＭｉｄｗｅｓｔＳｙｍｐｏｓｉｕｍｏｎＣｉｒｃｕｉｔｓａｎｄＳｙｓｔｅｍｓ(ＭＷＳＣＡＳ)ꎬ２０１６.[４]ＫｏｎｄｒａｔｈＮꎬＫａｚｉｍｉｅｃｚｕｋＭＫ.ＬｏｏｐＧａｉｎａｎｄＭａｒｇｉｎｓｏｆＳｔａｂｉｌｉｔｙｏｆＩｎｎｅｒ￣ＣｕｒｒｅｎｔＬｏｏｐｏｆＰｅａｋＣｕｒｒｅｎｔ￣Ｍｏｄｅ￣ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＰＷＭｄｃ￣ｄｃＣｏｂｖｅｒｔｅｒｓｉｎＣＣＭ[Ｊ].ＩＥＴＰｏｗｅｒＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓꎬ２０１１ꎬ４(６):７０１－７０７.[５]卢星.基于金属电阻采样的单片ＢＵＣＫ型ＤＣ/ＤＣ控制ＩＣ的研究与设计[Ｄ].成都:电子科技大学ꎬ２０１５.[６]ＷａｎｇＨＹꎬＨｕＸꎬＬｉｕＱＦꎬｅｔａｌ.Ａｎｏｎ￣ＣｈｉｐＨｉｇｈ￣ＳｐｅｅｄＣｕｒｒｅｎｔＳｅｎｓｏｒＡｐｐｌｉｅｄｉｎｔｈｅＣｕｒｒｅｎｔ￣ＭｏｄｅＤＣ￣ＤＣＣｏｎｖｅｒｔｅｒ[Ｊ].ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎＰｏｗｅｒＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓꎬ２０１４ꎬ２９(９):４４７９－４４８４.[７]周英娜.基于电流采样ＬＥＤ驱动芯片ＴＲＩＡＣ调光技术的研究与设计[Ｄ].成都:电子科技大学ꎬ２０１２.[８]徐跃ꎬ杨英强.无刷直流振动电机驱动电路设计[Ｊ].微电子学ꎬ２０１０ꎬ４０(３):３５４－３５７.[９]于全东ꎬ杨琦ꎬ张国俊.一种高电源抑制低温漂带隙基准电路设计[Ｊ].微电子学与计算机ꎬ２０１６ꎬ４(３３):１４８－１５１.[１０]李帅ꎬ张志勇ꎬ赵武ꎬ等.一种用于ＢｕｃｋＤＣＤＣ转换器的自适应斜坡补偿电路[Ｊ].电子技术应用ꎬ２０１０ꎬ３６(２):５１－５３.[１１]孔谋夫.一种采用ＣＤＳ电路的高精度ＣＭＯＳ温度传感器[Ｊ].传感技术学报ꎬ２０１２ꎬ２５(７):９０７－９１０.陈㊀艳(１９８２－)ꎬ女ꎬ汉族ꎬ江西南昌人ꎬ毕业于陕西科技大学ꎬ工作于南昌大学ꎬ硕士ꎬ副教授ꎮ主要研究方向为电路理论与设计ꎬ电力电子技术及嵌入式系统方向的研究ꎻ沈㊀放(１９７４－)ꎬ男ꎬ湖北黄冈人ꎬ硕士ꎬ讲师ꎮ研究方向为通信信息系统及嵌入式系统方向的研究ꎻ杨㊀凡(１９８２－)ꎬ男ꎬ江西九江人ꎬ博士ꎬ讲师ꎮ研究方向为生物图像信息学㊁无人机智能感知与目标追踪等方向的研究ꎬ２７１３９０９７０８＠ｑｑ.ｃｏｍꎮ５１２１。

电流检测电路

电流检测电路摘要：MAX471/MAX472是MAXIM公司生产的周密高端电流检测放大器，利用该器件可以完成以地为参考的电流/电压的转换，本文介绍了用MAX471/472高端双向电流检测技术来完成对电源电流的监测和爱护的方法，并给出了直流电源监测与爱护的完成电路1 电源电流检测长期以来，电源电流的检测都是利用串联的方法来完成的。

而对于磁电仪表，一般都必须外加分流电阻以完成对大电流的测量，在量程范围不统一时，分流电阻的选择也不标准，从而影响到测量精度。

对于互逆电源，由于测量必须利用转换开并来完成，因而不能随机地跟踪测量和自动识别。

在教学和实验室使用的稳压电源中，为了能够进行电流/电压的适时测量，可用两种方法来完成。

一种方法是彩双表法显示，此法虽好，但本钱较高，同时体积也较大；另一种方法是采纳V/I复用转换结构，这种方法本钱低，体积小，因而为大多数电源所采纳，但它在测量中需要对电压/电流进行转换显示，也不方便。

那么，如何对电源进行自动监测呢？笔者在使用中发觉，稳压电源的电压在初始调节状态时，往往显示出空载，而在接入负载后，则需要适时显示负载电流，因此，利用负载电流作为监测信号来完成I/V的测量转换，可完成一种电量用两种方法表示，并可完成自动监测转换功能。

为了完成I/V的转换，笔者利用MAX271/MAX472集成电路优良的I/V转换特性、完善的高端双向电流灵敏放大器和内置检流电阻来完成对稳压电流电流的检测。

2 MAX471/MAX472的特点、功能美国美信公司生产的周密高端电流检测放大器是一个系列化产品，有MAX471/MAX472、MAX4172/MAX4173等。

它们均有一个电流输出端，可以用一个电阻来简单地完成以地为参考点的电流/电压的转换，并可工作在较宽的电压和较大的电流范围内。

MAX471/MAX472具有如下特点：●具有完美的高端电流检测功能；●内含周密的内部检测电阻〔MAX471〕；●在工作温度范围内，其精度为2%；●具有双向检测指示，可监控充电和放电状态；●内部检测电阻和检测能力为3A，并联使用时还可扩大检测电流范围；●使用外部检测电阻可任意扩展检测电流范围〔MAX472〕；●最大电源电流为100μA；●关闭方法时的电流仅为5μA；●电压范围为3～36V；●采纳8脚DIP/SO/STO三种封装形式。

