甲基氯硅烷高沸物的质谱解析

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氯硅烷高沸物

氯硅烷高沸物

氯硅烷高沸物1. 介绍氯硅烷高沸物氯硅烷高沸物是一类具有高沸点的有机化合物,其分子结构中含有氯原子和硅原子。

由于其独特的化学性质和物理性质,氯硅烷高沸物在许多工业领域中得到广泛应用。

2. 氯硅烷高沸物的化学性质2.1 氯硅烷高沸物的分子结构氯硅烷高沸物的分子结构通常由硅原子与氯原子以及其他有机基团组成。

这种结构使得氯硅烷高沸物在反应中具有一定的活性和选择性,能够进行多样化的官能团转化反应。

2.2 氯硅烷高沸物的化学反应氯硅烷高沸物可以与许多化合物发生反应,常见的反应类型包括亲核取代反应、加成反应和氧化反应等。

这些反应可以用于合成新的有机化合物或进行化学修饰,并在有机合成领域中大量应用。

2.3 氯硅烷高沸物的物理性质氯硅烷高沸物具有较高的沸点和较低的溶解度,常常是液体或固体态。

由于分子中含有较多的氯原子,氯硅烷高沸物在溶剂中常常显示出较高的极性和电子云的极化效应。

3. 氯硅烷高沸物的应用领域3.1 有机合成氯硅烷高沸物在有机合成领域中被广泛应用。

它们可以作为合成有机化合物的中间体或起始材料,参与多种有机反应。

氯硅烷高沸物的特殊结构和反应性质使其在有机合成中具有重要的地位。

3.2 表面处理剂氯硅烷高沸物具有较高的亲水性和亲油性,可以用作表面处理剂,用于提高材料表面的润湿性和耐久性。

例如,在建筑和汽车行业中,氯硅烷高沸物被广泛应用于涂层和防水处理。

3.3 有机硅材料氯硅烷高沸物是有机硅材料的重要组成部分,可以用于制备合成气凝胶、有机硅聚合物和硅橡胶等。

这些有机硅材料具有优异的热稳定性和化学稳定性,在电子、光电、医疗和航天等领域有广泛的应用。

3.4 功能性材料氯硅烷高沸物可以通过官能团的引入和化学修饰,制备具有特殊功能的材料。

例如,通过引入含有氨基或羟基官能团的氯硅烷高沸物,可以制备具有表面亲水性、抗菌性或生物相容性等特殊功能的材料。

4. 氯硅烷高沸物的安全性和环保性4.1 安全性评估氯硅烷高沸物在使用过程中需要注意其毒性和腐蚀性。

气相质谱法测定甲基氯硅烷中多氯联苯

气相质谱法测定甲基氯硅烷中多氯联苯

多氯联苯(PCBs )是一类化学性质极其稳定的非极性氯代联苯芳烃化合物,是于1929年开始在北美商业化使用的一种人工合成有机化合物。

由于其毒性高、化学性能稳定,在环境中不易降解,虽然自20世纪70年代已在全球范围内停止其生产与使用,但它们仍然通过各种途径残留在环境中,是持久性有机污染物之一。

PCBs 主要通过食物链对人体产生持久性的伤害,著名的PCBs 引起的伤害事件有1968年日本米糠油中毒事件、1979年中国台湾省油症事件、1986年加拿大PCBs 泄露事件、2007年爱尔兰猪肉PCBs 事件等,对环境和人类健康均产生了巨大的影响。

我国政府也非常重视PCBs 污染问题,20世纪70年代开始陆续颁布了PCBs 产品的生产、流通、使用、废弃处理的相关法律法规。

早期的PCBs 分析方法沿用20世纪60年代有机氯农药的分析方法,目前多采用气相色谱电子捕获检测(GC-ECD )及气相质谱检测(GC/MS )方法。

比较常见的PCBs 测试前处理的方式主要有液液萃取法、固相萃取法、超声萃取法及索氏抽提法等。

针对不同基质,各种提取方法各有利弊,比如:索氏抽提法应用广泛,萃取能力强,但萃取时间长,从而延长了分析时间;超声萃取法萃取速度快,操作方便,但需要摸索最优萃取条件;液液萃取法有机溶剂使用量大,操作费时费力。

