《模拟电子技术基础》期中测试题
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。
A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。
A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
模拟电子技术期中考试卷
模拟电子技术期中考试卷
1.（10分）两级阻容耦合放大电路如图所示，已知T 1的g m =1ms ，r ds =200k Ω， T 2的β=50，r be =1k Ω，⑴画出该放大电路的微变等效电路；
⑵求放大电路的电压放大倍数i O U U A .
../ ；
⑶求放大电路的输入电阻R i 和输出电阻R o ;
2. （10分）已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES │＝3V ，V CC ＝15V ， R L ＝8Ω。
选择正确答案填入空内。
（1）电路中D1和D2管的作用是消除 。
A ．饱和失真
B ．截止失真
C ．交越失真
（2）静态时，晶体管发射极电位U EQ 。
A ．＞0V
B ．＝0V
C ．＜0V
（3）最大输出功率P OM 。
A ．≈28W
B ．＝18W
C ．＝9W
（4）当输入为正弦波时，若R 1虚焊，即开路，则输出电压 。
A ．为正弦波
B ．仅有正半波
C ．仅有负半波
（5）若D1虚焊，则T1管 。
A ．可能因功耗过大烧坏
B ．始终饱和
C ．始终截止
U
o
CC。
模拟电子技术期中考试题
模拟电子技术期中考试题1.填空题：（每空2分，任意选择选作，最多可得50分）（1）三种双极型管的基本组态放大电路中，输入电阻最大的是共集电放大电路；输入电阻最小的是共基放大电路；输出电压与输入电压反相的是共射放大电路；电压放大倍数最大的是共射和共基放大电路；电压放大倍数最小的是共集电放大电路；输出电阻最小的是共集电放大电路；电流放大倍数最大的是共集电放大电路；既有电流放大又有电压放大的是共射放大电路。
（2）天然的硅和锗经过高度提纯后形成具有共价键（或晶格对称）结构的本征半导体；在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素，可形成P型半导体，其多子是空穴，少子是自由电子，不能移动的离子带负电；掺入微量的五价杂质元素，可获得N型半导体，其多子是自由电子，少子是空穴，不能移动的离子带正电。
（3）二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个区。
双极型三极管的输出特性曲线上可分为放大区、饱和区和截止区三个区。
（4）双极型管主要是通过改变基极小电流来改变集电极大电流的，所以是一个电流控制型器件；场效应管主要是通过改变栅源间电压来改变漏极电流的，所以是一个电压控制型器件。
（5）组成放大电路的基本原则是：外加电源的极性应使三极管的发射结正偏、集电结反偏。
（6）放大电路的基本分析法有静态分析法和动态分析法；其中动态分析法的微变等效电路法只能用于分析小信号放大电路；确定放大电路的静态工作点可采用估算法和图解法。
（7）多级放大电路的耦合方式通常有阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种方式；集成电路中一般采用直接耦合方式。
（8）放大电路中出现的饱和失真和截止失真称为非线性失真；频率失真称为线性失真。
2.简答题：（每小题10分，也可任意选作）（1）双踪示波器在电子仪器中的功能是什么？说说信号为1kHz时，周期档位如何选择？答：双踪示波器在电子仪器中可以用来准确显示任意波形、任意频率和一定幅度的电信号轨迹。
《模拟电子技术基础》期中测试题
《模拟电子技术基础》期中测试题一、填空题:(40分1.在本征半导体中加入三价元素可形成 p 型半导体,加入五价元素可形成 n 型半导体。
2.当PN 结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变 zai ;当PN 结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。
3.二极管最主要的特性是单向导电。
在常温下,硅二极管的开启电压约 0.5 V ,导通后在较大电流下的正向压降约0.7 V ;锗二极管的开启电压约 0.1 V ,导通后在较大电流下的正向压降约0.2 V 。
4.为保证三极管处于放大状态,其发射结必须加正向偏置电压,集电结必须加反向偏置电压。