半导体一些术语的中英文对照

半导体一些术语的中英文对照离子注入机ionimplanterLSS理论LindhandScharffandSchiotttheory 又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。

沟道效应channelingeffect射程分布rangedistribution深度分布depthdistribution投影射程projectedrange负性光刻胶negativephotoresist正性光刻胶positivephotoresist无机光刻胶inorganicresist多层光刻胶multilevelresist电子束光刻胶electronbeamresistX射线光刻胶X-rayresist刷洗scrubbing甩胶spinning涂胶photoresistcoating后烘postbaking光刻photolithographyX射线光刻X-raylithography电子束光刻electronbeamlithography离子束光刻ionbeamlithography深紫外光刻deep-UVlithography光刻机maskaligner投影光刻机projectionmaskaligner曝光exposure接触式曝光法contactexposuremethod接近式曝光法proximityexposuremethod光学投影曝光法opticalprojectionexposuremethod磷硅玻璃phosphorosilicateglass硼磷硅玻璃boron-phosphorosilicateglass钝化工艺passivationtechnology 多层介质钝化multilayerdielectricpassivation划片scribing电子束切片electronbeamslicing烧结sintering印压indentation热压焊thermocompressionbonding热超声焊thermosonicbonding冷焊coldwelding点焊spotwelding球焊ballbonding楔焊wedgebonding内引线焊接innerleadbonding外引线焊接outerleadbonding梁式引线beamlead装架工艺mountingtechnology附着adhesion封装packaging金属封装metallicpackagingAmbipolar双极的Ambienttemperature环境温度Amorphous无定形的，非晶体的Amplifier功放扩音器放大器Analogue(Analog)comparator模拟比较器Angstrom埃Anneal退火Anisotropic各向异性的Anode阳极Arsenic(AS)砷Auger俄歇Augerprocess俄歇过程Avalanche雪崩Avalanchebreakdown雪崩击穿Avalancheexcitation雪崩激发Backgroundcarrier本底载流子Backgrounddoping本底掺杂Backward反向Backwardbias反向偏置Ballastingresistor整流电阻Ballbond球形键合Band能带Bandgap能带间隙Barrier势垒Barrierlayer势垒层Barrierwidth势垒宽度Base基极Basecontact基区接触Basestretching基区扩展效应Basetransittime基区渡越时间Basetransportefficiency基区输运系数Base-widthmodulation基区宽度调制Basisvector基矢Bias偏置Bilateralswitch双向开关Binarycode二进制代码Binarycompoundsemiconductor二元化合物半导体Bipolar双极性的BipolarJunctionTransistor(BJT)双极晶体管Bloch布洛赫Blockingband阻挡能带Chargeconservation电荷守恒Chargeneutralitycondition电中性条件Chargedrive/exchange/sharing/transfer/storage电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemmicaletching化学腐蚀法Chemically-Polish化学抛光Chemmically-MechanicallyPolish(CMP)化学机械抛光Chip芯片Chipyield芯片成品率Clamped箝位Clampingdiode箝位二极管Cleavageplane解理面Clockrate时钟频率Clockgenerator时钟发生器Clockflip-flop时钟触发器Close-packedstructure密堆积结构Close-loopgain闭环增益Collector集电极Collision碰撞CompensatedOP-AMP补偿运放Common-base/collector/emitterconnection共基极/集电极/发射极连接Common-gate/drain/sourceconnection共栅/漏/源连接Common-modegain共模增益Common-modeinput共模输入Common-moderejectionratio(CMRR)共模抑制比Compatibility兼容性Compensation补偿Compensatedimpurities补偿杂质Compensatedsemiconductor补偿半导体ComplementaryDarlingtoncircuit互补达林顿电路ComplementaryMetal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor(CMOS)互补金属氧化物半导体场效应晶体管Complementaryerrorfunction余误差函数Computer-aideddesign(CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM)计算机辅助设计/测试/制De.broglie德布洛意Decderate减速Decibel(dB)分贝Decode译码Deepacceptorlevel深受主能级Deepdonorlevel深施主能级Deepimpuritylevel深度杂质能级Deeptrap深陷阱Defeat缺陷Degeneratesemiconductor简并半导体Degeneracy简并度Degradation退化DegreeCelsius(centigrade)/Kelvin摄氏/开氏温度Delay延迟Density密度Densityofstates态密度Depletion耗尽Depletionapproximation耗尽近似Depletioncontact耗尽接触Depletiondepth耗尽深度Depletioneffect耗尽效应Depletionlayer耗尽层DepletionMOS耗尽MOSDepletionregion耗尽区Depositedfilm淀积薄膜Depositionprocess淀积工艺Designrules设计规则Die芯片（复数dice）Diode二极管Dielectric介电的Dielectricisolation介质隔离Difference-modeinput差模输入Differentialamplifier差分放大器Differentialcapacitance微分电容Diffusedjunction扩散结Diffusion扩散Diffusioncoefficient扩散系数Diffusionconstant扩散常数Diffusivity扩散率Diffusioncapacitance/barrier/current/furnace扩散电容/势垒/电流/炉Electrostatic静电的Element元素/元件/配件Elementalsemiconductor元素半导体Ellipse椭圆Ellipsoid椭球Emitter发射极Emitter-coupledlogic发射极耦合逻辑Emitter-coupledpair发射极耦合对Emitterfollower射随器Emptyband空带Emittercrowdingeffect发射极集边（拥挤）效应Endurancetest=lifetest寿命测试Energystate能态Energymomentumdiagram能量-动量(E-K)图Enhancementmode增强型模式EnhancementMOS增强性MOSEntefic(低)共溶的Environmentaltest环境测试Epitaxial外延的Epitaxiallayer外延层Epitaxialslice外延片Expitaxy外延Equivalentcurcuit等效电路Equilibriummajority/minoritycarriers平衡多数/少数载流子ErasableProgrammableROM(EPROM)可搽取（编程）存储器Errorfunctioncomplement余误差函数Etch刻蚀Etchant刻蚀剂Etchingmask抗蚀剂掩模Excesscarrier过剩载流子Excitationenergy激发能Excitedstate激发态Exciton激子Extrapolation外推法Extrinsic非本征的Extrinsicsemiconductor杂质半导体Face-centered面心立方Falltime下降时间Heatsink散热器、热沉Heavy/lightholeband重/轻空穴带Heavysaturation重掺杂Hell-effect霍尔效应Heterojunction异质结Heterojunctionstructure异质结结构HeterojunctionBipolarTransistor（HBT）异质结双极型晶体Highfieldproperty高场特性High-performanceMOS.