IRF3205
irf3205规格书
irf3205规格书
IRF3205是一种N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于功率放大、开关和调节电路。
以下是IRF3205的一般规格：
1. 最大额定电流（ID），110安培。
2. 最大额定电压（VDS），55伏特。
3. 最大额定功率（Ptot），200瓦特。
4. 静态工作点漏极-源极电压（VGS）范围，±20伏特。
5. 静态工作点漏极-源极电阻（RDS(on)），8.0毫欧姆（VGS = 10伏特，ID = 75安培）。
6. 典型输入电容（Ciss），3600皮法。
7. 典型输出电容（Coss），700皮法。
8. 典型反向传输电容（Crss），520皮法。
9. 工作温度范围，-55°C 到+175°C.
IRF3205具有高电流、高电压和低导通电阻的特点，适用于需要高性能功率开关的应用。
在设计电路时，需要注意满足其静态和动态参数的要求，以确保其正常稳定的工作。
同时，也需要注意散热和绝缘等问题，以确保器件的安全可靠运行。
以上是关于IRF3205的一般规格，如果你需要更详细的信息，可以参考IRF3205的数据手册或者规格书。
IRF3205S中文资料
国际整流器IR IRF3205S/LHEXFET® Power MOSFET*先进的加工技术Thermal Resistance*极低的导通阻抗V DSS = 55V*动态的dv/dt等级R DS(on) = 8.0mΩ*175°C运行温度I D = 110A*充分的雪崩等级TO-262 D2Pak IRF3205LIRF3205S描述来自国际镇流器公司先进的HEXFET R功率金属氧化物半导体场效应晶体管，利用先进的处理技术达到每个硅片极低的导通阻抗。
这样有益于结合高速的开关和可靠使MOSFETS大量地实用设备上，使设计师能够非常高效，可靠的应用在各个方面。
D2Pak表面封装的适合于小功率大面积小HEX-4。
它能够提供最大的功率输出和最可能小的导通阻抗在现有的贴片封装下。
D2Pak适合与大电流应用场合，是因为它有低的内部连接阻抗和具有2W的散热能力，是典型的贴片封装应用。
最大额定参数参数最大值单位I D @ T C = 25°C持续漏极电流，Vgs@10V110AI D @ T C =100°C持续漏极电流,Vgs@10V80AI DM脉冲漏极电流，390AP D @T C = 25°C功率消散200W线性额定降低因数 1.3W/°CV GS门极电压±20VI AR雪崩电流62AE AR重复雪崩能量20mJdv/dt二极管恢复峰值电压变化率 5.0V/nST J ，T STG工作节点温度和保存温度-55 to +175°C焊接温度，在10秒内300（假设为1.6mm）°C封装扭矩10 lbf•in(1.1N•m)参数典型值最大值单位RθJC节点到外壳——0.75°C/WRθJA接点到环境（PCB安装，稳定状态）——40参数最小典型最大单位测试条件V(BR)DSS~55————V V GS = 0V, I D = 250μAΔV(BR)DSS/ΔT J击穿电压的温度系数——0.057——V/°C参考为25°C,Id=25mAR DS(on)静态漏源导通电阻————8mΩV DS = V GS, I D = 250μAV GS(th) 门极开启电压 2.0—— 4.0 V VDS = 25V, ID = 62A . g fs 前向跨导 44—— —— s VDS = 25V, ID = 62A . I DSS漏源漏电流 —— —— 100 uA V DS =25V,V GS =0V,T J =150℃ —— —— -100 V DS =-20V Q g 总体门极电荷 —— —— 146 nCI D =62A V DS =44V V GS =10V,See Fig.6 and 13Q gs 门源电荷 —— —— 35 Q gd 门漏电荷 —— —— 54 t d(on) 打开延时 —— 14 —— nsV DD =28V I D =62AR G =4.5ΩV GS =10V,See Fig.6and 13t r 上升时间 —— 101 —— t d(off) 关断延时 —— 50 —— t f下降时间 —— 65 —— L D 内部漏极自感 —— 4.5—— nHBetween lead,6mm(0.25in) From packageAnd center of die contact L S内部源极自感——7.5——C ISS 输入电容量 —— 3247 ——pFVGS=0V VDS=25Vf=1.0MHz.See