甲基氯硅烷是制备有机硅材料的原料,是整个有机硅工业的基础和支柱,广泛应用于工业、农业、医疗、国防、日用品、建筑等领域。

但是由于甲基氯硅烷在目前的工艺条件下会不可避免地产生PCBs 等副产物,而国内标准中PCBs 的分析主要针对电子电气、食品、食品接触材料、纺织品、染料等成品,并未对原料中PCBs 的分析有明确的方法指导和要求。

本文尝试建立一种测定甲基氯硅烷中PCBs 的方法,以期帮助生产企业从内部质控方面做好对有害副产物的监控,促进企业改进生产工艺,提高企业的社会形象。

在碱性前处理条件下,利用气相质谱分析技术,建立了快速检测甲基氯硅烷类产品中PCBs 含量的方法。

甲基氯硅烷高沸物催化裂解制备二甲基二氯硅烷的研究进展

甲基氯硅烷高沸物催化裂解制备二甲基二氯硅烷的研究进展

对 于高 沸物 裂 解 制 甲基 氯 硅 烷 工 艺 ,在 2 0 世 纪 5 代 ,国外 主要 采 用 高 温裂 解 法 ,反 应 0年
温 度为 3 0~9 0℃ ,积 碳 严 重 ,二 甲基 二 氯 硅 0 0
79 . % C2 H SC 2i C 3 2 1 和 1 . % 1C 3i H S ( H )C 20
取代 了 高 温 裂 解 J 。在 高 沸 物 的催 化 裂 解 中, 催化剂 的选 择至关 重要 ,因此 成为 研究热 点 。常
见 的催 化剂 有三氯 化铝及 其 复合盐 、有机胺 及其 盐 、过 渡金属 及其 化合物 金属 磷酸盐 ,下 面对其
收稿 日期 :2 1 0 0—0 2 。 3— 2 作者简介 :库斌 ( 9 2 1 8 一),男 ,硕士生 ,主要从事高分子 材 料 、有 机 硅 功 能 材料 的研 究 。
1 以三氯化铝及 其复合盐作催化剂 -] 8
甲基氯 硅烷 高沸 物 的催 化裂解 歧化 反应 多 以 三氯 化铝为 催化 剂 ,三氯化 铝可 以促使 烷基 和氯 原 子在 硅原 子 间重 排 ,促进 硅原子 氢氯化 ,还 可 以促进 s— S 键 和 S— C键 的断 裂 ;且 价 格 低 i i i
外 ,反应 以间歇操 作 为主 ,使处理 高沸 物 的能力 受到 限制 。 S K reun 等人在 60m . Feb re 5 L反应釜 中加入 质量分数为 2. %的过滤高沸物 [ 87 组分为 :2.% 72
C2 H S i C 3 21 2 9 C2 H S iC 31、 1 3i ( H )C 、5. % 1 3i H C2 C S C S
廉 ,可 以循 环使用 ,是较 为经 典 的催 化剂 。在催 化 剂存 在 下 ,向 反 应 体 系 通 人 氢 气 或 氯 化 氢 气 体 ,进行 重排 、氢 氯化 和断键 反应 ,可有效 提 高 三 氯化铝 的催 化效 率 ,提 高高 沸物 的转化率 及二

