CMP化学机械抛光Slurry的蜕与
CMP化学机械抛光 Slurry的蜕与进
CMP Slurry的蜕与进岳飞曾说：“阵而后战，兵法之常，运用之妙，存乎一心。
”意思是说，摆好阵势以后出战，这是打仗的常规，但运用的巧妙灵活，全在于善于思考。
正是凭此理念，岳飞打破了宋朝对辽、金作战讲究布阵而非灵活变通的通病，屡建战功。
如果把化学机械抛光(CMP，Chemical Mechanical Polishing)的全套工艺比作打仗用兵，那么CMP工艺中的耗材，特别是slurry的选择无疑是“运用之妙”的关键所在。
“越来越平”的IC制造2006年，托马斯•弗里德曼的专著《世界是平的》论述了世界的“平坦化”大趋势，迅速地把哥伦布苦心经营的理论“推到一边”。
对于IC制造来说，“平坦化”则源于上世纪80年代中期CMP技术的出现。
CMP工艺的基本原理是将待抛光的硅片在一定的下压力及slurry（由超细颗粒、化学氧化剂和液体介质组成的混合液）的存在下相对于一个抛光垫作旋转运动，借助磨粒的机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用来完成对工件表面材料的去除，并获得光洁表面（图1）。
1988年IBM开始将CMP工艺用于4M DRAM器件的制造，之后各种逻辑电路和存储器件以不同的发展规模走向CMP。
CMP将纳米粒子的研磨作用与氧化剂的化学作用有机地结合起来，满足了特征尺寸在0.35μm以下的全局平坦化要求。
目前，CMP技术已成为几乎公认的惟一的全局平坦化技术，其应用范围正日益扩大。
目前，CMP技术已经发展成以化学机械抛光机为主体，集在线检测、终点检测、清洗等技术于一体的CMP技术，是集成电路向微细化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物。
同时也是晶圆由200mm向300mm乃至更大直径过渡、提高生产率、降低制造成本、衬底全局平坦化所必需的工艺技术。
Slurry的发展与蜕变“CMP技术非常复杂，牵涉众多的设备、耗材、工艺等，可以说CMP本身代表了半导体产业的众多挑战。
”安集微电子的CEO王淑敏博士说，“主要的挑战是影响CMP工艺和制程的诸多变量，而且这些变量之间的关系错综复杂。
cmp 化学机械抛光 技术详解
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CMP（化学机械抛光）技术发展优势及应用
CMP（化学机械抛光）技术发展优势及应用第一篇：CMP(化学机械抛光)技术发展优势及应用CMP(化学机械抛光)技术发展优势及应用CMP-化学机械抛光技术它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。
在一定压力及抛光浆料存在下，被抛光工件相对于抛光垫作相对运动，借助于纳米粒子的研磨作用与氧化剂的腐蚀作用之间的有机结合，在被研磨的工件表面形成光洁表面151.CMP技术最广泛的应用是在集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。
而国际上普遍认为，器件特征尺寸在0.35 5m以下时，必须进行全局平面化以保证光刻影像传递的精确度和分辨率，而CMP是目前几乎唯一的可以提供全局平面化的技术。
其中化学机械抛光浆料是关键因素之一。
抛光磨料的种类、物理化学性质、粒径大小、颗粒分散度及稳定性等均与抛光效果紧密相关。
此外，抛光垫的属性(如材料、平整度等)也极大地影响了化学机械抛光的效果.随着半导体行业的发展，2003年，全球CMP抛光浆料市场已发展至4.06亿美元.但国际上CMP抛光浆料的制备基本属于商业机密，不对外公布。
1化学机械抛光作用机制过程中晶片表面局部接触点产生高温高压，从而导致一系列复杂的摩擦化学反应;在抛光浆料中的碱性组分和纳米磨料颗粒作用下，硅片表面形成腐蚀软质层，从而有效地减弱磨料对硅片基体的刻划作用，提高抛光效率和抛光表面质量。
另一方面，根据Preston公式: N RR=QWNV(其中，NRR为材料去除率;QW为被抛光材料的密度;N为抛光有效磨料数;V为单个磨料所去除材料的体积，包括被去除的硅丛体的体积V,和软质层的体积V2)，软质层的形成导致v增大(即化学腐蚀作用可促进机械磨削作用)，V1减小，从而有利于减小切削深度、增强塑性磨削和提高抛光表面质量。
