三极管8550参数
三极管8550数据手册
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的参数及区别
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的参数及区别9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1108050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压 30V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流 0.03A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压 -30V集电极-基电压 -40V射极-基极电压 -5V集电极电流 0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009013 结构：NPN集电极-发射极电压 25V集电极-基电压 45V射极-基极电压 5V集电极电流 0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压 45V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流 0.1A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压 -45V集电极-基电压 -50V射极-基极电压 -5V集电极电流 0.1A耗散功率 0.45W结温150℃特怔频率平均 300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压 20V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流 0.025A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989018 结构：NPN集电极-发射极电压 15V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流 0.05A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。
8550三极管的符号
8550三极管的符号
摘要：
1.8550 三极管的概述
2.8550 三极管的符号表示
3.8550 三极管的引脚功能
4.8550 三极管的应用领域
正文：
8550 三极管是一款常见的三极管型号，具有放大和开关等功能，被广泛应用于放大电路、稳压电路、脉冲发生电路等电子设备中。
了解8550 三极管的符号表示，有助于我们更好地识别和应用这款三极管。
一、8550 三极管的概述
8550 三极管，又称为NPN 型三极管，由两个N 型半导体和两个P 型半导体组成，具有放大和开关等功能。
它有三个控制电极，分别是基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。
二、8550 三极管的符号表示
8550 三极管的符号表示如图所示，其中，三角形代表N 型半导体，与三角形相连的线条代表P 型半导体。
数字“8550”表示该三极管的型号。
三、8550 三极管的引脚功能
1.发射极（E）：发射极是电子和空穴发射出来的地方，通常连接到电路的地或负电源。
2.基极（B）：基极是用于控制三极管导通或截止的极，通过改变基极的电
流，可以控制三极管的电流放大倍数。
3.集电极（C）：集电极是收集电子或空穴的地方，通常连接到电路的正电源或负载。
四、8550 三极管的应用领域
8550 三极管广泛应用于各种电子设备中，如放大电路、稳压电路、脉冲发生电路、振荡电路等。
PNP NPN区别及S8550 S8050参数
PNP、NPN的区别及三极管S8550和S8050 参数NPN是用B→E 的电流（IB）控制C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C 极电位最高，即VC > VB > VEPNP是用E→B 的电流（IB）控制E→C 的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C 极电位最低，即VC<VB<VENPN电路中，E最终都是接到地板（直接或间接），C最终都是接到天花板（直接或间接）。
PNP电路则相反，C最终都是接到地板（直接或间接），E最终都是接到天花板（直接或间接）。
这也是为了满足上面的VC 和VE的关系。
NPN基极高电压，集电极与发射极短路。
低电压，集电极与发射极开路。
也就是不工作。
PNP基极高电压，集电极与发射极开路，也就是不工作。
如果基极加低电位，集电极与发射极短路。
NPN和PNP的区别：1.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择npn。
2.如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择pnp。
3.如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择npn。
4.如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择pnp。
S8050和S8550是现在很常用的小功率三极管。
S8050是NPN管，S8550是PNP管。
它们引脚排列完全一样。
你面对字标，自左向右——e；发射极；b基级；c集电极。
指针万用表核对：档位拨到hfe档位，8050插入到NPN测试孔，8550插入到PNP测试孔，万用表正确指示hfe值的，万用表测试孔标定的ebc管脚记下就是了。
S8550 TO-92S8550 SOT-23S8050 TO-92S8050 SOT-23。
8550三极管 电流
8550三极管电流摘要：1.8550 三极管简介2.8550 三极管的电流特性3.8550 三极管在实际应用中的电流表现4.总结正文：【1.8550 三极管简介】8550 三极管是一种常用的半导体元器件，具有放大和开关功能。
它的结构由三个控制电极组成，分别是基极（Base）、发射极（Emitter）和集电极（Collector）。
在电路设计中，8550 三极管广泛应用于放大器、振荡器、脉冲发生器等电子设备。
【2.8550 三极管的电流特性】8550 三极管的电流特性主要表现在两个方面：静态电流和动态电流。
静态电流是指在无输入信号时，三极管所通过的电流。
动态电流则是当输入信号发生变化时，三极管中流过的电流。
静态电流：8550 三极管的静态电流较小，通常在10nA 到100nA 之间。
静态电流的大小主要取决于基极电流，发射极和集电极之间的电压差。
静态电流小意味着8550 三极管具有较低的功耗和较长的使用寿命。
动态电流：动态电流是指在输入信号发生变化时，三极管中流过的电流。
当基极电流发生变化时，发射极和集电极之间的电流也会发生相应的变化。
根据电流放大系数β，可以计算出动态电流的范围。
在实际应用中，8550 三极管的电流放大系数β通常在100 到300 之间。
【3.8550 三极管在实际应用中的电流表现】在实际应用中，8550 三极管的电流特性对电路性能具有重要影响。
例如，在音频放大器中，要求三极管具有较高的电流放大系数，以便放大电信号。
而在开关电路中，要求三极管具有较低的静态电流，以减少功耗和提高电路的稳定性。
【4.总结】8550 三极管作为一种常用的半导体元器件，在电路设计中具有广泛的应用。
了解其电流特性对于优化电路性能至关重要。
SS8550三极管参数 TO-92三极管SS8550规格书
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter voltage
VBE(on) VCE=-1V, IC=-10mA
-1.2
V
-1
V
20
pF
100
MHz
CLASSIFICATION OF hFE(2)
Rank Range
B
85-160
C
120-200
D
160-300
D3
300-400
B,Sep,2011
Typical Characteristics
SS8550
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
TRANSITION FREQUENCY f (MHz) T
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Symbol
A A1 b c D D1 E e e1 L Φ h
Dimensions In Millimeters
Min.