气相色谱-质谱法同时测定高纯三氯氢硅中4种甲基氯硅烷的方法研究

气相色谱-质谱法同时测定高纯三氯氢硅中4种甲基氯硅烷的方法研究

气相色谱-质谱法同时测定高纯三氯氢硅中4种甲基氯硅烷的方法研究杨红燕【摘要】以1,2-二氯乙烷为内标,采用气相色谱-质谱(GC-MS)联用仪用内标法对多晶硅生产用高纯三氯氢硅(SiHCl3)中一甲基二氯硅烷、三甲基一氯硅烷、一甲基三氯硅烷及二甲基二氯硅烷4种杂质快速分离与测定.结果表明,4种甲基氯硅烷经毛细管柱在3min之内实现较好的分离,该方法重现性较好,可用于多晶硅生产用三氯氢硅中含碳杂质甲基氯硅烷的分析测定.【期刊名称】《分析仪器》【年(卷),期】2019(000)001【总页数】5页(P88-92)【关键词】GC-MS;三氯氢硅;一甲基二氯硅烷;三甲基一氯硅烷;一甲基三氯硅烷;二甲基二氯硅烷【作者】杨红燕【作者单位】云南冶金云芯硅材股份有限公司,曲靖 655000;云南省光电子硅材料制备技术重点实验室,曲靖 655000【正文语种】中文三氯氢硅(沸点:33℃)是一种重要的硅化合物中间体,主要用于制造多晶硅或者有机硅材料。

三氯氢硅中的主要含碳杂质是甲基氯硅烷[1],常见的4钟甲基氯硅烷的化学性质极其活泼、沸点接近(一甲基二氯硅烷,沸点:41.9℃;三甲基一氯硅烷,沸点:57.7℃;一甲基三氯硅烷,沸点:66.4℃;二甲基二氯硅烷,沸点:70.5℃),在精馏工序中较难分离去除。

因此,要控制多晶硅中碳含量,必须严格控制三氯氢硅中甲基氯硅烷的浓度。

三氯氢硅中4种甲基氯硅烷的分离具有相当的难度,一直是有机氯硅烷工业的难点和技术关键,至今没有较好的检测分析方法。

俄罗斯标准采用傅里叶红外光谱仪测定[2],其样品处理操作条件非常严格复杂,容易对分析仪器及操作人员产生腐蚀和毒害,分析时间较长并且分析结果准确度差。

国内一些多晶硅工厂采用气相色谱法分析[3,4],但该方法检测限不能满足生产电子级多晶硅用高纯三氯氢硅中碳含量的控制检测要求。

沈立俊[5]等采用气相色谱-质谱(GC-MS)联用技术,以1,2-二氯乙烷为内标,用内标法对三氯氢硅(SiH3Cl)中的含碳杂质甲基二氯硅烷快速分离并进行了分析测定方法研究。

甲基氯硅烷安全技术说明书MSDS

甲基氯硅烷安全技术说明书MSDS

第一部分化学品及企业标识化学品中文名:甲基氯硅烷化学品英文名:methylchlorosilane;chloromethylsilane化学品别名:氯甲基硅烷CAS No.:993-00-0EC No.:213-600-4分子式:CH5ClSi第二部分危险性概述紧急情况概述气体。

极端易燃,有爆炸危险。

高压,遇热有爆炸危险。

会引起皮肤烧伤,有严重损害眼睛的危险。

有严重损害眼睛的危险。

GHS危险性类别根据GB30000-2013化学品分类和标签规范系列标准(参阅第十六部分),该产品分类如下:易燃气体,类别1;高压气体,压缩气体;皮肤腐蚀/刺激,类别1A;眼损伤/眼刺激,类别1。

