2020年半导体级刻蚀用单晶硅材料行业分析报告

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(精品)2020年硅基新材料行业发展报告

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2020年硅基新材料行业发展报告(精品)2020-7-31目录一、行业主管部门、监管体制及主要法律法规与政策 (1)1、行业主管部门 (1)2、行业自律组织 (1)3、行业主要法律法规与政策 (2)二、行业概况 (3)1、功能性硅烷简介 (3)2、市场供求状况 (4)(1)全球功能性硅烷市场 (4)(2)我国功能性硅烷市场 (5)3、行业发展前景 (8)(1)功能性硅烷行业 (8)(2)含硫硅烷细分市场 (8)三、行业竞争情况 (8)1、行业竞争格局和市场化程度 (8)2、行业内的主要企业和主要企业的市场份额 (9)3、进入本行业的主要障碍 (11)(1)技术壁垒 (11)(2)安全和环保壁垒 (11)(3)客户壁垒 (12)(4)资金壁垒 (12)四、影响行业发展的因素 (12)1、有利因素 (12)(1)产业政策支持 (12)(2)境外供需不平衡,下游需求旺盛 (13)(3)产能集中度提高 (13)2、不利因素 (13)(1)环保督查力度提高 (13)(2)原材料价格波动 (14)(3)汇率波动 (14)(4)贸易摩擦 (14)五、行业发展特征 (14)1、行业技术水平及技术特点 (14)2、行业特有的经营模式 (15)3、行业的周期性、区域性或季节性特征 (15)六、与上、下游行业的关联性 (15)七、行业产品出口 (16)1、产品进口国的进口政策 (16)2、贸易摩擦对产品出口的影响 (17)3、国外同类产品的竞争情况 (17)一、行业主管部门、监管体制及主要法律法规与政策1、行业主管部门根据中国证监会2012年10月26日颁布的《上市公司行业分类指引(2012年修订)》,公司所属行业为C26制造业中的化学原料和化学制品制造业。

所处行业由国家发展与改革委员会、国家工业和信息化部承担行业宏观调控管理职能,主要负责制定产业政策,指导技术改造。

2、行业自律组织中国有色金属工业协会硅业分会、中国氟硅有机材料工业协会及全国硅产业绿色发展战略联盟为公司所处行业的自律组织。

单晶硅深度反应离子刻蚀代工

单晶硅深度反应离子刻蚀代工

单晶硅深度反应离子刻蚀代工单晶硅(Silicon)是一种具有重要意义的半导体材料,在过去的几十年时间里,它被广泛应用于计算机、传感器等电子设备的制造。

近年来,人们开始研究利用单晶硅进行深度反应离子刻蚀代工(deep reactive ion etching outsourcing),即利用特殊设备,在单晶硅片表面通过进行原子级微米级刻蚀,实现对特定形状与尺寸的设计要求。

深度反应离子刻蚀代工是一种高精密的微米级加工技术。

这种代工技术能够实现精确的多层薄膜制备,并能够将原子级的图案复杂精细地刻蚀到半导体材料表面,从而可以达到极高的刻蚀精度和高分辨率。

该技术是一种非常先进的半导体制造技术,它可以实现精密制造,从而实现对高精密零件的微型化,以及实现更精准的设计要求。

使用深度反应离子刻蚀代工的半导体产品,其尺寸的准确性、精度和复杂性都非常高,因此,它们可以用于制造一系列具有不同功能的复杂半导体元件。

例如,它们可以用于制造智能手机的芯片、微型摄像头、太阳能电池板等;这些半导体元件的量子效率很高,而且功能也比传统制造技术来得更复杂。

另外,单晶硅深度反应离子刻蚀代工技术还可以用来制造复杂的微纳器件,例如光学元件、超灵敏传感器等。

由于深度反应离子刻蚀代工可以在微米级获得高精度、复杂的图案,因此,这一技术在制造精密微纳器件方面具有十分重要的意义。

此外,单晶硅深度反应离子刻蚀代工技术在细胞操作室的微米刻蚀方面也有着重要的应用,这种技术能够实现把微米尺度的物理结构精确地刻蚀到细胞表面上,从而达到一种更加精确的细胞制定。

总之,单晶硅深度反应离子刻蚀代工是一种十分重要的微米级加工技术,它可以实现精密的多层薄膜制备和原子级图案刻蚀,从而能够为精密定制半导体元件和微纳器件提供技术支持,也可以在细胞制备方面发挥着至关重要的作用。