Fig.5C DSS 输出电容量 —— 781 —— C RSS 反向恢复时间 —— 211 —— E AS反向恢复电荷——1050 ○6 264mJ I AS =62A,L=138uH漏源极限和特征参数 最小 典型 最大 单位 测试条件I S持续源极电流（自身二极 管）—— —— 110AMOSFET symbol showing the integral reverse p-n junctiondiode.I SM脉冲源极电流（自身二极 管）—— ——390V SD 二极管前向压降 —— —— 1.3 V T J =25℃,I S =62A,V GS =0V 4 t rr 反向恢复时间 —— 69 104 ns T J =25℃,I F =62A di/dt=100A/us4Q rr 反向恢复电荷 —— 143215nct on前向恢复时间内在打开时间是可以忽略的（打开受控于L S +L D ）○1 反复级别：脉宽小于最大值。
车载逆变电源的设计及仿真毕业设计
目前市场上常见的车载逆变器按功率等级大致可以分为75W、100W、150W、300W、500W、800W、1000W、1500W、2000W、2500W等规格。车载逆变器的输入为汽车点烟器或蓄电池，一般汽车点烟器10A左右的电流，故点烟器输出的功率约为150W。对于功率等级小于150W的车载逆变器可以直接由点烟器供电，大于150W功率等级时需直接从车载蓄电池供电，否则会因过流烧毁汽车配件及保险丝。随着车上使用的电器种类增多，对车载逆变器的容量提出了更高的要求，小功率150W及以下规格的车载逆变器已经不能满足人们需求，中大功率的车载逆变器是今后的发展趋势。车载逆变器所带的负载通常为以下几类：第一类：整流性负载，如笔记本电脑、各种充电器、组合式音响、数码相机、打印机、游戏机、影碟机、移动DVD；第二类：电阻性负载，如小型电热器具，电热杯等；第三类：感性负载，车载冰箱、照明灯、电转等电动机型的电器。车载逆变器按输出电压波形主要可以分为两种：方波和正弦波。方波逆变结构简单，控制方便，但方波逆变输出电压谐波含量高，同时带负载能力较差且对使用电器寿命影响较大。随着负载增大，方波中包含的三次谐波分量使负载电流容性分量增加，严重时会损耗逆变器输出滤波电容。最初采用简易的多谐振荡器制作的车载方波逆变器，输出功率小，带负载能力差，已逐步被市场淘汰。近年来提出了准正弦波逆变(即修正正弦波)，可以带电阻和整流桥负载，满足了日常大部分电子产品的要求，效率较高，最高效率约为90％，价格适中，是当前市场的主流产品。但是准正弦波其本质是带死区时间的方波，仍然不能满足车载冰箱、日光灯、电风等感性负载的要求。一些精密的设备和感性负载类的电器必须要正弦波供电才能工作，否则，轻则电器设备不能正常工作，重则造成损坏用电设备或大大缩短车载逆变器的寿命。正弦波逆变，弥补了方波逆变的不足，适合任何类型的负载，但是控制相对复杂，效率较低，因此高效率正弦波车载逆变器日益成为一种需求。[2]综上所述，作为车载电源转换器，针对其特定的应用场合，必须具有满足以下几个方面的要求：
irf3205场效应管参数
irf3205场效应管参数什么是irf3205场效应管参数？它是一种非常常用的电子器件，常被用于调节电源的电流和电压。
因此，熟练掌握使用irf3205场效应管参数的技巧对电子工程工作者至关重要。
这篇文章将为大家介绍irf3205场效应管参数，并着重介绍如何使用它。
irf3205场效应管是一种可改变其导通特性和控制电流的电子元件，它主要由晶体管、频率和阻抗等组成。
irf3205场效应管有几种不同的类型，如N-Channel、P-Channel和SOI-MOSFET。
它们的性能都有不同的参数，要根据电路的不同设计选择合适的irf3205场效应管参数。
irf3205场效应管参数主要是指由电路的特性来表示的irf3205场效应管的性能特征。
该参数包括电压阈值、导通电流、背靠背导通电流、最大控制电流和其他参数等。
以下是一些常用的irf3205场效应管参数：1.最大导通电流（I D）：即irf3205场效应管可以容许通过的最大电流，它主要取决于irf3205场效应管芯片面积比和温度。
2.最小导通电流（I DSS）：即irf3205场效应管所允许的最低导通电流，I DSS常低于 I D。
3.背靠背导通电流（I B）：irf3205场效应管在两个极性管底封闭的情况下背靠背导通电流，一般介于I DSI DS S 之间。
4.最大控制电流（I G）：irf3205场效应管所能承受的最大控制电流，I G常低于 I D。
irf3205场效应管一般用于驱动功率晶体管或调节电源的电流和电压。