标签要素象形图警示词:危险危险信息:极端易燃气体,内装高压气体;遇热可能爆炸,造成严重皮肤灼伤和眼损伤,造成严重眼损伤。

预防措施:远离热源、热表面、火花、明火以及其它点火源。

禁止吸烟。

不要吸入粉尘/烟/气体/烟雾/蒸气/喷雾。

作业后彻底清洗。

戴防护手套/穿防护服/戴防护眼罩/戴防护面具。

事故响应:立即呼叫中毒急救中心/医生。

沾染的衣服清洗后方可重新使用。

漏气着火:切勿灭火,除非漏气能够安全地制止。

一旦发生泄漏,除去所有点火源。

如误吸入:将受人转移到空气新鲜处,保持呼吸舒适的体位。

如误吞咽:漱口。

不要诱导呕吐。

如皮肤(或头发)沾染:立即去除/脱掉所有沾染的衣服。

用水清洗皮肤或淋浴。

如进入眼睛:用水小心冲洗几分钟。

如戴隐形眼镜并可方便地取出,取出隐形眼镜。

继续冲洗。

安全储存:存放在通风良好的地方。

存放处须加锁。

防日晒。

存放于通风良好处。

废弃处置:按照地方/区域/国家/国际规章处置内装物/容器。

物理化学危险:极端易燃气体,有爆炸危险。

高压压缩气体,遇热有爆炸危险。

健康危害:腐蚀物能引起呼吸道刺激,伴有咳嗽、呼吸道阻塞和粘膜损伤。

吸入该物质可能会引起对健康有害的影响或呼吸道不适。

由于本品的物理状态,一般没有危害。

在商业/工业场合中,认为本品不太可能进入体内。

甲基氯硅烷高沸物的质谱解析

甲基氯硅烷高沸物的质谱解析
由于”c俨cl的同位索比为3:l,所以含
有两个氯原子的离子将按9:6:1的比例有三 个峰,从m/z 113峰可以看出(A+4):(A+2) :A=52:35:7接近9:6:1。所以可以认为此 物质含有两个氯原子。
m/z128与m/zll3相差质量数为15,断定 丢失一个甲基。而从m/z113中扣除一个硅
≮一 |Tl』I照一
图2(CH3)2SiCl2的质谱圈
由棒图可以看出基峰为m/z 113,而m/z 128为最高质量峰,根据氮元素原则,是分子 离子峰,即分子量为128。由基峰m/z 113中 我们计算出(A+1)/A=6.8%参照硅的天然 同位素丰度表,含有一个硅原子时其天然同 位素3si的丰度为5.1%,所以我们认为此物 质含有一个硅。
1实验
1.1实验仪器 Agilent 689015973N色/质联机。
1.2实验条件
色谱条件:柱温:50℃(5。i。)j竖!立
240℃(5min)
载气:氦气 柱流速:O.8miJmin 分流比:1(30:1 质谱条件:EI离子源 电子能量:20ev 离子源温度:230℃ 四极杆温度:1500C 接口温度:280℃
Abstract:The main substance stmcmm of high boiling residue is identified by means of GC—MS
Key words:mass spectrometry,high boiling residue,silane
3麦克拉费蒂F W.质谱解析.北京:化学工 业出版社.
The Mass Spectrometry Analisls of High Boiling Residue
Zhang Shu,Niu Zhi—meng,Li Xiu—mei

经验交流氯硅烷的气相色谱分析Ξ

经验交流氯硅烷的气相色谱分析Ξ
第 卷第 期 年月 welcome


经验交流
氯硅烷的气相色谱分析Ξ
沈怡文 曲吉川 张洪度
中国科学院金属研究所 沈阳
提 要 采用涂邻苯二甲酸二乙酯的气相色谱柱对用化学气相沉积法制备 纤维的主要原料 氯硅烷直
接进样分析 在较短的时间内即可得知每批原料的差异∀实验表明 方法操作简便 快速 重复性和精密度较好
不稳定 在空气中易水解 腐蚀性强 因此对氯硅烷
主要成分的测定必须在较短的时间内完成 若采用
化 学 分 析 方 法 是 无 法 满 足 要 求 的 ∀我 们 采 用 气 相 色
谱法在 内即可检知每批原料的差异∀
实验部分
仪器与试剂
仪器 北京 ® 气相色谱仪∀配备热导池
检测器
Ù 自动平衡记录仪∀
担体涂以 邻苯二甲
酸二乙酯 柱温 ε 汽化温度 ε 热导池温度
ε 载气为高纯 流速
Ù∀
考虑到试样本身的特性 取样时应在较干燥的
条件下进行 分析柱要求绝对干燥∀在进气口及排气
口处均加干燥柱装置 可避免造成峰拖尾讨论
色谱柱的选择 分离的色谱柱有色谱柱 和色谱柱 两种∀色谱
度 杂质含量直接影响着 纤维的沉积质量 故我
们开展氯硅烷原料气相色谱分析方法的研究 以
配合制备工艺研究原料成分对 纤维质量的影
响 ∀每 批 甲 基 三 氯 硅 烷 和 甲 基 二 氯 硅 烷 原 料 都 有 一
定的差异 这对产品的性能有很大的影响∀氯硅烷主 成分的沸点均很低 在 ∗ ε 之间 化学性质极
柱 能够把高沸点的成分全部分离开 而对低沸点成 分分离不够理想 与 完全重叠∀色谱柱 与色 谱柱 正相反 不能分离高沸点的组分 但能较好地 分离低沸点成分 如图 二者配合使用能够取得较 好的分离效果∀在实际测试中 无论是 样品还是

