相变存储器
相变存储器材料研究综述
相变存储器材料研究1相变存储器介绍相变存储器（PCM）是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。
相变存储器有高读写速度、寿命长，存储稳定,、工艺简单，潜力大，所以相变存储器被认为最有可能取代当今主流存储器而成为未来存储器的主流产品。
2相变存储器原理及设备相变存储器利用电能（热量）使相变材料在晶态（低阻）与非晶态（高阻）之间相互转换，实现信息的读取、写入和擦除，工作原理是将数据的写入和读取分为3个过程—分别是“设置（Set）”、“重置（Reset）”和“读取（Read）”。
“Set”过程就是施加一个宽而低的脉冲电流于相变材料上,使其温度升高到晶化温度Tx以上、熔点温度Tm以下，相变材料形核并结晶，此时相变材料的电阻较低，代表数据“1”。
“Reset”过程就是施加一个窄而强的脉冲电流于相变材料上，使其温度升高到熔点温度Tm以上，随后经过一个快速冷却的淬火过程（降温速率＞109K/s）,相变材料从晶态转变成为非晶态，此时相变材料的电阻很高，代表数据“0”。
“Read”过程则是在器件2端施加低电压，如果存储的数据是“0”，那么器件的电阻较高，因而产生的电流较小，所以系统检测到较小的电流回馈时就判断是数据“0”；如果存储的数据是“1”，那么器件的电阻较低，因而产生的电流较大，所以系统检测到较大的电流回馈时就判断是数据“1”。
图1是相变存储器的工作原理。
图1 相变存储器的工作原理3GST材料相变机理作为相变存储器的存储介质, 相变材料性能的优劣直接关系到器件性能。
相变存储器中最为核心的是以硫系化合物为基础的相变材料。
其中Ge2Sb2Te5(GST) 相变材料是到目前为止使用和研究最广泛的相变材料, 并已经实现了产品应用。
虽然工业界已经将GST作为相变存储器的存储介质实现了产品和应用, 但是对于GST为何在纳秒甚至皮秒量级的时间内实现非晶态和晶态的可逆相变仍然未有统一的结论。
主要原因是非晶态GST中原子排列是无序的,传统晶体学的理论和结构研究方法已不适用,因而对GST的非晶态很难获得一个清晰的认识, 更不能得到可逆相变过程中微观结构的变化。
相变存储器(PCM)技术基础.
相变存储器（PCM）技术基础相变存储器（PCM）技术基础类别：存储器相变存储器技术基础相变存储器（PCM）是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。
同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在，这些状态都称为相。
相变存储器便是利用特殊材料在不同相间的电阻差异进行工作的。
本文将介绍相变存储器的基本技术与功能。
发展历史与背景二十世纪五十年代至六十年代，Dr.Stanford 1968年，他发现某些玻璃在变相时存在可逆的电阻系数变化。
1969年，他又发现激光在光学存储介质中的反射率会发生响应的变化。
1970年，他与他的妻子Dr.Iris Intel的Gordon Moore合作的结果。
1970年9月28日在Electronics发布的这一篇文章描述了世界上第一个256位半导体相变存储器。
近30年后，能量转换装置（ECD）公司与Micron Technology前副主席Tyler Lowery建立了新的子公司Ovonyx。
在2000年2月，Intel与Ovonyx发表了合作与许可协议，此份协议是现代PCM研究与发展的开端。
2000年12月，STMicroelectronics（ST）也与Ovonyx开始合作。
至2003年，以上三家公司将力量集中，避免重复进行基础的、竞争的研究与发展，避免重复进行延伸领域的研究，以加快此项技术的进展。
2005年，ST与Intel发表了它们建立新的闪存公司的意图，新公司名为Numonyx。
在1970年第一份产品问世以后的几年中，半导体制作工艺有了很大的进展，这促进了半导体相变存储器的发展。
同时期，相变材料也愈加完善以满足在可重复写入的CD与DVD中的大量使用。
Intel开发的相变存储器使用了硫属化物（Chalcogenides），这类材料包含元素周期表中的氧/硫族元素。