用irf3205场效应管在调节电源上，可以调节电源的电流或电压，也可以用来检测驱动按钮。
另外，irf3205场效应管还可以用来实现比较器、放大器以及电路的滤波功能。
在使用irf3205场效应管参数时，应该根据特定的电路设计来选择合适的参数，以确保irf3205场效应管的正常工作。
这样不仅可以提高irf3205场效应管的性能，而且还可以减少电路发生故障的可能性。
几种电机驱动的比较
智能车竞赛中直流电机调速系统的设计与比较王名发，江智军，邹会权 时间:2009年12月04日字 体:关键词:直流电机调速系统MC33886VNH3SP30BTS7960BDT340IIRF3205摘 要：针对大学生智能车竞赛中直流电机的驱动设计了6种方案,经过实验比较分析了各种方案的优缺点,最后确立了一套驱动能力强、体积小、性能稳定的驱动方法，可广泛应用于40 V以下的大功率直流电机驱动的场合。
关键词：直流电机;调速系统; MC33886; VNH3SP30; BTS7960B; DT340I; IRF3205目前大电流直流电机多采用达林顿管或MOS管搭制H桥PWM脉宽调制，因此体积较大；另一方面，由于分立器件的特性不同，使得驱动器的特性具有一定的离散性；此外，由于功率管的开关电阻比较大，因此功耗也很大，需要功率的散热片，这无疑进一步加大了驱动器的体积。
随着技术的迅猛发展，基于大功率MOS管的H桥驱动芯片逐渐显现出其不可替代的优势。
但目前能提供较大电流输出的集成芯片不是很多。
例如飞思卡尔半导体公司推出的全桥驱动芯片MC33886和33887、意法半导体公司推出的全桥驱动芯片VNH3SP30、英飞凌公司推出的高电流PN半桥驱动芯片BTS7960。
ST微电子公司推出的TD340驱动器芯片是一种用于直流电机的控制器件,可用于驱动N沟道MOSFET管。
本文在第三、四届大学生智能车大赛中分别尝试了上面提到的5块电机驱动芯片设计的驱动电路，通过现场调试发现它们的优缺点，确定了驱动能力强、性能稳定的驱动方案，并得到了很好的应用。
1 直流电机驱动原理目前直流电机的驱动方式主要有2种形式:线性驱动方式和开关驱动方式。
其中线性驱动方式可以看成一个数控电压源。
该驱动方式的优点是驱动电机的力矩纹波很小，可应用于对电机转速要求非常高的场合;缺点是该方式通常比较复杂，成本较高，尤其是要提高驱动的功率时，相应的电路成本将提升很多[1]。
维修疏忽导致屡烧电动车控制器
维修疏忽导致屡烧电动车控制器技术类别：电动车发布时间：2009-7-9 人气指数：47 我家的盛阳牌电动车，在骑车途中忽然像脱缰的野马一样狂奔了20多米后一动也不动了，电瓶指示电量还较足。
据分析，故障原因可能是控制器击穿损坏。
合上电池总开关，没有听到继电器吸合的声音，电量电压表指针指在绿色区域。
电池应是正常的。
拔下刹车控制线，试车不动；插上刹车控制线，刹车时控制线电压能从5v变为0V，说明刹车系统正常。
接着检查调速组件(霍尔元件)，当转动加速转把时，控制电压能从1v逐渐上升到4．3V，可见调速机构正常。
拆开控制器，并绘出其电路图，见图1。
为了确定损坏的原因，先分析控制器电路。
此电动车控制器由LM339与 IC NE555组成。
LM339负责比较器、触发器功能及刹车时使控制器停止工作的保护电路；NE555主要负责三角波振荡器。
此电动车控制器的控制电路分两路：一路是当电池总开关闭合时，继电器吸合，把48V电压供给4个场效应管(IRF3710)漏极；另一路是电门钥匙开关合上后，把48V 电压经电阻R1 1降压后供给三端稳压器7824。
24V电压再经7815、7805稳压，得到15V供给驱动电路，5v供给口谭鉴波 LM339、N555，作为工作电压。
控制器工作原理：加速转把中霍尔元件产生1v到 4．3V转速控制信号通过连接导线到电路板，经R8至 LM339⑦脚，经内部运放反相放大、电平转移后由LM339 ①脚输出，送到由9012、9013对管组成的推动级放大．再经 4只电阻接到4只功率输出管(IRF3710)的控制栅极。
此车转把为正向输出，加速时，进入LM339(莹)脚电压升高。
经反相放大后，使LM339①脚输出的脉冲宽度增大，经驱动输出控制。
使电机两端电压升高，电机电流增大，转速上升。
反之，电机电流减小，电机转速下降。
一眼看上去，没发现电路板有严重烧坏的痕迹(此车采用4只大电瓶供电，供电电压为48V10把电路板从散热器上拆下来细心观察，发现4只功率驱动输出管中有一只有裂痕，用万用表测量发现已击穿短路，其他元件及 LM339、NE555的供电电压都正常。
irf3205中文资料_数据手册_参数
Max.