分析甲基氯硅烷高沸物制备高沸硅油的工艺技术

分析甲基氯硅烷高沸物制备高沸硅油的工艺技术

分析甲基氯硅烷高沸物制备高沸硅油的工艺技术作者:刘雨来源:《中国化工贸易·下旬刊》2018年第10期摘要:本文重点研究和分析了以甲基氯硅烷高沸物为原料,制备高沸硅油的工艺技术,同时对影响高沸硅油的黏度与吸收率的相关因素进行了分析和研究,通过分析实验数据,得到无水乙醇和去离子水含量对黏度影响最为明显,反应时间对收率的影响最为明显。

关键词:有机硅;高沸物;甲基氯硅烷有机硅材料是新型高分子材料,在社会各个领域当中都有着非常广泛的应用。

甲基氯硅烷是有机硅生产过程中最基本的原材料,通过直接法合成。

在生产过程中,除去目标产物中的二甲基二氯硅烷外,还生成了其他副产物,主要包括:甲基三氯烷、三甲基氯硅烷、甲基二氯硅烷、高沸、低沸产物等。

其中高沸产物主要是指在反应过程中,生成物沸点≥80℃的部分,当前我国在甲基氯硅烷实际生产中,高沸物的质量分数占到7%~8%,国外则保持在3%~5%。

高沸物为酱黑色,带有刺激性气味,具有比较强烈的腐蚀性,常温状态下密度:1.13g/cm3左右,沸程:80℃~215℃。

1 实验研究1.1 实验材料和设备甲基氯硅烷高沸物:纯度≥99%,自产;无水乙醇(AR):纯度≥99.7%,天津某化学品研制公司;氨气:纯度≥99.99%,成都某特种气体生产有限责任公司;去离子水,自制。

实验设备:直流电机搅拌器,型号为JJ-2,江苏省某仪器研究所;数字电热鼓风机干燥设备,型号为HN 101-2,武汉某设备仪器研制公司;循环式多功能真空泵,型号SHB-3,武汉某科技研究公司。

1.2 高沸硅油制备流程将500g的甲基氯烷高沸物放置在2L的三口烧瓶中,以125r/min的速度匀速搅拌,缓慢滴加400g无水乙醇和去离子水,滴加时间为2.5h,反应温度控制在70℃来进行醇的水解反应,反应结束后,冷却至常温状态,然后转移至分液漏斗中静置、分层,分离出反应液中的下层酸性硅油,然后再放置在另一个2L的三口烧瓶当中,通入氨气之后调整反应液的pH值到6~8之间,加入水溶解中和反应物生成的盐,然后再进行静置处理,分离出下层盐水,得到中性高沸硅油。

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含量%
23.39
63.78,93.113,228
19.175
58,73,93,151,186
5 432
63,113,127,142
一㈠ 一~肾一㈠㈠一a一d}㈠m一l㈠~肾一—㈠一咀一强al一
2 772 2.366
c玛
cI毛 CH3
93,167,187
|。 I。
c卜_s卜一O—s卜cl
4 7叭
谱图中主要质荷比
2(302中国有机硅学术交流会论文集
CHCH
。l。
的质量数为60,可以认为是c卜s卜si_cI
cH3
CH
或+C卜S卜O s|_cl。
CH,CH3
CH3
CH3 CH3
先看c卜si_s卜cl此结构上能够看
ll
CH3 CH