Numonyx的相变存储器使用一种含锗、锑、碲的合成材料（Ge2Sb2Te5），多被称为GST。
2024年相变存储器市场需求分析
2024年相变存储器市场需求分析引言相变存储器作为一种新兴的存储技术，具备高速、高密度、非易失性等优势，吸引了广泛的关注。
本文将对相变存储器市场需求进行分析，并探讨其未来发展趋势。
市场规模相变存储器市场规模在过去几年持续增长。
据市场研究机构的数据显示，相变存储器市场规模从2016年的XX亿美元增长到2021年的XX亿美元。
预计在未来几年内，市场规模将继续保持较高的增长率。
驱动因素快速数据存取相变存储器具备快速的数据读写速度，远远超过了传统的存储器技术。
这一优势使得相变存储器在需要高速数据存取的应用领域具有巨大的市场需求，如人工智能、大数据分析等领域。
高密度存储相变存储器具备高密度的存储能力，可以实现更大容量的存储。
与传统的存储技术相比，相变存储器在相同物理空间下可以存储更多的数据，满足了现代化信息存储的需求。
非易失性相变存储器具备非易失性，即在断电后仍能保持存储的数据。
这一特性使得相变存储器在需要长期保存数据的应用场景中具有独特优势，如物联网设备、安全存储等领域。
应用领域云计算和数据中心在云计算和数据中心领域，相变存储器的高速读写和高密度存储能力优势使其成为理想的存储解决方案。
相变存储器可以加快数据读写速度，提高计算效率，同时可以存储更多的数据，满足大规模数据存储的需求。
移动设备相变存储器在移动设备领域也具有广阔的应用前景。
相比传统的存储技术，相变存储器具备低功耗、高速读写的特点，可以提供更好的用户体验。
随着智能手机、平板电脑等移动设备的普及，相变存储器在该领域的需求将会持续增长。
物联网设备物联网设备需要长期保存数据，并具备快速存取的能力。
相变存储器的非易失性和高速读写特性使其成为物联网设备的理想存储解决方案。
随着物联网技术的不断发展，相变存储器在物联网设备中的需求将会逐渐增加。
发展趋势技术进步相变存储器技术将会不断进步和完善，以满足市场需求。
未来，相变存储器可能会实现更高的速度、更大的容量和更低的功耗，进一步提高其竞争力。
2024年相变存储器市场前景分析
2024年相变存储器市场前景分析引言相变存储器是一种新兴的非易失性存储技术，具有高速、高稳定性和大容量等特点。
随着计算机行业的迅猛发展，相变存储器市场正在逐渐崛起。
本文将对相变存储器市场的前景进行分析，并探讨其发展的关键因素和存在的挑战。
1. 市场规模和增长趋势相变存储器市场在过去几年取得了快速增长。
根据市场研究公司的报告，相变存储器市场规模预计将在未来几年内不断扩大，并以高于行业平均增长率的速度增长。
这主要归因于相变存储器在各个领域的应用潜力以及对存储技术日益增长的需求。
2. 应用领域相变存储器在各个领域都有广泛的应用潜力。
其中，计算机产业是相变存储器最重要的应用领域之一。
相比于传统的闪存和动态随机存储器（DRAM），相变存储器具有更快的读写速度和更低的功耗，这使得它成为了计算机内存的理想选择。
此外，相变存储器还可以应用于物联网、人工智能等领域，为这些领域的发展提供了新的可能性。
3. 发展关键因素相变存储器市场的发展受到多个关键因素的影响。
首先，技术创新是推动市场增长的主要驱动力。
随着科技的进步，相变存储器的性能不断提升，使其更具竞争力。
其次，市场需求对市场发展起到重要作用。
随着大数据、云计算和人工智能等技术的快速发展，对存储技术的需求也在增加，这为相变存储器市场提供了良好的市场机会。
最后，政策支持和投资也是市场发展的重要推动因素之一。
各国政府在促进科技创新和发展新兴产业方面发挥着重要作用，这将进一步推动相变存储器市场的发展。
4. 存在的挑战尽管相变存储器市场前景广阔，但也存在一些挑战。
首先，相变存储器技术还处于发展的初期阶段，尚需要进一步提高其性能和稳定性。
其次，相变存储器的成本相对较高，这限制了其大规模商业化应用。
此外，相变存储器的市场竞争也在加剧，需要企业不断创新以保持竞争力。
5. 市场竞争格局目前，相变存储器市场上存在多家竞争激烈的公司。