110g 80g
Units A
ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)
75
IDM
c Pulsed Drain Current
390
PD @TC = 25°C Power Dissipation Linear Derating Factor
f nC VDS = 44V VGS = 10V, See Fig. 6 & 13
td(on)
Turn-On Delay Time
––– 14 –––
VDD = 28V
tr
Байду номын сангаас
Rise Time
––– 101 –––
ID = 62A
td(off) tf
Turn-Off Delay Time Fall Time
2.0 ––– 4.0 44 ––– –––
f V VDS = VGS, ID = 250μA
S VDS = 25V, ID = 62A
IDSS
Drain-to-Source Leakage Current
––– ––– 25 μA VDS = 55V, VGS = 0V
––– ––– 250
VDS = 44V, VGS = 0V, TJ = 150°C
55 ––– ––– ––– 0.057 ––– ––– ––– 8.0
V VGS = 0V, ID = 250μA
f V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA
m VGS = 10V, ID = 62A
VGS(th) gfs
常用电机驱动电路及原理
EN1 和 EN2 一般使用时我们直接接高电平，使整个电路始终处于工作状态！
通过对上面电路的了解，大家应该大致了解了 H 桥的基本工作原理，有没有更 好地驱动电路了呢？答案是肯定的！以下是直流电动机的机械特性表达式：
n 是电机的转速，U N 是电机的两端的电压，Ce 、CT 、φN 对于我们来说可以看成一 个定值，Tem 是负载转矩，车做好之后该值基本确定不变，剩下一个重要的参数 Ra 电 机电枢回路的阻值，电机本身的内阻很小，如果外部引入的电阻过大，此时直流电 动机转速降落较大，驱动电路效率较低，电机性能不能充分发挥。为了提高 电机的转速我们应该尽量减小电机电枢回路绕组的阻值，我们知道：N 沟道的 MOS FET 具有极低的导通电阻，IRF3205 导通电阻在 8mΏ左右，而 IRF4905 几乎是其两 倍，那么是不是可以考虑全部使用 N 沟道的 3205 来搭我们的驱动电路呢，答案也 是肯定的，只不过需要换一片栅极驱动芯片就行！
常用的电机驱动有两种方式：一、采用集成电机驱动芯片；二、采用 MOSFET 和专用栅极驱动芯片自己搭。集成主要是飞思卡尔自己生产的 33886 芯片，还有就是 L298 芯片，其中 298 是个很好的芯片，其内部可以 看成两个 H 桥，可以同时驱动两路电机，而且它也是我们驱动步进电机的 一个良选！由于他们的驱动电流较小（33886 最大 5A 持续工作，298 最大 2A 持续工作），对于我们智能车来说不足以满足，但是电子设计大赛的时 候可能会用到！所以想要详细了解他们的同学可以去查找他们的数据手册！ 在此只是提供他们的电路图，不作详细介绍！
IRF系列高压MOS管
IRF系列高压MOS管高压MOS管----IRF系列学习杂记2008-01-29 15:04:28 阅读2856 评论2 字号：大中小订阅IRF024 N-场效应60 17 60 TO-204AAIRF034 N-场效应60 30 90 TO-204AEIRF035 N-场效应60 25 90 TO-204AEIRF044 N-场效应60 30 150 TO-204AEIRF045 N-场效应60 30 150 TO-204AEIRF054 N-场效应60 30 180 TO-204AAIRF120 N-场效应100 8.0 40 TO-3IRF121 N-场效应60 8.0 40 TO-3IRF122 N-场效应100 7.0 40 TO-3IRF123 N-场效应60 7.0 40 TO-3IRF130 100V 14A 79W N-场效应IRF130(铁)NMOS GDS 100V14A79W75/45nS0.16 功放开关IRF131 N-场效应60V14A 75W TO-3IRF132 N-场效应100V12A75W TO-3IRF133 N-场效应60V12A 75W TO-3IRF140 N-场效应100V 27A 125W TO-204AEIRF141 N-场效应60V 27A 125W TO-204AEIRF142 N-场效应100V24A 125W TO-204AEIRF143 N-场效应60V 24A 125W TO-204AEIRF150 N-场效应100V 40A 150W TO-204AEIRF151 N-场效应60V 40A 150W TO-204AEIRF152 N-场效应100V 33A 150W TO-204AEIRF153 N-场效应60V33A 150W TO-204AEIRF15N65 650V 5A 80W MOSIRF16N65 650V 6A 80W MOSIRF220 N-场效应200V 5.0A 40W TO-3IRF223 N-场效应150V 4.0A 40W TO-3IRF224 N-场效应250V3.8A 40W TO-204AAIRF225 N-场效应250V 3.3A 40W TO-204AAIRF230 N-场效应200V 9.0A 75W TO-3IRF230(铁)NMOS GDS 200V9A75W50/40nS0.4 功放开关IRF231 N-场效应150V 9.0A 75W TO-3IRF232 N-场效应200V 8.0A 75W TO-3IRF233 N-场效应150V 8.0A 75W TO-3IRF234 N-场效应250V 8.1A 75W TO-204AAIRF235 N-场效应250V 6.5A 75W TO-204AAIRF240 N-场效应200V 18A 125W TO-204AEIRF241 N-场效应150V 18A 125W TO-204AEIRF242 N-场效应200V 16A 125W TO-204AEIRF243 N-场效应150V 16A 125W TO-204AEIRF244 N-场效应250V 14A 125W TO-204AAIRF245 N-场效应250V 13A 125W TO-204AAIRF250 N-场效应200V 30A 150W TO-204AEIRF251 N-场效应150V 30A 150W TO-204AEIRF252 N-场效应200V 25A 150W TO-204AEIRF253 N-场效应150V 25A 150W TO-204AEIRF254 N-场效应250V 22A 150W