PIN雪崩光电二极管建模及其特性的研究
实验二 PIN光电二极管的静态特性
PIN光电二极管的静态特性实验目的1．了解PIN光电二极管的工作原理；2．能根据测试数据分析PIN管的基本静态特性；3．掌握PIN静态特性测试方法；4．掌握测试仪表中光源的基本参数的设置和使用方法；5．掌握测P-N结正负极的方法。
实验要求1、测量光电二极管PN结的极性；2、测量光电二极管的击穿电压和暗电流；3、测量光电二极管的响应度；4、测量光电二极管的光谱响应特性。
实验仪器1、PIN光电二极管一只2、光功率计一只3、PIN光电二极管静态测试实验箱一台4、光衰减器一台5、光纤跳线三根6、万用表一只实验原理1、PIN光电二级管的工作原理PIN光电二极管是在P-N结之间加了一个本征层I层，I层是一个接近本征的、掺杂很低的N区。
在这种结构中，零电场的和区非常薄，而低掺杂的I区很厚，耗尽区几乎占据了整个PN结，从而使光子在零电场区被吸收的可能性很小，而在耗尽区里被充分吸收，故PIN光电二极管又称耗尽层光电二极管，这是它比一般光电二极管的优越之处。
为抑制噪声，PIN光电二极管加反向电压（电源正极接二极管N区），则外加电场和内部电场区内的电场方向相同。
当有光照射二极管时，并且外加光子能量大于禁带宽度Eg，那么价带上的电子就会吸收光子能量跃迁到导带上，从而形成电子—空穴对，在耗尽区即在本征层内的电子空穴对，在强电场的作用下，电子向N区漂移，空穴向P区漂移，从而形成光生电流。
光功率变化时，光生电流也随之线性变化，从而光信号变成了电信号。
2、响应度实验原理响应度表征了光电二极管的能量转换效率，它是器件在外部电路中呈现的宏观灵敏特性。
它定义为在给定波长的光照射下，光电二极管的输出平均电流与入射的光功率平均值之比。
其单位为A/W或uA/uW，其表达式为：R=I/P其中I为光电流的平均值，P为入射光功率的平均值。
一般PIN的响应度在0.3~0.7uA/uW 范围内。
3、暗电流的测量实验原理无光照射时，PIN作为一种PN结器件，在反向偏压下也有反向电流流过，称此电流为PIN的暗电流。
雪崩光电二极管(APD)
结构——APD
3、SAGM型APD P-N结加合适的高反向偏压，使耗尽层中光生 载流子受到强电场的加速作用获得足够高的动能 ，它们与晶格碰撞电离产生新的电子一空穴对， 这些载流子又不断引起新的碰撞电离，造成载流 子的雪崩倍增，得到电流增益。在0.6～0.9μm波 段，硅APD具有接近理想的性能。InGaAs（铟镓 砷）/InP（铟磷）APD是长波长（1.3μm，1.55μm ）波段光纤通信比较理想的光检测器。其优化结 构如图所示，光的吸收层用InGaAs材料，它对 1.3μm和1.55μm的光具有高的吸收系数，为了避 免InGaAs同质结隧道击穿先于雪崩击穿，把雪崩 区与吸收区分开，即P-N结做在InP窗口层内。鉴 于InP材料中空穴离化系数大于电子离化系数， 雪崩区选用n型InP，n-InP与n-InGaAs异质界面存 在较大价带势垒，易造成光生空穴的陷落，在其 间夹入带隙渐变的InGaAsP（铟镓砷磷）过渡区 ，形成SAGM（分别吸收、分级和倍增）结构。
工作原理——APD
雪崩光电二极管是具有内增益的一种光伏器件。它利用 光生载流子在强电场内的定向运动产生雪崩效应，以获得光 电流的增益。在雪崩过程中，光生载流子在强电场的作用下 高速定向运动，具有很高动能的光生电子或空穴与晶格原子 碰撞，使晶格原子电离产生二次电子－空穴对；二次电子和 空穴对在电场的作用下获得足够的动能，又使晶格原子电离 产生新的电子－空穴对，此过程像“雪崩”似地继续下去。 电离产生的载流子数远大于光激发产生的光生载流子数，这 时雪崩光电二极管的输出电流迅速增加。高速运动的电子和 晶格原子相碰撞，使晶格原子电离，产生新的电子 - 空穴对 。新产生的二次电子再次和原子碰撞。如此多次碰撞，产生 连锁反应，致使载流子雪崩式倍增。所以这种器件就称为雪 崩光电二极管(APD)。
雪崩光电二极管特点