因此，在抛光浆料质量浓度相同的条件下，采用纳米磨料抛光不仅有利于减小切削深度、提高抛光表面质量，同时由于有效磨料数N的急剧增大，还有利于提高抛光效率。
cmp 抛光术语
cmp 抛光术语
CMP 抛光是机械削磨和化学腐蚀的组合技术，全称为 Chemical Mechanical Polishing，也称 Chemical Mechanical Planarization，即化学机械抛光或化学机械平坦化。
CMP 抛光与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，它是由化学作用和机械作用两方面协同完成的。
在传统抛光方法中，机械抛光研磨一致性好，表面平整度高，但容易出现表面层损伤，表面粗糙度比较高；化学抛光表面精度高、损伤低、完整性好，但研磨速率较慢，材料去除效率较低，不能修正表面精度，研磨一致性比较差。
而 CMP 抛光采用机械摩擦与化学腐蚀相结合的工艺，二者交替进行，最终完成工件的抛光。
CMP 抛光主要应用在半导体制程中，晶圆在制造过程中不断经过沉积、曝光、显影、蚀刻，而推砌出一层层的微电路，每一层就会利用 CMP 抛光方式让表面平坦，从而提高积体电路的品质。
化学机械抛光工艺(CMP)全解
化学机械抛光液（CMP）氧化铝抛光液具体添加剂摘要：本文首先定义并介绍CMP工艺的基本工作原理，然后，通过介绍CMP系统，从工艺设备角度定性分析了解CMP的工作过程，通过介绍分析CMP工艺参数，对CMP作定量了解。
在文献精度中，介绍了一个SiO2的CMP平均磨除速率模型，其中考虑了磨粒尺寸，浓度，分布，研磨液流速，抛光势地形，材料性能。
经过实验，得到的实验结果与模型比较吻合。
MRR 模型可用于CMP模拟，CMP过程参数最佳化以及下一代CMP设备的研发。
最后，通过对VLSI 制造技术的课程回顾，归纳了课程收获，总结了课程感悟。
关键词：CMP、研磨液、平均磨除速率、设备Abstract：This article first defined and introduces the basic working principle of the CMP process, and then, by introducing the CMP system, from the perspective of process equipment qualitative analysis to understand the working process of the CMP, and by introducing the CMP process parameters, make quantitative understanding on CMP.In literature precision, introduce a CMP model of SiO2, which takes into account the particle size, concentration, distribution of grinding fluid velocity, polishing potential terrain, material performance.After test, the experiment result compared with the model.MRR model can be used in the CMP simulation, CMP process parameter optimization as well as the next generation of CMP equipment research and development.Through the review of VLSI manufacturing technology course, finally sums up the course, summed up the course.Key word: CMP、slumry、MRRs、device1.前言随着半导体工业飞速发展，电子器件尺寸缩小，要求晶片表面平整度达到纳米级。
化学机械抛光技术及其应用
化学机械抛光技术及其应用随着现代制造业的快速发展，要求物品表面的质量越来越高。
化学机械抛光技术 (CMP)便应运而生，已经成为了当今制造业中必不可少的一种技术。
本文将为您介绍CMP的原理、影响因素、制备流程、应用及未来发展趋势。