(H-MOS)高性能MOS.Hormalized归一化Horizontalepitaxialreactor卧式外延反应器Hotcarrior热载流子Hybridintegration混合集成Image-force镜象力Impactionization碰撞电离Impedance阻抗Imperfectstructure不完整结构Implantationdose注入剂量Implantedion注入离子Impurity杂质Impurityscattering杂志散射Incrementalresistance电阻增量（微分电阻）In-contactmask接触式掩模Indiumtinoxide(ITO)铟锡氧化物Inducedchannel感应沟道Infrared红外的Injection注入Inputoffsetvoltage输入失调电压Insulator绝缘体InsulatedGateFET(IGFET)绝缘栅FETIntegratedinjectionlogic集成注入逻辑Integration集成、积分Interconnection互连Interconnectiontimedelay互连延时Interdigitatedstructure交互式结构Interface界面Interference干涉Internationalsystemofunions国际单位制Internallyscattering谷间散射Matching匹配Maxwell麦克斯韦Meanfreepath平均自由程Meanderedemitterjunction梳状发射极结Meantimebeforefailure(MTBF)平均工作时间Megeto-resistance磁阻Mesa台面MESFET-MetalSemiconductor金属半导体FETMetallization金属化Microelectronictechnique微电子技术Microelectronics微电子学Millenindices密勒指数Minoritycarrier少数载流子Misfit失配Mismatching失配Mobileions可动离子Mobility迁移率Module模块Modulate调制Molecularcrystal分子晶体MonolithicIC单片ICMOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管Mos.Transistor(MOST)MOS.晶体管Multiplication倍增Modulator调制Multi-chipIC多芯片ICMulti-chipmodule(MCM)多芯片模块Multiplicationcoefficient倍增因子Nakedchip未封装的芯片（裸片）Negativefeedback负反馈Negativeresistance负阻Nesting套刻Negative-temperature-coefficient负温度系数Noisemargin噪声容限Nonequilibrium非平衡Nonrolatile非挥发（易失）性Normallyoff/on常闭/开Numericalanalysis数值分析Occupiedband满带Officienay功率Photoelectriccell光电池Photoelectriceffect光电效应Photoenicdevices光子器件Photolithographicprocess光刻工艺(photo)resist（光敏）抗腐蚀剂Pin管脚Pinchoff夹断PinningofFermilevel费米能级的钉扎（效应）Planarprocess平面工艺Planartransistor平面晶体管Plasma等离子体Plezoelectriceffect压电效应Poissonequation泊松方程Pointcontact点接触Polarity极性Polycrystal多晶Polymersemiconductor聚合物半导体Poly-silicon多晶硅Potential(电)势Potentialbarrier势垒Potentialwell势阱Powerdissipation功耗Powertransistor功率晶体管Preamplifier前置放大器Primaryflat主平面Principalaxes主轴Print-circuitboard(PCB)印制电路板Probability几率Probe探针Process工艺Propagationdelay传输延时Pseudopotentialmethod膺势发Punchthrough穿通Pulsetriggering/modulating脉冲触发/调制Pulse WidenModulator(PWM)脉冲宽度调制Punchthrough穿通Push-pullstage推挽级Qualityfactor品质因子Quantization量子化Schottkybarrier肖特基势垒Schottkycontact肖特基接触Schrodingen薛定厄Scribinggrid划片格Secondaryflat次平面Seedcrystal籽晶Segregation分凝Selectivity选择性Selfaligned自对准的Selfdiffusion自扩散Semiconductor半导体Semiconductor-controlledrectifier可控硅Sendsitivity灵敏度Serial串行/串联Seriesinductance串联电感Settletime建立时间Sheetresistance薄层电阻Shield屏蔽Shortcircuit短路Shotnoise散粒噪声Shunt分流Sidewallcapacitance边墙电容Signal信号Silicaglass石英玻璃Silicon硅Siliconcarbide碳化硅Silicondioxide(SiO2)二氧化硅SiliconNitride(Si3N4)氮化硅SiliconOnInsulator绝缘硅Siliverwhiskers银须Simplecubic简立方Singlecrystal单晶Sink沉Skineffect趋肤效应Snaptime急变时间Sneakpath潜行通路Sulethreshold亚阈的Solarbattery/cell太阳能电池Solidcircuit固体电路SolidSolubility固溶度Sonband子带Transistoraging(stress)晶体管老化Transittime渡越时间Transition跃迁Transition-metalsilica过度金属硅化物Transitionprobability跃迁几率Transitionregion过渡区Transport输运Transverse横向的Trap陷阱Trapping俘获Trappedcharge陷阱电荷Trianglegenerator三角波发生器Triboelectricity摩擦电Trigger触发Trim调配调整Triplediffusion三重扩散Truthtable真值表Tolerahce容差Tunnel(ing)隧道（穿）Tunnelcurrent隧道电流Turnover转折Turn-offtime关断时间Ultraviolet紫外的Unijunction单结的Unipolar单极的Unitcell原（元）胞Unity-gainfrequency单位增益频率Unilateral-switch单向开关Vacancy空位Vacuum真空Valence(value)band价带Valuebandedge价带顶Valencebond价键Vapourphase汽相Varactor变容管Varistor变阻器Vibration振动Voltage电压Wafer晶片Waveequation波动方程Waveguide波导Wavenumber波数CT:ContaminationThreshold??污染阀值Ctrl:Control控制；管理；抑制D:Die芯片DAC igitalAnalogConverter??数字转换器DSP igitalSignalProcessing数字信号处理EFO:ElevtronicFlame-Off电子打火系统FA:FaceAngle顶锥角（面锥角）FAB:FreeAirBall空气球FD:FloppyDisk软盘，软式磁碟片Frd:Forward??前进GEM:GenericHi:HightMagnification高倍率Hybd:Hybrid混合动力/混合式Impd:Impedence阻抗Ins:Inspection检查，检验L/F eadFrame框架Lo:LowMagnification低倍率PM reventiveMaintenance??PR atternRecognitionT/P:TopPlate??顶板UPH:UnitPerHour??每小时产量UTI:UltrasonicTransducerInterface超声波传感受器接口VLL:VisualLeadLocator导脚定位W/C:WireClamp??线夹W/H:WorkHolder??轨道W/S:WireSpool??线轴ESD:ElectroStaticDischarge静电释放EPa:ESDProtectedarea??静电防护区ESDS??????????????????????静电敏感设备BM:BreakdownMaintenance事后维修CM:CorrectiveMaintenance改良保养PVM:PreventiveMaintenance预防保养MP:MaintencePreventive保养预防PM:ProductionMaintenance生产保养BG：backgrinding??背部研磨DS：diesaw????将wafer切die DA：dieattach??=DB:diebond??装片WB：wirebond焊线????。