TO-204AEIRF255 N-场效应250V 20A 150W TO-204AEIRF2807 70V 78A 180W MOSIRF320 N-场效应400V 3.0A 40W TO-3IRF3205 55V 110A 200W MOSIRF321 N-场效应350V 3.0A 40W TO-3IRF322 N-场效应400V 2.5A 40W TO-3IRF323 N-场效应350V 2.5A 40W TO-3IRF330 N-场效应400V 5.5A 75W TO-3IRF333 N-场效应350V 4.5A 75W TO-3IRF340 N-场效应400V 10A 125W TO-3IRF341 N-场效应350V 10A 125W TO-3IRF342 N-场效应400V 8.0A 125W TO-3IRF343 N-场效应350V 8.0A 125W TO-3IRF350 N-场效应400V 15A 150W TO-3IRF351 N-场效应350V 15A 150W TO-3IRF352 N-场效应400V 13A 150W TO-3IRF353 N-场效应350V 13A 150W TO-3IRF360 N-场效应400V 25A 300W TO-204AEIRF362 N-场效应400V 22A 300W TO-204AEIRF3710 100V 46A 150W MOSIRF420 N-场效应500V 2.5A 50W TO-3IRF421 N-场效应450V 2.5A 50W TO-3IRF422 N-场效应500V 2.0A 50W TO-3IRF423 N-场效应450V 2.0A 50W TO-3IRF430 N-场效应500V 4.5A 75W TO-3IRF431 N-场效应450V 4.5A 75W TO-3IRF432 N-场效应500V 4.0A 75W TO-3IRF433 N-场效应450V 4.0A 75W TO-3IRF440 N-场效应500V 8.0A 125W TO-3IRF440(铁)NMOS GDS 500V8A125W35/30nS0.85 功放开关IRF441 N-场效应450V 8.0A 125W TO-3IRF442 N-场效应500V 7.0A 125W TO-3IRF443 N-场效应450V 7.0A 125W TO-3IRF448 N-场效应500V 9.6A 130W TO-204AAIRF449 N-场效应500V 8.6A 130W TO-204AAIRF450 N-场效应500V 13A 150W TO-3IRF450(铁)NMOS GDS 500V13A125W66/60nS0.4 功放开关IRF452 N-场效应500V 12A 150W TO-3IRF453 N-场效应450V 12A 150W TO-3IRF460 N-场效应500V 21A 300W TO-204AEIRF460(铁)NMOS GDS 500V 21AW66/60nS0.4 功放开关IRF462 N-场效应500V 19A 300W TO-204AEIRF48 N-场效应60V50A190W TO-220ABIRF510 N-场效应100V 5.6A 43W TO-220ABIRF511 N-场效应80V 5.6A 43W TO-220ABIRF512 N-场效应100V 4.9A 43W TO-220ABIRF513 N-场效应80V 4.9A 43W TO-220ABIRF520 N-场效应100V 9.2A 60W TO-220ABIRF521 N-场效应80V 9.2A 60WTO-220ABIRF522 N-场效应100V 8A 60W TO-220ABIRF523 N-场效应80V 8A 60W TO-220ABIRF530 N-场效应100V 14A 79W TO-220ABIRF530 N-FET100V14A79W 51/36ns0.18ohmIRF530 NMOS GDS 100V14A79W51/36nS0.18 功放开关IRF531 N-场效应80V 14A 79W TO-220ABIRF532 N-场效应100V 12A 79W TO-220ABIRF533 N-场效应80V 12A 79W TO-220ABIRF540 NMOS+D GDS 100V28A150W110/75nS0.077 功放开关IRF540A NMOS GDS 100V28A107W Id m=110A/0.052Ω 功放开关IRF541 NMOS GDS 80V28A150W110/75nS0.077 功放开关IRF542 N-场效应100V 25A 150W TO-220ABIRF543 N-场效应80V 25A 150W TO-220ABIRF610 NMOS GDS 200V3.3A43W26/13nS1.5 功放开关IRF611 N-场效应150V 3.3A 43W TO-220ABIRF612 N-场效应200V 2.6A 43W TO-220ABIRF614 N-场效应250V 2.0A 20W TO-220ABIRF615 N-场效应250V 1.6A 20W TO-220ABIRF620 N-场效应200V 5A 40W TO-220ABIRF621 N-场效应150V 5A 40W TO-220ABIRF622 N-场效应200V 4A 40W TO-220ABIRF623 N-场效应150V 4A 40W TO-220ABIRF624 N-场效应250V 3.8A 40W TO-220ABIRF625 N-场效应250V 3.3A 40W TO-220ABIRF630 NMOS GDS 200V9A75W50/40nS0.4 功放开关IRF631 N-场效应150V 9A 75W TO-220ABIRF632 N-场效应200V 8A 75W TO-220ABIRF633 N-场效应150V 8A 75W TO-220ABIRF634 N-场效应250V 8.1A 75W TO-220ABIRF635 N-场效应250V 6.5A 75W TO-220ABIRF640 N-FET GDS 200V18A125W 77/54ns0.18ohm功放开关IRF641 N-场效应150V 18A 125W TO-220ABIRF642 N-场效应200V 16A 125W TO-220ABIRF643 N-场效应150V 16A 125W TO-220ABIRF644 N-场效应250V 14A 125W TO-220ABIRF645 N-场效应250V 13A 125W TO-220ABIRF710 N-场效应400V 2.0A 36W TO-220ABIRF711 N-场效应350V 2.0A 36W TO-220ABIRF712 N-场效应400V 1.7A 36W TO-220ABIRF713 N-场效应350V 