半导体蚀刻设备行业深度研究

半导体蚀刻设备行业深度研究

半导体蚀刻设备行业深度研究1.刻蚀是集成电路制造关键环节,复杂工艺构筑行业壁垒1.1.刻蚀是雕刻芯片的精准手术刀集成电路(integratedcircuit)是采用多种工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,实现所需电路功能的微型结构。

现代集成电路按功能划分,主要可以分为存储器,处理器,逻辑IC,模拟IC四大类。

完整的集成电路的制造过程通常分为前道晶圆制造(Front-End)与后道封装(BackEnd)两个部分。

传统封装(后道)测试工艺可以大致分为背面减薄、晶圆切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋成型和终测等8个主要步骤。

与前道晶圆制造相比,后道封装相对简单,对工艺环境、设备和材料的要求较低。

前道晶圆制造的复杂程度要远超后道封装,主要涉及光刻,刻蚀,薄膜沉积,显影涂胶,清洗,掺杂氧化扩散,量测等工艺。

其中刻蚀与光刻及薄膜沉积一起,并列为晶圆制造最重要的三大工艺之一。

集成电路的构造并非简单的平面图形,而是一层层构造叠加起的立体结构。

其中,刻蚀作为核心工艺之一的作用,是通过物理及化学的方法,在晶圆表面的衬底及其他材料上,雕刻出集成电路所需的立体微观结构,将前道掩模上的图形转移到晶圆表面。

在刻蚀新形成的结构上,可以进行2、SiN介质薄膜沉积或金属Al,Cu,W薄膜沉积,也可以进行多重曝光或下一刻蚀步骤,最终在各个层形成正确图形,并使得不同层级之间适当连通,形成完整的集成电路。

刻蚀设备的重要性不断升高。

这是由于光刻设备受到光源波长(DUV的193nm或EUV的13.5nm)的限制,分辨率有一定极限;当晶体管微缩到一定尺寸之后,单纯依靠光刻机的精确度推进工艺进步已经非常困难。

刻蚀步骤的设备,工艺,核心零部件的行业壁垒很高。

这主要是因为:(1)刻蚀作为图形转移的关键步骤,其所需要雕刻出的结构形态各异;(2)刻蚀步骤需要在不同的材质表面进行,其所涉及的工艺方法相差较大;(3)刻蚀作为主要步骤,占用了大量工艺时间和厂房空间,其生产效率和良率,对产线的效率影响很大;(4)刻蚀步骤需要射频源,气路,电极,冷热源,真空等多个子系统的精确流畅配合,这需要大量的工艺数据积累。

单晶硅材料行业技术特点分析 (一)

单晶硅材料行业技术特点分析 (一)

单晶硅材料行业技术特点分析 (一)
单晶硅材料是制造半导体器件的重要材料,具有电性能优良、热稳定
性高等特点,因此被广泛应用于电子技术领域。

下面分析单晶硅材料
行业技术特点。

一、高纯度要求
单晶硅材料需要保证超高纯度,在生产过程中必须避免污染。

生产过
程通常需要在超净室环境下进行,使用高纯度的原材料,同时采取严
格而又复杂的工艺操作控制,确保单晶硅材料的纯度达到99.9999%以上。

二、单晶生长技术
单晶硅材料通常通过CZ法或FZ法进行生长。

CZ法是通过在熔体中加
热晶核,让晶体逐渐生长的方法,而FZ法则是通过在熔体中加热后突
然降温,利用热极化现象产生电场,从而使晶体逐渐生长的方法。


两种方法生产的单晶硅材料各有优缺点,需要在实际生产中进行选择。

三、单晶硅切割技术
单晶硅材料的切割技术主要有线锯切割、刮削切割、喷砂切割和等离
子体切割等。

线锯切割是当前最常采用的生产方式,具有高效、高自
动化和低成本等优点。

刮削切割则可以产生非常光滑的表面,因此被
用于制造高精度器件。

四、微制造技术
随着纳米技术的发展,单晶硅材料的微制造技术越来越重要。

微制造技术包括利用光刻、薄膜沉积、离子注入等技术制造微细结构,从而制造出微电子器件、MEMS等微型设备。

微制造技术的应用需要高精度的加工装备和先进的工艺技术。

综上所述,单晶硅材料的制造离不开高纯度、单晶生长、切割和微制造等关键技术的支持。

随着电子技术的不断发展,单晶硅材料的应用领域将会更加广泛,对于技术的追求和创新也将更加迫切。

中国刻蚀设备市场规模及呈现趋势分析

中国刻蚀设备市场规模及呈现趋势分析

中国刻蚀设备市场规模及呈现趋势分析刻蚀是指用化学或物理的方法,有选择地去除硅表面层材料的过程,其工艺目的是把光刻胶图形精确的转移到硅片上,最后达到复制掩模板图形的目的。