5.场效应管是一种亚控器件,它利用善缘电压控制漏极电流i D 。
6.NPN 型三极管共射放大电路的输出波形有底部失真,它属于饱和失真,消除该失真要增大 Rb 的阻值。
7.某三极管的极限参数P CM =150mW,I CM =100mA,U (BRCEO =30V,若它的工作电压U CE =10V,则工作电流I C 不得超过 mA ;若工作电压U CE =1V ,则工作电流不得超过 mA ;若工作电流I C =1mA,则工作电压不得超过 V 。
8.图1.8(a和(b是两个放大管的不完整的符号,根据图中所给数据和电流方向,判断它们的导电类型分别为型和型,用半导体材料和制成,电流放大系数β分别为和。
图1.8图1.99.根据图 1.9中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为饱和、放大、截止。
10.三极管处于放大状态时,是工作在其特性曲线的放大区;场效应管工作在放大状态时,是工作在其特性曲线的恒流区。
11.集成运放的内部电路是一种耦合的多级放大电路,它的放大倍数非常高,但是各级静态工作点Q是相互的。
12.互补对称输出电路容易产生交越失真,主要因为两个对称三极管特性有电压,在回路加偏置电压可消除该失真。
13.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,能够放大高频信号。
《模拟电子技术(第2版)》试题库 模电期中试卷
《模拟电路》课程期中试卷班级姓名学号成绩一、选择题（将一个正确选项前的字母填在括号内）（每小题2分、共30分）1. 在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变( )A.发射极电阻B. 基极电阻C. 集电极电阻D.三极管的值2.在三极管的基本组态电路中 ( )A.共发组态输出电阻最小B.共发组态输入电阻最小C.共基组态输出电阻最小D.共集组态输入电阻最大3. 若要稳定输出电流同时提高输入电阻，可加入下列负反馈()A.电流串联B.电压串联C.电流并联D.电压并联4. 为了稳定静态工作点，电路中应该引入()A.交流负反馈B.直流负反馈C.直流正反馈D.交流正反馈5. 差分放大器是一种直接耦合放大器，它( )A.只能放大直流信号B.只能放大交流信号C.不能放大交流信号D.可以抑制共模信号6. 直接耦合放大电路零点漂移产生的主要原因是( )A.输入信号较大B.环境温度C.各元件质量D.电压放大倍数7. 如图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“TIME/DIV”的指示值是2μs，则所测正弦波的频率为（）A．500kHz B．250kHz C．125kHz D．100kHz8. 如上图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“mV/DIV”的指示值是50，则所测正弦波的最大值为（）A.230 mV B．80 mV C．115 mV D．100 mV9. 用万用表欧姆档辨别发光二极管的阴、阳极时，应该把欧姆档拨到（）A．R×100或R×1k档B．R×1档C．R×10档D．R×10k档10. 若反馈信号与输出电压信号成比例，则引入的反馈是( )A.电流负反馈B.电压负反馈C.并联负反馈D.串联负反馈11. 在深度负反馈下闭环放大倍数比较稳定的原因是( )A.改善了非线性失真B.输入电阻增大C.输出电阻减小D.反馈网络的稳定特性12. 集成运放为了克服温漂问题，输入级大多采用的电路为( )A.共射电路B.差分放大电路C. 共集电路D. 共基电路13. 要从函数信号发生器上输出峰峰值为50mV的信号，正确的衰减设置( )A.全部弹出B.仅20dB按钮按下C.仅40dB按钮按下D.全部按下14. 电压跟随器在电路中可能起的作用有( )A.放大电压信号B.放大电流信号C.减小电路的输入电阻D.缓冲数据15. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,后者的运放通常工作在（）A．深度负反馈状态 B. 放大状态 C. 开环或正反馈状态 D.线性工作状态二、填空题（每小题2分，共12分）1. PNP型三极管工作在放大状态，三点的电位关系为。
模拟电子技术期中考试题1[1页]