雪崩光电二极管特点雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode，简称APD）是一种用于光电转换的器件，它具有一些独特的特点和优势。
本文将对雪崩光电二极管的特点进行详细解释，并在标题中心扩展下进行描述。
1. 雪崩放大效应：雪崩光电二极管通过雪崩放大效应来增强光电转换的效率。
当光子入射到APD中时，产生的电子被高电场加速，撞击到晶格中的原子，使其激发出更多的载流子。
这种级联的雪崩效应可以将光子能量转化为电流信号，并使其放大，从而提高光电转换的灵敏度。
2. 高增益：与传统的光电二极管相比，雪崩光电二极管具有更高的增益。
其内部的雪崩效应可以使电子数目成倍增加，从而大幅度提高输出信号的强度。
这使得雪崩光电二极管在弱光条件下具有更高的信噪比和探测灵敏度，可以探测到较弱的光信号。
3. 宽波长响应范围：雪崩光电二极管的波长响应范围较宽，可以覆盖可见光、红外光等多个波段。
这使得它在不同应用领域具有广泛的适用性。
例如，可以用于光通信、光谱分析、光电检测等领域。
4. 低噪声：雪崩光电二极管具有较低的噪声特性，这是因为它在雪崩放大过程中产生的噪声被级联放大后被抑制。
这使得它在高速光通信和高精度测量等应用中具有优势。
5. 高速响应：由于雪崩放大过程的快速响应特性，雪崩光电二极管具有较高的响应速度。
它可以快速转换光信号为电流信号，适用于高速光通信和高速数据传输等应用。
6. 低工作电压：相比于光电二极管，雪崩光电二极管的工作电压较低。
这使得它在功耗上具有优势，可以降低系统的能耗。
7. 较小尺寸：雪崩光电二极管具有较小的尺寸，重量轻，体积小。
这使得它在集成光学系统和微型设备中的应用更加方便。
雪崩光电二极管具有雪崩放大效应、高增益、宽波长响应范围、低噪声、高速响应、低工作电压和较小尺寸等特点。
这些特点使得它在光通信、光谱分析、光电检测等领域具有广泛的应用前景。
未来随着技术的进一步发展，相信雪崩光电二极管将在更多领域展现出其独特的优势和潜力。
PIN光电二极管综合实验
PIN光电二极管综合实验仪GCPIN-B实验指导书(V1.0)武汉光驰科技有限公司WUHAN GUANGCHI TECHNOLOGY CO.,LTD目录第一章 PIN光电二极管综合实验仪说明 ...................... - 3 -一、产品介绍 (3)二、实验仪说明 (3)1、电子电路部分结构分布............................... - 3 -2、光通路组件......................................... - 4 - 第二章实验指南.......................................... - 5 -一、实验目的 (5)二、实验内容 (5)三、实验仪器 (5)四、实验原理 (6)五、实验准备 (8)六、实验步骤 (8)1、PIN光电二极管暗电流测试 ........................... - 8 -2、PIN光电二极管光电流测试 ........................... - 9 -3、PIN光电二极管光照特性 ............................. - 9 -4、PIN光电二极管伏安特性 ............................ - 10 -5、PIN光电二极管时间响应特性测试 .................... - 10 -6、PIN光电二极管光谱特性测试 ........................ - 11 -第一章 PIN光电二极管综合实验仪说明一、产品介绍对于以高速响应为目标的光电二极管来说，未来减少p-n节的电容，在p与n之间设计一个i层的高阻抗层结构，即在n型硅片上制作一层低掺杂的高阻层，即i层（本征层）在该层上在形成p层。
其工作原理：来自p层外侧的入射光，主要由i层吸收，从而产生空穴和电子。
使用元件时要外加反向偏压，以使空穴朝p层移动，而电子朝n层移动，再由两电极流到外电路。