半导体微电子专业词汇中英文对照

半导体微电子专业词汇中英文对照Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Acoustic Surface Wave 声表面波Active region 有源区Active component 有源元Active device 有源器件Activation 激活Activation energy 激活能Active region 有源（放大)区A/D conversion 模拟—数字转换Adhesives 粘接剂Admittance 导纳Aging 老化Airborne 空载Allowed band 允带allowance 容限,公差Alloy—junction device合金结器件Aluminum(Aluminum) 铝Aluminum – oxide 铝氧化物Aluminum Nitride 氮化铝Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度A M light 振幅调制光，调幅光amplitude limiter 限幅器Amorphous 无定形的，非晶体的Amplifier 功放放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器Angstrom 埃Anneal 退火Anisotropic 各向异性的Anode 阳极Antenna 天线Aperture 孔径Arsenide （As）砷Array 阵列Atomic 原子的Atom Clock 原子钟Attenuation 衰减Audio 声频Auger 俄歇Automatic 自动的Automotive 汽车的Availability 实用性Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation雪崩激发Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向Backward bias 反向偏置Ball bond 球形键合Band 能带Band gap 能带间隙Bandwidth 带宽Bar 巴条发光条Barrier 势垒Barrier layer 势垒层Barrier width 势垒宽度Base 基极Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency基区输运系数Base—width modulation基区宽度调制Batch 批次Battery 电池Beam 束光束电子束Bench 工作台Bias 偏置Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor （BJT)双极晶体管Bit 位比特Blocking band 阻带Body - centered 体心立方Body—centred cubic structure 体立心结构Boltzmann 波尔兹曼Bond 键、键合Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃Bottom—up 由下而上的Boundary condition 边界条件Bound electron 束缚电子Bragg effect 布拉格效应Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿Break over 转折Brillouin 布里渊FBrillouin zone 布里渊区Buffer 缓冲器Built—in 内建的Build—in electric field 内建电场Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生Bulk recombination 体复合Burn—in 老化Burn out 烧毁Buried channel 埋沟Buried diffusion region 隐埋扩散区Bus 总线Calibration 校准，检定，定标、刻度,分度Capacitance 电容Capture cross section 俘获截面Capture carrier 俘获载流子Carbon dioxide (CO2）二氧化碳Carrier 载流子、载波Carry bit 进位位Cascade 级联Case 管壳Cathode 阴极Cavity 腔体Center 中心Ceramic 陶瓷（的）Channel 沟道Channel breakdown 沟道击穿Channel current 沟道电流Channel doping 沟道掺杂Channel shortening 沟道缩短Channel width 沟道宽度Characteristic impedance 特征阻抗Charge 电荷、充电Charge—compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemical etching 化学腐蚀法Chemically-Polish 化学抛光Chemically—Mechanically Polish （CMP）化学机械抛光Chemical vapor deposition (cvd)化学汽相淀积Chip 芯片Chip yield 芯片成品率Circuit 电路Clamped 箝位Clamping diode 箝位二极管Cleavage plane 解理面Clean 清洗Clock rate 时钟频率Clock generator 时钟发生器Clock flip—flop 时钟触发器Close-loop gain 闭环增益Coating 涂覆涂层Coefficient of thermal expansion 热膨胀系数Coherency 相干性Collector 集电极Collision 碰撞Compensated OP-AMP 补偿运放Common—base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接Common—gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接Common—mode gain 共模增益Common—mode input 共模输入Common-mode rejection ratio (CMRR）共模抑制比Communication 通信Compact 致密的Compatibility 兼容性Compensation 补偿Compensated impurities 补偿杂质Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路Complementary Metal—Oxide-SemiconductorField-Effect—Transistor(CMOS) 互补金属氧化物半导体场效应晶体管Computer—aided design （CAD)/test(CAT)/manufacture （CAM）计算机辅助设计/ 测试/制造Component 元件Compound Semiconductor 化合物半导体Conductance 电导Conduction band (edge）导带(底）Conduction level/state 导带态Conductor 导体Conductivity 电导率Configuration 结构Conlomb 库仑Constants 物理常数Constant energy surface 等能面Constant—source diffusion恒定源扩散Contact 接触Continuous wave 连续波Continuity equation 连续性方程Contact hole 接触孔Contact potential 接触电势Controlled 受控的Converter 转换器Conveyer 传输器Cooling 冷却Copper interconnection system 铜互连系统Corrosion 腐蚀Coupling 耦合Covalent 共阶的Crossover 交叉Critical 临界的Cross—section 横断面Crucible坩埚Cryogenic cooling system 冷却系统Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格Cubic crystal system 立方晶系Current density 电流密度Curvature 曲率Current drift/drive/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样Curve 曲线Custom integrated circuit 定制集成电路Cut off 截止Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）) Dangling bonds 悬挂键Dark current 暗电流Dead time 空载时间Decade 十进制Decibel (dB）分贝Decode 解码Deep acceptor level 深受主能级Deep donor level 深施主能级Deep energy level 深能级Deep impurity level 深度杂质能级Deep trap 深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 简并半导体Degeneracy 简并度Degradation 退化Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度Delay 延迟Density 密度Density of states 