其中，Intel、Micron和Samsung等大型企业在技术研发和市场份额方面处于领先地位。
相变存储器
相变存储器（phase change memory）,简称PCM，利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的。
初次听到"相变"这个词,很多读者朋友会感到比较陌生.其实,相(phase)是物理化学上的一个概念,它指的是物体的化学性质完全相同,但是物理性质发生变化的不同状态.例如水有三种不同的状态,水蒸气(汽相)，液态水（液相）以及固态水（固相）。
物质从一种相变成另外一种相的过程叫做…相变‟例如水从液态转化为固态。
在很多物质中相变不是大家想象的只有气，液，固，三相那么简单。
例如我们这里介绍的相变存储器就是利用特殊材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据的。
所以我们称之为相变存储器。
相变材料制作的相变内存无论是在专利布局、芯片试产及学术论文上开始有优异的表现，已开始商业应用，其cell size于201 1年将小于NOR Flash，未来可望大规模取代NOR Flash市场。
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Int el于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPRO M和EEPROM一统天下的局面。
紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。
许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。
而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
N OR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
相变存储器的研究进展
相变存储器的研究进展随着科技的不断进步和人类对于信息存储的需求不断增加，电子存储器也在不断地进行升级。
其中，相变存储器是一个备受关注的领域，它具有着存储密度高、速度快、可擦写等优点，有望成为未来存储技术发展的重要方向。
本文将对相变存储器的研究进展进行探讨。
相变存储器的工作原理相变存储器利用了物理上的相变过程，实现对信息的存储。
相变存储器中的存储单元由一定数量的材料组成，这些材料能够在经过电场或者光照的作用下，进行相变。
相变过程中，材料的特性会发生较大的变化，并且相变过程具有较高的可逆性。
因此，在相变存储器中，不同相态的状态可以被用作信息的存储。
具体来说，相变存储器中的存储单元可以缩小到10纳米级别，这意味着它可以在物理尺寸和存储密度之间取得相对的平衡。
相变存储器中的存储单元具有较快的读写速度，一般在纳秒级别，因此相比于传统的存储器，相变存储器更适合于高速读写任务。
同时，相变存储器的寿命较长，其存储信息的可靠性也较高。
研究进展和挑战随着相变存储器的研究深入，相关的研究成果也层出不穷。
在新材料的发掘方面，研究人员不断地寻找新的相变材料和更好的电子材料，以提高相变存储器的性能。
同时，在相变存储器的制造和优化方面，也有很多新的进展。
例如，近年来在相变存储器中引入其他功能元素，如变压器和电容器等，可以更好的实现其具有的存储、计算与通讯等多种功能。
同时，研究人员也在探讨如何通过控制相变体系和局部结构调控材料特性，从而达到更好的导电性和抗微观缺陷的性能。
但是，相变存储器的发展仍存在一些挑战。
其中最主要的问题是其可靠性和功耗问题。
由于相变材料内部的结构会随着电流密度的提高而受到破坏，所以相变存储器的可靠性一直是一个重要的问题。
同时，相变存储器的功耗问题也不容忽视。
这主要是因为相变存储器需要较高的电流密度来实现相变，因此其功耗较高。
未来展望与结论相比于传统存储器，相变存储器具有更高的存储密度、更快的读写速度和更好的可擦写性，而这些也正是当前高密度信息存储所需的。
相变存储器的原理和发展
相变存储器的原理和发展相变存储器，作为一种新型存储器，正在逐渐成为人们关注的热门话题。
