晶体管特性图示仪测试
QT2晶体管特性图示仪操作规范
编制| | 审核| | 批准| 」发行日期文件类型仪器名称资料编号版次页次仪器作业指导书QT2型晶体管特性图示仪2/3电压（并使电压从左下方的零点开始），当电压达到某一值时电流变大，读出曲线转折点时的电压值（32V左右）即为此触发管的触发电压。
3.3.3 稳压管2CW37-6.2测试测稳压值：将稳压管的正极插入测试盒E孔，负极插入C孔。
调节参数：功耗电阻250 Q,集电极电压输出选择10V,Y轴电流/度1mA X轴电压/度1V,幅度级5UA, “输入”开关正常，阶梯10级,极性选择NPN.测试：开关拨至相应测试端，慢慢调节峰值电压（并使电压从左下方的零点开始），当电压达到某一值时电流变大，读出曲线转折点时的电压值（ 6.4V左右）即为此稳压管的稳压值3.3.4 压敏电阻测试测击穿电压：将压敏电组两脚分别插入测试盒C孔和E孔（若标称电压高于500V需在高压测试盒内进行，按1N4007二极管测试）。
参数调试：功耗电阻100K Q，集电极输出电压根据压敏电阻的标称值适当选取，X轴电压/度选取适当的档级，Y轴电流/度50卩A。
测试：开关拨至相应测试端，慢慢调节峰值电压（并使电压从左下方的零点开始），当电压达到某一值时，电流突然增大，读出曲线转折点时的电压值即为压敏电阻的击穿电压。
3.3.5 13003 三极管测试3.3.5.1测放大倍数HFE将三极管按脚位要求插入相应的位置；集电极电压输出选择10V;极性选择NPN,（如是PNP型则需选择PNP）;功耗电阻200Q, Y轴电流/度1MA,X轴电压/度1V,幅度级20UA, “输入”及“作用”开关选正常；阶梯10级。
测试：开关拨至相应测试端，顺时针旋转“峰值电压” 旋钮，逐渐加大；显示屏出现一组曲线，就是三极管特性曲线；IC读数：电流档位指数1000MAXY轴格数4.5,IB读数：阶梯信号电流档指数20UA X簇数10,HFE计算公式：IC/IB=22.5。
半导体器件--用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数
用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数一、 引言晶体管在半导体器件中占有重要的地位，也是组成集成电路的基本元件。
晶体管的各种特性参数可以通过专用仪器--晶体管特性图示仪进行直接测量。
了解和测量实际的晶体管的各种性能参数不仅有助于掌握晶体管的工作机理，而且还可以分析造成各种器件失败的原因，晶体管特性图示仪是半导体工艺生产线上最常用的一种工艺质量检测工具。
本实验的目的是：了解晶体管特性图示仪的工作原理；学会正确使用晶体管特性图示仪；测量共发射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性。
二、晶体管特性图示仪的工作原理和基本结构晶体管的输出特性曲线如图1所示，这是一组曲线族，对于其中任一条曲线，相当于I b =常数（即基极电流I b 不变）。
曲线显示出集电极与发射极之间的电压V cc 增加时，集电极电流I c 的变化。
因此，为了显示一条特性曲线，可以采用如图2所示的方法，既固定基极电流I b 为：b be b bE V I R -= （1）图1共射晶体管输出特性曲线 图2共射晶体管接法在集电极到发射极的回路中，接入一个锯齿波电压发生器E c 和一个小的电阻R c ，晶体管发射极接地。
由于电阻R 很小，锯齿波电压实际上可以看成是加在晶体管的集电极和发射极之间。
晶体管的集电极电流从电阻R c上流过，电阻R c上的电压降就正比于I c。
如果把晶体管的c、e两点接到示波管的x偏转板上，把电阻R c两端接到示波管的y偏转板上，示波器便显示出晶体管的I c随V cc变化的曲线。
（为了保证测量的准确性，电阻R c应该很小）。
用这种方法只能显示出一条特性曲线，因为此时晶体管的基极电流I b是固定不变的。