态密度Depletion 耗尽Depletion approximation 耗尽近似Depletion contact 耗尽接触Depletion depth 耗尽深度Depletion effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层Depletion MOS 耗尽MOS Depletion region 耗尽区Deposited film 淀积薄膜Deposition process 淀积工艺Design rules 设计规则Detector 探测器Developer 显影剂Diamond 金刚石Die 芯片(复数dice）Diode 二极管Dielectric Constant 介电常数Dielectric isolation 介质隔离Difference-mode input 差模输入Differential amplifier 差分放大器Differential capacitance 微分电容Diffusion 扩散Diffusion coefficient 扩散系数Diffusion constant 扩散常数Diffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉Digital circuit 数字电路Dimension (1）尺寸（2）量钢(3)维，度Diode 二极管Dipole domain 偶极畴Dipole layer 偶极层Direct—coupling 直接耦合Direct—gap semiconductor 直接带隙半导体Direct transition 直接跃迁Directional antenna 定向天线Discharge 放电Discrete component 分立元件Disorder 无序的Display 显示器Dissipation 耗散Dissolution 溶解Distributed capacitance 分布电容Distributed model 分布模型Displacement 位移Dislocation 位错Domain 畴Donor 施主Donor exhaustion 施主耗尽Dopant 掺杂剂Doped semiconductor 掺杂半导体Doping concentration 掺杂浓度Dose 剂量Double-diffusive MOS（DMOS）双扩散MOS Drift 漂移Drift field 漂移电场Drift mobility 迁移率Dry etching 干法腐蚀Dry/wet oxidation 干/湿法氧化Dose 剂量Dual—polarization 双偏振，双极化Duty cycle 工作周期Dual-in—line package （DIP）双列直插式封装Dynamics 动态Dynamic characteristics 动态属性Dynamic impedance 动态阻抗Early effect 厄利效应Early failure 早期失效Effect 效应Effective mass 有效质量Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM）电可擦除只读存储器Electrode 电极Electromigration 电迁移Electron affinity 电子亲和势Electron—beam 电子束Electroluminescence 电致发光Electron gas 电子气Electron trapping center 电子俘获中心Electron Volt (eV）电子伏Electro-optical 光电的Electrostatic 静电的Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半导体Ellipse 椭圆Emitter 发射极Emitter—coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter—coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器Empty band 空带Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应Endurance test =life test 寿命测试Energy state 能态Energy momentum diagram 能量—动量(E-K)图Enhancement mode 增强型模式Enhancement MOS 增强性MOSEnteric （低)共溶的Environmental test 环境测试Epitaxial 外延的Epitaxial layer 外延层Epitaxial slice 外延片Epoxy 环氧的Equivalent circuit 等效电路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子Equipment 设备Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（编程）存储器Erbium laser 掺铒激光器Error function complement 余误差函数Etch 刻蚀Etchant 刻蚀剂Etching mask 抗蚀剂掩模Excess carrier 过剩载流子Excitation energy 激发能Excited state 激发态Exciton 激子Exponential 指数的Extrapolation 外推法Extrinsic 非本征的Extrinsic semiconductor 杂质半导体Fabry-Perot amplifier 法布里—珀罗放大器Face - centered 面心立方Fall time 下降时间Fan—in 扇入Fan-out 扇出Fast recovery 快恢复Fast surface states 快表面态Feedback 反馈Fermi level 费米能级Femi potential 费米势Fiber optic 光纤Field effect transistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层Figure of merit 品质因数Filter 滤波器Filled band 满带Film 薄膜Fine pitch 细节距Flash memory 闪存存储器Flat band 平带Flat pack 扁平封装Flatness 平整度Flexible 柔性的Flicker noise 闪烁（变）噪声Flip-chip 倒装芯片Flip— flop toggle 触发器翻转Floating gate 浮栅Fluoride etch 氟化氢刻蚀Focal plane 焦平面Forbidden band 禁带Formulation 列式，表达Forward bias 正向偏置Forward blocking /conducting 正向阻断/导通Free electron 自由电子Frequency deviation noise 频率漂移噪声Frequency response 频率响应Function 函数Gain 增益Gallium—Arsenide(GaAs) 砷化镓Gallium Nitride 氮化镓Gate 门、栅、控制极Gate oxide 栅氧化层Gate width 栅宽Gauss（ian）高斯Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation—recombination 产生—复合Geometries 几何尺寸Germanium(Ge) 锗Gold 金Graded 缓变的Graded （gradual）channel 缓变沟道Graded junction 缓变结Grain 晶粒Gradient 梯度Graphene 石墨烯Grating 光栅Green laser 绿光激光器Ground 接地Grown junction 生长结Guard ring 保护环Guide wave 导波波导Gunn - effect 狄氏效应Gyroscope 陀螺仪Hardened device 辐射加固器件Harmonics 谐波Heat diffusion 热扩散Heat sink 散热器、热沉Heavy/light hole band 重/轻空穴带Hell — effect 霍尔效应Hertz 赫兹Heterojunction 异质结Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体High field property 高场特性High-performance MOS(H—MOS）高性能MOS器件High power 大功率Hole 空穴Homojunction 同质结Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器Hot carrier 热载流子Hybrid integration 混合集成Illumination （1)照明(2）照明学Image - force 镜象力Impact ionization 碰撞电离Impedance 阻抗Imperfect structure 不完整结构Implantation dose 注入剂量Implanted ion 注入离子Impurity 杂质Impurity scattering 杂志散射Inch 英寸Incremental resistance 电阻增量（微分电阻）In—contact mask 接触式掩模Index of refraction 折射率Indium 铟Indium tin oxide （ITO) 