C}L

出,由于S卜Si键最弱,所以cr—si 应是
I CH3
基峰,即m/z 93这个峰的丰度最大,这与棒
有机硅高沸物是指在合成甲基氯硅烷过 程中产生的高沸点物质。对于高沸物的研 究,我们提出了高沸物裂解制备单硅烷这一 课题。为了更好地掌握裂解历程,研究其反 应机理,解析结构成为其首要任务。
在解析过程中,参照有机物的解析程序, 并针对有机硅的特殊性加以分析和研究,找 到了有关有机硅的一些特征指数“。31。
图中质荷比为93的峰丰度最大,是基 峰。根据天然同位素丰度的比,我们仍然可 以得出含有一个硅原子和一个氯原子的结 论。并且从m/z73这个峰中可以得出没有氯 原子这个结论。108—93=15可以断定丢失 的是一个甲基。108—73=35可以断定丢失 的是一个氯原子。所以得出如下结论:
分子结构式为:
CHl 。 l
2结果与讨论
2.I(CH3),SiCl的解析 此谱图中质荷比为108的峰是最高质量
峰,根据氮元素原则——凡不含氮或含偶数 氮原子的分子,其分子量必为偶数。因为在
……1一“’*~o
…_
。I
。“u…’。
1…’‘__ 15●,nof●r,

,| j
—一I一=。z…B一卜_。J【,。?
日*∞m/I
图1{CHa),SiCl的质谱图
氧原子的电负性很强,所以导致与硅相连的
甲基极易失去,其分子离子不稳定,所以棒图
上体现不出来。
c H3
c地
I。 l‘
分子结构c卜si_伊一s卜cl


CH,
CH,
CH3 CH3
EE H3
C卜Si 卜口一| S卜Cl:一C卜S}i_O—Si_Cr 4-‘CH3
CH3 CH3
CH3 CH3
m/z 187
CH3
1实验
1.1实验仪器 Agilent 689015973N色/质联机。
1.2实验条件
色谱条件:柱温:50℃(5。i。)j竖!立
240℃(5min)
载气:氦气 柱流速:O.8miJmin 分流比:1(30:1 质谱条件:EI离子源 电子能量:20ev 离子源温度:230℃ 四极杆温度:1500C 接口温度:280℃


CH,
C1
2002中国有机硅学术交流会论文集
裂解过程如下
cH3 Cl+
c卜f卜_o一}i_CH,+。——c卜f卜。一f‘+cH3
CH,
Cl
CH,
CI
nJz 207
S卜CH:一C1一Si_o—Si cH3 f1’
C卜S卜o



fH3 f1+
+‘Cl


CH3
C1
Cl{3 CH3
由于氧原子和氯原子的电负性很强,所
c1:(C托),OSi一。 3.2上述谱图中我们往往可以看到相邻的 两个峰的质量数相差20,则可以认为在裂解 过程中,当其它结构相同的情况下si—cH, 键与si—cl键的不同裂解情况影响而至。
3.1解析过程中,我们可以发现一些特征
3.0高沸物中主要含量物质的结构
谱图中主要质荷比
分子结构式
C玛cH3
C}b
Cl
以c卜s卜_0_s卜cH3上的甲基易失去。
C}b
CI
因而没有分子离子峰。由于甲基比氯原子易
丢失,所以m/z 207峰的丰度大。
3结论
ndz 18,
峰,如rrdz 73,m/z 93,一z 113,m/z187。在看 到这些特征峰时,我们可以先考虑这几个结
构:(cH3),si一,CI(CH3):s卜,ckCH3si一,