如果要测量整个特性曲线族，则要求基极电流I b改变。
基极电流I b的改变采用阶梯变化，每一个阶梯维持的时间正好等于作用在集电极的锯齿波电压的周期，如图3所示。
阶梯电压每跳一级，电流I b便增加一级。
（每一级阶梯的增幅可根据不同的晶体管的做相应的调整）。
半导体器件--用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数
用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数一、 引言晶体管在半导体器件中占有重要的地位，也是组成集成电路的基本元件。
晶体管的各种特性参数可以通过专用仪器--晶体管特性图示仪进行直接测量。
了解和测量实际的晶体管的各种性能参数不仅有助于掌握晶体管的工作机理，而且还可以分析造成各种器件失败的原因，晶体管特性图示仪是半导体工艺生产线上最常用的一种工艺质量检测工具。
本实验的目的是：了解晶体管特性图示仪的工作原理；学会正确使用晶体管特性图示仪；测量共发射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性。
二、晶体管特性图示仪的工作原理和基本结构晶体管的输出特性曲线如图1所示，这是一组曲线族，对于其中任一条曲线，相当于I b =常数（即基极电流I b 不变）。
曲线显示出集电极与发射极之间的电压V cc 增加时，集电极电流I c 的变化。
因此，为了显示一条特性曲线，可以采用如图2所示的方法，既固定基极电流I b 为：b be b bE V I R -= （1）图1共射晶体管输出特性曲线 图2共射晶体管接法在集电极到发射极的回路中，接入一个锯齿波电压发生器E c 和一个小的电阻R c ，晶体管发射极接地。
由于电阻R 很小，锯齿波电压实际上可以看成是加在晶体管的集电极和发射极之间。
晶体管的集电极电流从电阻R c上流过，电阻R c上的电压降就正比于I c。
如果把晶体管的c、e两点接到示波管的x偏转板上，把电阻R c两端接到示波管的y偏转板上，示波器便显示出晶体管的I c随V cc变化的曲线。
（为了保证测量的准确性，电阻R c应该很小）。
用这种方法只能显示出一条特性曲线，因为此时晶体管的基极电流I b是固定不变的。
如果要测量整个特性曲线族，则要求基极电流I b改变。
基极电流I b的改变采用阶梯变化，每一个阶梯维持的时间正好等于作用在集电极的锯齿波电压的周期，如图3所示。
阶梯电压每跳一级，电流I b便增加一级。
（每一级阶梯的增幅可根据不同的晶体管的做相应的调整）。
晶体管特性图示仪
晶体管特性图示仪晶体管特性图示仪是一种可直接在示波管荧光屏上观察各种晶体管的特性曲线的专用仪器。
通过仪器的标尺刻度可直接读被测晶体管的各项参数；它可用来测定晶体管的共集电极、共基极、共发射极的输入特性、输出特性、转换特性、a、B参数特性；可测定各种反向饱和电流I CBO、I CEO、I EB0和各种击穿电压BU CBO、BU CE。
、BU EBO等；还可以测定二极管、稳压管、可控硅、隧道二极管、场效应管及数字集成电路的特性，用途广泛。
一、主要技术指标(1)Y轴编转因数：集电极电流范围：0.01〜1000毫安/度，分十六档，误差W±3%；集电极电流倍率：分X2、X1、X0.1三档，误差W±3%；基极电压范围：0.01〜0.5V/度，分六档，误差W±3%；基极电流或基极源电压：0.05V/度，误差W±3%；外接输入：0.1V/度，误差W±3%；(2) X轴偏转因数：集电极电压范围：0.01〜20V/度，分十一档，误差W±3%；基极电压范围：0.01〜0.5V/度，分六档，误差W±3%；基极电流或基极源电压：0.5V/度，误差W±3%；外接输入：0.1V/度，误差W±3%。