铟锡氧化物Inductance 电感Induced channel 感应沟道Infrared 红外的Injection 注入Input power 输入功率Insertion loss 插入损耗Insulator 绝缘体Insulated Gate FET(IGFET) 绝缘栅FET Integrated injection logic 集成注入逻辑Integration 集成、积分Integrated Circuit 集成电路Interconnection 互连Interconnection time delay 互连延时Interdigitated structure 交互式结构Interface 界面Interference 干涉International system of unions 国际单位制Internally scattering 谷间散射Interpolation 内插法Intrinsic 本征的Intrinsic semiconductor 本征半导体Inverse operation 反向工作Inversion 反型Inverter 倒相器Ion 离子Ion beam 离子束Ion etching 离子刻蚀Ion implantation 离子注入Ionization 电离Ionization energy 电离能Irradiation 辐照Isolation land 隔离岛Isotropic 各向同性Junction FET(JFET）结型场效应管Junction isolation 结隔离Junction spacing 结间距Junction side—wall 结侧壁Laser 激光器Laser diode 激光二极管Latch up 闭锁Lateral 横向的Lattice 晶格Layout 版图Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变Lead 铅Leakage current （泄）漏电流Life time 寿命linearity 线性度Linked bond 共价键Liquid Nitrogen 液氮Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术Lithography 光刻Light Emitting Diode（LED) 发光二极管Linearity 线性化Liquid 液体Lock in 锁定Longitudinal 纵向的Long life 长寿命Lumped model 集总模型Magnetic 磁的Majority carrier 多数载流子Mask 掩膜板，光刻板Mask level 掩模序号Mask set 掩模组Mass - action law 质量守恒定律Master—slave D flip—flop 主从D 触发器Matching 匹配Material 材料Maxwell 麦克斯韦Mean free path 平均自由程Mean time before failure （MTBF）平均工作时间Mechanical 机械的Membrane （1)薄腊,膜片(2）隔膜Megeto - resistance 磁阻Mesa 台面MESFET—Metal Semiconductor 金属半导体FET Metalorganic Chemical Vapor Deposition MOCVD 金属氧化物化学汽相淀积Metallization 金属化Metal oxide semiconductor （MOS）金属氧化物半导体MeV 兆电子伏Microelectronic technique 微电子技术Microelectronics 微电子学Microelectromechanical System (MEMS）微电子机械系统Microwave 微波Millimeterwave 毫米波Minority carrier 少数载流子Misfit 失配Mismatching 失配Mobility 迁移率Module 模块Modulate 调制Molecular crystal 分子晶体Monolithic IC 单片MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管Mount 安装Multiplication 倍增Modulator 调制Multi—chip IC 多芯片ICMulti—chip module（MCM) 多芯片模块Multilayer 多层Multiplication coefficient 倍增因子Multiplexer 复用器Multiplier 倍增器Naked chip 未封装的芯片（裸片) Nanometer 纳米Nanotechnology 纳米技术Negative feedback 负反馈Negative resistance 负阻Negative—temperature-coefficient负温度系数Nesting 套刻Noise figure 噪声系数Nonequilibrium 非平衡Nonvolatile 非挥发（易失)性Normally off/on 常闭/开Nuclear 核Numerical analysis 数值分析Occupied band 满带Offset 偏移、失调On standby 待命状态Ohmic contact 欧姆接触Open circuit 开路Operating point 工作点Operating bias 工作偏置Operational amplifier （OPAMP)运算放大器Optical photon 光子Optical quenching 光猝灭Optical transition 光跃迁Optical-coupled isolator 光耦合隔离器Organic semiconductor 有机半导体Orientation 晶向、定向Oscillator 振荡器Outline 外形Out-of—contact mask 非接触式掩模Output characteristic 输出特性Output power 输出功率Output voltage swing 输出电压摆幅Overcompensation 过补偿Over—current protection 过流保护Over shoot 过冲Over-voltage protection 过压保护Overlap 交迭Overload 过载Oscillator 振荡器Oxide 氧化物Oxidation 氧化Oxide passivation 氧化层钝化Package 封装Pad 压焊点Parameter 参数Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillation 寄生振荡Pass band 通带Passivation 钝化Passive component 无源元件Passive device 无源器件Passive surface 钝化界面Parasitic transistor 寄生晶体管Pattern 图形Payload 有效载荷Peak—point voltage 峰点电压Peak voltage 峰值电压Permanent-storage circuit 永久存储电路Period 周期Permeable — base 可渗透基区Phase-lock loop 锁相环Phase drift 相移Phonon spectra 声子谱Photo conduction 光电导Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池Photoelectric effect 光电效应Photonic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工艺Photoluminescence 光致发光Photo resist （光敏）抗腐蚀剂Photo mask 光掩模Piezoelectric effect 压电效应Pin 管脚Pinch off 夹断Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）Planar process 平面工艺Planar transistor 平面晶体管Plasma 等离子体Plane 平面的Plasma 等离子体Plate 板电路板P—N junction pn结Poisson equation 泊松方程Point contact 点接触Polarity 极性Polycrystal 多晶Polymer semiconductor 聚合物半导体Poly-silicon 多晶硅Positive 正的Potential （电）势Potential barrier 势垒Potential well 势阱Power electronic devices电力电子器件Power dissipation 功耗Power transistor 功率晶体管Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面Print—circuit board（PCB）印制电路板Probability 几率Probe 探针Procedure 工艺Process 工艺Projector 投影仪Propagation delay 传输延时Proton 质子Proximity effect 邻近效应Pseudopotential method 赝势法Pump 泵浦Punch through 穿通Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse Widen Modulator(PWM）脉冲宽度调制Punchthrough 穿通Push—pull stage 推挽级Q Q值Quality factor 