Max.3.3003.7001.100Seal the box with the tape
QA Label
Outer Box: 350 mm× 340mm× 250mm
Label on the Outer Box
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Inner Box: 240 mm×165mm×９５mm
1.400
0.380
三极管8050
三极管 8550 和 8050 封装定义及参数
8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。
很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.
<三极管8550管脚图>
1.发射极
2.基极
3.集电极
8550参数:
集电极-基极电压Vcbo：-40V
工作温度：-55℃ to +150℃
和8050（NPN）相对
贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.
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8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz
8050引脚图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C060AJ-00
芯片厚度：240±20μm
管芯尺寸：600×600μm 2
焊位尺寸：B 极130×150μm 2；E 极140×130μm 2电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：S8050，H8050
极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）Tstg——贮存温度 -55~150℃
Tj——结温 150℃
PC——集电极耗散功率 1W
VCBO——集电极—基极电压 40V
VCEO——集电极—发射极电压 25V VEBO——发射极—基极电压 6V
IC——集电极电流 1.2A
电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）。
代换S8550 S8050三极管
代换S8550 S8050三极管8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。
在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。
8050为NPN型三极管8550为PNP型三极管图片一TO92封装图片二贴片封装S8050 S8550参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300关于8050SS 8550SS参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400图一是这几种三极管的管脚排列图。
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三极管8550参数
（原创版）
目录
1.三极管 8550 概述
2.三极管 8550 的主要参数
3.三极管 8550 的用途
4.三极管 8550 与 8050 的区别
5.三极管 8550 的封装和资料
正文
一、三极管 8550 概述
三极管 8550 是一种常用的普通三极管，属于低电压、大电流、小信号的 PNP 型硅三极管。
它的最大集电极电流为 1.5A，广泛应用于开关电路、射频放大电路、功率放大电路、推挽功放电路等领域。
二、三极管 8550 的主要参数
1.集电极 - 基极电压（Vcbo）：-40V
2.工作温度：-55℃ to 150℃
3.最大集电极电流（Ic）：1.5A
4.直流电增益（hFE）：10 to 60
5.功耗（Pc）：不确定，需要根据实际应用场景和使用条件来确定
三、三极管 8550 的用途
1.开关应用：由于三极管 8550 具有较快的开关速度和较低的电压，因此常用于开关电路，如振荡器、脉冲发生器等。
2.放大：三极管 8550 可以作为电压放大器和电流放大器使用，具有
较好的放大性能。
3.射频放大：三极管 8550 可以用于射频放大电路，提高无线电信号的传输距离和质量。
4.功率放大：三极管 8550 可用于功率放大电路，如音频功率放大器、射频功率放大器等。
5.推挽功放：三极管 8550 可以与其他三极管配合使用，构成推挽功放电路，具有较高的输出功率和较好的稳定性。
四、三极管 8550 与 8050 的区别
三极管 8550 和 8050 在参数上具有一定的相似性，但它们之间存在一些区别：
1.类型：8550 为 PNP 型三极管，而 8050 为 NPN 型三极管。
2.偏置：由于 8550 和 8050 的类型不同，它们在电路中的偏置电压也不同，需要根据实际应用场景进行调整。
五、三极管 8550 的封装和资料
1.封装：三极管 8550 有多种封装形式，如 SOT-23、TO-92 等。
不同的封装形式具有不同的外形尺寸和引脚排列，需要根据实际应用需求选择合适的封装。
2.资料：三极管 8550 的详细资料和电路图可参考电子元器件手册或相关网站，如 SparkFun、Renesas 等。