1.7A 36W TO-220ABIRF720 N-场效应GDS 400V 3.3A 50W TO-220AB 20nS1.8功放开关IRF721 N-场效应350V 3.3A 50W TO-220ABIRF722 N-场效应400V 2.8A 50W TO-220ABIRF723 N-场效应350V 2.8A 50W TO-220ABIRF730 NMOS GDS 400V5.5A75W29/24nS1.0 功放开关IRF732 N-场效应400V 4.5A 74W TO-220ABIRF733 N-场效应350V 4.5A 74W TO-220ABIRF740 N-FET400V10A125W 41/36ns0.55ohm 功放开关IRF741 N-场效应350V 10A 125W TO-220ABIRF742 N-场效应400V 8.3A 125W TO-220ABIRF743 N-场效应350V 8.3A 125W TO-220ABIRF820 N-场效应500V 2.5A 50W TO-220ABIRF821 N-场效应450V 2.5A 50W TO-220ABIRF822 N-场效应500V 2.2A 50W TO-220ABIRF823 N-场效应450V 2.2A 50W TO-220ABIRF830 NMOS GDS 500V4.5A75W23/23nS1.5 功放开关IRF831 N-场效应450V 4.5A 74W TO-220ABIRF832 N-场效应500V 4.0A 74W TO-220ABIRF833 N-场效应450V 4.0A 74W TO-220ABIRF840 NMOS GDS 500V8A125W35/33nS0.85 功放开关IRF841 N-场效应450V 8.0 125W TO-220ABIRF842 N-场效应500V 7.0 125W TO-220ABIRF843 N-场效应450V 7.0 125W TO-220ABIRF9130 P-场效应100V-12A 75W TO-3IRF9131 P-场效应60V-12A 75W TO-3IRF9132 P-场效应100V-10A 75W TO-3IRF9133 P-场效应60V –10A 75W TO-3IRF9140 P-场效应100V –19A 125W TO-3IRF9141 P-场效应60V –19A 125W TO-3IRF9142 P-场效应100V –15A 125W TO-3IRF9143 P-场效应60V –15A 125W TO-3IRF9230 P-场效应200V6.5A 75W TO-3IRF9231 P-场效应150V6.5A 75W TO-3IRF9232 P-场效应200V5.5A 75W TO-3IRF9233 P-场效应150V5.5A 75W TO-3IRF9240 P-场效应200V –11A 125W TO-3IRF9241 P-场效应150V –11A 125W TO-3IRF9242 P-场效应200V9.0A 125W TO-3IRF9243 P-场效应150V9.0A 125W TO-3IRF9510 P-场效应100V3.0A 20W TO-220ABIRF9511 P-场效应60V3.0A 20W TO-220ABIRF9512 P-场效应100V2.5A 20W TO-220ABIRF9513 P-场效应60V2.5A 20W TO-220ABIRF9520 P-场效应100V6.0A 40W TO-220ABIRF9521 P-场效应60V6.0A 40W TO-220ABIRF9522 P-场效应100V5.0A 40W TO-220ABIRF9523 P-场效应60V5.0A 40W TO-220ABIRF9530 PMOS GDS 100V12A75W140/140nS0.4 功放开关IRF9531 PMOS GDS 60V12A75W140/140S0.3 功放开关IRF9532 P-场效应100V –10A 75W TO-220ABIRF9533 P-场效应60V –10A 75W TO-220ABIRF9540 P-场效应100V –19A 125W TO-220ABIRF9541 PMOS GDS 60V19A125W140/141nS0.2 功放开关IRF9542 P-场效应100V –15A 125W TO-220ABIRF9543 P-场效应60V –15A 125W TO-220ABIRF9610 PMOS GDS 200V1A20W25/15nS2.3 功放开关IRF9611 P-场效应150V1.75A 20W TO-220ABIRF9612 P-场效应200V1.5A 20W TO-220ABIRF9613 P-场效应150V1.5A 20W TO-220ABIRF9620 P-场效应200V3.5A 40W TO-220ABIRF9621 P-场效应150V3.5A 40W TO-220ABIRF9622 P-场效应200V3.0A 40W TO-220ABIRF9623 P-场效应150V3.0A 40W TO-220ABIRF9630 PMOS GDS 200V6.5A75W100/80nS0.8 功放开关IRF9631 P-场效应150V 6.5A 75W TO-220ABIRF9632 P-场效应200V 5.5A 75W TO-220ABIRF9633 P-场效应150V 5.5A 75W TO-220ABIRF9634 P-场效应250V 3.4A 33W TO-220ABIRF9640 P-FET200V11A125W15/12ns0.5ohmIRF9641 P-场效应150V 11A 125W TO-220ABIRF9642 P-场效应200V 9A 125W TO-220ABIRF9643 P-场效应150V 9A 125W TO-220ABIRF9Z30 50V 18A 74W MOSIRF9Z34 60V 18A 74W MOSIRFBC20 NMOS GDS 600V2.2A50W15/30nS4.4 功放开关IRFBC30 NMOS GDS 600V3.6A74W20/21nS2.2 功放开关IRFBC40 NMOS GDS 600V6.2A125W27/30nS1.2 功放开关IRFBE30 NMOS GDS 800V2.8A75W15/30nS3.5 功放开关IRFD113 NMOS GDS 60V0.8A1W0.8 功放开关IRFD120 NMOS GDS 100V1.3A1W70/70nS0.3 功放开关IRFD123 NMOS GDS 80V1.1A1W70/70nS0.3 功放开关IRFD9120 PMOS GDS 100V1A1W0.6 功放开关IRFI730 NMOS GDS 400V4A32W1.0 功放开关IRFI744 NMOS GDS 