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模拟电子技术期中考试题1.填空题：（每空2分，任意选择选作，最多可得50分）（1）三种双极型管的基本组态放大电路中，输入电阻最大的是 放大电路；输入电阻最小的是 放大电路；输出电压与输入电压反相的是 放大电路；电压放大倍数最大的是 和 放大电路；电压放大倍数最小的是 放大电路；输出电阻最小的是 放大电路；电流放大倍数最大的是 放大电路；既有电流放大又有电压放大的是 放大电路。
（2）天然的硅和锗经过高度提纯后形成具有 结构的本征半导体；在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素，可形成 型半导体，其多子是 ，少子是 ，不能移动的离子带 电；掺入微量的五价杂质元素，可获得 型半导体，其多子是 ，少子是 ，不能移动的离子带 电。
（3）二极管的伏安特性曲线上可分为 区、 区、 区和 区四个区。
双极型三极管的输出特性曲线上可分为 区、 区和 区三个区。
（4）双极型管主要是通过改变 极小电流来改变 极大电流的，所以是一个 控制型器件；场效应管主要是通过改变 间电压来改变 电流的，所以是一个 控制型器件。
（5）组成放大电路的基本原则是：外加电源的极性应使三极管的发射结 偏、集电结 偏。
（6）放大电路的基本分析法有 分析法和 分析法；其中 分析法的微变等效电路法只能用于分析 信号放大电路；确定放大电路的静态工作点可采用 法和 法。
（7）多级放大电路的耦合方式通常有 耦合、 耦合和 耦合三种方式；集成电路中一般采用 耦合方式。
（8）放大电路中出现的饱和失真和截止失真称为 失真；频率失真称为 失真。
2.简答题：（每小题10分，也可任意选作）（1）双踪示波器在电子仪器中的功能是什么？说说信号为1kHz 时，周期档位如何选择？（2）函数信号发生器在电子线路的测量中能做什么？（3）电子线路的测量中，为什么要使用电子毫伏表而不用普通电压表测量电压？电子毫伏表的读数是所测电压的有效值还是最大值？还是峰-峰值？3.计算题：（可任选一题，其中第1题作对可得40分，第2题作对可得60分）（1）图示分压式偏置放大电路中，已知R C ＝3k Ω，R B1＝80k Ω，R B2＝20k Ω，R E ＝1k Ω，β=80，①画出直流通道，进行静态分析（设U BE =0.7V ）；②画出微变等效电路，进行动态分析（设r bb’=300Ω）。
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10、判断下面三级管的工作状态（
C．-4V ）
三、判断题（每题 1 分，共 10 分）
1、晶体二极管击穿后立即烧毁。 （）
2、用万用表测二极管正向电阻，插在万用表标“+”号插孔的测试棒（通常是红色棒 ）
所连接的二极管的管脚是二极管正极，另一为负极。 （ ）
3、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P 型或 N 型）构成的，所以 极 e 和 c 极可以互换使用。（）
4、三极管处于截止状态时，发射结正偏 （）
5、晶体三极管具有能量放大功能。 （）
6、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。 （）
7 、 二 极 管 两 端 加 上 0.7V 的 电 压 就 能 导 通 。 （ ）8 、 无论是 NPN 还是 PNP 三极管处于放大状态时都要求 Vc>Vb>Ve 。 （ ）
A．一定导通 B．超过死区电压才能导通 C．超过 0.7 伏才导通 D．超过 0.3 伏才导通 2.下列 元器件中，（）可将电信号转化成光信号。 A．二极管 B．三极管 C．发光二极管 D．光电二极管 3.处于饱和状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（ ） A. 发射结和集电结都处于正偏 B. 发射结处于正偏，集电结处于反偏 C. 发射结处于反偏，集电结处于正偏 4.对直流通路而言，放大电路中的电容应视为 。 A、直流电源 B、开路 C、短路 5、测得放大电路中三极管的各极电位如图，则该三极管为（ ）
Rb1 Rc
C2 C2
+ +
++
V
C1
+
V
RL
Re
+ Ce
_
（a）
Rb2
Re
Ce
_
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。
A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
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《模拟电子技术基础》期中测试题
一、填空题：（40分）