简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应
简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应雪崩光电二极管是一种特殊的光电二极管，具有雪崩倍增效应。
雪崩倍增效应是指在高电压作用下，光电二极管中的载流子会经历雪崩增加的过程，从而使电流放大数倍。
本文将就雪崩光电二极管的雪崩倍增效应进行详细的描述。
我们来了解一下光电二极管的基本原理。
光电二极管是一种能够将光信号转换为电信号的器件。
它由一个PN结构组成，当光照射到PN结上时，光子的能量被吸收，导致电子从价带跃迁到导带，形成电流。
这种光电效应使得光电二极管在光电转换领域具有重要的应用价值。
而雪崩光电二极管则是在光电二极管的基础上引入了雪崩倍增效应。
雪崩倍增效应的实现依赖于PN结的击穿电压。
当PN结受到高电压的作用，电场强度会加大，导致电子受到更强的加速作用，进而激发更多的电子从价带跃迁到导带。
这种级联的过程会不断放大电流，使得光电二极管的灵敏度和增益得到提高。
雪崩倍增效应的实现需要满足一定的条件。
首先，PN结的击穿电压必须大于工作电压，以确保电子可以受到足够的加速作用。
其次，为了提高效应的可控性，通常会在PN结上加上一个反向偏置电压，使得击穿电压更容易达到。
此外，还需要控制击穿电流的大小，以避免PN结过载。
雪崩光电二极管在实际应用中具有广泛的用途。
首先，它可以用于光通信系统中的接收器，用于接收光信号并将其转换为电信号。
由于雪崩倍增效应的存在，光电二极管可以放大微弱的光信号，提高接收器的灵敏度和信噪比。
其次，雪崩光电二极管还可以用于光谱分析仪和光子计数器等仪器设备中，用于检测和测量光信号的强度和能量。
然而，雪崩倍增效应也存在一些问题和挑战。
首先，由于雪崩倍增效应需要较高的工作电压和较大的电流，因此在设计和制造过程中需要考虑电源和散热等问题。
其次，雪崩倍增效应会引入噪声，影响信号的质量和可靠性。
因此，需要采取一些措施来降低噪声水平，提高信号的清晰度和准确性。
雪崩光电二极管的雪崩倍增效应是一种重要的光电效应，可以实现电流的倍增。
雪崩型光电二极管阵列器件的设计与分析
南京理工大学硕士学位论文雪崩型光电二极管阵列器件的设计与分析姓名：张际青申请学位级别：硕士专业：物理电子学指导教师：汪贵华20070601２．４ＡＰＤ的工作模式当加在ＡＰＤ两端的电压高于雪崩击穿电压时（１／ｐＡＰＤＴ＿作在盖革模式），ＡＰＤ将会产生自身持续的电流，雪崩现象不能自然停止，为保ｈ正ＡＰＤ不被损坏，必须采取措施迅速淬灭雪崩，并且在淬灭完成后，还要使ＡＰＤ尽快恢复到等待状态，为探测下一个入射光子做好准备。
正是外控电路保证了ＡＰＤ对后续光子的探测，因此，不仅是ＡＰＤ器件本身的设计而且ＡＰＤ＃ｐ控电路的设计在单光子探测和微光探测系统中都是十分重要的，外控抑制电路必须实现以下几个功能啪１：１）感应雪崩电流的前沿；２）产生与雪崩上升沿同步的标准输出脉冲；３）雪崩到来时降低偏簧电压，使之低于雪崩电压，从而抑制雪崩；４）重建偏置电压到雪崩电压之上，以探测下一个光子。
工作于盖革模式下的雪崩光电二极管简称为ＧＭ—ＡＰＤ，ＧＭ－ＡＰＤ的工作方式一般有三种１２１－２３Ｊ：无源模式、有源模式和门控模式。
２．４．１无源模式当ＡＰＤ两端所加的电压ｕ高于雪崩击穿电压％时，入射光子触发ＡＰＤ发生雪崩，限流电阻Ｒ抑制引起的雪崩电流。
ＡＰＤ无源工作方式【２ｌ】如图２．２２所示。
Ｒｌ的值一般为２００艇Ｉ，当当电流增大，ａ点电位升高，使得ＡＰＤ两端的电压低于其雪崩击穿电压以，ＡＰＤ将会重新充电直到它两端的电压恢复到原来的值，ＡＰＤ的信号ｉＩ｛ｂ点引出。
图２．２２ＡＰＤ无源工作方式在ＡＰＤ重新充电的过程中，ＡＰＤ光予灵敏度降低，这个再次充电的时间（称为死时间）为１到２ｕｓ，这就限制了ＡＰＤ的总体计数率，这个时间不稳定且难于控制，过脉冲调制也是不可避免的一方面，是暗电流的主要来源，这种无源抑制工作方式电路虽然比较简单，但基于以上各点，这种方式在很多情况下并不适用。