相比于传统的存储器技术，相变存储器由于具有高密度、高可靠性、低功耗等特点，正在逐渐走向成熟。
在这篇文章中，我们将会探讨相变存储器的原理和发展。
一、相变存储器的原理相变存储器（Phase Change Memory，PCM）是一种通过将物质的状态从一个相转变到另一个相来实现存储和擦除信息的存储器。
它具有非易失性、快速读写、高密度、低功耗等优点，而且不会受到电磁干扰的影响。
相变存储器的基本原理是利用材料的相变来存储信息。
在相变存储器中，通过在材料中通入电流，可以将材料由非晶态（amorphous）转变为结晶态（crystalline），或者由结晶态转变为非晶态，从而实现信息的存储和擦除。
相变存储器由一个导电介质薄膜和一层相变材料薄膜组成。
当通入电流时，相变薄膜的温度会上升，从而引起相变。
相变后，材料的导电性和抗电性会发生明显变化，这种变化被采集和存储在导电介质薄膜中。
从而实现了信息的存储。
相变存储器的最大特点是它可以在非常短的时间内进行快速的写和读操作。
相变薄膜的相变速度很快，写入时间只需要几十纳秒，读取时间也只需要几纳秒。
同时，相变存储器还具有非常高的可靠性，因为相变材料可以进行无限次的相变。
二、相变存储器的发展相变存储器的历史可以追溯到上世纪60年代，但要真正进入实用化的阶段还有很长的路要走。
在过去的几十年中，相变存储器的研究一直处于实验室阶段。
直到近年来，随着存储技术的进一步发展，相变存储器才开始逐渐受到人们的关注。
在过去的几年中，相变存储器已经从实验室阶段进入了产品研发阶段。
英特尔公司已经推出了一款基于相变存储器的高速固态硬盘（SSD），号称可以提供比传统硬盘更快的读写速度和更高的可靠性。
同时，三星、东芝、半导体制造商Micron等公司也在积极推进相变存储器技术的研发。
相比于传统的NAND闪存存储器，相变存储器具有更高的存储密度和更快的访问速度。
相变存储器及其应用研究进展
相变存储器及其应用研究进展一、引言随着信息技术的快速发展，存储器作为计算机硬件的重要组成部分之一，越来越受到人们的关注。
相变存储器由于其存储密度高和功耗低等优点，成为了摆脱传统存储技术瓶颈的解决方案之一。
本文将从相变存储器技术的特点、应用、发展状况等方面进行讨论。
二、相变存储器的特点与原理相变存储器（Phase-change Memory，PCM）属于非易失性存储器。
相变存储器是利用相变物质（如GeSbTe、GeSbSe等）的物理性质，通过在相变物质中引入热脉冲或电脉冲，使相变物质从一种状态转变为另一种状态来实现存储的过程。
相变存储器的主要特点如下：1. 存储密度高。
相变存储器是一种三维存储结构，可以将多个存储单元集成在一个芯片中，从而实现更高的存储密度。
2. 速度快。
相变存储器读写速度可以达到纳秒级别，比传统的闪存存储器快很多。
3. 功耗低。
相变存储器的读写操作不需要外部电源，只需要少量电能激活相变物质即可，因此功耗非常低。
4. 非易失性。
相变存储器存储的数据具有非易失性，可以长期保存且不需要外部电源维持。
相变存储器的原理是通过在相变物质中施加电流或热脉冲，让相变物质的结构发生相变。
相变物质的电阻率随着结构状态的变化而变化，从而记录了数据。
相变材料的相变状态包括两种，一种是无序状态，另一种是有序状态。
在有序状态下，电阻率低，储存为0；在无序状态下，电阻率高，代表储存为1。
不同相变物质的相变状态转换温度不同。
通过控制施加电流或热脉冲的时间和强度，就可以实现相变存储器的读写操作。
三、相变存储器的应用研究进展相变存储器技术的应用潜力非常大，在计算机硬件领域具有广泛的应用前景。
下面将从相变存储器在计算机存储、人工智能和物联网等方面的应用以及相关技术的发展状况进行讨论。
1. 计算机存储相变存储器的高速读写和高存储密度等特点使其成为新一代计算机存储器的重要组成部分。
相变存储器不但可以替代传统磁盘驱动器、闪存盘等存储设备，还能够贡献于新型高速计算机的处理速度。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
相变存储器
链接：/baike/2348.html
相变存储器
概述
相变存储器（phase change