(3)基极阶梯信号：阶梯电流范围：0.001〜200mA/度，分十七档；阶梯电压范围：0.01〜0.2V/级，分五档；串联电阻：10Q〜22K Q，分24档；每族级数：4〜12连续可变；每秒级数：100或200，共3档；阶梯作用：重复、关、单族，共三档；极性：正、负两档；误差W±5%.(4)集电极扫描信号：峰值电压：0〜20V、0〜200V两档，正、负连续可调；电流容量：0〜20V时为10A (平均值)，0〜200V时为1A (平均值)；功耗限制电阻：0〜100K Q，分17档，误差W±5%；(5)电源：交流220V ±10%, 50Hz±20Hz o功耗：260VA.环境温度：一10 ℃-+40℃相对湿度：W80%二、仪器原理框图和工作原理1．仪器原理框图如图3.6.2所示。
晶体管特性图示仪操作规程
二、二极管特性测试
1、通过二极管测试盒与仪器二极管测试孔相连， 在特殊情况下也可用合适的耐高压线与 此插孔相连，被测管按面板所示的二极管性与测试孔相连。 2、将集电极输出电压琴键按至 3000V 档级，此时并将峰值电压逆时针方向旋转到零。 3、将 Y 电流/度置于 ID 范围内的适合档级，并将 X 电压/度置于 UD 范围内的合适档级。 4、按“测试”按钮，并徐徐缓缓升高峰值电压直至所要求值（或二极管击穿电流超过规 定值电压）时止。 5、由于高压测试插孔中具有高压，因此在按“测试”按钮时，切勿接触测试插孔的任一 端。
操
编号：
作
规 程
制订日期：2
版次：A/000
晶体管特性图示仪操作规程
一． 测试前的开机与调节
1．开启电源：将电源开关向右方向按动，此时白色指示灯即发光，待预热十分钟后立即进行 正常测试。在必要时测量进线电压在 220V±10%D 的范围为宜。 2．调节辉度聚焦，辅助聚焦及标尺亮度：将示波管会聚成一清晰的小光点，标尺亮度以能清 晰满足测量要求为原则。 3．Y、X 移位 对 Y、X 移位旋钮置于中心位置，此时光点应根据 PNP、NPN 开关的选择处 于左下方或右上方。再调节移位旋钮使其在左下方或右下方实线部分的零点。 4．对 Y、X 校准将 Y、X 灵敏度分别进行 10 度校准，其方法将 Y（或 X）方式开关自“┴” 至“校准”此时光点或基线应有 10 度偏转，如超过或未达到时应进行增益调节（X/Y 调 节 W*1-10/1-110） 。] 5．阶梯调零: 阶梯调零的原理即将阶梯先在示波管上显示， 然后根据放在输入端接地所显示 的位置，于调节零电位器使基与放大器接地时重合即完成调零。 调节方法首先将 Y 偏转放大器置于基极电流或基极源电压档级，X 偏转放大器置于 U0 的 任意档级，将测试选择置于“NPN” ，电压档级置于“常态” ，阶梯幅度/级置于电压/级的 任意档，集电极电压置于任意档级使示波管显示电压值，此时即能调零,使第一根基线与 Y 偏转放大器“┴”时重合即完成了调零步骤。 6．电容性电流平衡：在要求较高电流灵敏度档级进行测量时，可对电容性电流进行平衡，平 衡方式将 Y 偏转放大器置于较高灵敏并档级使示波管显示电容性电流， 调节电容平衡旋钮 使其达到最小值即可。 7．集电极电压检查：在进行测量前应检查集电极电压的输出范围，检查时将 V0 置于相对应 档级，当发现将峰值电压顺时针方向最大时，其输出在规定值与大于 10%之间即正常，如 超过或小于述规定请检查进线电压（此时功耗限止电阻应等天 0） 。
晶体管图示仪的使用
实验一晶体管图示仪的使用一、实验目的熟练掌握晶体管特性图示仪的使用方法，学会用晶体管特性图示仪测量半导体器件的静态参数。
在不损坏器件的情况下，测量半导体器件的极限参数。
二、晶体管特性图示仪测量半导体器件的工作原理1．概述YB4810型晶体管特性图示仪是一种用阴极射线示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器，尤其能在不损坏器件的情况下，测量其极限参数，如击穿电压、饱和压降等。