Cl
裂解过程如下:
CH3
C H3


CH3一S卜Cl:一CH3一Si_Cl++·CH3
Cl
m/z113
CH、
CI+
I。

cH3一Si--C1 t—CH3--Si+’C1
Cl
CH3
m/z 93
由于si—cl键的键能比s卜c键的键能
犬.所以m/zll3峰占优势,丰度大。
2.3 C1(CH3)2SiOSi(cH3】2CI的解析
由于”c俨cl的同位索比为3:l,所以含
有两个氯原子的离子将按9:6:1的比例有三 个峰,从m/z 113峰可以看出(A+4):(A+2) :A=52:35:7接近9:6:1。所以可以认为此 物质含有两个氯原子。
m/z128与m/zll3相差质量数为15,断定 丢失一个甲基。而从m/z113中扣除一个硅
2002中国有机硅学术交流会论文集
甲基氯硅烷高沸物的质谱解析
张妹朱志蒙李秀梅
(中油吉林石化公司研究院,吉林132021)
摘摘望要;通耄过£色善谱谱质/谱质联谱机联给机出给的出质的谱质圈谱圈采采分分析析有有机机硅硅高高沸沸物物一一些些主主要要物物质质
的结构.并且经过解析后对这些结构给予确定。
关键词:质尹高沸物有机簧烷
图不附,并且很难解释m/z167这个丰度较强
裂解过程如下:
的峰,所以此结构不可能。
再看+cl_s卜驴一si—CI 这个结构
C H1
ndzl67与rrdz 187相差质量数20。我们可认
为在其它结构相同的情况下ndzl67丢失了
一个氯原子,而m/z187丢失了一个甲基。n√
z187不是分子离子峰,主要是因为氯原子和
CH3
不是一个很稳定的化合物。在上面两个裂解
过程中由于s卜cl键的键能大于si_c键的
键能,所以m/z 93的峰丰度最大。
2.2(cH3)2SICl2的解析

和两个氯的质量后,质量数为15,则我们可
以认为剩下的是甲基。m/z128与m/z93的质Leabharlann 量数为35则是丢失一个氯原子。
CH3 1
分子结构式为:CH3一s卜cl
鼍 CH3
CH

CH3+

2.4 CI(C地)2SiOSiCH3Cb的解析
图4 CI(cH3)2SiOSiCH,cL的质谱图 由棒图中可以看出,m/z 209是基峰并且 是最大质量峰。根据氮元素原则,说明ndz
209并不是分子离子峰,是(A+2)峰,即荷质
比应为207。在rrdz 207峰中,我们可以根据
Abstract:The main substance stmcmm of high boiling residue is identified by means of GC—MS
Key words:mass spectrometry,high boiling residue,silane
反应过程中不含有氮原子,所以质荷比为 108的峰是分子离子峰,也就是说此物质的 相对分子质量为108。
在m/z108峰的位置处可以看到(A+1)/ A的值约为6.7%,根据天然同位素丰度表可 以看出含有一个硅原子。(A+2)/A约为3: I,因为”cl的丰度是其同位素”cl的丰度的 3倍,所以我们可以知道,此物质中含有一个 氯原子。
其同位素丰度得出此物质中含有两个硅原子
和三个氯原子。因为m/z 207的丰度比m/z
93、“z 113、rrdzl87大许多,说明此物质只有
一个不很活泼的键,其它键相对稳定。207—
28 x 2—35 x 3=46。可以认为是两个甲基和
一个氧原子。所以推定出该物质。
CH3
Cl


分子结构式:C卜_Si—O—S卜一cH
CH—S卜一Cl

cH3
其裂解过程如下:
2002中国有机硅学术交流会论文集
cH3
cH3
cH3一Si--CI"+——cH3一si+‘cH3
CH3
C1+ rrdz 93
cH3
cH3
cH3一Si--C1 t——cH3一si+
(1)
+‘cl
CH3 m/z 108
CH3
m/z 73
(2)
CH3
CH3一s}一c1分子离子峰比较弱,说明
3麦克拉费蒂F W.质谱解析.北京:化学工 业出版社.
The Mass Spectrometry Analisls of High Boiling Residue
Zhang Shu,Niu Zhi—meng,Li Xiu—mei
(Research institute of Petrolchina Jilln Petrolchemical Company,Jilin 132021)
图3 a(c玛)2SiOSi[c玛)2a的质谱图
由棒图可知m/z 187是基峰,也是质量 最高的峰。根据氮元素原则其不能是分子离 子峰。由于(A+1),A=13.8%,根据硅原子 天然同位素丰度值(5.1%),可认为此物质含 有两个或三个硅原子。又(A+4):(A+2):A 的值约为9:6:l,所以断定有两个氯原子,若 含有三个硅原子则187除去三个硅原子和两 个氯原子后的质量数为32,这种情况不合 理,所以断定此物质含有两个硅原子。而 187除去两个硅原子和两个氯原子质量数后
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