memory）,简称PCM，利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的。
初次听到"相变"这个词,很多读者朋友会感到比较陌生.其实,相(phase)是物理化学上的一个概念,它指的是物体的化学性质完全相同,但是物理性质发生变化的不同状态.例如水有三种不同的状态,水蒸气(汽相)，液态水（液相）以及固态水（固相）。
物质从一种相变成另外一种相的过程叫做‘相变’例如水从液态转化为固态。
在很多物质中相变不是大家想象的只有气，液，固，三相那么简单。
例如我们这里介绍的相变存储器就是利用特殊材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据的。
所以我们称之为相变存储器。
相变存储器技术基础
相变存储器（PCM）是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。
同一物质可以在诸如固体
、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在，这些状态都称为相。
相变存储器便是利用特殊材料在不同相间的电阻差异进行工作的。
本文将介绍相变存储器的基本技术与功能。
相变存储器工作原理
在非晶态下，GST材料具有短距离的原子能级和较低的自由电子密度，使得其具有较高的电阻率。
由于这种状态通常出现在RESET操作之后，我们一般称其为RESET状态，在RESET操作中DUT的温度上升到略高于熔点温度，然后突然对GST淬火将其冷却。
冷却的速度对于非晶层的形成至关重要。
非晶层的电阻通常可超过1兆欧。
在晶态下，GST材料具有长距离的原子能级和较高的自由电子密度，从而具有较低的电阻率。
由于这种状态通常出现在SET操作之后，我们一般称其为SET状态，在SET操作中，材料的温度上升高于再结晶温度但是低于熔点温度，然后缓慢冷却使得晶粒形成整层。
晶态的电阻范围通常从1千欧到10千欧。
晶态是一种低能态；因此，当对非晶态下的材料加热，温度接近结晶温度时，它就会自然地转变为晶态。
发展历史与背景
二十世纪五十年代至六十年代，Dr. Stanford Ovshinsky开始研究无定形物质的性质。
无定形物质是一类没有表现出
确定、有序的结晶结构的物质。
1968年，他发现某些玻璃在变相时存在可逆的电阻系数变化。
1969年，他又发现激光在光学存储介质中的反射率会发生响应的变化。
1970年，他与他的妻子Dr. Iris
Ovshinsky共同建立的能量转换装置（ECD）公司，发布了他们与Intel的Gordon
Moore合作的结果。
1970年9月28日在Electronics发布的这一篇文章描述了世界上第一个256位半导体相变存储器。
近30年后，能量转换装置（ECD）公司与MicronTechnology前副主席Tyler Lowery建立了新的子公司Ovonyx。
在2000年2月，Intel与Ovonyx发表了合作与许可协议，此份协议是现代PCM研究与发展的开端。
2000年12月，STMicroelectron ics（ST）也与Ovonyx开始合作。
至2003年，以上三家公司将力量集中，避免重复进行基础的、竞争的研究与发展，避免重复进行延伸领域的研究，以加快此项技术的进展。
2005年，ST与Intel发表了它们建立新的闪存公司的意图，新公司名为Numonyx。
在1970年第一份产品问世以后的几年中，半导体制作工艺有了很大的进展，这促进了半导体相变存储器的发展。
同时期，相变材料也愈加完善以满足在可重复写入的CD与DVD中的大量使用。
Intel开发的相变存储器使用了硫属化物（Chalcogenides），这类材料包含元素周期表中的氧/硫族元素。
Numonyx的相变存储器使用一种含锗、锑、碲的合成材料（Ge2Sb2Te5），多被称为GST。
现今大多数公司在研究和发展相变存储器时都都使用GST或近似的相关合成材料。
今天，大部分DVD-RAM都是使用与Numonyx相变存储器使用的相同的材料。
原文地址：/baike/2348.html
页面 1 / 1。