２．４．２有源模式无源抑制的实现方式虽然简单，但是它的恢复时间较长，限制了ＡＰＤ探测器的动态范围和总体性能，因此在很多情况下ＡＰＤ探测器工作在有源抑制方式下，如图２．２３所示，这种方式通过外围电路迅速抑制雪崩并将ＡＰＤ恢复到初始状态。
雪崩光电二极管(APD)
式中，x是过剩噪声指数。其 与器件所用材料和制造工艺有关。 Si-APD的x在0.3-0.5之间，Ge-APD的 x在0.8-1.0之间，InGaAs-APD的x在 0.5-0.7之间。
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Si，Ge，InGaAs雪崩光电二极管的通 用工作特性参数
ID
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11
PIN光电二极管和APD光电二极管 的比较
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7
结构——APD
3、SAGM型APD
P-N结加合适的高反向偏压，使耗尽层中光生 载流子受到强电场的加速作用获得足够高的动能 ，它们与晶格碰撞电离产生新的电子一空穴对， 这些载流子又不断引起新的碰撞电离，造成载流 子的雪崩倍增，得到电流增益。在0.6～0.9μm波 段，硅APD具有接近理想的性能。InGaAs（铟镓 砷）/InP（铟磷）APD是长波长（1.3μm，1.55μm ）波段光纤通信比较理想的光检测器。其优化结 构如图所示，光的吸收层用InGaAs材料，它对 1.3μm和1.55μm的光具有高的吸收系数，为了避 免InGaAs同质结隧道击穿先于雪崩击穿，把雪崩 区与吸收区分开，即P-N结做在InP窗口层内。鉴 于InP材料中空穴离化系数大于电子离化系数， 雪崩区选用n型InP，n-InP与n-InGaAs异质界面存 在较大价带势垒，易造成光生空穴的陷落，在其 间夹入带隙渐变的InGaAsP（铟镓砷磷）过渡区 ，形成SAGM（分别吸收、分级和倍增）结构。
与真空光电倍增管相比，雪崩光电二极管具有小型、不 需要高压电源等优点，因而更适于实际应用；与一般的半导 体光电二极管相比，雪崩光电二极管具有灵敏度高、速度快 等优点，特别当系统带宽比较大时，能使系统的探测性能获 得大的改善。
因此，雪崩光电二极管主要应用与激光测距仪、共焦显 微镜检查、视频扫描成像仪、高速分析仪器、自由空间通信 、紫外线传感、分布式温度传感器等领域。
雪崩光电二极管的特性
雪崩光电二极管工作特性及等效电路模型一．工作特性雪崩光电二极管为具有内增益的一种光生伏特器件，它利用光生载流子在强电场内的定向运动产生雪崩效应，以获得光电流的增益。
在雪崩过程中，光生载流子在强电场的作用下进行高速定向运动，具很高动能的光生电子或空穴与晶格院子碰撞，使晶格原子电离产生二次电子---空穴对；二次电子---空穴对在电场的作用下获得足够的动能，又是晶格原子电离产生新的电子----空穴对，此过程像“雪崩”似的继续下去。
电离产生的载流子数远大于光激发产生的光生载流子，这时雪崩光电二极管的输出电流迅速增加，其电流倍增系数定义为：式中为倍增输出电流，为倍增前的输出电流。
雪崩倍增系数与碰撞电离率有密切关系，碰撞电离率表示一个载流子在电场作用下，漂移单位距离所产生的电子----空穴对数目。
实际上电子电离率和空穴电离率是不完全一样的，他们都与电场强度有密切关系。
由实验确定，电离率与电场强度J近似有以下关系：式中，，，都为与材料有关的系数。
假定，可以推出式中,为耗尽层的宽度。
上式表明，当时，。
因此称上式为发生雪崩击穿的条件。
其物理意义是：在电场作用下，当通过耗尽区的每个载流子平均能产生一对电子----空穴对，就发生雪崩击穿现象。
当时，结上所加的反向偏压就是雪崩击穿电压.实验发现，在反向偏压略低于击穿电压时，也会发生雪崩倍增现象，不过这时的值较小，随反向偏压的变化可用经验公式近似表示为式中，指数与结得结构有关。