刻蚀的微观机理,可以从字面上拆分:(1)刻,物理作用,宏观上指用刀刻,微观上是指有粒子动量(力)去撞;(2)蚀,化学的作用,宏观上指腐蚀物理,微观上是指,被激活的分子或原子和目标物质的分子发生反应,异化掉该物质。

一、刻蚀设备市场规模目前刻蚀技术以等离子体干法刻蚀为主导。

刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀,干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术,其中以等离子体干法刻蚀为主导。

等离子体刻蚀设备原理是利用等离子体放电产生的带化学活性的粒子,在离子的轰击下,与表面的材料发生化学反应,产生可挥发的气体,从而在表面的材料上加工出微观结构。

按照刻蚀材料,干法刻蚀包括:1.介质刻蚀,包括氧化硅刻蚀(制作制作接触孔、通孔),氮化硅刻蚀(形成MOS器件的有源区和钝化窗口)。

介质刻蚀要求刻蚀高深宽比深孔、深槽,同时需要对下层材料有较高的选择比。

2.硅刻蚀,包括多晶硅刻蚀(形成MOS栅电极,是特征尺寸刻蚀)、单晶硅刻蚀(形成IC的STI槽和垂直电容槽),是定义特征尺寸的关键工序。

对多晶硅刻蚀要求高选择比,防止栅氧化层穿通,大于150:1;好的均匀性和重复性;高度的各向异性。

对单晶硅要求对每个沟槽进行精确的控制,要求有一致的光洁度、接近的垂直侧壁、正确的深度和圆滑的沟槽顶角和底角。

3.金属刻蚀。

包括刻蚀铝,形成IC的金属互联等。

半导体制造业是重资产投入产业,需要大量设备投资,设备投资占整个总体投资比例为70%左右;设备投资中,晶圆处理设备投资额最大,占整体设备投资比例超过80%。

2018年晶圆处理设备投资金额占整体设备投资比例达81%,晶圆处理设备中光刻机、刻蚀机和薄膜沉积设备投资金额占比最大,除了光刻机,刻蚀设备价值量最大,占晶圆设备投资的20%左右。

《2020-2026年中国刻蚀设备行业竞争格局分析及投资潜力研究报告》数据显示:除2008/2009年刻蚀设备销售额随着全球经济形势出现较大幅度衰退之外,2006年至今,刻蚀设备市场规模一直在60亿美元上下波动。

半导体行业制造年度总结(3篇)

半导体行业制造年度总结(3篇)

第1篇一、行业规模持续扩大2024年上半年,我国芯片制造设备支出达到250亿美元,超过美国、韩国等国家的总和。

预计全年支出将达到500亿美元,创年度纪录。

在全球半导体设备市场中,我国已成为最大的投资者。

此外,我国半导体产业链上下游企业不断壮大,行业规模持续扩大。

二、技术创新成果丰硕2024年,我国半导体行业在技术创新方面取得了丰硕的成果。

在芯片制造领域,我国企业攻克了一系列关键技术,如7纳米、5纳米制程工艺。

在材料领域,我国企业成功研发出碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料,为我国半导体产业的发展奠定了坚实基础。

三、产业链布局逐步完善2024年,我国半导体产业链布局逐步完善。

在芯片设计、制造、封装测试等领域,我国企业纷纷布局,推动产业链上下游协同发展。

此外,我国政府出台了一系列政策措施,鼓励企业加大研发投入,提升产业链整体竞争力。

四、政策支持力度加大2024年,我国政府加大对半导体行业的政策支持力度。

一方面,通过财政补贴、税收优惠等政策,鼓励企业加大研发投入;另一方面,加强知识产权保护,为半导体行业创造良好的发展环境。

五、国际合作不断深化2024年,我国半导体行业与国际市场的合作不断深化。

我国企业积极拓展海外市场,与国外企业开展技术交流与合作,推动产业链国际化。

同时,我国半导体产业在国际市场上也取得了一定的地位,为全球半导体产业发展做出了贡献。

六、市场前景广阔随着5G、人工智能、物联网等新兴技术的快速发展,我国半导体市场需求持续增长。

2024年,我国半导体市场规模达到1.2万亿元,预计未来几年仍将保持高速增长态势。

总之,2024年我国半导体行业制造取得了显著的成绩。

在技术创新、产业链布局、政策支持、国际合作等方面,我国半导体行业正朝着高质量发展方向迈进。

未来,我国半导体行业将继续保持强劲的发展势头,为我国经济社会发展贡献力量。

第2篇一、市场概况1. 支出持续增长:据国际半导体产业协会(SEMI)最新数据,2024年上半年,我国芯片制造设备支出达到250亿美元,超过美国、韩国等国家的总和。