2．主要技术指标（1） Y轴偏转系数集电极电流范围为10μA/div~0.5A/div，分15档，误差不超过±5%；二极管反向漏电流0.2μA/div~5μA/div，分5档，2μA/div、5μA/div误差不超过±5%，1μA/div误差不超过±7%，0.5μA/div误差不超过±10%，0.2μA/div误差不超过±20%；外接输入为0.1V/div误差不超过±5%。
（2） X轴偏转系数集电极电压范围为0.1V/div~50V/div，分9档，误差不超过±5%；基极电压范围为0.1V/div~5V/div，分6档，误差不超过±5%；外接输入为0.05V/div误差不超过±7%。
（3）阶梯信号阶梯电流范围为0.1μA/级~50mA/级，分18档；1μA/级~50mA/级，误差不超过±5%，0.1μA/级误差不超过±7%；阶梯电压范围为0.05V/级~1V/级，分5档，误差不超过±5%；串联电阻10Ω、10KΩ、0.1MΩ，分3档，误差不超过±10%；每簇级数4~10级连续可调。
2．4集电极扫描电源、高压二极管测试电源其峰值电压与峰值电流容量如下表所示，其中最大输出不低于下表：（4）其它校正信号为0.5Vp-p误差不超过±2%（频率为市电频率），1Vp-p误差不超过±2%（频率为市电频率）；示波管15SJ110Y14内（UK=1.5Kv，UA4=+1.5kV）；电源电压为（220±10%）V；电源频率为（50±5%）Hz；视在功率在非测试状态约50W；满功率测试状态约80W。
晶体管图示仪的测试原理
晶体管图示仪的测试原理晶体管图示仪是一种用于测试和分析晶体管性能的仪器。
它通过对晶体管进行电流-电压（I-V）特性曲线的测量，来评估晶体管的工作状态和性能。
晶体管图示仪的测试原理主要包括以下几个方面：1. 电流-电压特性测量：晶体管图示仪通过在晶体管的基极、发射极和集电极之间施加不同的电压，测量晶体管的电流-电压特性曲线。
这些特性曲线可以显示晶体管的工作区域、饱和区、截止区等工作状态，以及晶体管的放大倍数、输入电阻、输出电阻等性能参数。
2. 输入输出特性测量：晶体管图示仪还可以测量晶体管的输入输出特性。
输入特性是指在给定的集电极电压下，测量晶体管的基极电流与基极电压之间的关系；输出特性是指在给定的基极电流下，测量晶体管的集电极电压与集电极电流之间的关系。
通过测量输入输出特性，可以评估晶体管的放大倍数、输入电阻、输出电阻等性能参数。
3. 频率响应测量：晶体管图示仪还可以测量晶体管的频率响应特性。
频率响应是指晶体管在不同频率下的放大倍数和相位差。
通过测量频率响应，可以评估晶体管的截止频率、增益带宽等性能参数。
4. 功率测量：晶体管图示仪还可以测量晶体管的功率特性。
功率特性是指晶体管在不同电压和电流下的功率输出。
通过测量功率特性，可以评估晶体管的最大功率输出、效率等性能参数。
晶体管图示仪的测试原理基于电子学和半导体物理学的基本原理。
晶体管是一种半导体器件，其工作原理基于PN结和场效应晶体管的原理。
晶体管图示仪通过施加不同的电压和电流，可以改变晶体管的工作状态，从而测量和分析晶体管的性能。
总之，晶体管图示仪通过测量晶体管的电流-电压特性、输入输出特性、频率响应特性和功率特性，来评估晶体管的工作状态和性能。
它是一种重要的测试仪器，用于研究和开发半导体器件、电子电路和通信系统等领域。
使用型晶体管特性图示仪测试三极管
测试三极管
1．调节功耗限制电阻选择旋钮，观察示波器中曲线变化。
测试三极管
2．调节Y轴选择开关，观察示波器中曲线变化
测试三极管
3．调节X轴选择开关，观察示波器中曲线变化
测试三极管
4．调节阶梯信号选择开关，观察示波器中曲线变化
测试三极管
5．调节级/簇旋钮，观察示波器中曲线变化
课后测评
xj4822b蚌埠职教中心蚌埠技师学院使用前的准备确认输入电源电压可靠后接通xj4822b型晶体管特性图示仪的电源把专用插座插入到测试输入端然后把三极管放入到专用插座中将峰值电压旋钮调至0
使用XJ4822B型晶体管特性 图示仪测ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ三极管
蚌埠职教中心（蚌埠技师学院） 周少梅