一、原理CMP是一种通过采用化学物质和磨料相结合进行机械抛光的技术。
CMP通常涉及到多步处理，其中含有化学反应的步骤是至关重要的。
在了解CMP过程的原理之前，有几个基本概念需要先了解一下。
磨料和抛光垫是CMP操作中的两个重要组成部分。
磨料是一种坚硬且可用作研磨介质的微粒，通常由石英、二氧化硅、氧化铝和氮化硅等材料制成。
不同类型的磨料适用于不同类型的 CMP 过程。
抛光垫则是放置在抛光机内，用于支撑并带动涂层片材的承载面。
CMP过程中，抛光垫会与涂层片材接触，并受到一定的压力。
同时，抛光垫上涂有一层抛光液体是由含有稳定剂、缓蚀剂、防泡剂、表面活性剂等重要组成部分的溶液混合而成。
抛光液体的主要作用是将磨料中的氧化铝或氮化硅或二氧化硅等无机纳米颗粒溶解，产生各种络合离子，从而形成化学反应抛光液。
CMP液具有清除氧化物、甲醛和有机污染物、降低不良缺陷率、提高复杂性和增强电子器件表面平整度等特点。
CMP过程中，抛光垫和磨料相互作用、摩擦产生的热量引发化学反应，这种反应会形成发生化学反应的物种。
这些物种通常包括金属络合物、稳定剂、和表面活性剂。
二、影响因素在执行CMP过程时，有几个参数可能对抛光结果产生很大的影响，如下所述。
1. 抛光压力CMP操作过程中的抛光压力非常重要。
试验结果表明，如果抛光压力过大，那么会对整个 CMP 操作造成负面影响，例如导致表面结构劣化。
过低的压力也可能会导致不良缺陷和几何形状的不稳定性。
2. 磨料选择合适的磨料是 CMP 操作成功的关键。
不同类型的 CMP 操作通常涉及到不同类型的磨料。
根据物理特性和机械特性，可选择不同磨料来完成CMP操作，例如石英、二氧化硅、氮化硅等。
化学机械抛光工艺(CMP)全解(可编辑修改word版)
化学机械抛光液（CMP）氧化铝抛光液具体添加剂摘要：本文首先定义并介绍 CMP 工艺的基本工作原理，然后，通过介绍 CMP 系统，从工艺设备角度定性分析了解 CMP 的工作过程，通过介绍分析 CMP 工艺参数，对 CMP 作定量了解。
在文献精度中，介绍了一个 SiO2的CMP 平均磨除速率模型，其中考虑了磨粒尺寸，浓度，分布，研磨液流速，抛光势地形，材料性能。
经过实验，得到的实验结果与模型比较吻合。
MRR 模型可用于CMP 模拟，CMP 过程参数最佳化以及下一代 CMP 设备的研发。
最后，通过对 VLSI 制造技术的课程回顾，归纳了课程收获，总结了课程感悟。
关键词：CMP、研磨液、平均磨除速率、设备Abstract：This article first defined and introduces the basic working principle of the CMP process, and then, by introducing the CMP system, from the perspective of process equipment qualitative analysis to understand the working process of the CMP, and by introducing the CMP process parameters, make quantitative understanding on CMP.In literature precision, introduce a CMP model of SiO2, which takes into account the particle size, concentration, distribution of grinding fluid velocity, polishing potential terrain, material performance.After test, the experiment result compared with the model.MRR model can be used in the CMP simulation, CMP process parameter optimization as well as the next generation of CMP equipment research and development.Through the review of VLSI manufacturing technology course, finally sums up the course, summed up the course.Key word: CMP、slumry、MRRs、device1.前言随着半导体工业飞速发展，电子器件尺寸缩小，要求晶片表面平整度达到纳米级。