品质因子Quantization 量子化Quantum 量子Quantum efficiency 量子效应Quantum mechanics 量子力学Quasi – Fermi－level 准费米能级Quartz 石英Radar 雷达Radiation conductivity 辐射电导率Radiation damage 辐射损伤Radiation flux density 辐射通量密度Radiation hardening 辐射加固Radiation protection 辐射保护Radiative - recombination 辐照复合Radio 无线电射电射频Radio-frequency RF 射频Raman 拉曼Random 随机Range 测距Radio 比率系数Ray 射线Reactive sputtering source 反应溅射源Real time 实时Receiver 接收机Recombination 复合Recovery diode 恢复二极管Record 记录Recovery time 恢复时间Rectifier 整流器（管）Rectifying contact 整流接触Red light 红光Reference 基准点基准参考点Refractive index 折射率Register 寄存器Regulate 控制调整Relative 相对的Relaxation 驰豫Relaxation lifetime 驰豫时间Relay 中继Reliability 可靠性Remote 远程Repeatability 可重复性Reproduction 重复制造Residual current 剩余电流Resonance 谐振Resin 树脂Resistance 电阻Resistor 电阻器Resistivity 电阻率Regulator 稳压管（器）Resolution 分辨率Response time 响应时间Return signal 回波信号Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置Ribbon 光纤带Ridge waveguide 脊形波导Ring laser 环形激光器Rotary wave 旋转波Run 运行Sampling circuit 取样电路Sapphire 蓝宝石（Al2O3) Satellite valley 卫星谷Saturated current range 电流饱和区Scan 扫描Scaled down 按比例缩小Scattering 散射Schematic layout 示意图，简图Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基势垒Schottky contact 肖特基接触Screen 筛选Scribing grid 划片格Secondary flat 次平面Seed crystal 籽晶Segregation 分凝Selectivity 选择性Self aligned 自对准的Self diffusion 自扩散Semiconductor 半导体Semiconductor laser半导体激光器Semiconductor-controlled rectifier 半导体可控硅Sensitivity 灵敏度Sensor 传感器Serial 串行/串联Series inductance 串联电感Settle time 建立时间Sheet resistance 薄层电阻Shaping 成型Shield 屏蔽Shifter 移相器Short circuit 短路Shot noise 散粒噪声Shunt 分流Sidewall capacitance 边墙电容Signal 信号Silica glass 石英玻璃Silicon 硅Silicon carbide 碳化硅Silicon dioxide (SiO2）二氧化硅Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅Silicon On Insulator 绝缘体上硅Silver whiskers 银须Simple cubic 简立方Simulation 模拟Single crystal 单晶Sink 热沉Sinter 烧结Skin effect 趋肤效应Slot 槽隙Slow wave 慢波Smooth 光滑的Subthreshold 亚阈值的Solar battery/cell 太阳能电池Solid circuit 固体电路Solid Solubility 固溶度Solution 溶液Sonband 子带Source 源极Source follower 源随器Space charge 空间电荷Space Craft 宇宙飞行器Spacing 间距Specific heat(PT）比热Spectral 光谱Spectrum 光谱（复数)Speed-power product 速度功耗乘积Spherical 球面的Spin 自旋Split 分裂Spontaneous emission 自发发射Spot 斑点Spray 喷涂Spreading resistance 扩展电阻Sputter 溅射Square root 平方根Stability 稳定性Stacking fault 层错Standard 标准的Standing wave 驻波State—of-the—art 最新技术Static characteristic 静态特性Statistical analysis 统计分析Steady state 稳态Step motor 步进式电动机Stimulated emission 受激发射Stimulated recombination 受激复合Stopband 阻带Storage time 存储时间Stress 应力Stripline 带状线Subband 次能带Sublimation 升华Submillimeter 亚毫米波Substrate 衬底Substitutional 替位式的Superconductor 超导(电）体Superlattice 超晶格Supply 电源Surface mound表面安装Surge capacity 浪涌能力Switching time 开关时间Switch 开关Synchronizer 同步器,同步装置Synthetic-aperture 合成孔径System 系统Technical 技术的，工艺的Telecommunication 远距通信,电信Telescope 望远镜Terahertz 太赫兹Terminal 终端Template 模板Temperature 温度Tensor 张量Test 测试试验Thermal activation 热激发Thermal conductivity 热导率Thermal equilibrium 热平衡Thermal Oxidation 热氧化Thermal resistance 热阻Thermal sink 热沉Thermal velocity 热运动Thick- film technique 厚膜技术Thin- film hybrid IC 薄膜混合集成电路Thin-Film Transistor（TFT) 薄膜晶体Three dimension 三维Threshold 阈值Through Silicon Via 硅通孔Thyistor 晶闸管Time resolution 时间分辨率Tolerance 公差T/R module 发射/接收模块Transconductance 跨导Transfer characteristic 转移特性Transfer electron 转移电子Transfer function 传输函数Transient 瞬态的Transistor aging（stress）晶体管老化Transit time 渡越时间Transition 跃迁Transition-metal silica 过度金属硅化物Transition probability 跃迁几率Transition region 过渡区Transmissivity 透射率Transmitter 发射机Transceiver 收发机Transport 输运Transverse 横向的Trap 陷阱Trapping 俘获Trapped charge 陷阱电荷Travelling wave 行波Trigger 触发Trim 调配调整Triple diffusion 三重扩散Tolerance 容差Tube 管子电子管Tuner 调节器Tunnel(ing) 隧道（穿)Tunnel current 隧道电流Turn - off time 关断时间Ultraviolet 紫外的Ultrabright 超亮的Ultrasonic 超声的Underfilling 下填充Undoped 无掺杂Unijunction 单结的Unipolar 单极的Unit cell 原（元）胞Unity- gain frequency 单位增益频率Unilateral-switch 单向开关Vacancy 空位Vacuum 真空Valence（value）band 价带Value band edge 价带顶Valence bond 价键Vapour phase 汽相Varactor 变容管Variable 可变的Vector 矢量Vertical 垂直的Vibration 振动Visible light 可见光Voltage 电压Volt 伏特Wafer 晶片Watt 瓦Wave guide 波导Wavelength 波长Wave—particle duality 波粒二相性Wear-out 烧毁Wetting 浸润Wideband 宽禁带Wire 引线Wire routing 布线Work function 功函数Worst—case device 最坏情况器件X-ray X射线Yield 成品率Zinc 锌。