使用前的准备
确认输入电源电压可靠后接通XJ4822B型晶体管特性图 示仪的电源，把专用插座插入到测试输入端，然后把三 极管放入到专用插座中，将峰值电压%旋钮调至0。 打开电源开关。预热15分钟后，可进行测试，调整显示 屏聚焦和辉度，以显示适中为佳。
使用前的准备
测试三极管
1．将功耗限制电阻选择旋钮、峰值电压范围选择 按钮、Y轴选择开关、X轴选择开关、阶梯信号选择 开关、级/簇旋钮置于测试所需的位置。
X轴选择开关、阶梯信号选择开关、级/簇旋钮 置于测试所需的位置.
测试三极管
测试三极管
2．顺时针缓慢地增大峰值电压%，荧光屏上即有曲线显示， 这条曲线即为三极管的输出特性曲线。
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XJ4810晶体管特性图示仪说明书晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。
用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。
下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。
图A-23 XJ4810型半导体管特性图示仪7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示：1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。
2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。
3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。
4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。
5. 峰值电压围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。
当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。
AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。
6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。
为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。
7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。
8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。
9. 电源指示：接通电源时灯亮。
10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。
11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。
12. 辅助聚焦：与聚焦旋钮配合使用。
13. Y轴选择（电流/度）开关：具有22挡四种偏转作用的开关。
可以进行集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。
14. 电流/度×0.1倍率指示灯：灯亮时，仪器进入电流/度×0.1倍工作状态。
15. 垂直移位及电流/度倍率开关：调节迹线在垂直方向的移位。
旋钮拉出，放大器增益扩大10倍，电流/度各挡I C标值×0.1，同时指示灯14亮.16. Y轴增益：校正Y轴增益。
17. X轴增益：校正X轴增益。
18.显示开关：分转换、接地、校准三挡，其作用是：⑴转换：使图像在Ⅰ、Ⅲ象限相互转换，便于由NPN管转测PNP管时简化测试操作。