１．在本征半导体中加入三价元素可形成p 型半导体，加入五价元素可形成n 型半导体。
2.当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变zai ；当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
3.二极管最主要的特性是单向导电。
在常温下，硅二极管的开启电压约0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约0.7 V；锗二极管的开启电压约0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约0.2 V。
4.为保证三极管处于放大状态，其发射结必须加正向偏置电压，集电结必须加反向偏置电压。
5．场效应管是一种亚控器件，它利用善缘电压控制漏极电流i D。
6.NPN型三极管共射放大电路的输出波形有底部失真，它属于饱和失真，消除该失真要增大Rb的阻值。
7.某三极管的极限参数P CM＝150mW,I CM=100mA,U(BR)CEO=30V,若它的工作电压U CE＝10V,则工作电流I C不得超过mA；若工作电压U CE=1V，则工作电流不得超过mA；若工作电流I C＝1mA,则工作电压不得超过V。
8.图1.8(a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为型和型，用半导体材料和制成，电流放大系数β分别为和。
图1.8
图1.9
9.根据图1.9中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为饱和、放大、截止。
10.三极管处于放大状态时，是工作在其特性曲线的放大区；场效应管工作在放大状态时，是工作在其特性曲线的恒流区。
11．集成运放的内部电路是一种耦合的多级放大电路，它的放大倍数非常高，但是各级静态工作点Q是相互的。
12．互补对称输出电路容易产生交越失真，主要因为两个对称三极管特性有电压，在回路加偏置电压可消除该失真。
13．阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，能够放大高频信号。
14.为提高输入电阻，减小零点漂移，通用集成运放的输入级大多采用电路；为了减小输出电阻，输出级大多采用电路。
二、选择题：（20分）
1．广义地说，结型管应该是属于（a ）
A.耗尽型
B.增强型
C. 两种都不是
2．测得放大电路中三极管的各极电位如图，则该三极管为c 。
A.NPN,硅管
B.PNP,硅管
C. NPN,锗管
D. PNP, 锗管
图2.3 图2.2
3.用示波器观察NPN管共射单管放大器的输出电压波形如图2.3，判断属于何种类型的失真（b ）
A.饱和失真
B.截止失真
C.交越失真
D.幅频失真
4．共集电极放大电路的放大倍数，而电流放大倍数。
（ c ）
A.≤1,很小
B.≥1,很大
C. ≤1, 很大
5．稳压管稳压是利用它的特性，所以必须给稳压管外加电压。
（c ）
A.单向导电，反向
B.反向击穿，正向
C.反向击穿，反向
D.单向导电，正向
6.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ b ）
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
7.说晶体管具有放大电流的功能，是指它在电路中采用（c ）
A.共射接法
B.共基接法
C.共集接法
D.任何接法
8.三极管的I CEO大，说明其（ d ）
A.工作电流大
B.击穿电压高
C.寿命长
D.热稳定性差
9.两个参数对称的三极管组成差动电路，在双端输入和双端输出时，与单管电路相比其放大倍数，输出电阻。
（）
A.大两倍，高两倍
B.相同，相同
C.相同，高两倍
10.K CMR越大，表明电路。
（c ）
A.放大倍数越稳定
B.交流放大倍数越大
C.抑制零漂能力越强
D.输入信号中差模成分越大
三、简答题：（20分）
1.简述射极输出器的特点。
2.什么是差模信号、共模信号？差动放大电路对差模信号和共模信号是如何对待的？
3.集成运放由哪些部分组成？并说明集成运放参数A ud和A uc的含义。
4.恒流源电路在集成运放中有哪些用途？
四、分析计算题：（20分）
1．分压式工作点稳定电路如图4.1，已知：Ucc=12V,
R b1=15KΩ, R b2=30KΩ, Rc=2KΩ, Re=2KΩ,三极管β=50，
ＵBEQ=0.7V,r bb′=300Ω,C1、C2、C e的容量足够大，试求：。