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APPLICATION NOTE—105 Application Note 105 December 2005 Current Sense Circuit Collection
Making Sense of Current Tim Regan, Editor INTRODUCTION Sensing and/or controlling current flow is a fundamental requirement in many electronics systems, and the techniques to do so are as diverse as the applications themselves. This Application Note compiles solutions to current sensing problems and organizes the solutions by general application type. These circuits have been culled from a variety of Linear Technology documents. Circuits Organized by General Application Each chapter collects together applications that tend to solve a similar general problem, such as high side current sensing, or negative supply sensing. The chapters are titled accordingly (see “Circuit Collection Index” below). In this way, the reader has access to many possible solutions to a particular problem in one place. It is unlikely that any particular circuit shown will exactly meet the requirements for a specific design, but the suggestion of many circuit techniques and devices should prove useful. Specific circuits may appear in several chapters if they have broad application. This Application Note Will Change This Application Note is a growing and changing document. Many of the chapters listed below are placeholders for material that will be filled in soon. As the chapters are added, their links will be enabled. Using the Application Note Click the name of a chapter in the “Circuit Collection Index” below to open the PDF version of that chapter. Contributors Jon Munson, Alexi Sevastopoulos, Greg Zimmer, Michael Stokowski
CIRCUIT COLLECTION INDEX Current Sense Basics High Side Low Side Negative Voltage Unidirectional Bidirectional AC DC Level Shifting High Voltage Low Voltage High Current (100mA to Amps) Low Current (Picoamps to Milliamps) Motors and Inductive Loads Batteries High Speed Fault Sensing Digitizing Current Control Precision Wide Range
DC VSUPPLY
+
RSENSE ISENSE OUTPUT ∝ ILOAD
–
ILOAD LOAD
+
RSENSE ISENSE OUTPUT ∝ ILOAD
High Side Advantages Load is grounded Load not activated by accidental short at power connection High load current caused by short is detected High Side Disadvantages High input common mode voltages (often very high) Output needs to be level shifted down to system operating voltage levels Amplifier Types for High Side Implementation Dedicated current sensing amplifiers: LT6100, LTC6101, LT1787 Over-the-Top™ op amps: LT1637 Flying capacitor amplifier: LTC6943
Current Sense Basics-1
APPLICATION NOTE 105: Current Sense Circuit Collection
FULL-RANGE (HIGH AND LOW SIDE) CURRENT SENSING Bi-directional current sensed in a bridge driven load, or unidirectional high side connection with a supply side switch.
DC VSUPPLY ILOAD LOAD VCC
HIGH SIDE CURRENT SENSING Current sensed in the supply path of the power connection to the monitored load. Current generally flows in just one direction (uni-directional). Any switching is performed on the load-side of monitor.
DC VSUPPLY
SUMMARY OF CURRENT SENSE SOLUTIONS The next few pages contain a table that summarizes current sense solutions and applicable devices. Look first in the “Type/Circuit” column and the “Gain” column for a general description of the application. Then scan across the other columns for applicable devices and their specifications.
, LTC, LTM, LT, Burst Mode, OPTI-LOOP, Over-The-Top and PolyPhase are registered trademarks of Linear Technology Corporation. Adaptive Power, C-Load, DirectSense, Easy Drive, FilterCAD, Hot Swap, LinearView, µModule, Micropower SwitcherCAD, Multimode Dimming, No Latency ∆Σ, No Latency Delta-Sigma, No RSENSE, Operational Filter, PanelProtect, PowerPath, PowerSOT, SmartStart, SoftSpan, Stage Shedding, SwitcherCAD, ThinSOT, UltraFast and VLDO are trademarks of Linear Technology Corporation. Other product names may be trademarks of the companies that manufacture the products.
–
. Low Side Advantages Low input common mode voltage Ground referenced output voltage Easy single supply design Low Side Disadvantages Load lifted from direct ground connection Load activated by accidental short at ground end load switch High load current caused by short is not detected Amplifier Types for Low Side Implementation Precision zero-drift op amps: LTC2050, LTC2054 Instrumentation amplifiers: LTC2053, LT1990, LTC6943 Rail-to-Rail Input op amps: LT1677