一文讲清楚CMP过滤工艺
一文讲清楚CMP过滤工艺CMP过滤是诸多半导体过滤工艺中比较有趣且特殊的的一环。
它不同于其他过滤工艺，对固体杂质要求“宁错杀，不放过”，在CMP Slurry 过滤中，我们理想的状态是“不放过一个坏人，不冤枉一个好人”。
概念简述CMP全称化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing)或者叫化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization)。
是一个化学腐蚀+物理研磨的平坦化过程，可以把表面粗糙度打磨到1纳米以下。
CMP工艺在半导体生产中有着举足轻重的地位。
半导体工艺，对晶圆表面的平坦度有着几近苛刻的要求，这是因为在光刻的时候，需要晶圆表面绝对的平坦，才能才能保证光刻图像清晰不失焦。
光刻机镜片粗糙度RMS小于0.05nm不仅晶圆需要CMP打磨，湿法刻蚀后要打磨紧致腐蚀的粗糙面方便涂胶沉积；浅槽割离(SEI)后要打磨，磨平多余的氧化硅，完成沟槽填充；金属沉积后要打磨，去除溢出的金属层，防止器件短路CMP过滤要点①Filtration RetentionCmp浆料过滤与其他料液过滤要求不同，在CMP Slurry过滤工艺中，理想状态下，我们希望直径大于某个值的颗粒能被过滤，而小于这个值的颗粒则保留，使研磨液的平坦化效果达到最佳。
在实际工序中很难达到这一理想状态，部分符合工艺要求的颗粒会被截留，造成性能损失；部分超过要求直径的颗粒会流入后端，造成表面缺陷。
下图三条曲线红色表示常规过滤器对不同直径颗粒过滤比率，紫色表示理想状态下不同直径颗粒被滤除的比率，蓝色表示实际CMP过滤工艺对不同直径颗粒的过滤比。
我们由图可知，在实际过滤工艺中，仍然有一部分合格的研磨颗粒被滤除，而一部分直径过大的颗粒流入过滤器下游。
②Shear Stress EffectCMP浆料过滤的一个难点在于，经过优异的过滤工艺，Slurry中的大颗粒都被滤除，但保留下来的小颗粒会在应力作用下聚结成团，变成能对晶圆表面造成损伤的大颗粒。
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CMP Slurry的蜕与进岳飞曾说：“阵而后战，兵法之常，运用之妙，存乎一心。
”意思是说，摆好阵势以后出战，这是打仗的常规，但运用的巧妙灵活，全在于善于思考。
正是凭此理念，岳飞打破了宋朝对辽、金作战讲究布阵而非灵活变通的通病，屡建战功。
如果把化学机械抛光(CMP，Chemical Mechanical Polishing)的全套工艺比作打仗用兵，那么CMP工艺中的耗材，特别是slurry的选择无疑是“运用之妙”的关键所在。
“越来越平”的IC制造2006年，托马斯•弗里德曼的专著《世界是平的》论述了世界的“平坦化”大趋势，迅速地把哥伦布苦心经营的理论“推到一边”。
对于IC制造来说，“平坦化”则源于上世纪80年代中期CMP技术的出现。
CMP工艺的基本原理是将待抛光的硅片在一定的下压力及slurry（由超细颗粒、化学氧化剂和液体介质组成的混合液）的存在下相对于一个抛光垫作旋转运动，借助磨粒的机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用来完成对工件表面材料的去除，并获得光洁表面（图1）。
1988年IBM开始将CMP工艺用于4M DRAM器件的制造，之后各种逻辑电路和存储器件以不同的发展规模走向CMP。
CMP将纳M粒子的研磨作用与氧化剂的化学作用有机地结合起来，满足了特征尺寸在0.35μm以下的全局平坦化要求。
目前，CMP技术已成为几乎公认的惟一的全局平坦化技术，其应用范围正日益扩大。
目前，CMP技术已经发展成以化学机械抛光机为主体，集在线检测、终点检测、清洗等技术于一体的CMP技术，是集成电路向微细化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物。
同时也是晶圆由200mm向300mm乃至更大直径过渡、提高生产率、降低制造成本、衬底全局平坦化所必需的工艺技术。