⑵接地：放大器输入接地，表示输入为零的基准点。
⑶校准：按下校准键，光点在X、Y轴方向移动的距离刚好为10度，以达到10度校正目的。
19. X轴移位：调节光迹在水平方向的移位。
20. X轴选择（电压/度）开关：可以进行集电极电压、基极电流、基极电压和外接四种功能的转换，共17挡。
21. “级/簇”调节：在0～10的围可连续调节阶梯信号的级数。
22. 调零旋钮：测试前，应首先调整阶梯信号的起始级零电平的位置。
当荧光屏上已观察到基极阶梯信号后，按下测试台上选择按键“零电压”，观察光点停留在荧光屏上的位置，复位后调节零旋钮，使阶梯信号的起始级光点仍在该处，这样阶梯信号的零电位即被准确校正。
23. 阶梯信号选择开关：可以调节每级电流大小注入被测管的基极，作为测试各种特性曲线的基极信号源，共22挡。
一般选用基极电流/级，当测试场效应管时选用基极源电压/级。
24. 串联电阻开关：当阶梯信号选择开关置于电压/级的位置时，串联电阻将串联在被测管的输入电路中。
25. 重复－－关按键：弹出为重复，阶梯信号重复出现；按下为关，阶梯信号处于待触发状态。
26. 阶梯信号待触发指示灯：重复按键按下时灯亮，阶梯信号进入待触发状态。
27. 单簇按键开关：单簇的按动其作用是使预先调整好的电压（电流）/级，出现一次阶梯信号后回到等待触发位置，因此可利用它瞬间作用的特性来观察被测管的各种极限特性。
28. 极性按键：极性的选择取决于被测管的特性。
29. 测试台：其结构如图A-24所示。
图A-24 XJ4810型半导体管特性图示仪测试台30. 测试选择按键：⑴“左”、“右”、“二簇”：可以在测试时任选左右两个被测管的特性，当置于“二簇”时，即通过电子开关自动地交替显示左右二簇特性曲线，此时“级/簇”应置适当位置，以利于观察。
二簇特性曲线比较时，请不要误按单簇按键。
⑵“零电压”键：按下此键用于调整阶梯信号的起始级在零电平的位置，见（22）项。
⑶“零电流”键：按下此键时被测管的基极处于开路状态，即能测量I CEO特性。
31、32. 左右测试插孔：插上专用插座（随机附件），可测试F1、F2型管座的功率晶体管。
33、34、35.晶体管测试插座。
36. 二极管反向漏电流专用插孔（接地端）。
在仪器右侧板上分布有图A-25所示的旋钮和端子：图A-25 XJ4810型半导体管特性图示仪右侧板37. 二簇移位旋钮：在二簇显示时，可改变右簇曲线的位置，更方便于配对晶体管各种参数的比较。
38. Y轴信号输入：Y轴选择开关置外接时，Y轴信号由此插座输入。
39. X轴信号输入：X轴选择开关置外接时，X轴信号由此插座输入。
40. 校准信号输出端：1V、0.5V校准信号由此二孔输出。
7.2测试前注意事项为保证仪器的合理使用，既不损坏被测晶体管，也不损坏仪器部线路，在使用仪器前应注意下列事项：1. 对被测管的主要直流参数应有一个大概的了解和估计，特别要了解被测管的集电极最大允许耗散功率P CM、最大允许电流I CM和击穿电压BV EBO、BV CBO。
2. 选择好扫描和阶梯信号的极性，以适应不同管型和测试项目的需要。
3. 根据所测参数或被测管允许的集电极电压，选择合适的扫描电压围。
一般情况下，应先将峰值电压调至零，更改扫描电压围时，也应先将峰值电压调至零。
选择一定的功耗电阻，测试反向特性时，功耗电阻要选大一些，同时将X、Y偏转开关置于合适挡位。
测试时扫描电压应从零逐步调节到需要值。
4. 对被测管进行必要的估算，以选择合适的阶梯电流或阶梯电压，一般宜先小一点，再根据需要逐步加大。
测试时不应超过被测管的集电极最大允许功耗。
5. 在进行I C M的测试时，一般采用单簇为宜，以免损坏被测管。
6. 在进行I C或I CM的测试中，应根据集电极电压的实际情况选择，不应超过本仪器规定的最大电流，见表A-3。
表A-3 最大电流对照表7. 进行高压测试时，应特别注意安全，电压应从零逐步调节到需要值。
观察完毕，应及时将峰值电压调到零。
