化学机械抛光工艺(CMP)

化学机械抛光液（CMP）氧化铝抛光液具体添加剂 摘要：本文首先定义并介绍CMP工艺的基本工作原理，然后，通过介绍CMP系统，从工艺设备角度定性分析了解CMP的工作过程，通过介绍分析CMP工艺参数，对CMP作定量了解。在文献精度中，介绍了一个SiO2的CMP平均磨除速率模型，其中考虑了磨粒尺寸，浓度，分布，研磨液流速，抛光势地形，材料性能。经过实验，得到的实验结果与模型比较吻合。MRR模型可用于CMP模拟，CMP过程参数最佳化以及下一代CMP设备的研发。最后，通过对VLSI制造技术的课程回顾，归纳了课程收获，总结了课程感悟。

关键词： CMP、研磨液、平均磨除速率、设备 Abstract：This article first defined and introduces the basic working principle of the CMP process, and then, by introducing the CMP system, from the perspective of process equipment qualitative analysis to understand the working process of the CMP, and by introducing the CMP process parameters, make quantitative understanding on CMP.In literature precision, introduce a CMP model of SiO2, which takes into account the particle size, concentration, distribution of grinding fluid velocity, polishing potential terrain, material performance.After test, the experiment result compared with the model.MRR model can be used in the CMP simulation, CMP process parameter optimization as well as the next generation of CMP equipment research and development.Through the review of VLSI manufacturing technology course, finally sums up the course, summed up the course.

Key word: CMP、slumry、MRRs、device

1.前言 随着半导体工业飞速发展，电子器件尺寸缩小，要求晶片表面平整度达到纳米级。传统的平坦化技术，仅仅能够实现局部平坦化，但是当最小特征尺寸达到0.25μm以下时，必须进行全局平坦化。常见的传统平面化技术很多。如热流法，旋转玻璃法，回蚀法，电子环绕共振法，选择淀积，低压CVD，等离子增强CVD,淀积-腐蚀-淀积法等。但它们都属于局部平面化工艺，不能做到全局平面化。90年代兴起的化学机械抛光技术（CMP）则从加工性能和速度上同时满足硅片图形加工的要求，其也是目前唯一可以实现全局平坦化的技术[1]。

2.基本原理 2.1 CMP定义 CMP就是用化学腐蚀和机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平滑处理。 2.2 CMP工作原理[2] 如图1，将硅片固定在抛光头的最下面，将抛光垫放置在研磨盘上，抛光时，旋转的抛光头以一定的压力压在旋转的抛光垫上，由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的研磨液在硅片表面和抛光垫之间流动，然后研磨液在抛光垫的传输和离心力的作用下，均匀分布其上，在硅片和抛光垫之间形成一层研磨液液体薄膜。研磨液中的化学成分与硅片表面材料产生化学反应，将不溶的物质转化为易溶物质，或者将硬度高的物质进行软化，然后通过磨粒的微机械摩擦作用将这些化学反应物从硅片表面去除，溶入流动的液体中带走，即在化学去膜和机械去膜的交替过程中实现平坦化的目的。其反应分为两个过程[3]： 化学过程：研磨液中的化学品和硅片表面发生化学反应，生成比较容易去除的物质； 物理过程：研磨液中的磨粒和硅片表面材料发生机械物理摩擦，去除化学反应生成的物质。 2.3 CMP主要参数[4] (1)平均磨除率(MRR)在设定时间内磨除材料的厚度是工业生产所需要的。 (2)CMP平整度与均匀性 平整度是硅片某处CMP前后台阶高度之差占CMP之前台阶高度的百分比。 (3)选择比 在CMP中，对不同材料的抛光速率是影响硅片平整性和均匀性的一个重要因素。 (4)表面缺陷 CMP工艺造成的硅片表面缺陷一般包括擦伤或沟、凹陷、侵蚀、残留物和颗粒污染。 2.4 CMP系统 CMP系统[5]（图1）包括： CMP设备、研磨液(抛光液)、抛光垫、抛光终点检测及工艺控制设备、后CMP清洗设备、浆料分布系统、废物处理和测量设备。其中研磨液和抛光垫为消耗品。 图1. CMP设备组成 （1)抛光头组件 新型的抛光头组件（图2）具有用于吸附晶圆的真空吸附装置，对晶圆施加压力的下压力系统，以及调节晶圆的定位环系统。

图2.抛光头组件 （2）研磨盘 研磨盘是CMP研磨的支撑平台，其作用是承载抛光垫并带动其转动。它是控制抛光头压力大小、转动速度、开关动作、研磨盘动作的电路和装置。 (3) 抛光垫 抛光垫（图3）通常使用聚亚胺脂(Polyurethane)材料制造，利用这种多孔性材料类似海绵的机械特性和多孔特性，表面有特殊之沟槽，提高抛光的均匀性，垫上有时开有可视窗，便于线上检测。通常抛光垫为需要定时整修和更换之耗材，一个抛光垫虽不与晶圆直接接触，但使用售命约仅为45至75小时。 抛光垫有软垫，硬垫之分[6]。