Slurry的发展与蜕变“CMP技术非常复杂，牵涉众多的设备、耗材、工艺等，可以说CMP本身代表了半导体产业的众多挑战。
”安集微电子的CEO王淑敏博士说，“主要的挑战是影响CMP工艺和制程的诸多变量，而且这些变量之间的关系错综复杂。
其次是CMP的应用范围广，几乎每一关键层都要求用到CMP进行平坦化。
不同应用中的研磨过程各有差异，往往一个微小的机台参数或耗材的变化就会带来完全不同的结果，slurry的选择也因此成为CMP工艺的关键之一。
”CMP技术所采用的设备及消耗品包括：抛光机、slurry、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。
其中slurry和抛光垫为消耗品。
Praxair的研发总监黄丕成博士介绍说，一个完整的CMP工艺主要由抛光、后清洗和计量测量等部分组成。
抛光机、slurry和抛光垫是CMP工艺的3大关键要素，其性能和相互匹配决定CMP能达到的表面平整水平（图2）。
Slurry是CMP的关键要素之一，其性能直接影响抛光后表面的质量。
Slurry 一般由超细固体粒子研磨剂(如纳M级SiO2、Al2O3粒子等)、表面活性剂、稳定剂、氧化剂等组成。
固体粒子提供研磨作用，化学氧化剂提供腐蚀溶解作用。
影响去除速度的因素有：slurry的化学成分、浓度；磨粒的种类、大小、形状及浓度；slurry的粘度、pH值、流速、流动途径等。
Slurry的精确混合和批次之间的一致性对获得硅片与硅片、批与批的重复性是至关重要的，其质量是避免在抛光过程中产生表面划痕的一个重要因素。
Cabot Microelectronics的亚太地区研发总监吴国俊博士介绍说，抛光不同的材料所需的slurry组成、pH值也不尽相同，最早也是最成熟的是氧化物研磨用slurry。
用于氧化物介质的一种通用slurry是含超精细硅胶颗粒（均匀悬浮）的碱性氢氧化钾（KOH）溶液，或氢氧化胺（NH4OH）溶液。
KOH类slurry 由于其稳定的胶粒悬浮特性，是氧化物CMP中应用最广的一种slurry。
K+离子是一种可移动的离子玷污，非常容易被互连氧化层，如硼磷硅玻璃（BPSG）俘获。
NH4OH类的slurry没有可动离子玷污，但它的悬浮特性不稳定，并且成本较高。
此类slurry的pH值通常为10-11，其中的水含量对表面的水合作用和后面的氧化物平坦化至关重要。
在金属钨（W）的CMP工艺中，使用的典型slurry是硅胶或悬浮Al2O3粒子的混合物，溶液的pH值在5.0～6.5之间。
金属的CMP大多选用酸性条件，主要是为了保持较高的材料去除速率。
一般来说，硅胶粉末比Al2O3要软，对硅片表面不太可能产生擦伤，因而使用更为普遍。
WCMP使用的slurry的化学成分是过氧化氢（H2O2）和硅胶或Al2O3研磨颗粒的混合物。
抛光过程中，H 2O2分解为水和溶于水的O2，O2与W反应生成氧化钨（WO3）。
WO3比W软，由此就可以将W去除了。
Slurry研究的最终目的是找到化学作用和机械作用的最佳结合，以致能获得去除速率高、平面度好、膜厚均匀性好及选择性高的slurry。
此外还要考虑易清洗性、对设备的腐蚀性、废料的处理费用及安全性等问题。
与二十多年前相比，slurry的研究已经从基于经验转变为成熟的基于理论和实践的结合。
因此，最终用户可以更好地控制并提高系统和工艺的稳定性、可靠性及可重复性。
Slurry急需“与时俱进”尽管CMP工艺在0.35μm节点就被广为采用，但是其发展和进步还是随着IC 集成的发展“与时俱进”，特别是新材料和新结构为其带来了不少进步良机。
“CMP工艺相当复杂，其发展速度一直处于IC制造工艺的前沿。
”Entrepix的总裁兼CEO Tim Tobin说，“新材料包括了掺杂氧化物、稀有金属、聚合物、高k/低k材料以及III-V族半导体材料等，比较热门的前沿结构则有MEMS、TSV、3D结构以及新的纳M器件等（图3），所有这些新兴技术都是摆在CM P面前亟待解决的课题。
也正因为如此，CMP在半导体整个制造流程中的重要性不言而喻，成本与性能的博弈是未来不得不面对的问题。
”那么，所有这些芯片制造的“新宠儿”对于slurry来说意味着什么呢？“随着芯片制造技术的提升，对slurry性能的要求也愈发的严格。
除了最基本的质量要求外，如何保证CMP工艺整体足够可靠、如何保证slurry在全部供应链（包括运输及储藏）过程中稳定等，一直是slurry过去和现在面对的关键。