对结，;对结，。
由上式可见，当时，，结将发生击穿。
适当调节雪崩光电二极管的工作偏压，便可得到较大的倍增系数。
目前，雪崩光电二极管的偏压分为低压和高压两种，低压在几十伏左右，高压达几百伏。
雪崩光电二极管的倍增系数可达几百倍，甚至数千倍。
雪崩光电二极管暗电流和光电流与偏置电压的关系曲线如图所示。
从图中可看到，当工作偏压增加时，输出亮电流（即光电流和暗电流之和）按指数显示增加。
当在偏压较低时，不产生雪崩过程，即无光电流倍增。
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+αnexp(-
αnW n)
同时对于反偏的 PIN 结构 , N 区过剩载流子速率方程为 :
dPn dt
=Gp
-
Pn τp
-
Ip q
(7)
式中 :Pn 为 N 区过剩空穴总数 ;τp 为 N 区空穴寿命 ;Gp
=
P
in(1 hv
R)[ 1 - exp(- αn W n)]
, 为入射光在
N 区的电子 - 空穴对产生率(单位时间产生的电子 - 空穴对总数. 与式(6)联立可求得
;R
为入射面反
射率 ;A 为入射光照射面积 ;hv 为光子能量 ;αn 为 N
区光功率为吸收系数. 则可得 :
G'p =-
d d
Υx =P
in
(1 A
-R hv
)αn e-
(αn ×x)
(3)
利用边界条件 x =0 , pn =pn (0);x =W n , pn =
0 , 其中 W n 为 N 区的宽度. 可解得 pn 的稳态解.
Rnr
= τnr Cn0
, Rnt
= τnt Cn0
生的电子 - 空穴对数 ;Gi 为入射光在 I 区的电子 -
Vinp =Cn0 Rnr R nt(υn ξn +υp ξp ) - Rnr - Rnt
空穴对产生率 ;τnr (τpr )为 I 区电子(空穴)复合寿命.
以 N - I 界面作为研究对象 , 同时考虑寄生电
+αp
(11) (12)
(13)
第2期
范 辉 , 陆雨田 :PIN 雪崩光电二极管建模及其特性的研究
393
又 P 区过剩载流子速率方程为 :
d Np dt
=Gn
-
Np τn
-
In q
(14)
式中 N p 为 P 区过剩电子总数 ;τn 为 P 区电子寿命 ;Gn 为入射光在 P 区的电子 - 空穴对产生率 , 且
υp(F)
=
1
μp F +(μp F
/υp)
Ij = Ip +Ii +Id +ICT
(18)
式中 , Ip 为 N 区少数载 流子(空穴)的 扩散电
流 ;Ii 为 I 区电子的漂移电流 , 包括 :I 区光生电子 、
空穴碰撞电离产生的电子 , 电子碰撞电离产生的电
子 , P 区少数载流子(电子)扩散进入的电子 ;ICT 为
Ip
Rp(=
Pin
+βp Pin Vop
+Ip0 V op ) Vop (Rp
[ ex p(+Rpd )
Rp +Rpd R p Rpd Cn0
式中 :V op
=q(1 -
hv R)[ 1 - ex p(-
αn W n)]
;Rp
=Cτnp0
Pin) - 1] +βp Pin +Ip0
(8)
1. 2 P 区电子扩散电流
(15)
1. 3 I 区电子的漂移电流
Ii
=
qN i Cn0 Rnt
=
对 I 区取电中性条件 , 即 Pi =N i , 则速 率方程 为[ 9] :
d Ni dt
=Gi
+(υn ξn +υp ξp )Ni -
Ni τnr
-
Ni τnt
+In q
(16)
式中 N i 为 I 区过剩电子总数 ;υn (υp )为 I 区电
流过寄生电容的电流 , 拟合计算为 :
ICT =2sin(500CT t - 0. 6π), CT =Cs +Cj :Cs 为寄生 电容 , Cj =ε0 εs A /W i , 其中 , εs 为材料相介电常数 ;I d 为隧穿电流[ 12] 与其他寄生漏电流之和 , 可写为 :
中 , nn 、N D 分别为 N 区本征载流子密度和净施主密
度 ;G'p 为光照产生率.