7.3基本操作步骤1. 按下电源开关，指示灯亮，预热15分钟后，即可进行测试。
2. 调节辉度、聚焦及辅助聚焦，使光点清晰。
电压围/V 0～10 0～50 0～100 0～500允许最大电流/A 5 1 0.5 0.13. 将峰值电压旋钮调至零，峰值电压围、极性、功耗电阻等开关置于测试所需位置。
4. 对X 、Y 轴放大器进行10度校准。
5. 调节阶梯调零。
6. 选择需要的基极阶梯信号，将极性、串联电阻置于合适挡位，调节级/簇旋钮，使阶梯信号为10级/簇，阶梯信号置重复位置。
7. 插上被测晶体管，缓慢地增大峰值电压，荧光屏上即有曲线显示。
7.4测试实例1. 晶体管h FE 和β值的测量以NPN 型3DK2晶体管为例，查手册得知3DK2 h FE 的测试条件为V CE =1V 、I C =10mA 。
将光点移至荧光屏的左下角作座表零点。
仪器部件的置位详见表A-4。
部件 置位 部件置位 峰值电压围 0～10V Y 轴集电极电流1 mA /度 集电极极性 + 阶梯信号 重复 功耗电阻250Ω 阶梯极性 + X 轴集电极电压1V/度阶梯选择20μA逐渐加大峰值电压就能在显示屏上看到一簇特性曲线，如图A-26所示.读出X 轴集电极电压V ce =1V 时最上面一条曲线（每条曲线为20μA ，最下面一条I B =0不计在）I B 值和Y 轴I C 值，可得h FE = B C I I =A 200mA 5.8μ=2.05.8=42.5若把X 轴选择开关放在基极电流或基极源电压位置，即可得到图A-27所示的电流放大特性曲线。
即β=BC I I∆∆图A-26 晶体三极管输出特性曲线 图A-27 电流放大特性曲线PNP 型三极管h FE 和β的测量方法同上，只需改变扫描电压极性、阶梯信号极性、并把光点移至荧光屏右上角即可。
2.晶体管反向电流的测试以NPN 型3DK2晶体管为例，查手册得知3DK2 I CBO 、I CEO 的测试条件为V CB 、V CE 均为10V 。
测试时，仪器部件的置位详见表A-5。
逐渐调高“峰值电压”使X 轴V CB =10V ，读出Y 轴的偏移量，即为被测值。
被测管的接线方法如图1-28，其中图A-28（a ）测I CBO 值，图A-28（b ）测I CEO 值、图A-28（c ）测I EBO 值。
图A-28 晶体管反向电流的测试项目部件位置I CBO I CEO峰值电压围0～10V 0～10V极性＋＋X轴集电极电压2V/度2V/度Y轴集电极电流10μA/度10μA/度倍率Y轴位移拉出×0.1 Y轴位移拉出×0.1功耗限制电阻5KΩ5KΩ测试曲线如图A-29所示。
读数：I C BO=0.5μA（V CB=10V）I C EO=1μA（V CE=10V）图A-29 反向电流测试曲线PNP型晶体管的测试方法与NPN型晶体管的测试方法相同。
可按测试条件，适当改变挡位，并把集电极扫描电压极性改为“—”，把光点调到荧光屏的右下角（阶梯极性为“+”时）或右上角（阶梯极性为“—”时）即可。
3.晶体管击穿电压的测试以NPN型3DK2晶体管为例，查手册得知3DK2 BV CBO、BV CEO、BV EBO的测试条件I C分别为100μA、200μA和100μA。
测试时，仪器部件的置位详见表A-6。
逐步调高“峰值电压”，被测管按图A-30（a）的接法，Y轴I C=0.1mA时，X轴的偏移量为BV CEO值；被测管按图A-30（b）的接法，Y轴I C=0.2m A时，X轴的偏移量为BV CEO值；被测管按图A-30（c）的接法，Y轴I C=0.1mA时，X轴的偏移量为BV EBO值。
置位项目部件BV CBO BV CEO BV EBO峰值电压围0～100V 0～100V 0～10V极性+ + +X轴集电极电压10V/度10V/度1V/度Y轴集电极电流20μA/度20μA/度20μA/度功耗限止电阻 1 kΩ～5 kΩ 1 kΩ～5 kΩ 1 kΩ～5 kΩ测试曲线如图A-30所示。