半导体行业分析报告

半导体行业分析报告

半导体行业分析报告半导体行业分析报告半导体行业是当今科技领域中至关重要的一个领域,它在电子设备的制造和信息技术的发展中起着举足轻重的作用。

在这篇文章中,我们将对半导体行业进行详细的分析,包括行业概况、发展趋势和竞争态势等方面的内容。

一、行业概况半导体行业是指以半导体材料为基础制造电子器件、集成电路和电子元器件的产业。

它广泛应用于电子设备、通信设备、计算机、工业自动化、汽车电子等众多领域。

目前,全球半导体行业规模庞大,年销售额达数千亿美元。

二、发展趋势1.技术进步:半导体行业的核心是技术创新,随着科学技术的不断进步,半导体制造工艺和芯片设计水平不断提高。

高性能芯片、高密度集成电路的研发和应用将成为行业发展的主要方向。

2.产业升级:半导体行业正朝着高精尖制造方向发展。

如今,全球许多国家都将半导体行业视为国家战略产业,通过政府支持和投资,推动产业升级和跨国合作。

3.新兴应用:随着物联网和人工智能的快速发展,半导体行业面临着新的机遇和挑战。

传感器、云计算、大数据等新兴应用将成为行业的重要增长点。

三、竞争态势在全球范围内,半导体行业竞争激烈,主要集中在美国、日本、中国、韩国等国家和地区。

这些地区拥有领先的芯片设计和制造技术,企业之间的竞争主要体现在产品技术、市场份额和成本控制等方面。

1.主要企业:全球半导体行业中,拥有强大技术实力和市场影响力的企业包括英特尔、三星、台积电等。

这些企业在产品研发、生产规模和市场占有率上处于领先地位。

2.新兴企业:近年来,一些新兴企业在半导体行业中崭露头角。

特别是中国的半导体企业,凭借国家政策和市场需求的支持,逐渐在全球市场上崭露头角。

3.合作共赢:尽管半导体行业竞争激烈,但合作与共赢也是行业的重要特征。

企业之间通过技术交流、合作研发等方式,提高产业链的整体竞争力。

四、挑战与机遇半导体行业在发展的同时面临着许多挑战和机遇。

1.供应链管理:半导体行业涉及众多环节,供应链管理是一个重要的挑战。

对半导体的财务报告分析(3篇)

对半导体的财务报告分析(3篇)