400V4A32W1.0 功放开关IRFP054 NMOS GDS 60V65A180W0.022 功放开关IRFP064 60V 70A 300W MOSIRFP140 NMOS GDS 100V29150W0.85 功放开关IRFP150 NMOS GDS 100V40A180W210/140nS0.55 功放开关IRFP240 NMOS GDS 200V19A150W0.18 功放开关IRFP250 NMOS GDS 200V33A180W180/120nS0.08 功放开关IRFP254 250V 23A 180W MOSIRFP260 200V 46A 280W MOSIRFP264 250V 38A 280W MOSIRFP340 NMOS GDS 400V10A150W0.55 功放开关IRFP350 NMOS GDS 400V16A180W77/71nS0.3 功放开关IRFP353 NMOS GDS 350V14A180W77/71XnS0.4 功放开关IRFP360 NMOS GDS 400V23A250W140/99nS0.2 功放开关IRFP440 NMOS GDS 500V8.1A150W0.85 功放开关IRFP450 NMOS GDS 500V14A180W66/60nS0.4 功放开关IRFP460 NMOS GDS 500V20A250W120/98nS0.27 功放开关IRFP9140 PMOS GDS 100V19A150W100/70nS0.2 功放开关IRFP9240 PMOS GDS 200V12A150W68/57nS0.5 功放开关IRFPC40 600V 6.5A 150W MOSIRFPC50 600V 10A 180W MOSIRFPC60 600V 13A 200W MOSIRFPE40 800V 5.3A 150W MOSIRFPF40 NMOS GDS 900V4.7A150W2.5 功放开关IRFPF50 900V 6.8A 180W MOSIRFPG42 NMOS GDS 1000V3.9A150W4.2 功放开关IRFPG50 1000V 6.1A 180W MOSIRFS630B NMOS GDS 200V9A38W50/40nS0.4 =IRF630 IRFS634B NMOS GDS 250V8.1A38W50/40nS0.4 =IRF634 IRFS640B NMOS GDS 200V18A43W50/40nS0.4 =IRF640 IRFS9630 PMOS GDS 200V6.5A75W100/80nS0.8 功放开关IRFU020 NMOS GDS 50V15A42W 83/39nS0.1 功放开关IRFZ34 N-FET60V30A90W110/80ns0.05ohmIRFZ44 60V 35A 150W MOSIRFZ48 60V 50A 250W MOS。
irf3205场效应管参数
irf3205场效应管参数IRF3205场效应管（FieldEffectTransistor）是一种可控半导体电路，可以实现放大、缩小、衰减或增益电子信号。
由于其特性良好和操作简便，IRF3205场效应管已经成为工程师们在模拟电路和数字电路设计中建构科学机制和应用的常用元件。
为了使IRF3205场效应管可以安全可靠的操作，在使用时，必须要确认场效应管的参数，包括功率增益、最大电流和最大功率等。
IRF3205场效应管的最大功率是指在操作时其允许输出功率的最大值。
这一参数在操作前必须计算出来，以保证场效应管不会受到过大负载而损坏。
通常情况下，IRF3205场效应管可以承受2.2W的最大功率负载，即其允许的最大功率为2.2W。
IRF3205场效应管的功率增益是指在一定的输入信号范围内，场效应管输出信号的增益值。
这一参数关系着场效应管能给下游管路提供多少的增益，而功率增益值也与输入信号强度有关。
在一般情况下，IRF3205场效应管的功率增益大约为13 dB，即其允许的最大功率增益约为13dB。
IRF3205场效应管的最大电流是指在发挥其正常功能时所允许的最大电流强度。
这一参数有着至关重要的作用，因为它直接关系到场效应管是否可以安全而可靠的操作。
IRF3205场效应管的最大电流可以达到1.5A，这意味着它的最大输入电流的强度为1.5A。
在任何情况下，使用任何一种场效应管之前，必须确认它的参数。
IRF3205场效应管尤其如此，因为它有着更加严格的要求。
IRF3205场效应管的参数包括：最大功率、功率增益和最大电流。
只有确认了这些参数，才能使场效应管的使用受到安全和有效的保护，从而有更大的可靠性。
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IRF3205HEXFET ® Power MOSFET01/25/01Absolute Maximum Ratings ParameterTyp.Max.Units R θJCJunction-to-Case –––0.75R θCSCase-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50–––°C/WR θJAJunction-to-Ambient –––62Thermal Resistance 1Advanced HEXFET ®applications.to its wide acceptance throughout the industry.lAdvanced Process Technology lUltra Low On-Resistance lDynamic dv/dt Rating l175°C Operating Temperature lFast Switching l Fully Avalanche Rated Description ParameterMax.Units I D @ T C = 25°CContinuous Drain Current, VGS @ 10V 110 I D @ T C = 100°CContinuous Drain Current, V GS @ 10V 80A I DMPulsed Drain Current 390P D @T C = 25°CPower Dissipation 200W Linear Derating Factor 1.3W/°C V GSGate-to-Source Voltage ± 20V I ARAvalanche Current 62A E ARRepetitive Avalanche Energy 20mJ dv/dtPeak Diode Recovery dv/dt 5.0V/ns T JOperating Junction and -55 to + 175T STG Storage Temperature RangeSoldering Temperature, for 