摩尔定律推动技术节点的代代前进，这将使slurry的性能、质量控制、工艺可靠性及供应稳定性面临更大的挑战。
”王淑敏博士说。
对于新材料来说，slurry不仅要有去除材料的能力，还要保证能够适时恰当的停留在所要求的薄膜层上。
对于某些新材料，如低k材料，其亲水性差，亲油性强，多孔性和脆性等特点还要求slurry的性能要足够温和，否则会造成材料的垮塌和剥离。
因此，如何去除线宽减小和低k材料带来的新缺陷，如何在减低研磨压力的情况下提高生产率等也是研发的重点。
“Cabot目前传统材料的slurry 就包括氧化物（D3582和D7200）、Cu（C8800）、Barrier （B7000）等，”吴国俊博士说，“同时，其它一些新材料，如Ru、Nitride、SiC等的slurry也有所涉足。
”在新结构方面，直接浅沟槽隔离(DSTI，Direct STI）就是典型的代表。
由于D STI CMP应用高选择比的slurry，相较于传统的STI CMP，它不需要额外的刻蚀步骤将大块的有源区上的氧化硅薄膜反刻，可以直接研磨。
显然，传统的氧化物slurry已无法满足DSTI CMP工艺的要求，以Ce为主要成分的slurry 成为90nm以下节点DSTI CMP工艺的首选。
BASF已经开始与专业化学品厂商Evonik Industries AG进行基于二氧化铈（CeO2）的slurry研发工作。
另一新集成结构的典型代表就是高k/金属栅结构。
“在45nm技术节点，高k/金属栅结构得以采用，它在为芯片带来更好性能的同时，也为CMP工艺和slur ry带来了诸多问题。
”Tim Tobin说。
金属栅的CMP过程通常可分为两步：氧化物的CMP和金属栅的CMP（图4）。
在氧化物CMP中，首先是要求氧化物的有效平坦化，其次是多晶硅的打开，这要求CMP后的薄膜要能够停留在恰当位置。
在金属栅的CMP中，栅极材料具有一定的特殊性，特别是未来极有可能被采用的钌（Ruthenium）、铂（Platinum）等金属很有可能成为金属栅材料的新选择。
这就要求所选择的slurry能够将栅极材料去除，endpoint的控制是关键和难点。
此外不能有金属残留和尽可能少的dishing缺陷。
当然，slurry 本身也不能在栅极部分带来额外的残留物。
降低缺陷是CMP工艺，乃至整个芯片制造的永恒话题。
王淑敏博士介绍说，半导体业界对于CMP工艺也有相应的“潜规则”，即CMP工艺后的器件材料损耗要小于整个器件厚度的10%。
也就是说slurry不仅要使材料被有效去除，还要能够精准的控制去除速率和最终效果。
随着器件特征尺寸的不断缩小，缺陷对于工艺控制和最终良率的影响愈发的明显，致命缺陷的大小至少要求小于器件尺寸的50%（图5）。
新缺陷的不断出现，为slurry的研发带来了极大的困难。
新型slurry创意无限吴国俊博士认为，尽管目前的研磨颗粒仍为SiO2、Al2O3和CeO2为主，但是slurry的整体趋势朝着更强的化学反应活性、更温和的机械作用的方向发展。
这将促进柔软研磨颗粒的研发，从而减少在低k绝缘材料表面产生线状划痕的可能。
在slurry中采用混合型的颗粒，即聚合物与传统陶瓷颗粒的结合体，在平整度改善以及缺陷度降低方面展示出了良好的前景。
陶瓷颗粒通常具有较强的研磨能力，因此去除率较高，但同时这也会在与硅片接触点附近产生更强的局部压强。
很多时候，这会导致缺陷的产生。
因此，研磨颗粒的形状变得至关重要（边缘尖锐的或是圆滑的），而通常这依赖于slurry颗粒的合成工艺。
与陶瓷颗粒相反，聚合物颗粒通常比较柔软，具有弹性且边缘圆滑，因此能够将所施加的应力以一种更加温和、分布均匀的方式传递到硅片上。
理论上讲，带聚合物外壳的陶瓷颗粒能够将这两者的优点完美的结合在一起，因为坚硬的颗粒可以以一种非损伤的方式施加局部应力。
这种结合体具有提高研磨移除率、改善平整度、降低缺陷发生率的潜力。
在slurry中添加抑制剂或其它添加剂也是未来slurry发展的趋势之一。
Tim T obin认为，在IC器件进一步向着体积更小，速度更快的技术要求驱动下，互连技术平坦化要求集中体现在：提高平面度、减少金属损伤、降低缺陷率。
对于铜互连结构来说，由于铜本身无法产生自然钝化层，发生在宽铜线上的分解或腐蚀力，可能对窄线条产生极大的局部影响，造成严重的失效。
对于先进的铜互连工艺，slurry中的抑制剂成分至关重要。