s8550三极管 (2)

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SS8550三极管参数 TO-92三极管SS8550规格书

Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter voltage
VBE(on) VCE=-1V, IC=-10mA
-1.2
V
-1
V
20
pF
100
MHz
CLASSIFICATION OF hFE(2)
Rank Range
B
85-160
C
120-200
D
160-300
D3
300-400
B,Sep,2011
Typical Characteristics
SS8550
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
TRANSITION FREQUENCY f (MHz) T
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

Symbol
A A1 b c D D1 E e e1 L Φ h
Dimensions In Millimeters
Min.
Max.3.3003.7001.100Seal the box with the tape
QA Label
Outer Box: 350 mm× 340mm× 250mm
Label on the Outer Box
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】

Inner Box: 240 mm×165mm×９５mm
1.400
0.380

三极管8550和8050封装定义及参数

三极管8550和8050封装定义及参数三极管（Transistor）是一种广泛应用于电子设备中的重要半导体器件，它有多种不同的封装类型，其中8550和8050是两种常见的封装类型。

本文将依次介绍这两种封装类型的定义和参数。

8550型三极管封装定义及参数：8550型三极管是一种NPN型晶体管，其封装类型采用TO-92封装。

TO-92是一种常见的小功率晶体管封装形式，它具有三个引脚用于连接电路。

以下是8550型三极管一些重要参数的介绍：1.电流增益（hFE）：8550型三极管的电流增益是其一个重要参数，它代表了输入电流和输出电流之间的倍数关系。

其典型值通常在120至320之间，不同厂家的产品会有些差异。

2.最大集电电流（Ic）：8550型三极管的最大集电电流是指在给定的工作条件下，它所能承受的最大电流值。

一般而言，其最大集电电流在0.15A至0.625A之间。

3.最大耗散功率（Pd）：8550型三极管的最大耗散功率是指在给定的工作条件下，它所能承受的最大功率值。

一般而言，其最大耗散功率大约为0.625W。

8050型三极管封装定义及参数：8050型三极管是一种PNP型晶体管，其封装类型同样采用TO-92封装。

以下是8050型三极管一些重要参数的介绍：1.电流增益（hFE）：8050型三极管的电流增益一般在120至320之间，不同厂家的产品会有些差异。

2.最大集电电流（Ic）：8050型三极管的最大集电电流一般在0.15A 至0.625A之间。

3.最大耗散功率（Pd）：8050型三极管的最大耗散功率大约为0.625W。

总结：8550和8050型三极管都是常见的TO-92封装类型，它们在尺寸和引脚连接方面相似。

不同之处在于8550是NPN型三极管，而8050是PNP型三极管，这意味着它们在电流流动方向上存在差异。

8550和8050型三极管的重要参数包括电流增益、最大集电电流和最大耗散功率。

这些参数对于正确选择和使用这些三极管至关重要，可以根据具体的应用需求进行选择。

FOSAN富信科技二三极管FX SS8550规格书【2022】

ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSS8550■FEATURES 特點Low Frequency Power Amplifier 低頻功率放大Suitable for Driver Stage of Small Motor 小馬達驅動Complementary to SS8050与SS8050互补■最大額定值(T a =25℃)CHARACTERISTIC 特性參數Symbol 符號Rating 額定值Unit 單位Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓V CBO -30Vdc Collect-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓V CEO -20Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓V EBO -5.0Vdc Collector Current 集電極電流Ic -1500mAdc Collector Power Dissipation 集電極耗散功率P C 300mWJunction Temperature 結溫T j 150℃Storage Temperature Range 儲存溫度T stg-55〜150℃■DEVICEMARKING 打標SS8550=Y2■H FE RANGE放大倍數分檔H FE (1)(85〜150),(120〜220)(200~300),(280~400)ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SS8550■ELECTRICAL CHARACTERISTICS電特性(T A=25℃unless otherwise noted如無特殊說明，溫度爲25℃)Characterstic 特性參數Symbol符號Test Condition測試條件Min.最小值Typ.典型值Max.最大值Unit單位Collector Cutoff Current 集電極截止電流I CBO V CB=-30V,I E=0——-0.1μAEmitter Cutoff Current 發射極截止電流I EBO V EB=-5V,I C=0——-0.1μACollector-Base Breakdown Voltage集電極-基極擊穿電壓V(BR)CBO I C=-100μA-30——V Collector-Emitter Breakdown Voltage集電極-發射極擊穿電壓V(BR)CEO I C=-10mA-20——V Emitter-Base Breakdown Voltage發射極-基極擊穿電壓V(BR)EBO I E=-100μA-5——VDC Current Gain 直流電流增益H FE(1)V CE=-1V,I C=-100mA85—400—H FE(2)V CE=-1V,Ic=-1500mA40——Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降V CE(sat)I C=-1500mA,I B=-150mA——-0.6VBase-Emitter Voltage 基極-發射極電壓V BE V CE=-1V,I C=-10mA—-0.8-1.0VTransition Frequency 特徵頻率f T V CE=-5V,I C=-10mA100120—MHzCollector Output Capacitance 輸出電容C ob V CB=-10V,I E=0,f=1MHz—1330pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD SS8550■DIMENSION外形封裝尺寸。