10 seconds300 (1.6mm from case )°CMounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf •in (1.1N •m)PD-91279EIRF3205Source-Drain Ratings and CharacteristicsStarting T J = 25°C, L = 138µHR G = 25Ω, I AS = 62A. (See Figure 12)Repetitive rating; pulse width limited bymax. junction temperature. ( See fig. 11 )Notes: I SD ≤ 62A, di/dt ≤ 207A/µs, V DD ≤ V (BR)DSS , T J ≤ 175°C Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%.Electrical Characteristics @ T= 25°C (unless otherwise specified)Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. Package limitation current is 75A.This is a typical value at device destruction and representsoperation outside rated limits.This is a calculated value limited to T J = 175°C. 3Fig 2. Typical Output Characteristics Fig 1. Typical Output CharacteristicsVs. TemperatureIRF3205Fig 5. Typical Capacitance Vs.Drain-to-Source VoltageFig 6. Typical Gate Charge Vs.Gate-to-Source Voltage Fig 7. Typical Source-Drain DiodeForward VoltageFig 8. Maximum Safe Operating Area 110100V DS , Drain-to-Source Voltage (V)0100020003000400050006000C ,Capac itanc e(pF)IRF3205 5Fig 9. Maximum Drain Current Vs.Case TemperatureFig 10a.Switching Time Test Circuit V V d(on)r d(off)fFig 10b. Switching Time WaveformsFig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-CaseDDIRF32056 VDS Current Sampling Resistors 10 VFig 13b. Gate Charge Test Circuit Fig 13a. Basic Gate Charge WaveformFig 12b. Unclamped Inductive WaveformsI A SVs. Drain Current V D DRIRF3205 7Fig 14. For N-Channel HEXFETS* V GS = 5V for Logic Level DevicesPeak Diode Recovery dv/dt Test CircuitV DDIRF3205LE A D A S S IG N M E N TS 1 - G A TE 2 - DR A IN3 - S O U R C E4 - DR A IN - B -1.32 (.052)1.22 (.048)3X 0.55 (.022)0.46 (.018)2.92 (.115)2.64 (.104)4.69 (.185)4.20 (.165)3X0.93 (.037)0.69 (.027)4.06 (.160)3.55 (.140)1.15 (.045)M IN6.47 (.255)6.10 (.240)3.78 (.149)3.54 (.139)- A -10.54 (.415)10.29 (.405)2.87 (.113)2.62 (.103)15.24 (.600)14.84 (.584)14.09 (.555)13.47 (.530)3X 1.40 (.055)1.15 (.045)2.54 (.100)2X0.36 (.014) M B A M41 2 3N O TE S : 1 D IME N S IO N IN G & TO LE R A N C ING P E R A N S I Y 14.5M , 1982. 3 O U TLIN E C O N F O R MS TO JE D E C O U T LIN E T O -220A B.2 C O N TR O LLING D IM E N S IO N : INC H 4 H E A TS IN K & LE A D M E A S U R E M E N T S D O NO T IN C LU D E B U R R S.Part Marking InformationTO-220ABPackage OutlineTO-220AB OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)PAR T N UM BER INTE RN A TIONR E CTIFIE RLO G OE XA M P LE : TH IS IS A N IR F1010W ITH A S S E M B LYLO T C O DE 9B 1M A S S E M B L YLO T CO D D A TE CO D E (YYW W )YY = YE A RW W= W EE KData and specifications subject to change without notice.This product has been designed and qualified for the automotive [Q101] market.Qualification Standards can be found on IR ’s Web site.IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105TAC Fax: (310) 252-7903Visit us at for sales contact information .01/01。