第1篇一、引言半导体作为现代电子产业的核心基础,其发展水平直接关系到国家电子信息产业的竞争力。

近年来,随着全球电子信息产业的快速发展,半导体行业也呈现出高速增长的趋势。

本报告将通过对半导体行业主要企业的财务报告进行分析,揭示行业整体财务状况,探讨行业发展趋势,为投资者和行业参与者提供参考。

二、行业概况半导体行业主要包括集成电路、分立器件、光电子器件等细分领域。

我国半导体产业近年来取得了显著进展,但在全球市场份额、高端产品等方面与发达国家相比仍有较大差距。

本报告选取了行业内具有代表性的企业,对其财务报告进行深入分析。

三、财务指标分析1. 收入分析(1)营业收入:选取了A、B、C三家半导体企业,对其营业收入进行分析。

近年来,三家企业的营业收入均呈现增长趋势,其中A企业营业收入增长最快,达到30%以上。

这主要得益于企业加大了研发投入,提升了产品竞争力。

(2)毛利率:A、B、C三家企业的毛利率在20%-30%之间,处于行业平均水平。

其中,B企业毛利率最高,达到28%。

毛利率的提升主要得益于产品结构优化和成本控制。

2. 盈利能力分析(1)净利润:A、B、C三家企业的净利润均呈现增长趋势,其中A企业净利润增长最快,达到40%。

这主要得益于营业收入的高速增长和成本控制。

(2)净资产收益率:A、B、C三家企业的净资产收益率在10%-15%之间,处于行业平均水平。

其中,B企业净资产收益率最高,达到14%。

净资产收益率的提升主要得益于企业规模扩大和盈利能力的提高。

3. 偿债能力分析(1)资产负债率:A、B、C三家企业的资产负债率在40%-60%之间,处于行业平均水平。

其中,A企业资产负债率最低,为45%。

资产负债率的控制主要依赖于企业的融资能力和风险控制。

(2)流动比率:A、B、C三家企业的流动比率在1.5-2.0之间,处于行业平均水平。

流动比率的提高主要得益于企业的现金流管理和存货控制。

4. 运营能力分析(1)应收账款周转率:A、B、C三家企业的应收账款周转率在5-10次之间,处于行业平均水平。

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2020年半导体级刻蚀用单晶硅材料行业分析报告
2020年2月
目录
一、半导体级刻蚀用单晶硅材料简介 (4)
二、半导体级单晶硅材料行业情况 (5)
1、半导体材料:半导体产业的发展基石 (5)
2、半导体硅材料:半导体制造中的核心原材料之一,技术壁垒高 (6)
3、刻蚀用单晶硅材料 (8)
三、神工股份:全球刻蚀用单晶硅材料供应优势企业 (9)
1、专注单晶硅材料领域,产品质量优异 (9)
(1)产品质量优异,达到国际先进水平 (10)
(2)掌握刻蚀工序核心材料,示范半导体材料国产替代 (11)
(3)下游客户优质且稳定 (11)
2、业绩稳定增长,盈利持续攀升 (13)
(1)主营收入与净利润均实现较快增长 (13)
(2)毛利率、净利率处于高位,费用率低于同行业公司 (13)
3、半导体级硅单晶抛光片项目前景可期 (15)
半导体级刻蚀用单晶硅材料简介。

半导体级单晶硅材料是集成电路产业链中重要的基础材料,按照其应用领域划分,主要可分为芯片用单晶硅材料和刻蚀用单晶硅材料。

芯片制造工艺繁多复杂,其中薄膜沉积、光刻、刻蚀是芯片制造三个主要工艺环节,刻蚀用单晶硅材料主要应用于加工制成刻蚀用单晶硅部件,刻蚀用单晶硅部件是晶圆制造刻蚀环节所需的核心耗材。

半导体单晶硅材料行业情况。

半导体材料行业作为半导体产业的直接上游,是半导体行业技术进步的基石。

半导体材料主要应用于晶圆制造与封装,根据SEMI 统计,2018年全球半导体材料销售额达519亿美元,其中半导体制造材料市场规模322 亿美元,封装材料市场规模197亿美元。

半导体硅材料产业规模占半导体制造材料规模的30% 以上,是半导体制造中最为重要的原材料。

神工股份:全球刻蚀用单晶硅材料供应优势企业。

公司主要从事半导体级单晶硅材料的研发、生产和销售,单晶硅材料是晶圆制造刻蚀环节必须的核心耗材。

公司目前已成功进入国际先进半导体材料产业链体系,根据公司招股说明书披露,2018年公司在全球刻蚀用单晶硅材料市场占有率达到13%-15%,是业界领先的集成电路刻蚀用单晶硅材料供应商。

公司经过多年的技术积累,突破并优化了多项关键技术,构建了较高的技术壁垒。

目前公司所拥有的无磁场大直径单晶硅制造技术、固液共存界面控制技术、热场尺寸优化工艺等技术已处于国际先进水平。

根据公司招股说明书披露,财务数据方面:公司营业收入从2016
年4,420万元增长到2018年2.83亿元,年复合增长率达到152.83%;归母净利润从2016年1,070万元增长至2018年1.07亿元,年复合增长率高达215.64%,公司业绩实现较快增长。

盈利能力方面:2016年公司销售毛利率为43.73%,并呈现逐年增长趋势,2019年上半年毛利率达到67.24%,毛利率维持高位水平。

建设半导体级硅单晶抛光片。

神工股份拟建设8英寸半导体级硅单晶抛光片生产线,根据公司招股说明书披露,抛光片募投项目建设完成并顺利达产后,公司将具备年产180万片8英寸半导体级硅单晶抛光片以及36万片半导体级硅单晶陪片的产能规模。

国内抛光片市场发展空间广阔,根据国家统计局数据,预计未来几年行业增长速度还将保持7%以上的增长速度,到2022年我国硅抛光片行业市场规模将达到133.44亿元。

一、半导体级刻蚀用单晶硅材料简介
半导体级单晶硅材料是集成电路产业链中重要的基础材料,按照其应用领域划分,主要可分为芯片用单晶硅材料和刻蚀用单晶硅材料。

芯片制造工艺繁多复杂,其中薄膜沉积、光刻、刻蚀是芯片制造三个主要工艺环节,刻蚀用单晶硅材料主要应用于加工制成刻蚀用单晶硅部件,刻蚀用单晶硅部件是晶圆制造刻蚀环节所需的核心耗材。

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