SS8550三极管规格书：三极管SS8550参数与封装尺寸

DC current gain
hFE(1) hFE(2)
VCE=-1V, IC=-100mA VCE=-1V, IC=-800mA
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter voltage
VBE
VCE=-1V, IC=-10mA
Transition frequency
fT
VCE=-10V,IC=-50mA , f=30MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz
V(BR)EBO IE=-100µA, IC=0
Collector cut-off current
ICBO
VCB=-40V, IE=0
Collector cut-off current
ICEO
VCE=-20V, IB=0
Emitter cut-off current
IEBO
VEB=-5V, IC=0
Parameter
Symbol
Test conditions
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO IC=-100µA, IE=0
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-0.1mA, IB=0
Emitter-base breakdown voltage

三极管 8550 和 8050 封装定义及参数

三极管8550 和8050 封装定义及参数
模拟技术&音响制2009-10-18 19:51:03 阅读161 评论0 字号：大中小订阅
8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。

很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.
<三极管8550管脚图>
1.发射极
2.基极
3.集电极
8550参数:
集电极-基极电压Vcbo：-40V
工作温度：-55℃to +150℃
和8050（NPN）相对
贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.
--------------------------------------------------------------
8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz
8050引脚图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C060AJ-00
芯片厚度：240±20μm
管芯尺寸：600×600μm 2
焊位尺寸：B 极130×150μm 2；E 极140×130μm 2电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：S8050，H8050
极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）
Tstg——贮存温度-55~150℃
Tj——结温150℃
PC——集电极耗散功率1W
VCBO——集电极—基极电压40V
VCEO——集电极—发射极电压25V
VEBO——发射极—基极电压6V
IC——集电极电流1.2A。

代换S8550 S8050三极管要特别注意放大倍数

代换S8550 S8050三极管要特别注意放大倍数8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用，也有的做单管应用。

在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的，不能随意替换，必需要用原参数管才能替换，否则电路不能正常工作。

8050为NPN型三极管 8550为PNP型三极管ab126计算公式大全图片一TO92封装图片二贴片封装S8050 S8550参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压 0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB838电子按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压 0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300关于8050SS 8550SS参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400 图一是这几种三极管的管脚排列引脚。

三极管8050和8550对管的参数

图１8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列图２8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。

8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。

8050S 8550S S8050 S8550 参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350C8050 C8550 参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-3008050SS 8550SS 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400引脚排列有EBC ECB两种SS8050 SS8550 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400NEC的8050最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压（VCEO）:25;频率:150 MHz .其它的8050PE8050 硅NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K值得注意的是，在代换相应的8050或8550三极管时，除了型号匹配，放大倍数也是很重要的参数。

s8050和s8550三极管制作的电机正反转切换电路

s8050和s8550三极管制作的电机正反转切换电路下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。

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s8550三极管
1. 引言
S8550三极管是一种小功率PNP型晶体管，广泛应用于各种电子电路中。

本文将介绍S8550三极管的基本特性、引脚说明以及应用案例。

2. 基本特性
S8550三极管的主要技术参数如下：
•极性：PNP型
•最大集电极电流（IC）：700mA
•最大收集极-基极电压（VCBO）：40V
•最大集电极-发射极电压（VCEO）：25V
•最大基极-发射极电压（VEBO）：5V
•最大功率（P）：625mW
•最大温度（TJ）：150℃
3. 引脚说明
S8550三极管的引脚如下所示：
----
B | | C
| |
E | |
----
•B：基极（Base）
•C：集电极（Collector）
•E：发射极（Emitter）
4. 应用案例
S8550三极管由于其小功率特性，适用于许多电子电路中，以下是一个简单的应用案例：使用S8550三极管实现亮度调节。

•通过控制输入电压V1的大小，改变电流流过R1，
进而改变LED的亮度。

4.3 注意事项
•确保输入电压V1不超过S8550三极管的最大集电
极-基极电压（VCBO）。

•根据实际要求选择合适的电阻值R1，以控制LED
的亮度在合适范围内。

5. 结论
S8550三极管是一种小功率PNP型晶体管，具有较高的集电极电流和较低的最大功率，适用于各种电子电路中。

在设计和应用中，需要根据其特性和引脚说明进行正确的选型和连接，方能发挥其最佳性能。

以上是关于S8550三极管的简要介绍
及应用案例。