图3.抛光垫（左软，右硬） 硬垫（图3，右）:较硬，抛光液固体颗粒大，抛光速度较快,平行度、平整度也较好, 但表面较粗糙,损伤层较严重。软垫（图3，左）具有更好的硅片内平均性,抛光液中固体颗粒较小,因此可以增加光洁度, 同时去除粗抛时留下的损伤层。故采用粗精抛相结合的办法, 既可保持晶片的平行度、平整度,又可达到去除损伤层及保持硅片表面高光洁度的目的。 抛光垫上有很多小孔, 这些小孔有利于输送浆料和抛光, 还可用于将浆料中的磨蚀粒子送入硅片表面并去除副产品。在使用中, 抛光垫在对若干片晶片进行抛光后被研磨得十分平整, 同时孔内填满了磨料粒子和片子表面的磨屑聚集物, 一旦产生釉化现象, 就会使抛光垫失去部分保持研浆的能力, 抛光速率也随之下降, 同时还会使硅片表面产生划伤,对电路元件造成损伤。 因此, 抛光垫表面须定期地用一个金刚石调节器修整, 这样便可延长抛光垫的使用寿命。 （4）抛光垫修整器 图4.抛光垫调整器 图5.抛光垫调整器表面 抛光垫调整器[7]（图4）作用是扫过垫表面提高表面粗糙度，除去用过的浆料。包含一个不锈钢盘以及一个镀镍（CVD金刚石层）的金刚石磨粒（图5）。

(5)研磨液系统 1)研磨液[8]由磨粒、酸碱剂、纯水及添加物构成，其成分见表1。 被抛光材料 磨粒 研磨液添加物 研磨液pH值 介质 二氧化硅 SiO2, CeO2, ZrO2 Al2O3 ,Mn2O3 KOH,NH2OH 10~13

金属 钨 Al2O3,Mn2O3 KIO3,Fe(NO3)2,H2O2 2~6 铝 SiO2 KIO3,Fe(NO3)2,H2O2 2~6 铜 Al2O3 KIO3,Fe(NO3)2,H2O2 2~6 表1.研磨液成分 2)研磨液供给与输送系统 ① 研磨液供给与输送系统与CMP工艺之间的关系：研磨液中的化学品在配比混合输送过程中可能有许多变化，这一点，使输送给机台的研磨液质量与抛光工艺的成功形成了非常紧密的关系，其程度超过了与高纯化学品的联系。尽管CMP设备是控制并影响CMP工艺结果的主要因素，但是研磨液在避免缺陷和影响CMP的平均抛光速率方面起着巨大的作用。 ② 研磨液供给与输送系统实现的目标：通过恰当设计和管理研磨液供给与输送系统来保证CMP工艺的一致性。研磨液的混合、过滤、滴定以及系统的清洗等程序会减轻很多与研磨液相关的问题。那么就要设计一个合适的研磨液的供给与输送系统，完成研磨液的管理，控制研磨液的混合、过滤、浓度、滴定及系统的清洗，减少研磨液在供给、输送过程中可能出现的问题和缺陷，保证CMP的平坦化效果。 研磨液组分通常是分开存储（图6），使用时按比例混合使用。 图6.研磨液混合系统（LFC: 流量控制装置） ③ 研磨液混合和输送设备的设计特点： 搅动：一般来讲，研磨液中的固体颗粒经过一段时间后会逐渐淀积，为了满足特定的工艺要求，必须保持桶中和储蓄罐中的液体均一，专业的研磨液系统制造商可以为每种研磨液设置特定的淀积率和分散率。 ④抛光研磨液后处理：作为消耗品，研磨液一般是一次性使用。 随着CMP市场的扩大，抛光研磨液的排放及后处理工作量也在增大(出于环保原因，即使研磨液不再重复利用，也必须先处理才可以排放)。而且，抛光研磨液价格昂贵，如何对抛光研磨液进行后处理，补充必要的化学添加剂，重复利用其中的有效成分，或降级使用，不仅可以减少环境污染，而且可以大大降低加工成本。抛光研磨液的后处理研究将是未来的新研究热点。 （6）终点检测设备[9] 终点检测是检测CMP工艺把材料磨除到一个正确的厚度的能力。检测方法大致分为间接地对抛光晶片进行物理测定（电流），直接检测晶片（光学）两种。 1)检测电流终点检测。 CMP接近终点时, 抛光垫与硅片摩擦力开始改变，抛光头转动马达的电流会改变来保证不变的旋转速率，监测马达电流来测终点。 2)光学干涉法终点检测

图7.电介质光干涉终点检测 图8.后CMP清洗刷子 电解质光干涉法（图7），反射光相互干涉，薄膜厚度的变化引起干涉状态的周期变化，电解质薄膜厚度的变化可以由反射光的变化来监测。

图9.光学测金属CMP终点 反射率的改变可用来测金属CMP终点，金属表面有很高反射率（图9左），金属层被磨除（图9右）时表面反射率大幅减少，通过这种方法可测终点。 （7）CMP后清洗[10]