设入射的光子流在硅片内按指数规律衰减 :
Υ(x) = Υ0 e-αnx
(2)
式中 , Υ0 为 硅 片 表 面 入 射 的 光 子 流 , 且 Υ0 =
Pin (1 A
- R) hv
, 其中
Pin 为入射光功率
又过剩空穴总数和扩散电流分别为 :
∫ pn = A W n (pn - pn0)d x 0
(4)
Ip
=-
qD p
dpn dx
x =wn
(5)
联立(4)(5)可求得
Ip
= qP n Cn0 Rpd
+βp Pin +I p0
式中 :Cn0 为引入的归一化常数
(6)
R pd
= Rp[ ch(Wn / L p) - 1]
In =RVnnd +βn Pin +In0
式中 :
Rnd =R n[ ch(W p / Ln )- 1]
In0
=qP
p0 L n[ ch(Wp / W p τn sh(Wp
L n) +1] / L n)
[ ch(Wp / Ln) +1] Ln sh(Wp / Ln)
+αp Lex2n[p(ch-(WαppW/ pL)n)--11]
与 N 区相似 , 其相应的稳态连续性方程为 :
Dn
d2 np dx2
-
np
- np0 τn
+G'n =0
(9)
其中 , Dn =L2n / τn 为 P 区电子 扩散系数 , Ln 为
电子的扩散长度 , τn 为电子寿命 ;np 为电子 的非平
衡浓度 ;np0 为电子的平衡浓 度 , 且 np0 =n2p / N A , 其
其中 :
容和寄生电阻的作用 , 得流过该界面的电流为 :
Gi
=hv
P
in (1 - R) exp(αn W
n)[
1
-
exp(-
αi W i)]
τnt
=
Wi υn
,
τPt
=
Wi υp
对于固 定电 场下 的载 流子 速度 公式 修 正 为 : [ 10-11]
υn(F)
=
μn F 1
+υn (F /Fth )4 +(F / Fth )4
子(空穴)漂移速度 ;ξn(ξp)为 I 区电子(空穴)碰撞离
化率 , 即一个电子(空穴)在单位长度内碰撞离化产
Rnr(Pin +Voi In)[ exp(Cn0VRinnpr Rnt) Voi Vinp
Pin - 1]
(17)
式中
Voi
= q(1 -
hv exp(αn W n) R)[ 1 - exp(- αiW i)]
Gn
= hv
Pin (1 - R)αp exp(αn W n +αiW
i)[
1
-
ex p(-
αp
W p)]
与式(13)联立可得 :
In
Rn (=
Pin
+βn Pin Von
+I n0 Von) V on(Rn
[ exp(+R nd)
R n +Rnd Rn R nd Cn0
Pin) - 1] +βp Pin +In0
中 , np 、N A 分别为 P 区本征载流子密度和净受主密
度 ;G'N 为 P 区电子产生率 , 且
G'n = A
hv
P
in (1 - R)αp exp(αn W n +αiW
i)e
x
p(-
αp x) (10)
式中 , αp 为 P 区光功率吸收系数 ;W i 为 I 区的
宽度.
采用边界条件 x =0 , np =0 ;x =W p , np =np(0),
PIN 雪崩光电二极管建模及其特性的研究
范 辉 , 陆雨田
(中国科学院上海光学精密 机械研究所 , 上海 201800)
摘 要 :针对 PIN 雪崩光电二极管结构的特殊性 , 以载流子速率方程为基础 , 进行适当的假设和拟合 , 将 光 、电 子量和转化 过
程完全用数学模型表示 , 并在 M atlab 中进行了模 拟计 算 , 其结 果与实 验数 据符合 较好. 该 模型可 用于 对 PIN - A PD 进行 直
F A N Hui , L U Y u-ti an
(S hangh ai Inst it ute o f op ti cs an d Fi ne Mechani cs , Ch inese Aca dem y o f S ci ences , S han ghai 201800 , Ch ina)
Abstract :Based on the charact eri stic of PIN avalanche pho to diodes and carrier rate equations , a m athematic model is presented. T he model can express the quanti ties and co nversio n of pho to n and elect ro n by some hy po thesis and appro ximati on. T he simulatio n analy sis by Mat lab ag rees w ell w it h the expe riment dat a. T his model can used f or AC , DC , t ransient analysi s and wi th o ther m odel of OEIC. Key words:av alanche pho to diode s ;mathematic m odel ;M atlab ;OEIC EEACC :4 250